JPS58168238A - 半導体基板用洗浄装置 - Google Patents
半導体基板用洗浄装置Info
- Publication number
- JPS58168238A JPS58168238A JP5200282A JP5200282A JPS58168238A JP S58168238 A JPS58168238 A JP S58168238A JP 5200282 A JP5200282 A JP 5200282A JP 5200282 A JP5200282 A JP 5200282A JP S58168238 A JPS58168238 A JP S58168238A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic solvent
- substrate
- damper
- cleaning
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔尭＠Ｏｔ！１１１１１分舒〕
本発明は、有−溶剤を用いて半導体基板を洗浄処理する
半導体基板゛用洗浄装置に関する。
半導体基板゛用洗浄装置に関する。
（１１＠０技留的背景とその間一点〕
半導体１礁、轡にＩＣ嵩子の製造においては、−纏なゴ
ミや粒子による半導体基板の汚染が重要な問題とな□る
。そこで従来、清浄な空気中で清浄な薬品と清浄な水と
を使用して半導体基板を洗浄するようにしている。とこ
ろが、従来の洗浄方法では多量の清浄な水を必要とする
ため、処理コストの増大を招く等の欠点があった。
ミや粒子による半導体基板の汚染が重要な問題とな□る
。そこで従来、清浄な空気中で清浄な薬品と清浄な水と
を使用して半導体基板を洗浄するようにしている。とこ
ろが、従来の洗浄方法では多量の清浄な水を必要とする
ため、処理コストの増大を招く等の欠点があった。
水以外のものを使用して半導体基板を洗浄する方法とし
ては、有機溶剤を用いた直接洗浄および有機溶剤の蒸気
による洗浄があるが、この場会洗浄したのちに半導体基
板から有機溶剤を完全に取９去ることがで會なｌ、ＮＯ
さら曇こ、有機溶剤を取）去ったのちに、有機溶剤に溶
けていた物質を半導体基板表面に残さないと云う点に調
しては不十分であった。
ては、有機溶剤を用いた直接洗浄および有機溶剤の蒸気
による洗浄があるが、この場会洗浄したのちに半導体基
板から有機溶剤を完全に取９去ることがで會なｌ、ＮＯ
さら曇こ、有機溶剤を取）去ったのちに、有機溶剤に溶
けていた物質を半導体基板表面に残さないと云う点に調
しては不十分であった。
〔発＠Ｏ目的〕 −□本発明の目
的は、有機溶剤を用いることにより水を用いることなく
半導体基Ｉ！Ｏ洗浄を行うことができ、Ｉ＆理ココスト
低減化をはかヤ得て、かつ処理したＯちに半導体基板上
■に有機溶剤或いは諌溶剤に溶けていた物質が残存する
ことを確実に防止し得る半導体基板用洗浄装置を提供す
ることにある。
的は、有機溶剤を用いることにより水を用いることなく
半導体基Ｉ！Ｏ洗浄を行うことができ、Ｉ＆理ココスト
低減化をはかヤ得て、かつ処理したＯちに半導体基板上
■に有機溶剤或いは諌溶剤に溶けていた物質が残存する
ことを確実に防止し得る半導体基板用洗浄装置を提供す
ることにある。
本実＠Ｏ骨子は、有機溶剤Ｏｓ気を半導体基板上で有機
溶剤に変え半導体基ＩＩＯ洗浄を行ったのち、円心力を
利用して半導体基板上に付着している有機溶剤をＩＩＬ
シ去ることにある。
溶剤に変え半導体基ＩＩＯ洗浄を行ったのち、円心力を
利用して半導体基板上に付着している有機溶剤をＩＩＬ
シ去ることにある。
すなわち本発明は、有機溶剤を用いて半導体基板を洗浄
処理する半導体基・横用洗浄装置におイテ、気密保持さ
れたデャンパこのデャンバ内に配置され有機洗浄に併さ
れる半導体基板を支持する基板支持具およびこの基板支
持具を回転、せしめる１１ｍ５からなる回転式洗浄機構
と、有機溶剤を収容した容器およびこの容器内の有機溶
剤□を加熱して１発せしめる７Ｊｌ島部からなる有機溶
剤蒸気発生機構と、この有機溶剤蒸気発生機構によｐ得
られた有機溶剤の蒸気を鋺紀回転式洗浄機構Ｏデャンパ
内に導入する手段と、―紀デャンパ内に清浄な気体を導
入する手段と、―紀デャンパ内を排気する手段とを具備
してなるものである。
処理する半導体基・横用洗浄装置におイテ、気密保持さ
れたデャンパこのデャンバ内に配置され有機洗浄に併さ
れる半導体基板を支持する基板支持具およびこの基板支
持具を回転、せしめる１１ｍ５からなる回転式洗浄機構
と、有機溶剤を収容した容器およびこの容器内の有機溶
剤□を加熱して１発せしめる７Ｊｌ島部からなる有機溶
剤蒸気発生機構と、この有機溶剤蒸気発生機構によｐ得
られた有機溶剤の蒸気を鋺紀回転式洗浄機構Ｏデャンパ
内に導入する手段と、―紀デャンパ内に清浄な気体を導
入する手段と、―紀デャンパ内を排気する手段とを具備
してなるものである。
本発明によれば、清浄な水を用いることなく半導体基板
を洗浄＃＆理することができるので、鍋ｌコストの大幅
な低減化をはかり得る。また、洗浄４１６層したのちは
基板支持具を一転せしめることｋよ１１４導体基板表面
の有機溶剤を確実に取９去ることがで會る。さらに、そ
の後デャンバ内に清浄な気体を導入すると挨にデャンバ
内を排気することによｐ１デャンバ内から有機溶剤およ
び錬溶剤ＯＪｌ気を完全に除去することがで舎る。
を洗浄＃＆理することができるので、鍋ｌコストの大幅
な低減化をはかり得る。また、洗浄４１６層したのちは
基板支持具を一転せしめることｋよ１１４導体基板表面
の有機溶剤を確実に取９去ることがで會る。さらに、そ
の後デャンバ内に清浄な気体を導入すると挨にデャンバ
内を排気することによｐ１デャンバ内から有機溶剤およ
び錬溶剤ＯＪｌ気を完全に除去することがで舎る。
〔雫明の実施例〕 ９
第１ＩＩは本発明の＝実施例に係わる半導体基板用洗浄
装置の概略構成を示す模式図で、あ、る。
装置の概略構成を示す模式図で、あ、る。
図中１は気密保持されたチャンバ下ｉｐ％９゜デャンｔ
＜ 、１内には複数の半導体基板Ｉを寞持す一： る基板支持具１が配置されてい、る２゜５ｏｔｓａ支基
板支持Ａ１はデャンパ１０下方に設けた駆動モニタ４に
よｐ回転駆動されるものとなっている。
＜ 、１内には複数の半導体基板Ｉを寞持す一： る基板支持具１が配置されてい、る２゜５ｏｔｓａ支基
板支持Ａ１はデャンパ１０下方に設けた駆動モニタ４に
よｐ回転駆動されるものとなっている。
、また、図中５は有機溶剤６を収容した容器であり、こ
の容器５０底部には温度制御回路１によ御所定温ｔ＃こ
加熱されるヒータ１が配置さ些ている。そして、このヒ
ータ、＃によ）有機溶剤６が加熱され有機溶剤Ｃは蒸発
するものとなっている。ここで、有機溶剤Ｃとして、例
えばニブルアルコールを用いた場合、エデルア、ル巳−
ルＯＩＬ度と蒸気圧との間には第２図に示す知命関係が
ある。した、がって、鍵紀ヒータ１の加熱温度を変える
ことによって有機溶剤６ｏｚ気圧を寵えることが回部で
ある。
の容器５０底部には温度制御回路１によ御所定温ｔ＃こ
加熱されるヒータ１が配置さ些ている。そして、このヒ
ータ、＃によ）有機溶剤６が加熱され有機溶剤Ｃは蒸発
するものとなっている。ここで、有機溶剤Ｃとして、例
えばニブルアルコールを用いた場合、エデルア、ル巳−
ルＯＩＬ度と蒸気圧との間には第２図に示す知命関係が
ある。した、がって、鍵紀ヒータ１の加熱温度を変える
ことによって有機溶剤６ｏｚ気圧を寵えることが回部で
ある。
また、容器１とデャンパ１とはバルブ９を介して接続さ
れ１．容器ｌ内Ｏ有機溶剤−の蒸気がデャイバｌ内−導
入されるもやと、なっている。
れ１．容器ｌ内Ｏ有機溶剤−の蒸気がデャイバｌ内−導
入されるもやと、なっている。
なお、−中１０．１１はデ、、ヤンパ１内に清浄１な蝉
体−を導入するためのバルブ、１１はデャン、バ、′ ＩＰ３を排気するため０５バルブを示している◎。
体−を導入するためのバルブ、１１はデャン、バ、′ ＩＰ３を排気するため０５バルブを示している◎。
次に１．このように構成された本装置の竿用方法を１！
！明する。ここでは、竺機溶剤−として半導体工業用モ
デルアルコ、−ルを使用した。まず、チャンバｌ内り１
＆板支紳具１に半導体基板１を一歇枚装着し、仁の状態
でバルブ９．〜．１１をそれぞれ閉じバルブ１１を１Ｉ
ＩＩ！デヤンパ１内を檎ｆ：状態に保持する。次いで、
容器ｉ内のニブルアルコール−を８ Ｏ（’Ｃ）に加熱
しエテルアルコールＣＯＨ気を８１２〔■Ｈｇ）に保持
したのチ、バー、ツクを−、命エデルア１ルコールｇｏ
、１１気をチャンバ１内に導入する。、このとき、デャ
ンパ１内が減圧状態に保持されているので、エテルアル
コ−５４０蒸気はデャンバｌ内に速やかに導入される。
！明する。ここでは、竺機溶剤−として半導体工業用モ
デルアルコ、−ルを使用した。まず、チャンバｌ内り１
＆板支紳具１に半導体基板１を一歇枚装着し、仁の状態
でバルブ９．〜．１１をそれぞれ閉じバルブ１１を１Ｉ
ＩＩ！デヤンパ１内を檎ｆ：状態に保持する。次いで、
容器ｉ内のニブルアルコール−を８ Ｏ（’Ｃ）に加熱
しエテルアルコールＣＯＨ気を８１２〔■Ｈｇ）に保持
したのチ、バー、ツクを−、命エデルア１ルコールｇｏ
、１１気をチャンバ１内に導入する。、このとき、デャ
ンパ１内が減圧状態に保持されているので、エテルアル
コ−５４０蒸気はデャンバｌ内に速やかに導入される。
チャンバ１内に導入されたニブルアルコール蒸気はチャ
ンバ１内が室温に保たれているのでデャンパｌ内で運や
かに液化する。
ンバ１内が室温に保たれているのでデャンパｌ内で運や
かに液化する。
そして、この液化されたニブルアルコールによって半導
体基板１が洗浄処理される◎ 上記状態を数分間保ち半導体基板３が十分に洗浄された
ならば、パルグーを−けたままでモータ４を駆動し基板
支持臭１を回転せしめる。
体基板１が洗浄処理される◎ 上記状態を数分間保ち半導体基板３が十分に洗浄された
ならば、パルグーを−けたままでモータ４を駆動し基板
支持臭１を回転せしめる。
これによ〉、半導体基Ｉｌｌに付着したニブルアルコー
ルは円心力で取〕去られる。基板支持＾ １の回転によ
るニブルアルコールの除去を１分間行ったのち、基板支
持臭Ｊ０１１転を保持したままでバルブ９を閉じる。次
に、バルブ１０゜１１を一會清浄な気体、例えばｉｉｓ
ガスをチャンバ１内に導入する。これと共に、バルブｌ
ｊを一奮テヤンパ１内を排気する□。ξれによりチャン
バ１内のニブルアルコールおよび窒素カスが排出される
。数分間この秋−を保ったのち、基板支持具１０−転を
停止し、その後半導体基Ｉｌｌをデャンパｌ内からｊＩ
！夛出Ｔ０かくして洗浄４６１１８れた半導体基板１は
、その表−にエテルアルコール或イはニブルアルコール
申に嬉けた物質０＠番がなく、極めて清浄なものであっ
た。
ルは円心力で取〕去られる。基板支持＾ １の回転によ
るニブルアルコールの除去を１分間行ったのち、基板支
持臭Ｊ０１１転を保持したままでバルブ９を閉じる。次
に、バルブ１０゜１１を一會清浄な気体、例えばｉｉｓ
ガスをチャンバ１内に導入する。これと共に、バルブｌ
ｊを一奮テヤンパ１内を排気する□。ξれによりチャン
バ１内のニブルアルコールおよび窒素カスが排出される
。数分間この秋−を保ったのち、基板支持具１０−転を
停止し、その後半導体基Ｉｌｌをデャンパｌ内からｊＩ
！夛出Ｔ０かくして洗浄４６１１８れた半導体基板１は
、その表−にエテルアルコール或イはニブルアルコール
申に嬉けた物質０＠番がなく、極めて清浄なものであっ
た。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
く、そＯ要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば。
く、そＯ要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば。
−紀テヤンパ内から有機溶剤蒸気を取ｐ出す際に、デャ
ンパ内を一旦減圧状態まで排気したのち、デャンパ内に
清浄な気体を導入するようにしてもよい。さらに、曽記
基職支持臭に支持された半導体基ＩＥＯ温直を制御する
ことによって、半導体基板上の有機溶剤の飽和蒸気圧を
制御するようにしてもよい。また、鋺紀エテルアルコー
ルＯ代シに他の有機溶剤を用いてもよいのは勿論のこと
である。同様に清浄な気体としては、窒素の代りに空気
やアルゴン等を用いてもよい。
ンパ内を一旦減圧状態まで排気したのち、デャンパ内に
清浄な気体を導入するようにしてもよい。さらに、曽記
基職支持臭に支持された半導体基ＩＥＯ温直を制御する
ことによって、半導体基板上の有機溶剤の飽和蒸気圧を
制御するようにしてもよい。また、鋺紀エテルアルコー
ルＯ代シに他の有機溶剤を用いてもよいのは勿論のこと
である。同様に清浄な気体としては、窒素の代りに空気
やアルゴン等を用いてもよい。
また、有機溶剤の加熱温度や蒸気圧等は、仕様に応じて
適宜定めればよい。
適宜定めればよい。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体基板用洗浄装
置の概略構成を示す模式図、第２図はニブルアルコール
の温度と蒸気圧とＯＩｌ係を示す特性図である。 １・・・チャンバ、２・・・半導体基板、１・・・基板
支持臭、４・・・モータ、５・・・容器、６・・・有機
溶剤、１・・・温度制御回路、８・・・ヒータ、−０〜
、１２・・・バルブ。
置の概略構成を示す模式図、第２図はニブルアルコール
の温度と蒸気圧とＯＩｌ係を示す特性図である。 １・・・チャンバ、２・・・半導体基板、１・・・基板
支持臭、４・・・モータ、５・・・容器、６・・・有機
溶剤、１・・・温度制御回路、８・・・ヒータ、−０〜
、１２・・・バルブ。
Claims (2)
- （１） 気豐保持されたデャンパこのデャンパ内に配
置され有機洗浄に併される半導体基板を支持する基櫃支
持臭およびこ０ａ１１支持具を一転せしめる脇動部から
なる一転式洗滲一構と、有機溶剤を収容した審器および
こＯ−器内の有機＊ｍを加熱してｓｌｌせしめる加熱部
からなる有機溶剤蒸気発生機構と、こＯ′１機溶剤蒸気
発生機構によｐ得られた有機−剤Ｏｓ気を鏑紀回転式洗
浄機構Ｏチャンバ内に導入す□る手段と、−紀デャンパ
内に清浄な気体を一人する手段と、−記デャンパ内を排
気する手段とを具備してなることを特徴とする亭導体基
板用洗浄装置。 - （２） ―記有機溶剤として、エテルアルコ−１しを用
いたことを特徴とする特許請求の範囲籐１項記載の半導
体基板Ｍｌ１１１＃ＮＩＫ置。 ― −記清浄な気体として、空気、窒素或いはアルゴン
を用いたことを特徴とする特許諸求の颯−Ｉ１１項記載
Ｏ半導体基板用洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5200282A JPS58168238A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 半導体基板用洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5200282A JPS58168238A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 半導体基板用洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168238A true JPS58168238A (ja) | 1983-10-04 |
Family
ID=12902615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5200282A Pending JPS58168238A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 半導体基板用洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168238A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59227125A (ja) * | 1983-06-09 | 1984-12-20 | Matsushita Electronics Corp | 板状固体の遠心脱水方法 |
| JPS62173720A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Fujitsu Ltd | ウエハ洗浄装置 |
| JPH01150328A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板の処理方法 |
| US5001084A (en) * | 1986-11-27 | 1991-03-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for applying a treatment liquid on a semiconductor wafer |
| JPH05198550A (ja) * | 1991-11-19 | 1993-08-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェハの洗浄装置 |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP5200282A patent/JPS58168238A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59227125A (ja) * | 1983-06-09 | 1984-12-20 | Matsushita Electronics Corp | 板状固体の遠心脱水方法 |
| JPS62173720A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Fujitsu Ltd | ウエハ洗浄装置 |
| US5001084A (en) * | 1986-11-27 | 1991-03-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for applying a treatment liquid on a semiconductor wafer |
| JPH01150328A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板の処理方法 |
| JPH05198550A (ja) * | 1991-11-19 | 1993-08-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェハの洗浄装置 |
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