KR100558926B1 - 반도체 소자 제조 장치 - Google Patents

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KR100558926B1
KR100558926B1 KR1020030083667A KR20030083667A KR100558926B1 KR 100558926 B1 KR100558926 B1 KR 100558926B1 KR 1020030083667 A KR1020030083667 A KR 1020030083667A KR 20030083667 A KR20030083667 A KR 20030083667A KR 100558926 B1 KR100558926 B1 KR 100558926B1
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Abstract

본 발명은 웨이퍼의 가장자리를 식각하는 장치에 관한 것으로, 장치는 웨이퍼가 놓여지는 기판지지부와 웨이퍼의 비식각부를 보호하기 위해 상하로 이동가능하며, 아래로 질소가스를 분사하는 보호커버를 가진다. 기판지지부는 척 및 그 상부에 설치되며 웨이퍼의 하부면을 지지하는 지지핀과 웨이퍼를 정위치시키고 공정진행 중 수평방향으로 웨이퍼를 지지하는 회전핀을 가진다. 회전핀에서 웨이퍼 측부와 접촉되는 그립부는 유선형으로 형성되어 척 회전시 그립부에 부딪히는 기류의 흐름을 웨이퍼의 외측으로 유도한다.
Figure 112003044351329-pat00001
가장자리 식각, 보호커버, 회전핀, 그립부, 유선형

Description

반도체 소자 제조 장치{APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES}
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 식각장치의 사시도;
도 2는 도 1의 보호커버를 저면에서 바라본 사시도;
도 3은 보호커버의 상부면이 개방된 상태에서 보호커버의 평면도;
도 4는 도 1의 기판지지부의 단면도;
도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 회전핀의 사시도;
도 6과 도 7은 각각 웨이퍼가 척에 놓여지기 전후 그립부의 위치를 보여주는 도면;
도 8은 도 5의 그립부의 평면도;
도 9와 도 10은 각각 그립부가 곡률반경이 작은 원형으로 형성된 경우와 유선형으로 형성된 경우 공기의 흐름과 식각액의 흐름을 보여주는 도면;
도 11은 도 5의 그립부의 변형된 예를 보여주는 평면도; 그리고
도 12와 도 13은 본 실시예에서 그립부의 길이를 설명하기 위한 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 기판지지부 110 : 척
120 : 회전핀 122 : 몸체
124 : 그립부 130 : 척 회전부
140 : 지지핀 200 : 약액 공급부
310 : 노즐 400 : 보호커버
500 : 보호커버 이동부
본 발명은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판의 가장자리를 식각하는 식각 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조공정에서 반도체 기판으로 사용되는 웨이퍼(wafer)상에는 다결정막, 산화막, 질화막 및 금속막 등과 같은 복수의 막질이 형성된다. 상기한 막질 위에는 포토레지스트 막이 코팅되고, 노광 공정에 의해 포토마스크에 그려진 패턴은 포토레지스트 막으로 전사된다. 이후, 식각공정에 의해서 웨이퍼 상에는 원하는 패턴이 형성된다.
이러한 공정들이 진행된 웨이퍼 가장자리에는 각종 막질이나 포토레지스트와 같은 감광액이 잔존하게 된다. 이 상태에서 웨이퍼의 가장자리가 파지된 채로 다른 공정으로 이송될 때, 웨이퍼 가장자리의 막질 등이 떨어져 비산하게 되며 이들 막질은 파티클로 작용하게 되어 수율(Yield)을 저하시킨다. 따라서 웨이퍼 가장자리의 막질이나 감광막을 제거하는 식각공정이 수행된다.
일반적으로 웨이퍼 가장자리를 식각하기 위해서 패턴이 형성된 웨이퍼의 상 부면중 식각하고자 하는 웨이퍼 가장자리를 제외한 부분을 보호용 액 또는 마스크로 보호한 후 웨이퍼 전체에 식각액을 분사하거나, 웨이퍼를 식각액이 채워진 배쓰에 담그는 방법이 사용된다. 그러나 이러한 방법은 보호용 액 또는 마스크로 패턴부가 형성된 부분을 보호하는 과정과 식각 후에 이들을 다시 제거하는 과정을 가지므로 작업시간이 오래 걸리고, 식각액이 다량 소모되는 문제가 있다.
본 발명은 반도체 기판에서 식각하고자 하는 가장자리 부분만을 정확하고 신속하게 식각할 수 있는 식각 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명인 반도체 소자 제조 장치는 반도체 기판이 놓여지는 척, 상기 척을 회전시키는 척 구동부, 그리고 상기 척 상에 놓여진 반도체 기판의 가장자리에 소정의 약액을 분사하는 노즐을 포함한다. 상기 척 상에는 반도체 기판의 하부면을 지지하는 지지핀들과 척 상에 놓여진 반도체 기판을 정위치시키고, 공정진행 중 상기 반도체 기판을 수평 방향으로 지지하는 회전핀들이 설치된다. 상기 회전핀은 상기 척 상에 설치된 몸체와 상기 몸체의 상부면 일측 가장자리로부터 상부로 연장되며 공정 진행 중 상기 척에 놓여진 반도체 기판의 측면을 지지하는 그립부를 가지며, 상기 반도체 기판과 대향되는 상기 그립부의 일측은 공정진행 중 이에 부딪히는 기류를 상기 반도체 기판의 외측으로 유도할 수 있는 곡률반경을 가진다. 바람직하게는 상기 그립부는 유선형으로 형성된다. 또한, 상기 몸체는 원통형의 형상을 가지고, 상기 그립부의 일측은 상기 몸체의 외주면과 동일한 곡률반경을 가질 수 있다.
또한, 상기 그립부는 상기 그립부의 일측에 부딪힌 후 상기 반도체 기판을 향해 튀겨지는 약액이 상기 반도체 기판의 비식각부인 중심부에 도달되는 것을 방지할 수 있는 높이로 형성된다.
또한, 상기 척과 상기 반도체 기판의 하부면 사이의 공간으로 약액을 분사하는 약액공급부가 제공되며, 상기 약액공급부는 상기 척 내에 형성될 수 있다.
또한, 상기 장치는 상기 척 상부에 배치되며, 공정진행 중 상기 반도체 기판 가장자리로 분사된 약액이 상기 반도체 기판의 중앙부로 유입되는 것을 방지하는 보호 커버와 상기 보호커버를 상하로 구동하는 구동부를 더 포함하며, 상기 노즐은 상기 기판지지부에 놓여진 상기 반도체 기판의 외측을 향하는 방향으로 경사지도록 상기 보호커버에 장착될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 13을 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
본 실시예에서 사용되는 용어 중 웨이퍼의 상부면은 웨이퍼의 양면중 패턴이 형성된 면을 칭하고, 웨이퍼의 하부면은 그 반대면을 칭한다. 또한, 웨이퍼의 상부면에서 본 장치를 사용하여 식각되는 영역인 웨이퍼의 가장자리를 식각부라 칭하 고, 비식각 영역인 웨이퍼의 중심부를 비식각부라 칭한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 식각장치(1)의 사시도이다. 도 1을 참조하면, 장치(1)는 웨이퍼가 놓여지는 기판지지부(substrate supporter)(100), 웨이퍼 상으로 식각액을 분사하는 노즐부(nozzle part)(300), 식각액이 웨이퍼 중심부로 흐르는 것을 방지하는 보호 커버(shielding Cover)(400), 그리고 보호커버를 이동시키는 보호커버 이동부(shielding cover moving part)(500)를 포함한다.
도 2는 도 1의 보호커버(400)를 저면에서 바라본 사시도이다. 도 2를 참조하면, 보호 커버(400)는 보호부(shielder)(410), 몸체(housing)(420), 그리고 분사구(gas injector)(430)를 구비한다. 공정 진행 중 보호 커버의 보호부(410)는 웨이퍼(W)의 상부면으로부터 소정간격 이격되어 웨이퍼(W)의 상부면과 마주보도록 위치된다. 이는 보호 커버(400)가 웨이퍼(W)의 상부면과 접촉됨으로써 웨이퍼(W) 상에 형성된 패턴이 손상되는 것을 방지하기 위한 것이다.
보호부(410)는 돌출부(412), 수평부(414), 경사부(416), 그리고 커버부(418)를 가진다. 수평부(414)는 평평하게 형성되며 웨이퍼(W)의 비식각부와 대향되도록 배치되고, 돌출부(412)는 웨이퍼(W)의 식각부와 비식각부의 경계와 대향되도록 환형의 링형상으로 형성된다. 수평부(414)의 중심에는 웨이퍼(W)를 향해 소정의 가스를 분사하는 분사구(430)가 형성되며, 소정의 가스로는 질소가스 또는 비활성 가스가 사용될 수 있다. 질소가스 또는 비활성 가스는 노즐(310)로부터 웨이퍼 가장자리 영역으로 분사된 식각액이 웨이퍼(W)와 돌출부(412) 사이의 틈을 통해 웨이퍼(W) 중심부 영역 상으로 유입되는 것을 방지한다. 웨이퍼(W)와 보호부(410) 사이로 분사되는 질소가스가 돌출부(412)와 수평부(414) 사이에서 와류를 발생하지 않고 돌출부(412)의 바깥쪽으로 원활하게 이동되도록 수평부(414)와 돌출부(412) 사이에는 소정각도 기울어진 경사부(416)가 형성된다. 돌출부(412)의 바깥쪽에는 커버부(418)가 위치되며, 커버부(418)는 노즐(310)로부터 웨이퍼 가장자리로 분사된 식각액이 위로 튀는 것을 방지한다. 커버부(418)에는 노즐(310)의 선단부가 삽입되는 홈(419)이 형성될 수 있다.
몸체(420)는 보호부(410)의 상부면으로부터 상부로 돌출된 부분으로 중공원통의 형상을 가진다. 몸체(420)의 하부면은 상술한 보호부(410)의 상부면 상에 장착되고, 몸체(420)의 내부에는 상술한 노즐부(300)가 설치된다.
도 3은 보호커버(400)의 상부면이 개방된 상태에서 보호커버(400)의 평면도이다. 도 3을 참조하면, 노즐부(300)는 노즐(310), 노즐 지지대(322), 그리고 노즐 이동부를 가진다. 노즐 지지대(322)는 그 일단이 몸체(420)의 외부에 노출되도록 몸체(420)의 측벽에 형성된 관통구를 통해 삽입된다. 노즐(310)은 그 분사구가 웨이퍼의 식각부를 향하도록 노즐 지지대(322)의 일단에 장착된다. 노즐(310)은 그 분사구가 웨이퍼(W)의 중심에서 멀어지는 방향을 향하도록, 그리고 웨이퍼(W)의 회전방향으로 소정각도 기울어진 상태로 배치된다.
노즐(310)은 웨이퍼(W)의 식각폭을 조절하기 위해 수평방향으로 이동되며, 이를 위해 몸체(420)의 내부에는 노즐 지지대(310)를 이동하는 노즐 이동부가 설치된다. 노즐 이동부는 구동부(324), 풀리(326), 브라켓(327), 가이드 레일(328), 그 리고 벨트(329)를 가진다. 구동부(324)는 몸체(420)의 내부 일측에 위치되고, 풀리(326)는 구동부(324)와 마주보는 곳에 위치된다. 구동부(324)와 풀리(326)는 벨트(329)에 의해 연결되며, 구동부에 의해 벨트(329)는 일정거리씩 이동된다. 벨트(329)의 양측면에는 각각 벨트(329)와 평행하게 놓인 가이드 레일(328)들이 위치되며, 각각의 가이드 레일(328)상에는 노즐 지지대(322)의 타단이 고정되는 브라켓(327)이 설치된다. 브라켓(327)의 일측은 벨트(329)와 결합되어 벨트(329)와 함께 이동된다. 구동부(324)로는 노즐(310)을 소정간격으로 정확하게 이동시킬 수 있는 스테핑 모터(Stepping Motor)가 사용되는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 식각액을 분사하는 노즐(310)이 2개 설치되는 것으로 도시하였다. 각각의 노즐(310)에는 공정에 소요되는 시간을 단축하기 위해 동일한 종류의 식각액이 동시에 공급될 수 있다. 이와 달리 각각의 노즐(310)에는 서로 상이한 종류의 식각액이 순차적으로 공급될 수 있다. 이는 복수의 식각액이 사용되는 경우, 하나의 노즐(310)에는 한 종류의 식각액만 분사하도록 하여 식각에 소요되는 시간을 단축하기 위한 것이다.
공정이 진행되기 전 보호커버(400)는 기판지지부(100)의 상부로 상당거리 승강된 상태로 위치된다. 웨이퍼(W)가 기판지지부(100)에 놓여지면 보호커버(400)는 웨이퍼(W)와 설정된 거리만큼 이격되도록 하강된다. 보호커버(400)의 이동은 보호커버 이동부(500)에 의해 이루어진다. 도 1을 다시 참조하면, 보호커버 이동부(500)는 지지대(510), 이송봉(520), 이송봉 가이드(530), 그리고 구동부(도시되지 않음)를 가진다. 지지대(510)는 보호커버(400)를 지지하는 부분으로 수평으 로 위치된다. 지지대(510)의 일단은 보호 커버(400)의 상부면과 결합되며, 지지대(510)의 타단은 그 아래에 수직하게 배치된 이송봉(520)과 연결된다. 이송봉(520)은 지지대(510)를 상하로 이동시키기 위한 것으로 서보모터와 같은 구동부(540)에 의해 구동된다. 이송봉 가이드(530)는 이송봉(520)의 수직이동을 안내하기 위한 부분으로 중앙에 이송봉(520)이 삽입되는 통로가 형성된다.
도 4는 도 1의 기판지지부의 단면을 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 기판지지부(100)는 척(chuck)(110), 회전핀들(chucking pins)(120), 그리고 척 회전부(chuck rotating part)(130)를 가진다. 척(110)은 웨이퍼(W)가 놓여지는 부분으로 원형의 상부면을 가진다. 공정이 진행되는 동안 척(110)은 척 회전부(130)에 의해 일방향으로 회전된다. 척 회전부(130)는 척(110)의 후면으로부터 아래로 연장되어 척(110)을 지지하는 척 지지대(132)와 척 지지대(132)를 회전시키는 척 구동부(134)를 가진다. 척 구동부(134)로는 모터가 사용될 수 있다.
약액공급부(200)는 웨이퍼(W)의 하부면을 식각하기 위해 식각액을 공급하는 부분으로, 기판 지지부(100)에 설치된다. 척(110)과 척 지지대(132) 내부 중앙에는 식각액의 이동통로인 약액 이동로(220)가 형성되고, 상부면 중앙에는 약액 이동로(220)를 통해 공급된 식각액을 척(110)의 상부면과 웨이퍼(W) 하부면 사이의 공간으로 공급하는 약액분사체(210)가 설치된다. 약액분사체(210)는 측면에 복수의 분사홀들(212)이 형성된다.
본 실시예의 장치에 의하면, 웨이퍼 가장자리 뿐 만 아니라 웨이퍼의 하부면도 동시에 식각이 이루어진다. 따라서 웨이퍼(W)는 척(110)의 상부면과 일정거리 이격된 상태에서 공정이 진행되어야 한다. 이를 위해 척(110)의 상부면에는 웨이퍼(W) 하부면을 지지하는 복수의 지지핀들(140)이 형성되고, 척의 가장자리 상에는 복수의 회전핀들(120)이 균등한 간격으로 설치된다. 회전핀들(120)은 이송로봇에 의해 기판지지부(100)에 놓여진 웨이퍼(W)를 정위치로 정렬시키고, 공정 진행 중 척(110)의 회전에 의해 웨이퍼(W)가 정위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 회전핀(120)의 사시도이고, 도 6과 도 7은 각각 웨이퍼(W)가 척(110)에 놓여지기 전후 그립부의 위치를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 회전핀(120)은 몸체(122), 그립부(124), 그리고 회전부(126)를 가진다. 몸체(122)는 원통형의 형상을 가지며, 척(110)의 상부면으로부터 일정거리 돌출되도록 척(100)에 설치된다. 몸체(122)는 지지핀들(140)과 동일한 높이로 형성된다. 회전부(126)는 중앙에 몸체(122)가 삽입 고정되는 통공이 형성되고, 외주면에는 척(110) 내에 설치된 기어(도시되지 않음)와 맞물리는 기어가 형성된다. 그립부(124)는 몸체(122)의 상부면 일측으로부터 일정거리 위쪽으로 연장된 부분으로 공정 진행 중 웨이퍼(W)의 측면을 지지하는 부분이다. 그립부(124)는 공정진행 중 웨이퍼(W)의 측부와 대향되는 일측(124a)과 몸체의 안쪽을 향하는 타측(124b)을 가지며, 그립부(124)는 몸체(122)에 비해 매우 작은 크기의 횡단면적을 가진다. 도 6에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)가 기판지지부(100)에 놓여질 때 웨이퍼(W)가 놓여지는 충분한 공간을 제공하기 위해 그립부(124)의 일측이 척(110)의 중심을 바라보는 방향으로부터 일정각도 회전된 상태로 위치된다. 이후 기판지지부(100)에 웨이퍼(W)가 놓여지면, 도 7에 도시된 바와 같이 회전핀(120)이 회전되고, 웨이퍼(W)는 그립부(124)에 의해 수평방향으로 지지된다. 정위치로부터 벗어나서 위치된 웨이퍼(W)는 회전핀(120)의 회전에 의해 정위치로 정렬된다.
도 8은 도 5의 그립부(124)의 평면도이다. 도 8을 참조하면, 웨이퍼(W)의 측부를 지지하는 그립부의 일측(124a)은 공정진행 중 이에 부딪히는 기류를 웨이퍼(W)의 외측으로 유도할 수 있도록 충분히 큰 곡률반경(radius of curvature)을 가진다. 바람직하게는 그립부(124a)는 도 9에 도시된 바와 같이 유선형(streamline shape)으로 형성되며, 그립부의 일측(124a)은 회전핀의 몸체(122)의 외곽과 동일한 곡률반경을 가지도록 형성된다. 도 9와 도 10은 각각 그립부(124)가 곡률반경이 작은 원형으로 형성된 경우와 유선형으로 형성된 경우 공기의 흐름과 식각액의 흐름을 보여주는 도면이다. 도 9와 도 10에서 'a'는 공기의 흐름이고, 'b'는 노즐로부터 분사되는 식각액의 분사방향이며, 'c'는 식각액이 공기의 흐름에 의해 회송되는 방향이다. 도 9에 도시된 바와 같이 그립부(124′)가 원형으로 형성된 경우, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 그립부(124′)를 향하는 공기는 그립부(124′)에 부딪힌 후 웨이퍼의 중심부를 향한다. 이 경우 노즐(310)로부터 분사된 식각액이 공기의 흐름에 의해 비식각부인 웨이퍼(W)의 중심부로 회송될 수 있다. 그러나 도 10에 도시된 바와 같이 그립부(124)가 유선형으로 형성된 경우, 그립부(124)를 향하는 공기는 그립부(124)의 일측에 부딪힌 후 웨이퍼(W)의 외측으로 향하며, 노즐(310)로부터 분사된 식각액은 웨이퍼(W)의 외측으로 회송된다. 그립부의 타측(124b)은 도 9 또는 도 11에 도시된 바와 같이 용도에 따라 다양한 형상을 가질 수 있다.
도 12와 도 13은 본 실시예에서 그립부(124)의 길이를 설명하기 위한 도면이다. 도 12와 도 13에서 'Wp'는 웨이퍼(W)의 비식각부를 나타내고, 'e'는 노즐(310)로부터 분사되는 식각액을 나타낸다. 도 12에서 보는 바와 같이, 그립부(124)로 분사된 식각액은 그립부(124)의 일측면에 부딪힌 후 웨이퍼를 향해 튀겨 나온다. 이 때, 그립부(124)의 길이가 길면, 그립부의 일측면(124a) 상단부에 부딪힌 식각액은 웨이퍼의 비식각부(Wp )까지 튀겨, 비식각부(Wp )를 식각할 수 있다. 그러나 도 13에서 보는 바와 같이 그립부(124)의 길이를 짧게 하면, 그립부의 일측면(124a) 상단부에 부딪혀 튀기는 식각액은 비식각부(Wp )까지 미치지 않으므로, 식각액으로부터 웨이퍼 비식각부(Wp )를 보호할 수 있다. 따라서 본 발명에서 그립부(124)의 길이는 그 일측면(124a) 상단부에 부딪혀 웨이퍼(W)를 향해 튀기는 식각액이 웨이퍼 비삭각부(Wp )에 도달되지 않을 정도로 충분히 짧게 형성된다.
본 실시예에서는 반도체 가장자리를 식각하는 장치를 예로 들어 설명하였다. 그러나 본 발명의 장치는 이 외에 웨이퍼 가장자리로 소정의 약액을 분사하여 진행되는 모든 공정에 사용될 수 있다.
본 발명의 식각장치는 상하로 이동되고 질소가스가 분사되는 보호커버를 가지므로, 웨이퍼 가장자리 식각에 소요되는 시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면 웨이퍼를 지지하는 회전핀의 그립부가 유선형으로 형성되므로, 기류의 흐름이 웨이퍼 외측으로 향하도록 유도할 수 있으며, 이로 인해 기류를 타고 회송되는 식각액이 비식각부인 웨이퍼 중심부로 향하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면 웨이퍼를 지지하는 회전핀의 그립부가 충분히 짧아, 그립부의 일측 상단부에 부딪혀 튀기는 식각액이 비식각부인 웨이퍼 중심부까지 도달되는 것을 방지할 수 있다.

Claims (7)

  1. 반도체 기판의 가장자리에 소정의 약액을 분사하여 공정을 진행하는 장치에 있어서,
    반도체 기판이 놓여지는, 그리고 상기 반도체 기판의 저면을 지지하는 지지핀들이 설치된 척과;
    상기 척 상에 설치된 몸체와 상기 몸체의 상부면 일측 가장자리로부터 상부로 연장되며 공정 진행 중 상기 척에 놓여진 반도체 기판의 측면을 지지하는 그립부를 가지는, 그리고 상기 몸체의 회전에 의해 상기 척 상에 놓여진 상기 반도체 기판을 정위치시키는 복수의 회전핀들과;
    상기 척을 회전시키는 척 구동부와; 그리고
    상기 척 상에 놓여진 상기 반도체 기판의 상부면 가장자리에 소정의 약액을 분사하는 노즐을 포함하되,
    상기 복수의 회전핀들에 의해 정위치된 상기 반도체 기판과 대향되는 상기 그립부의 일측은 공정진행 중 이에 부딪히는 기류를 상기 반도체 기판의 외측으로 유도할 수 있는 곡률반경을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 몸체는 원통형의 형상을 가지고,
    상기 그립부의 일측은 상기 몸체의 외주면과 동일한 곡률반경을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 그립부는 유선형으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체 기판은 상기 그립부의 일측 하단부와 접촉되고,
    상기 그립부는 상기 노즐로부터 상기 그립부의 일측으로 분사되어 상기 반도체 기판을 향해 튀겨지는 약액이 상기 반도체 기판의 비식각부인 중심부에 도달되는 것을 방지할 수 있는 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 장치는 상기 척 내에 형성되는, 그리고 상기 척과 상기 반도체 기판의 하부면 사이의 공간으로 약액을 분사하는 약액공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 척 상부에 배치되며, 공정진행 중 상기 반도체 기판 가장자리로 분사된 약액이 상기 반도체 기판의 중앙부로 유입되는 것을 방지하는 보호 커버와;
    상기 보호커버를 상하로 구동하는 구동부를 더 포함하고,
    상기 노즐은 상기 지지핀들에 의해 지지된 상기 반도체 기판의 바깥쪽을 향하는 방향으로 경사지도록 상기 보호커버에 장착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 장치는 반도체 기판의 가장자리를 식각하는 장치인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
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