KR980012138A - 반도체 장치의 세정조 - Google Patents

Abstract

본 조는 내부에 로딩된 반도체 장치를 세정하기 위하여, 외부로부터 공급되는 린스액을 양측에서 내부로 분사하는 샤워 시스템을 갖춘다. 상기 샤워 시스템은 상기 세정조의 양측에설치되고, 복수의 샤워 노즐을 갖춘 노즐부와, 상기 노즐부를 상기 세정조의 양측에서 각각 소정의 거리만큼 왕복 이동시키는 구동 시스템을 포함한다. 본 발명에 의하면, QDR형 세정조를 이용하여 반도체 장치를 린스 세정할 때 웨이퍼의 표면을 균일하고 신속하게 세정할 수 있다.

Description

반도체 장치의 세정조

본 발명은 반도체 장치의 세정조에 관한 것으로, 특히 반도체 장치의 세정 효율을 높일 수있도록 개선된 구조를 가지는 QDR(Quick Dump Rinse)형의 세정조에 관한 것이다.

반도체 장치를 제조하는 공정에는 많은 종류의 화학 물질들이 사용된다. 이와 같은 화학 물질은 해당 공정 진행이 완료된 후 다음 공정을 위해 충분한 배기가 실시되지만 완전히 제거는 어렵다. 따라서, 별도의 세정 공정이 필요하다. 더구나, 반도체 소자가 점차 고집적화되면서 미소한 사이즈를 가지는 파티클 제거에 대한 중요성이 증대되고, 화학 물질에 의한 처리 후 린스를 행할 때 잔존하는 화학 물질을 제거할 수 있는 능력에 대한 관심이 높아지고 있다. 특히, 웨이퍼상에서 계속 잔존하는 화학 물질이 반도체 장치에서 원하지 않는 손상을 유발할 수 잇으므로, 린스 세정시에는 화학 물질을 균일하고 신속하게 제거하는 것이 중요한 문제이다. 특히, 식각율이 높은 화학 물질의 경우에 린스 세정이 불군일하게 이루어지면 균일도가 불량해지거나 과도 식각을 야기할 수 있다.

세정 공정은 세정조에서 실시되는데, 현재 널리 사용되고 있는 세정조로서 대표적인 것으로는 오버 플로우(over flow)형 세정조와 QDR형 세정조가 있다.

도 1은 QDR형 세정조의 일반적인 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.

도 1을 참조하면, 종래의 QDR형 세정조(10)에서는 린스 세정에 사용되는 린스액이 밸브(14) 조작에 의해 외측의 린스액 공급 라인(12)을 통해 세정조(10) 내에 설치된 샤워 시스템에 공급되고, 상기 샤워 시스템에 공급된 린스액은 상기 샤워 시스템에 고정적으로 설치된 복수의 샤워 노즐(20)을 거쳐서 상기 세정조(10) 내로 분사된다. 상기 샤워 노즐(20)은 상기 세정조(10) 내의 양측에서 상호 어긋나게 대응되도록 양측에 각각 3 ∼ 4개씩 설치되어 있다.

도 2는 상기 샤워 노즐(20)의 정면도를 개략적으로 도시한 것이다.

도 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기 샤워 노즐(20)의 분사구의 형상이 부채꼴로 형성되어 있어서 상기 샤워 노즐(20)에서 공급되는 린스액이 부채꼴 형상으로 상기 세정조(10) 내에 공급된다.

상기한 바와 같은 구성을 가지는 종래의 QDR형 세정조에서는 세정조의 양측에 각각 설치된 복수의 샤워 노즐이 상호 어긋나게 대응하여 설치되어 있기는 하지만, 샤워 노즐을 통해 공급되는 린스액이 일정한 방향, 일정한 각도로만 분사되므로, 웨이퍼 표면에서 린스액이 직접 분사되지 않는 부분이 생기게 된다. 또한 ,세정조 내에 로딩된 복수매, 예를 들면 25매의 웨이퍼가 웨이퍼 캐리어내에서 좁은 슬롯 간격으로 배열되어 있으므로, 노즐의 분사구 형상이 부채꼴로 형성된 경우에 좁은 슬롯 간격 사이의 웨이퍼 표면에 남아 있는 화학 물질을 완전히 제거하지 못하여 린스 세정의 한계성을 나타낸다.

따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 표면을 균일하고 신속하게 세정할 수 있는 구조를 가지는 QDR형 세정조를 제공하는 것이다.

제1도는 QDR형 세정조의 일반적인 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.

제2도는 종래의 샤워 노즐의 정면도를 개략적으로 도시한 것이다.

제3도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 QDR형 세정조의 구성을 개략적으로 도시한 것이다.

제4도는 본 발명에 따른 샤워 시스템의 구성을 보다 상세하게 도시한 것이다.

제5도는 본 발명에 따른 샤워 노즐의 정면도를 개략적으로 도시한 것이다.

상기 목적을 달상하기 위하여 본 발명은, 내부에 로딩된 반도체 장치를 세정하기 위하여, 외부로부터 공급되는 린스액을 양측에서 내부로 분사하는 샤워 시스템을 갖춘 반도체 장치의 세정조에 있어서, 상기 샤워 시스템은 상기 세정조의 양측에 설치되고, 복수의 샤워 노즐을 갖춘 노줄부와, 상기 노즐부를 상기 세정조의 양측에서 각각 소정의 거리만큼 왕복 이동시키는 구동 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정조를 제공한다.

바람직하게는, 상기 샤워 노즐은 단부의 분사구 형상이 십자형(十字形)이다.

또한 바람직하게는, 상기 구동 시스템은 에어 실린더로 구성되고, 상기 에어 실린더에는 상기 노즐부의 이동 거리를 제한하기 위하여 설치된 마그네틱 센서를 포함한다.

본 발명에 의하면, QDR형 세정조를 이용하여 반도체 장치를 린스 세정할 때 웨이퍼의 표면을 균일하고 신속하게 세정할 수 있다.

다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 QDR형 세정조의 구성을 개략적으로 도시한 것이다.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 세정조(100)는 내부에 로딩된 반도체 장치(도시 생략)를 세정하기 위하여, 밸브(114) 조작에 의해 외측의 린스액 공급 라인(112)을 통해 외부로부터 공급되는 린스액을 양측에서 내부로 분사하는 샤워 시스템(120)을 갖춘다. 바람직하게는, 상기 린스액 공급 라인(112)은 가요성(可撓性) 호스로 형성된 것을 사용한다.

상기 샤워 시스템(120)은 상기 세정조(100)의 양측에 설치되고, 복수의 샤워 노즐(126)을 갖춘 노즐부(125)와, 상기 노즐부(125)를 상기 세정조(100)의 양측에서 각각 소정의 거리만큼 왕복 이동시키는 구동 시스템(127)을 포함한다.

도 4는 상기 샤워 시스템(120)의 구성을 보다 상세하게 도시한 것이다.

도 4에 있어서, 상기 복수의 샤워 노즐(126)을 포함하는 노즐부(125)를 왕복 이동시키는 구동 시스템(127)은 내부에서 피스톤이 화살표(A) 방향에 따라 왕복 이동하는 에어 실린더(127)로 구성되고, 상기 에어 실린더(127)에는 상기 피스톤의 이동 거리를 제한하기 위하여 마그네틱 센서(130)가 소정의 간격(d)을 두고 설치되어 있다. 따라서, 상기 마그네틱 센서(130) 사이의 간격(d)에 의해 상기 피스톤의 왕복 이동 거리가 제한되고, 그에 따라 상기 노즐부(125)의 왕복 이동 거리(d)가 제한된다.

도 5는 상기 샤워 노즐(126)의 정면도를 개략적으로 도시한 것이다.

도 5로부터 알수 있는 바와 같이, 상기 샤워 노즐(126)의 분사구의 형상이 십자형(十字形)으로 되어 있어서, 상기 샤워 노즐(126)로부터 공급되는 린스액이 웨이퍼 사이의 좁은 간격에서도 균일하게 공급될 수 있다.

상기한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 세정조는 노즐부가 일정 거리를 왕복하면서 웨이퍼 표면에 린스액을 균일하고 신속하게 분사하므로, 웨이퍼의 세정 효과를 높일 수 있고, 미소한 사이즈의 파티클과 잔존하는 화학 물질을 최대한 제거함으로서 반도체 장치의 불량 원인을 최소화할 수 있다.

이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.

Claims (3)

1. 내부에 로딩된 반도체 장치를 세정하기 위하여, 외부로부터 공급되는 린스액을 양측에서 내부로 분사하는 샤워 시스템을 갖춘 반도체 장치의 세정조에 있어서, 상기 샤워 시스템은 상기 세정조의 양측에 설치되고, 복수의 샤워 노즐을 갖춘 노즐부와 ,상기 노즐부를 상기 세정조의 양측에서 각각 소정의 거리만큼 왕복 이동시키는 구동 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정조.
2. 제1항에 있어서, 상기 샤워 노즐은 단부의 분사구 형상이 십자형(十字形)인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정조.
3. 제1항에 있어서, 상기 구동 시스템은 에어 실린더로 구성되고, 상기 에어 실린더에는 상기 노즐부의 이동 거리를 제한하기 위하여 설치된 마그네틱 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정조.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임