JP2005123534A - ウェハ洗浄装置 - Google Patents
ウェハ洗浄装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005123534A JP2005123534A JP2003359663A JP2003359663A JP2005123534A JP 2005123534 A JP2005123534 A JP 2005123534A JP 2003359663 A JP2003359663 A JP 2003359663A JP 2003359663 A JP2003359663 A JP 2003359663A JP 2005123534 A JP2005123534 A JP 2005123534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cleaning
- ejection
- cleaning liquid
- cleaning apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 216
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 107
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 58
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 34
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】 ウェハWの支持部材21を備えていると共に、ウェハ用の洗浄液を噴出するノズル39と当該ノズル39に洗浄液を供給する液供給部40とを有する噴出ユニット3を備えているウェハ洗浄装置1において、前記液供給部40の洗浄液供給路42にガスを供給するガス供給路43を設けて、洗浄液とガスとが混在する噴流体を前記ノズル39から噴出させるようにし、当該ノズル39から支持部材21に支持されたウェハWに向けて前記噴流体を噴射することによってウェハWを洗浄する。このように、洗浄液とガスとが混在する噴流体をウェハWに向けて噴射するウェハ洗浄装置によれば、ウェハWの表面に洗浄液を衝撃的にぶつけ続けることができ洗浄能力が向上する。
【選択図】 図1
Description
2 洗浄槽
3 噴射ユニット(噴出手段)
21 ウェハ載置部(支持部材)
30 洗浄液噴出部
31 固定管
33 回転体
33a,33b アーム(可動部材)
39 ノズル(噴出孔)
40 洗浄液供給部(液供給部)
41 接続管(洗浄液供給路の一部)
42 液供給路(洗浄液供給路の一部)
43 ガス供給路
W ウェハ
E 噴流体の噴射領域
H バンプ形成用の穴(ホール)
Claims (7)
- ウェハの支持部材を備えていると共に、ウェハ用の洗浄液を噴出する噴出孔と当該噴出孔に洗浄液を供給する液供給部とを有する噴出手段を備えているウェハ洗浄装置において、
前記液供給部の洗浄液供給路にガスを供給するガス供給路を接続して、洗浄液とガスとが混在する噴流体を前記噴出孔から噴出させるようにし、当該噴出孔から支持部材に支持されたウェハに向けて前記噴流体を噴射することによってウェハを洗浄することを特徴とするウェハ洗浄装置。 - バンプ形成用のホールが形成されたレジスト層を表面側に有するウェハの表面の洗浄に用いられる請求項1に記載のウェハ洗浄装置。
- 前記噴出手段は、ウェハの表面に向けて噴流体を間欠的に噴射するものである請求項2に記載のウェハ洗浄装置。
- 前記噴出手段は、ウェハの表面に向けて斜め方向から噴流体を噴射するものである請求項2または請求項3のいずれか一項に記載のウェハ洗浄装置。
- 前記噴出手段の噴出孔は、ウェハの支持部材に対して移動可能に設置された可動部材に形成されているものであり、
当該可動部材を移動させつつ前記噴出孔からウェハ表面に向けて噴流体を噴射させると、ウェハ表面上の噴流体の噴射領域が移動することとなり、ウェハ表面上の洗浄位置に噴流体が間欠的に噴射される請求項2から請求項4のいずれか一項に記載のウェハ洗浄装置。 - 前記噴出孔を備える前記可動部材は、ウェハの表面に直交する軸を回転軸として回転可能に設置されており、
当該可動部材を回転させると噴出孔が回転し、当該噴出孔からウェハの表面に向けて噴射された噴流体の噴射領域が移動して、ウェハ表面上の洗浄位置に噴流体が間欠的に噴射されると共に当該噴流体がウェハ表面に向けて斜め方向から噴射される請求項5に記載のウェハ洗浄装置。 - 前記噴出手段は、噴出孔を備える前記可動部材を複数備えるものであり、
複数ある噴出孔のうちの一の噴出孔は、可動部材を回転させた際の当該一の噴出孔の回転軌跡が他の噴出孔の回転軌跡と重ならないように、いずれかの可動部材に形成されている、請求項6に記載のウェハ洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003359663A JP2005123534A (ja) | 2003-10-20 | 2003-10-20 | ウェハ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003359663A JP2005123534A (ja) | 2003-10-20 | 2003-10-20 | ウェハ洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005123534A true JP2005123534A (ja) | 2005-05-12 |
Family
ID=34615813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003359663A Pending JP2005123534A (ja) | 2003-10-20 | 2003-10-20 | ウェハ洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005123534A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012156268A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
KR101519969B1 (ko) | 2013-08-12 | 2015-05-14 | 주식회사 케이씨텍 | 이류체 노즐을 포함하는 프리웨팅 장치 |
JP2021034731A (ja) * | 2019-08-20 | 2021-03-01 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN113126455A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-07-16 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆背面清洁装置、浸没式光刻机及晶圆背面清洁方法 |
-
2003
- 2003-10-20 JP JP2003359663A patent/JP2005123534A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012156268A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
KR101519969B1 (ko) | 2013-08-12 | 2015-05-14 | 주식회사 케이씨텍 | 이류체 노즐을 포함하는 프리웨팅 장치 |
JP2021034731A (ja) * | 2019-08-20 | 2021-03-01 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP7391793B2 (ja) | 2019-08-20 | 2023-12-05 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN113126455A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-07-16 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆背面清洁装置、浸没式光刻机及晶圆背面清洁方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4005326B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR100498626B1 (ko) | 기판세정장치 및 방법 | |
US20120160278A1 (en) | Liquid treatment apparatus and method | |
TWI406327B (zh) | 半導體濕式製程及其系統 | |
CN210837677U (zh) | 晶圆清洗装置 | |
JPH0234168B2 (ja) | ||
US10395951B2 (en) | Method of cleaning a substrate and apparatus for performing the same | |
US5904164A (en) | Arrangement for treatment of wafer-shaped articles, particularly silicon wafers | |
KR100466297B1 (ko) | 반도체 제조 장치 | |
JP5512424B2 (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
EP3811400B1 (en) | System and method for self-cleaning wet treatment process | |
JP6831134B2 (ja) | 半導体基板に対する湿式工程の装置および方法 | |
JP2005123534A (ja) | ウェハ洗浄装置 | |
JPH10106918A (ja) | 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置 | |
CN112864043A (zh) | 晶圆清洗装置及晶圆清洗方法 | |
JP2003200090A (ja) | 印刷回路基板用の噴射ノズルおよびこれを用いたウェットライン設備 | |
US20090255555A1 (en) | Advanced cleaning process using integrated momentum transfer and controlled cavitation | |
KR100558926B1 (ko) | 반도체 소자 제조 장치 | |
KR100191848B1 (ko) | 기판이면 세정방법 및 장치 | |
KR200211293Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼 에칭장비의 약액응고방지장치 | |
JP2004050054A (ja) | 基板処理装置の洗浄方法および基板処理装置 | |
KR100717371B1 (ko) | 웨이퍼처리용 베벨장치 | |
KR100314178B1 (ko) | 플럭스 분출장치 | |
KR100641540B1 (ko) | 레지스트 코팅 장비 및 이를 세정하는 방법 | |
KR0132408Y1 (ko) | 현상액 분사노즐 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050715 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050715 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070903 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080107 |