TWM517407U - 一種清洗裝置 - Google Patents

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TWM517407U
TWM517407U TW104215578U TW104215578U TWM517407U TW M517407 U TWM517407 U TW M517407U TW 104215578 U TW104215578 U TW 104215578U TW 104215578 U TW104215578 U TW 104215578U TW M517407 U TWM517407 U TW M517407U
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TW
Taiwan
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water
cleaning device
cleaning
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collecting chamber
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TW104215578U
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English (en)
Inventor
Yi-Chieh Chiu
Kai-Yuan Hou
Kuang-Yu Chang
Hung-Sheng Chang
Original Assignee
Bond Shine Co Ltd
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Description

一種清洗裝置
本創作係有關於一種箱體設備清洗工具之技術領域,特別是可調整清洗溶液輸出角度之一種清洗裝置。
按,薄膜沉積製程中,例如:化學氣相沉積、物理氣相沉積、電鍍及光阻塗佈等,化學品或金屬粒子極有可能沉積在晶圓不具圖形之背面及側邊,而成為額外的污染源。此外,晶圓背面及側邊的污染也很可能在晶圓搬運過程中對操作手臂及製程設備的基座表面造成污染,在製程中成為反應室壁及晶圓表面之污染粒子來源。因此,導入新材料至晶圓製程後,必須額外清洗晶圓以除去污染物。
習知晶圓清洗裝置,雖說可達成清洗晶圓之目的,但是晶圓清洗時,其高速甩出的清洗溶液及其異物,卻飛濺至清洗槽之槽壁上,並逐漸的積累一層殘積物,而這些殘積物會隨著時間的累積而增厚或變質,干擾晶圓清洗裝置的清洗能力,故每隔一定的時間就必需將晶圓清洗裝置停機進行保養清除的動作,此為業界最為垢病之處。因為晶圓清洗裝置一旦停機,勢必導致生產工時的浪費與停滯,甚至產線的停擺,故如何能在不停機的前提下,對晶圓清洗裝置之清洗槽槽壁殘積物進行沖洗,預防殘 留或延長停機保養的間距,顯為業界所期盼。
有鑑於上述習知技藝之問題與缺失,本創作之主要目的乃在提供一種清洗裝置,本創作係揭示一種清洗裝置,其包括:一蓋殼體以及一揚水盤。其中,該蓋殼體具有一入水口以及至少一連通入水口而分別形成於蓋殼外徑周緣之揚水孔,其中該揚水孔12厚度朝該蓋殼體之蓋緣方向遞減,形成一較大之該揚水孔12角度,使得清洗可及範圍加大;該揚水盤之一預設端面與該蓋殼體匹配相抵,形成一集水室,以及自該集水室朝與之連通之揚水道間形成一導流道。將上述構件組合設置於清洗槽,使清洗溶液可自入水口進入揚水盤內,並藉由揚水盤因外力旋轉所產生之離心力,將揚水盤內之清洗溶液經由導流道至揚水孔及揚水道以一預設角度甩出,藉以沖刷清洗槽之槽壁,避免清洗槽之槽壁上之殘積物積累。
為使熟悉該項技藝人士瞭解本創作之目的、特徵及功效,茲藉由下述具體實施例,並配合所附之圖式,詳加說明如后。
1‧‧‧蓋殼體
11‧‧‧入水口
12‧‧‧揚水孔
2‧‧‧揚水盤
21‧‧‧預設端面
22‧‧‧集水室
23‧‧‧揚水道
24‧‧‧導流道
9‧‧‧晶圓清洗裝置
91‧‧‧清洗槽
911‧‧‧槽壁
92‧‧‧蓋體
93‧‧‧承載座
94‧‧‧給水管件
95‧‧‧清洗溶液
圖1 係本創作清洗裝置之立體示意圖。
圖2 係蓋殼體之倒置之立體示意圖。
圖3 係圖2之揚水孔細部放大之示意圖。
圖4 係揚水盤之立體示意圖。
圖5 係揚水盤之揚水道細部放大之示意圖。
圖6 習知晶圓清洗裝置之立體示意圖。
圖7 係本創作清洗裝置具體實施之剖面圖。
以下請參照相關圖式進一步說明本創作清洗裝置實施例。為便於理解本創作實施方式,以下相同元件係採相同符號標示說明。
如圖1~7所示,本創作之清洗裝置,其包括;一蓋殼體1以及一揚水盤2。其中,該蓋殼體1具有一入水口11以及至少一連通入水口11而分別形成於蓋殼外徑周緣之揚水孔12,其中該揚水孔12厚度朝該蓋殼體之蓋緣方向遞減,形成一較大之該揚水孔12角度,使得清洗可及範圍加大;該揚水盤2之一預設端面21與該蓋殼體1匹配相抵,形成一集水室22,以及自該集水室22朝與之連通之揚水道23間形成一導流道24。將上述構件組合設置於清洗槽91,使清洗溶液95可自入水口11進入揚水盤2內,並藉由揚水盤2因外力旋轉所產生之離心力,而將揚水盤2內之清洗溶液95經由導流道24至揚水孔12及揚水道23以一預設角度甩出,藉以沖刷清洗槽91槽壁911,避免清洗槽91之槽壁911上之殘積物積累。
如圖1所示,係為本創作清洗裝置之立體示意圖,包含一蓋殼體1,以及一貫穿該蓋殼體1形成之入水口11,另包含一 揚水盤2,以及至少一形成於該揚水盤2表面之一預設端面21,其中本創作清洗裝置實施時,該蓋殼體1與該揚水盤2之該預設端面21匹配相抵。
如圖2、3所示,圖2係該蓋殼體之倒置之示意圖,由該圖可清楚看見該蓋殼體1周緣形成至少一揚水孔12,其特徵在於該揚水孔12厚度朝該蓋殼體之蓋緣方向遞減,形成一較大之該揚水孔12角度,使得清洗可及範圍加大;圖3為揚水孔細部放大圖。
如圖4、5所示,圖4為揚水盤之立體示意圖,該揚水盤2係仿一晶圓尺寸所形成,其中包括:一預設端面21、集水室22、揚水道23以及導流道24;圖5為該揚水道之細部放大圖。
如圖6、7所示,圖6為習知晶圓清洗裝置之立體示意圖;圖7為本創作於一清洗裝置實施之剖面圖。上述揚水盤2提供晶圓清洗裝置9相關構件夾持,並容置於清洗槽91內,同時於入水口11及導流道24位置之間形成一集水室22,以及至少一連通集水室22之揚水道23;其中,當清洗溶液95自揚水道23及揚水孔12射出至清洗槽91之槽壁911可達到之一預設揚角介於0~90度。
如圖1~7所示,本創作之組裝方式及使用特點介紹如下:首先,於晶圓清洗過程,可選擇性的將清洗裝置混入待清洗之晶圓暫存裝置中(圖中未示),使晶圓清洗裝置9於作動時,可自動的由晶圓暫存裝置中,取得待清洗的晶圓至清洗槽91進行清洗的動作,當然亦會將本創作之清洗裝置取放於清洗槽91中進行清洗動作。
當晶圓清洗裝置9拿取清洗裝置至清洗槽91時,會將清洗裝置設置於承載座93上並被高速旋轉,而給水管件94以預定的流速引進清洗溶液95至清洗槽91,並由蓋殼體1之入水口11進入集水室22,由於清洗裝置處於高速旋轉的狀態,故集水室22的清洗溶液95會沿導流道24朝揚水道23、揚水孔12方向運動,其中,因導流道24寬度自集水室22端朝揚水道23端遞減而增強水壓,藉呈一弧形狀(旋形)之導流道24方向,更增加其流經導流道24之清洗溶液95的水壓,而造成清洗溶液95自揚水孔12及揚水道23沿清洗裝置強力旋轉的徑向甩出,並沖擊清洗槽91預設角度之槽壁911,達到沖洗清潔的效果。
故本創作之特徵在於該揚水孔12厚度朝該蓋殼體之蓋緣方向遞減,形成一較大之該揚水孔12角度,使得清洗可及範圍加大。另外,除藉由箱體清洗治具旋轉的離心力將給水管件94引入之清洗溶液95甩出外,更可藉導流道24寬度漸縮的變化,以及導流道24一弧形(旋形)方向引流清洗溶液95,增加導流道24中清洗溶液95的壓力,以增強清洗溶液95甩出時的沖擊力,達到強化清潔效果。
承上所述,本創作之清洗裝置可避免異物積累於清洗槽91之槽壁911上,並可延長清潔槽壁911的保養間距,且可在不停機的前提下,依正常的晶圓清洗工序,而對清潔槽進行清潔的動作,大幅降低晶圓清洗設備停機保養的損失與負擔。
以上已將本創作作一詳細說明,惟以上所述者,僅 為本創作之一較佳實施例而已,當不能限定本創作實施之範圍。即凡依本創作申請範圍所作之均等變化與修飾等,皆應仍屬本創作之專利涵蓋範圍內。
1‧‧‧蓋殼體
11‧‧‧入水口
2‧‧‧揚水盤
21‧‧‧預設端面

Claims (6)

  1. 一種清洗裝置,係包括一蓋殼體以及一揚水盤,其中,該蓋殼體係為具有一貫穿該蓋殼體之入水口,以及至少包含一沿該蓋殼體之蓋緣之一揚水孔,其中該揚水孔之特徵在於其厚度朝該蓋殼體之蓋緣方向遞減,形成一較大之該揚水孔角度,使清洗可及範圍加大;另外,該揚水盤係包括一與該蓋殼體匹配之一預設端面,形成一集水室以及至少一連通於該集水室之揚水道,該揚水道朝該揚水盤外緣方向係有一預設角度,且該揚水道位置與該揚水孔相對應。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之清洗裝置,其中該預設角度介於0~90度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之清洗裝置,其中該集水室與該揚水道之間,進一步於該蓋殼體與該揚水盤中之該預設端面相抵,形成有一連通之導流道。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之清洗裝置,其中該導流道寬度自該集水室端朝該揚水道端遞減。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之清洗裝置,其中該導流道之導流方向,自該集水室端朝該揚水道順時針旋轉方向導流。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之清洗裝置,其中該導流道之導流方向,自該集水室端朝該揚水道逆時針旋轉方向導流。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106129556A (zh) * 2016-08-28 2016-11-16 戴永胜 一种短截线型ltcc超宽带带通滤波器
CN113131112A (zh) * 2021-04-22 2021-07-16 北京邮电大学 一种内嵌sir枝节的小型化带通ltcc滤波器

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