JPH06120136A - 基板エッジ洗浄方法 - Google Patents
基板エッジ洗浄方法Info
- Publication number
- JPH06120136A JPH06120136A JP29081092A JP29081092A JPH06120136A JP H06120136 A JPH06120136 A JP H06120136A JP 29081092 A JP29081092 A JP 29081092A JP 29081092 A JP29081092 A JP 29081092A JP H06120136 A JPH06120136 A JP H06120136A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- solvent
- cleaning
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板の外周部分を洗浄する洗浄液によってレ
ジスト膜に欠陥を発生するのを防ぐ。 【構成】 ウエハＷ1 上にレジストノズル２からレジス
トが吐出され、吸着チャック１の回転によってウエハＷ
1 の表面にレジスト膜が形成されると、リンスノズル４
は待機位置Ａ1 から、開口４ａがウエハＷ1 の外周縁の
下方に位置する吐出開始位置Ｂ1 へ移動され、溶剤の吐
出が開始される。前回の洗浄によってリンスノズル４の
開口４ａに付着した溶剤のしずくや、バルブ５の開閉操
作によって溶剤に混入した気泡がすべて吐出されたの
ち、リンスノズル４を作業位置Ｃ1 へ移動させてウエハ
Ｗ1 の外周部分の洗浄を開始する。
ジスト膜に欠陥を発生するのを防ぐ。 【構成】 ウエハＷ1 上にレジストノズル２からレジス
トが吐出され、吸着チャック１の回転によってウエハＷ
1 の表面にレジスト膜が形成されると、リンスノズル４
は待機位置Ａ1 から、開口４ａがウエハＷ1 の外周縁の
下方に位置する吐出開始位置Ｂ1 へ移動され、溶剤の吐
出が開始される。前回の洗浄によってリンスノズル４の
開口４ａに付着した溶剤のしずくや、バルブ５の開閉操
作によって溶剤に混入した気泡がすべて吐出されたの
ち、リンスノズル４を作業位置Ｃ1 へ移動させてウエハ
Ｗ1 の外周部分の洗浄を開始する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造におい
て、ウエハ等基板（以下、「基板」という。）にフォト
レジスト等のレジストを塗布したのちに、基板の外周部
分のレジストを除去するための基板エッジ洗浄方法に関
するものである。
て、ウエハ等基板（以下、「基板」という。）にフォト
レジスト等のレジストを塗布したのちに、基板の外周部
分のレジストを除去するための基板エッジ洗浄方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造においては、ウエハ等基板
（以下、「基板」という。）にフォトレジスト等のレジ
ストを塗布したのち、次の処理工程へ搬送するまえに、
基板の外周部分（以下、「エッジ」という。）を、アセ
トン、ＥＣＡ等の溶剤によって洗浄し、この部分のみレ
ジストを除去して基板の表面を露出させる。このように
基板のエッジを洗浄する基板エッジ洗浄方法は、従来、
図３に示すものが一般的であった。すなわち、吸着チャ
ック２１によって保持された基板Ｗ0 の中央にレジスト
ノズル２２からレジストを吐出し、吸着チャック２１を
回転させることで、基板Ｗ0 上のレジストに遠心力を作
用させて、基板Ｗ0 の表面に均一なレジスト膜を形成さ
せたのち、破線で示す待機位置Ａ0 にあるリンスノズル
２４を駆動装置２７によって基板Ｗ0 のエッジの上方の
実線で示す作業位置Ｃ0 へ移動させ、該作業位置Ｃ0 に
おいてリンスノズル２４から溶剤を吐出させて、基板Ｗ
0 の外周部分のレジストを除去するものである。基板Ｗ
0 の外周縁から遠心力によって径方向外方へ飛散するレ
ジストおよび溶剤は、吸着チャック２１の外側に配設さ
れた環状の集液カップ２３に捕獲され、図示しないドレ
ンから排出される。なお、リンスノズル２４はパイプ２
８によってバルブ２５を経て図示しない溶剤の供給源に
接続されており、リンスノズル２４を待機位置Ａ0 から
作業位置Ｃ0 へ移動させたうえで、バルブ２５を開いて
リンスノズル２４から溶剤を吐出させる。
（以下、「基板」という。）にフォトレジスト等のレジ
ストを塗布したのち、次の処理工程へ搬送するまえに、
基板の外周部分（以下、「エッジ」という。）を、アセ
トン、ＥＣＡ等の溶剤によって洗浄し、この部分のみレ
ジストを除去して基板の表面を露出させる。このように
基板のエッジを洗浄する基板エッジ洗浄方法は、従来、
図３に示すものが一般的であった。すなわち、吸着チャ
ック２１によって保持された基板Ｗ0 の中央にレジスト
ノズル２２からレジストを吐出し、吸着チャック２１を
回転させることで、基板Ｗ0 上のレジストに遠心力を作
用させて、基板Ｗ0 の表面に均一なレジスト膜を形成さ
せたのち、破線で示す待機位置Ａ0 にあるリンスノズル
２４を駆動装置２７によって基板Ｗ0 のエッジの上方の
実線で示す作業位置Ｃ0 へ移動させ、該作業位置Ｃ0 に
おいてリンスノズル２４から溶剤を吐出させて、基板Ｗ
0 の外周部分のレジストを除去するものである。基板Ｗ
0 の外周縁から遠心力によって径方向外方へ飛散するレ
ジストおよび溶剤は、吸着チャック２１の外側に配設さ
れた環状の集液カップ２３に捕獲され、図示しないドレ
ンから排出される。なお、リンスノズル２４はパイプ２
８によってバルブ２５を経て図示しない溶剤の供給源に
接続されており、リンスノズル２４を待機位置Ａ0 から
作業位置Ｃ0 へ移動させたうえで、バルブ２５を開いて
リンスノズル２４から溶剤を吐出させる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、前述のように、リンスノズルを待機位
置から作業位置へ移動させたうえで、バルブを開いてリ
ンスノズルから溶剤を吐出するものであるため、以下に
示す未解決の課題があった。
の技術によれば、前述のように、リンスノズルを待機位
置から作業位置へ移動させたうえで、バルブを開いてリ
ンスノズルから溶剤を吐出するものであるため、以下に
示す未解決の課題があった。
【０００４】（１）溶剤の吐出条件を最適にするために
リンスノズルの直径を０．２〜０．３ｃｍ、溶剤の吐出
圧力を０．１〜０．３ｋｇ／ｃｍ2 とした場合に、洗浄
終了時にバルブを閉じたとき、リンスノズルの開口に溶
剤のしずくが付着するのを避けることができず、このよ
うな溶剤のしずくが次回の洗浄開始時に基板の表面に落
下して周囲に飛散し、レジスト膜に付着して欠陥を発生
させる。
リンスノズルの直径を０．２〜０．３ｃｍ、溶剤の吐出
圧力を０．１〜０．３ｋｇ／ｃｍ2 とした場合に、洗浄
終了時にバルブを閉じたとき、リンスノズルの開口に溶
剤のしずくが付着するのを避けることができず、このよ
うな溶剤のしずくが次回の洗浄開始時に基板の表面に落
下して周囲に飛散し、レジスト膜に付着して欠陥を発生
させる。
【０００５】（２）洗浄開始時にバルブの開閉操作によ
って溶剤に気泡が発生し、溶剤がリンスノズルから基板
の表面に吐出されたときに周囲に飛散するため、上記と
同様にレジスト膜に欠陥を発生させる。
って溶剤に気泡が発生し、溶剤がリンスノズルから基板
の表面に吐出されたときに周囲に飛散するため、上記と
同様にレジスト膜に欠陥を発生させる。
【０００６】本発明は、上記従来の技術の有する問題点
に鑑みてなされたものであり、洗浄液（溶剤）の吐出を
開始したときに、洗浄液が基板のレジスト膜に飛散して
欠陥を発生させるおそれのない基板エッジ洗浄方法を提
供することを目的とするものである。
に鑑みてなされたものであり、洗浄液（溶剤）の吐出を
開始したときに、洗浄液が基板のレジスト膜に飛散して
欠陥を発生させるおそれのない基板エッジ洗浄方法を提
供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の基板エッジ洗浄方法は、基板の表面の外周
部分に向けられた吐出手段から洗浄液を吐出して前記基
板の表面の外周部分を洗浄する基板エッジ洗浄方法であ
って、前記吐出手段を前記基板の表面以外のところへ向
けて洗浄液の吐出を開始する工程と、洗浄液の吐出を開
始した吐出手段を、前記基板の表面の外周部分へ向ける
工程を有することを特徴とする。
めに本発明の基板エッジ洗浄方法は、基板の表面の外周
部分に向けられた吐出手段から洗浄液を吐出して前記基
板の表面の外周部分を洗浄する基板エッジ洗浄方法であ
って、前記吐出手段を前記基板の表面以外のところへ向
けて洗浄液の吐出を開始する工程と、洗浄液の吐出を開
始した吐出手段を、前記基板の表面の外周部分へ向ける
工程を有することを特徴とする。
【０００８】
【作用】吐出手段を基板の表面以外のところへ向けて洗
浄液の吐出を開始する。前回の洗浄液のしずくや、バル
ブの開閉時に洗浄液に混入した気泡がすべて吐出された
のち、吐出手段を基板の表面の外周部分に向けて該外周
部分を洗浄する。
浄液の吐出を開始する。前回の洗浄液のしずくや、バル
ブの開閉時に洗浄液に混入した気泡がすべて吐出された
のち、吐出手段を基板の表面の外周部分に向けて該外周
部分を洗浄する。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例を図面に基いて説明する。
【００１０】図１は一実施例を説明する説明図であっ
て、基板であるウエハＷ1 は吸着チャック１の図示上面
に真空吸引力によって吸着され、吸着チャック１に連結
された図示しない駆動装置によって回転される。レジス
トノズル２からウエハＷ1 の中央部分に吐出されたレジ
ストは、回転するウエハＷ1 の遠心力によってウエハＷ
1 の上面に均一なレジスト膜を形成する。ウエハＷ1 の
回転中、その外周縁から径方向外方へ飛散するレジスト
は、吸着チャック１の外側に配設された環状の集液カッ
プ３に捕獲され、図示しないドレンから排出される。
て、基板であるウエハＷ1 は吸着チャック１の図示上面
に真空吸引力によって吸着され、吸着チャック１に連結
された図示しない駆動装置によって回転される。レジス
トノズル２からウエハＷ1 の中央部分に吐出されたレジ
ストは、回転するウエハＷ1 の遠心力によってウエハＷ
1 の上面に均一なレジスト膜を形成する。ウエハＷ1 の
回転中、その外周縁から径方向外方へ飛散するレジスト
は、吸着チャック１の外側に配設された環状の集液カッ
プ３に捕獲され、図示しないドレンから排出される。
【００１１】ウエハＷ1 の表面の外周部分であるエッジ
を洗浄する吐出手段であるリンスノズル４は、図示下端
に洗浄液である溶剤を吐出する下向きの開口４ａを有
し、図示上端はバルブ５に直結され、該バルブ５を介し
て可動体６に保持されており、可動体６は駆動装置７に
よって垂直方向および吸着チャック１の径方向にそれぞ
れ往復移動自在である。なお、駆動装置７は、可動体６
を垂直方向に往復移動させる第１のウォームギヤ７ａ
と、可動体６を吸着チャック１の径方向に往復移動させ
る第２のウォームギヤ７ｂからなる。また、溶剤は、図
示しない供給源からパイプ８を経てリンスノズル４へ供
給される。
を洗浄する吐出手段であるリンスノズル４は、図示下端
に洗浄液である溶剤を吐出する下向きの開口４ａを有
し、図示上端はバルブ５に直結され、該バルブ５を介し
て可動体６に保持されており、可動体６は駆動装置７に
よって垂直方向および吸着チャック１の径方向にそれぞ
れ往復移動自在である。なお、駆動装置７は、可動体６
を垂直方向に往復移動させる第１のウォームギヤ７ａ
と、可動体６を吸着チャック１の径方向に往復移動させ
る第２のウォームギヤ７ｂからなる。また、溶剤は、図
示しない供給源からパイプ８を経てリンスノズル４へ供
給される。
【００１２】前述のレジスト塗布工程中、リンスノズル
４は、ウエハＷ1 から垂直方向および径方向ともに遠く
離れた破線で示す待機位置Ａ1 にある。レジスト塗布工
程が終了間近になり、ウエハＷ1 の外周縁から径方向外
方へ飛散するレジストの量が減少した時点で、まず第１
のウォームギヤ７ａを駆動して可動体６を垂直方向に下
降させ、リンスノズル４の開口４ａが実線で示すよう
に、ウエハＷ1 の外周縁より下方に位置する吐出開始位
置Ｂ1 へ移動させる。この位置でバルブ５を開いて溶剤
の吐出を開始する。吐出開始位置Ｂ1 において、所定時
間溶剤の吐出を行い、前回の洗浄終了時にリンスノズル
４の開口４ａに付着した洗浄液のしずくやバルブ５の開
閉操作によって溶剤に混入した気泡がすべて吐出された
のち、第１のウォームギヤ７ａを逆駆動して可動体６を
上昇させ、次いで第２のウォームギヤ７ｂを駆動して可
動体６を吸着チャック１の径方向内方へ移動させて、リ
ンスノズル４を、その開口４ａがウエハＷ1 のエッジに
対向する破線で示す作業位置Ｃ1 へ移動させる。作業位
置Ｃ1 において溶剤の吐出を継続し、ウエハＷ1 のエッ
ジの洗浄を行う。所定時間洗浄を行ったのち、バルブ５
を閉じて駆動装置７を駆動し、リンスノズル４を待機位
置Ａ1 へ後退させる。なお、リンスノズル４から吐出さ
れた溶剤はすべて集液カップ３に集液される。
４は、ウエハＷ1 から垂直方向および径方向ともに遠く
離れた破線で示す待機位置Ａ1 にある。レジスト塗布工
程が終了間近になり、ウエハＷ1 の外周縁から径方向外
方へ飛散するレジストの量が減少した時点で、まず第１
のウォームギヤ７ａを駆動して可動体６を垂直方向に下
降させ、リンスノズル４の開口４ａが実線で示すよう
に、ウエハＷ1 の外周縁より下方に位置する吐出開始位
置Ｂ1 へ移動させる。この位置でバルブ５を開いて溶剤
の吐出を開始する。吐出開始位置Ｂ1 において、所定時
間溶剤の吐出を行い、前回の洗浄終了時にリンスノズル
４の開口４ａに付着した洗浄液のしずくやバルブ５の開
閉操作によって溶剤に混入した気泡がすべて吐出された
のち、第１のウォームギヤ７ａを逆駆動して可動体６を
上昇させ、次いで第２のウォームギヤ７ｂを駆動して可
動体６を吸着チャック１の径方向内方へ移動させて、リ
ンスノズル４を、その開口４ａがウエハＷ1 のエッジに
対向する破線で示す作業位置Ｃ1 へ移動させる。作業位
置Ｃ1 において溶剤の吐出を継続し、ウエハＷ1 のエッ
ジの洗浄を行う。所定時間洗浄を行ったのち、バルブ５
を閉じて駆動装置７を駆動し、リンスノズル４を待機位
置Ａ1 へ後退させる。なお、リンスノズル４から吐出さ
れた溶剤はすべて集液カップ３に集液される。
【００１３】図２は図１の装置の操作工程を示すフロー
チャートであって、ステップＳ１で吸着チャック１上に
ウエハＷ1 を載置して、ステップＳ２でレジストノズル
２よりレジストの吐出を行い、この間リンスノズル４は
待機位置Ａ1 に待機する。
チャートであって、ステップＳ１で吸着チャック１上に
ウエハＷ1 を載置して、ステップＳ２でレジストノズル
２よりレジストの吐出を行い、この間リンスノズル４は
待機位置Ａ1 に待機する。
【００１４】ステップＳ３で吸着チャック１が回転さ
れ、ウエハＷ1 上に吐出されたレジストが遠心力で径方
向へ飛散されてレジスト膜を形成し、該レジスト膜の乾
燥が始まる。この間リンスノズル４は待機位置Ａ1 から
吐出開始位置Ｂ1 へ移動する。
れ、ウエハＷ1 上に吐出されたレジストが遠心力で径方
向へ飛散されてレジスト膜を形成し、該レジスト膜の乾
燥が始まる。この間リンスノズル４は待機位置Ａ1 から
吐出開始位置Ｂ1 へ移動する。
【００１５】ステップＳ４でレジスト膜の乾燥が進行す
る間、リンスノズル４が溶剤の吐出を開始する。
る間、リンスノズル４が溶剤の吐出を開始する。
【００１６】ステップＳ５でレジスト膜の乾燥が終了
し、吸着チャック１の回転速度がウエハエッジ洗浄用の
回転速度に減速され、この間にリンスノズル４は溶剤の
吐出を継続しつつ作業位置Ｃ1 へ移動する。
し、吸着チャック１の回転速度がウエハエッジ洗浄用の
回転速度に減速され、この間にリンスノズル４は溶剤の
吐出を継続しつつ作業位置Ｃ1 へ移動する。
【００１７】ステップＳ６でリンスノズル４から吐出さ
れる溶剤によってウエハエッジの洗浄が行われる。
れる溶剤によってウエハエッジの洗浄が行われる。
【００１８】ステップＳ７で溶剤の吐出が停止されてウ
エハエッジの洗浄が終了し、リンスノズル４は待機位置
Ａ1 へ移動され、この間、ウエハＷ1 上に残留する溶剤
を振り切るために吸着チャック１の回転が継続される。
エハエッジの洗浄が終了し、リンスノズル４は待機位置
Ａ1 へ移動され、この間、ウエハＷ1 上に残留する溶剤
を振り切るために吸着チャック１の回転が継続される。
【００１９】ステップＳ８で吸着チャック１の回転を停
止してウエハＷ1 を取りはずし、次の処理工程へ搬送す
る。
止してウエハＷ1 を取りはずし、次の処理工程へ搬送す
る。
【００２０】本実施例は、リンスノズルから溶剤の吐出
を開始する際に、リンスノズルの開口をウエハの外周縁
の下方に位置させてバルブを開き、前記開口から所定量
の溶剤を吐出させたのちにリンスノズルを作業位置へ移
動させるものであるため、バルブを開いた直後に、前回
の洗浄工程の終了時にリンスノズルの開口に付着した洗
剤のしずくや、バルブの開閉操作によって発生した気泡
が溶剤に混入していても、ウエハの表面へ吐出されて周
囲に飛散するおそれがない。従って、ウエハのエッジを
洗浄する溶剤がウエハのレジスト膜に付着して欠陥を発
生させるおそれはない。
を開始する際に、リンスノズルの開口をウエハの外周縁
の下方に位置させてバルブを開き、前記開口から所定量
の溶剤を吐出させたのちにリンスノズルを作業位置へ移
動させるものであるため、バルブを開いた直後に、前回
の洗浄工程の終了時にリンスノズルの開口に付着した洗
剤のしずくや、バルブの開閉操作によって発生した気泡
が溶剤に混入していても、ウエハの表面へ吐出されて周
囲に飛散するおそれがない。従って、ウエハのエッジを
洗浄する溶剤がウエハのレジスト膜に付着して欠陥を発
生させるおそれはない。
【００２１】なお、前述のように、リンスノズルの開口
をウエハの外周縁の下方へ位置させて溶剤の吐出を開始
する替わりに、リンスノズルの開口をウエハの外周縁か
ら径方向外方に離間させて、溶剤がウエハの表面に吐出
されるおそれのない位置で溶剤の吐出を開始させてもよ
い。
をウエハの外周縁の下方へ位置させて溶剤の吐出を開始
する替わりに、リンスノズルの開口をウエハの外周縁か
ら径方向外方に離間させて、溶剤がウエハの表面に吐出
されるおそれのない位置で溶剤の吐出を開始させてもよ
い。
【００２２】また、リンスノズルを移動させる駆動装置
は、リンスノズルを垂直方向および吸着チャックの径方
向にそれぞれ往復移動させる第１および第２のウォーム
ギヤの替わりに、各方向にそれぞれ駆動される複動シリ
ンダを用いることもできる。
は、リンスノズルを垂直方向および吸着チャックの径方
向にそれぞれ往復移動させる第１および第２のウォーム
ギヤの替わりに、各方向にそれぞれ駆動される複動シリ
ンダを用いることもできる。
【００２３】
【発明の効果】本発明は上述のとおり構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。基板の外周部
分を洗浄する洗浄液が飛散して、基板のレジスト膜に欠
陥が発生するおそれがない。
で、以下に記載するような効果を奏する。基板の外周部
分を洗浄する洗浄液が飛散して、基板のレジスト膜に欠
陥が発生するおそれがない。
【図１】一実施例を説明する説明図である。
【図２】図１の装置の操作工程を示すフローチャートで
ある。
ある。
【図３】従来例を説明する説明図である。
１ 吸着チャック ２ レジストノズル ３ 集液カップ ４ リンスノズル ４ａ 開口 ７ 駆動装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/304 Ｍ 8831−4Ｍ
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の表面の外周部分に向けられた吐出
手段から洗浄液を吐出して前記基板の表面の外周部分を
洗浄する基板エッジ洗浄方法であって、前記吐出手段を
前記基板の表面以外のところへ向けて洗浄液の吐出を開
始する工程と、洗浄液の吐出を開始した吐出手段を、前
記基板の表面の外周部分へ向ける工程を有することを特
徴とする基板エッジ洗浄方法。 - 【請求項２】 吐出手段の開口を、基板の外周縁の下方
に位置させて洗浄液の吐出を開始することを特徴とする
請求項１記載の基板エッジ洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29081092A JPH06120136A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 基板エッジ洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29081092A JPH06120136A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 基板エッジ洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120136A true JPH06120136A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17760780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29081092A Pending JPH06120136A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 基板エッジ洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120136A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5975098A (en) * | 1995-12-21 | 1999-11-02 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for and method of cleaning substrate |
| US6260562B1 (en) * | 1997-10-20 | 2001-07-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus and method |
| KR100379647B1 (ko) * | 1996-08-08 | 2003-06-19 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 처리장치 |
| US6691719B2 (en) * | 2001-01-12 | 2004-02-17 | Applied Materials Inc. | Adjustable nozzle for wafer bevel cleaning |
| KR100513244B1 (ko) * | 2001-10-09 | 2005-09-07 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 필름 박리 방법, 필름 박리 장치 및 표시 장치 패널의제조방법 |
-
1992
- 1992-10-05 JP JP29081092A patent/JPH06120136A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5975098A (en) * | 1995-12-21 | 1999-11-02 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for and method of cleaning substrate |
| KR100379647B1 (ko) * | 1996-08-08 | 2003-06-19 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 처리장치 |
| US6260562B1 (en) * | 1997-10-20 | 2001-07-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus and method |
| US6691719B2 (en) * | 2001-01-12 | 2004-02-17 | Applied Materials Inc. | Adjustable nozzle for wafer bevel cleaning |
| KR100513244B1 (ko) * | 2001-10-09 | 2005-09-07 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 필름 박리 방법, 필름 박리 장치 및 표시 장치 패널의제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7470344B1 (en) | Chemical dispensing system for semiconductor wafer processing | |
| JP3414916B2 (ja) | 基板処理装置および方法 | |
| EP1737025A1 (en) | Board cleaning apparatus, board cleaning method, and medium with recorded program to be used for the method | |
| JPH07256195A (ja) | 回転式薬液処理装置 | |
| JPH10294261A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPH1133468A (ja) | 回転式基板処理装置およびカップの洗浄方法 | |
| JP2001319908A (ja) | 被処理物のウエット処理方法及びその装置 | |
| JPH06120136A (ja) | 基板エッジ洗浄方法 | |
| JP4255702B2 (ja) | 基板処理装置及び方法 | |
| JPH10137664A (ja) | 回転式基板処理装置および処理方法 | |
| JPH05259060A (ja) | 塗布装置 | |
| JP3999523B2 (ja) | 被処理物の処理装置 | |
| JP2001110714A (ja) | 薬液塗布装置および薬液塗布方法 | |
| JP2957383B2 (ja) | 回転式塗布装置 | |
| JP2635476B2 (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
| JP3408895B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JPH06333899A (ja) | 薬液処理方法およびその処理装置 | |
| JP2908224B2 (ja) | 回転式塗布装置 | |
| JP3289208B2 (ja) | 洗浄処理方法及び洗浄処理装置 | |
| JPH11162816A (ja) | スピン式レジスト塗布装置およびウェーハ処理方法 | |
| JPH10309509A (ja) | 回転式基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2019106560A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JPH05226242A (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
| JP2922754B2 (ja) | 回転式基板乾燥装置及び回転式基板乾燥方法 | |
| JPH04352417A (ja) | 半導体装置のフォトレジスト塗布装置 |