JP3453977B2 - ウェーハの研磨装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン半導体ウ
ェーハや化合物半導体ウェーハ（以下、両者を総称して
「ウェーハ」と称する）の研磨装置に関するものであ
る。
ェーハや化合物半導体ウェーハ（以下、両者を総称して
「ウェーハ」と称する）の研磨装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ウェーハを鏡面研磨する方法として、従
来、強アルカリ液中にコロイダルシリカを分散させた研
磨剤を使い、適切な研磨布を使って、アルカリによる化
学研磨とシリカによる機械研磨を組み合わせて行う、い
わゆるメカノケミカル研磨法が用いられている。このメ
カノケミカル研磨法としては、通常、ウェーハをワック
スでプレートに貼り付ける、いわゆるワックス方式が採
用されている。しかし、このワックス方式ではプレート
下面の平坦度が要求される上、このプレート下面にウェ
ーハを貼り付けるためのワックスの厚さも均一にしなけ
ればなければならない。また、図３（ａ）に示すように
プレート３０の下面とウェーハＷとの間に異物３１が入
った状態でウェーハＷを研磨すると、プレート３０は硬
いため、図３（ｂ）に示すように、ウェーハＷの異物に
対応する部分が研磨布３２に強く押し付けられることか
ら、図３（ｃ）に示すようにウェーハＷの異物３１に対
応する部分が多く削れてしまい、プレート３０から取り
外したウェーハＷの表面にへこみ３３ができてしまうと
いう問題があった。
来、強アルカリ液中にコロイダルシリカを分散させた研
磨剤を使い、適切な研磨布を使って、アルカリによる化
学研磨とシリカによる機械研磨を組み合わせて行う、い
わゆるメカノケミカル研磨法が用いられている。このメ
カノケミカル研磨法としては、通常、ウェーハをワック
スでプレートに貼り付ける、いわゆるワックス方式が採
用されている。しかし、このワックス方式ではプレート
下面の平坦度が要求される上、このプレート下面にウェ
ーハを貼り付けるためのワックスの厚さも均一にしなけ
ればなければならない。また、図３（ａ）に示すように
プレート３０の下面とウェーハＷとの間に異物３１が入
った状態でウェーハＷを研磨すると、プレート３０は硬
いため、図３（ｂ）に示すように、ウェーハＷの異物に
対応する部分が研磨布３２に強く押し付けられることか
ら、図３（ｃ）に示すようにウェーハＷの異物３１に対
応する部分が多く削れてしまい、プレート３０から取り
外したウェーハＷの表面にへこみ３３ができてしまうと
いう問題があった。
【０００３】そこで、現在では、ワックスを用いない
で、ウェーハをプレートに保持させる、いわゆるワック
スフリー方式も用いられている。このワックスフリー方
式はウェーハと密着性の良い特殊なフィルムからなるバ
ッキングパッドを用いるものである。このワックスフリ
ー方式にあっては、ウェーハの位置を保つため、キャリ
アを用いることとしており、このキャリアおよびウェー
ハはプレートに対して固定となっている。このワックス
フリー方式の効果を図４を用いて説明すれば、ウェーハ
Ｗを研磨布に対して押圧するバッキングパッド３４は柔
らかいため、図４（ａ）に示すようにバッキングパッド
３４とウェーハＷとの間に異物３１が入った場合であっ
ても、図４（ｂ）に示すようにバッキングパッド３４が
たわむので、ウェーハＷの異物３１に対応する部分が研
磨布３３に強く押し付けられることはなく、ウェーハＷ
の異物３１に対応する部分が多く削れてしまうことはな
くなる（図４（ｃ））。また、ワックス方式では、ワッ
クスが必要であるばかりか、研磨後にウェーハおよびプ
レートを苛性ソーダで洗浄した後、水洗いし、イソプロ
ピルアルコールを用いて乾燥させなければならないな
ど、後洗浄の負荷が大きいという問題があったが、ワッ
クスフリー方式では、ワックスを用いない分、コストの
低減が図れ、しかも、後洗浄もプレートを温水を用いて
ブラシ洗浄するだけで済むという利点がある。
で、ウェーハをプレートに保持させる、いわゆるワック
スフリー方式も用いられている。このワックスフリー方
式はウェーハと密着性の良い特殊なフィルムからなるバ
ッキングパッドを用いるものである。このワックスフリ
ー方式にあっては、ウェーハの位置を保つため、キャリ
アを用いることとしており、このキャリアおよびウェー
ハはプレートに対して固定となっている。このワックス
フリー方式の効果を図４を用いて説明すれば、ウェーハ
Ｗを研磨布に対して押圧するバッキングパッド３４は柔
らかいため、図４（ａ）に示すようにバッキングパッド
３４とウェーハＷとの間に異物３１が入った場合であっ
ても、図４（ｂ）に示すようにバッキングパッド３４が
たわむので、ウェーハＷの異物３１に対応する部分が研
磨布３３に強く押し付けられることはなく、ウェーハＷ
の異物３１に対応する部分が多く削れてしまうことはな
くなる（図４（ｃ））。また、ワックス方式では、ワッ
クスが必要であるばかりか、研磨後にウェーハおよびプ
レートを苛性ソーダで洗浄した後、水洗いし、イソプロ
ピルアルコールを用いて乾燥させなければならないな
ど、後洗浄の負荷が大きいという問題があったが、ワッ
クスフリー方式では、ワックスを用いない分、コストの
低減が図れ、しかも、後洗浄もプレートを温水を用いて
ブラシ洗浄するだけで済むという利点がある。
【０００４】しかし一方で、バッキングパッドは軟らか
いため、平坦度を出すのが困難であり、このバッキング
パッドの平坦度の悪さ故、研磨されたウェーハの平坦度
も悪いという問題が生じた。
いため、平坦度を出すのが困難であり、このバッキング
パッドの平坦度の悪さ故、研磨されたウェーハの平坦度
も悪いという問題が生じた。
【０００５】この問題点を解決するための方法として、
界面活性剤をバッキングパッドに塗布して、研磨中に、
ウェーハをその場で回転させることも考えられる。この
方法によれば、ウェーハを回転させるので、ウェーハが
回転によってバッキングパッドの広い面に当たることと
なり、ウェーハを回転させない場合に比較して、平坦性
が向上することになる。
界面活性剤をバッキングパッドに塗布して、研磨中に、
ウェーハをその場で回転させることも考えられる。この
方法によれば、ウェーハを回転させるので、ウェーハが
回転によってバッキングパッドの広い面に当たることと
なり、ウェーハを回転させない場合に比較して、平坦性
が向上することになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この研磨方法
によれば、バッキングパッド上同一位置におけるウェー
ハの回転によって、バッキングパッドにおけるウェーハ
の外周部対応部分が劣化し易く、定盤の外周近くと中心
近くとではバッキングパッドの劣化の具合が異なるた
め、平坦性に優れたウェーハを安定的に得ることができ
なかった。
によれば、バッキングパッド上同一位置におけるウェー
ハの回転によって、バッキングパッドにおけるウェーハ
の外周部対応部分が劣化し易く、定盤の外周近くと中心
近くとではバッキングパッドの劣化の具合が異なるた
め、平坦性に優れたウェーハを安定的に得ることができ
なかった。
【０００７】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
で、平坦性に優れたウェーハを安定的に得られるウェー
ハの研磨装置を提供することを目的としている。
で、平坦性に優れたウェーハを安定的に得られるウェー
ハの研磨装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の研磨装置
は、研磨布が張られた定盤と、この定盤の中心からずれ
た位置の上方に設けられた研磨ヘッドと、この研磨ヘッ
ドの下側に設置されるプレートとを備え、前記プレート
には、ウェーハを押圧するためのバッキングパッドが設
けられると共に、複数枚の前記ウェーハを担持可能に構
成されたキャリアが当該プレートに対して回転自在とな
るように設けられ、前記プレートに対して前記ウェーハ
を自転させつつ公転させることによって当該ウェーハの
研磨を行うように構成されていることを特徴とする。
は、研磨布が張られた定盤と、この定盤の中心からずれ
た位置の上方に設けられた研磨ヘッドと、この研磨ヘッ
ドの下側に設置されるプレートとを備え、前記プレート
には、ウェーハを押圧するためのバッキングパッドが設
けられると共に、複数枚の前記ウェーハを担持可能に構
成されたキャリアが当該プレートに対して回転自在とな
るように設けられ、前記プレートに対して前記ウェーハ
を自転させつつ公転させることによって当該ウェーハの
研磨を行うように構成されていることを特徴とする。
【０００９】請求項２記載の研磨装置は、請求項１記載
の研磨装置において、前記バッキングパッドの下面に界
面活性剤を塗布したものである。
の研磨装置において、前記バッキングパッドの下面に界
面活性剤を塗布したものである。
【００１０】上記した手段によれば、プレートに対して
ウェーハを自転させつつ公転させることによって、研磨
を行うようになっているので、バッキングパッドのほぼ
全面が活用できることとなり、バッキングパッドの劣化
はゆっくりと全体的に進行することになる。換言すれ
ば、劣化部分の偏在が少なくなる。したがって、平坦性
に優れたウェーハを安定して得られることになる。
ウェーハを自転させつつ公転させることによって、研磨
を行うようになっているので、バッキングパッドのほぼ
全面が活用できることとなり、バッキングパッドの劣化
はゆっくりと全体的に進行することになる。換言すれ
ば、劣化部分の偏在が少なくなる。したがって、平坦性
に優れたウェーハを安定して得られることになる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１には実施形態の研磨装置１が
示されている。この研磨装置１は、研磨布２が張られた
定盤３と、この定盤３の中心から離れた部分の上方に設
けられた研磨ヘッド４と、図示しないが水またはスラリ
ーを供給するノズルとを備えている。
示されている。この研磨装置１は、研磨布２が張られた
定盤３と、この定盤３の中心から離れた部分の上方に設
けられた研磨ヘッド４と、図示しないが水またはスラリ
ーを供給するノズルとを備えている。
【００１２】定盤３は図示しない電動モータによって回
転できるように構成されている。この定盤３に張られる
研磨布２としては硬質発泡ウレタンが用いられる。この
硬質発泡ウレタンは発泡径が小さく、密度が高いため、
砥粒保持力が大きく研磨能力が高いという特質を持つ。
転できるように構成されている。この定盤３に張られる
研磨布２としては硬質発泡ウレタンが用いられる。この
硬質発泡ウレタンは発泡径が小さく、密度が高いため、
砥粒保持力が大きく研磨能力が高いという特質を持つ。
【００１３】研磨ヘッド４は、空気シリンダ、油圧シリ
ンダまたはラック・ピニオン機構などから構成される昇
降装置（図示せず）によって、軸５を持ち上げることに
よって昇降可能となっている。研磨ヘッド４の下側に
は、キャリア６が付設されたプレート７が設置される。
このプレート７は中央に軸孔８を有する。この軸孔８の
上部は当該軸孔８よりも大きな円形凹部９に連通してい
る。軸孔８には軸受１０が取り付けられる。また、プレ
ート７の下面には、軸孔８の周りに、ドーナツ状の浅い
溝１１を有している。この溝１１の幅はプレート７に対
してのウェーハＷの公転を円滑にさせるためウェーハＷ
の直径よりも少し大きめとなっている。溝１１内にはバ
ッキングパッド１２が張られている。このバッキングパ
ッド１２としては軟質発泡ウレタンが用いられる。この
軟質発泡ウレタンは発泡径が小さく、硬度が大きいの
で、寿命が長いという特質を持つ。また、バッキングパ
ッド１２には界面活性剤が塗布され、研磨布２よりもバ
ッキングパッド１２の摩擦係数が小さくなるようにされ
ている。この界面活性剤としては、例えばアルキルベン
ゼンスルホン酸等の陰イオン活性剤が使用される。この
界面活性剤は湿潤性、浸透性、付着物質乳化性等の機能
を有する物質なので洗浄が極めて容易である。なお、バ
ッキングパッド１２がそもそも研磨布２よりも摩擦係数
が小さいならば、界面活性剤は不要である。また、この
実施形態の研磨装置１では、プレート７の下面にドーナ
ツ状の溝１１を設けたが、必ずしも溝１１を設けなくと
も良い。キャリア６があればウェーハＷの位置ずれは起
こらないからである。この場合には、ウェーハＷが通過
する部分だけにバッキングパッド１２を張っても良い
し、プレート７の下面全体にバッキングパッド１２を張
っても良い。
ンダまたはラック・ピニオン機構などから構成される昇
降装置（図示せず）によって、軸５を持ち上げることに
よって昇降可能となっている。研磨ヘッド４の下側に
は、キャリア６が付設されたプレート７が設置される。
このプレート７は中央に軸孔８を有する。この軸孔８の
上部は当該軸孔８よりも大きな円形凹部９に連通してい
る。軸孔８には軸受１０が取り付けられる。また、プレ
ート７の下面には、軸孔８の周りに、ドーナツ状の浅い
溝１１を有している。この溝１１の幅はプレート７に対
してのウェーハＷの公転を円滑にさせるためウェーハＷ
の直径よりも少し大きめとなっている。溝１１内にはバ
ッキングパッド１２が張られている。このバッキングパ
ッド１２としては軟質発泡ウレタンが用いられる。この
軟質発泡ウレタンは発泡径が小さく、硬度が大きいの
で、寿命が長いという特質を持つ。また、バッキングパ
ッド１２には界面活性剤が塗布され、研磨布２よりもバ
ッキングパッド１２の摩擦係数が小さくなるようにされ
ている。この界面活性剤としては、例えばアルキルベン
ゼンスルホン酸等の陰イオン活性剤が使用される。この
界面活性剤は湿潤性、浸透性、付着物質乳化性等の機能
を有する物質なので洗浄が極めて容易である。なお、バ
ッキングパッド１２がそもそも研磨布２よりも摩擦係数
が小さいならば、界面活性剤は不要である。また、この
実施形態の研磨装置１では、プレート７の下面にドーナ
ツ状の溝１１を設けたが、必ずしも溝１１を設けなくと
も良い。キャリア６があればウェーハＷの位置ずれは起
こらないからである。この場合には、ウェーハＷが通過
する部分だけにバッキングパッド１２を張っても良い
し、プレート７の下面全体にバッキングパッド１２を張
っても良い。
【００１４】キャリア６は軸部１３を有し、この軸部１
３は前記軸孔８に挿入され、前記軸受１０の働きによっ
て、キャリア６はプレート７に対して回転できるように
なっている。軸部１３の上には、前記円形凹部９に着座
する円板１４がボルト、接着剤あるいは溶接などで取り
付けられ、この円板１４の働きによって、キャリア６が
プレート７から脱落するのが防止されている。円板１４
の取付けがボルトによる場合には、プレート７からキャ
リア６を簡単に取り外すことができ、その場合には、プ
レート７の下側のバッキングパッド１２の張り替えが容
易となると共に、キャリア６が単体として扱えることか
ら、そのキャリア６の洗浄が容易となる。キャリア６の
板状部１５は円形に構成されている。この板状部１５の
直径はプレート７の直径と同じである。この板状部１５
には、プレート７の溝１１に対応する部分に、複数個、
ここでは４個の開口１５ａが形成されている。この開口
１５ａの直径はウェーハＷの装着を容易にするため直径
よりも少し大きめとしてある。なお、キャリア６の回転
は、この実施形態では、自由回転となっているが、強制
的にキャリア６を回転させるようにしても良い。このよ
うな構成とすれば、本装置の確実性は増加するが、装置
構造が複雑化になる。よって、装置の複雑化を避けるた
め、ここではキャリア６を自由回転させるようにした
が、装置構造の複雑化を厭わなければ、キャリア回転手
段を設けてキャリア６を強制的に回転させるようにして
も良い。なお、プレート７の中心を研磨ヘッド４の中心
と一致させるために、プレート７の外周に接し、軸５の
中心にその接触部の法線が一致するように２個のガイド
ローラ２０が設けられている。
３は前記軸孔８に挿入され、前記軸受１０の働きによっ
て、キャリア６はプレート７に対して回転できるように
なっている。軸部１３の上には、前記円形凹部９に着座
する円板１４がボルト、接着剤あるいは溶接などで取り
付けられ、この円板１４の働きによって、キャリア６が
プレート７から脱落するのが防止されている。円板１４
の取付けがボルトによる場合には、プレート７からキャ
リア６を簡単に取り外すことができ、その場合には、プ
レート７の下側のバッキングパッド１２の張り替えが容
易となると共に、キャリア６が単体として扱えることか
ら、そのキャリア６の洗浄が容易となる。キャリア６の
板状部１５は円形に構成されている。この板状部１５の
直径はプレート７の直径と同じである。この板状部１５
には、プレート７の溝１１に対応する部分に、複数個、
ここでは４個の開口１５ａが形成されている。この開口
１５ａの直径はウェーハＷの装着を容易にするため直径
よりも少し大きめとしてある。なお、キャリア６の回転
は、この実施形態では、自由回転となっているが、強制
的にキャリア６を回転させるようにしても良い。このよ
うな構成とすれば、本装置の確実性は増加するが、装置
構造が複雑化になる。よって、装置の複雑化を避けるた
め、ここではキャリア６を自由回転させるようにした
が、装置構造の複雑化を厭わなければ、キャリア回転手
段を設けてキャリア６を強制的に回転させるようにして
も良い。なお、プレート７の中心を研磨ヘッド４の中心
と一致させるために、プレート７の外周に接し、軸５の
中心にその接触部の法線が一致するように２個のガイド
ローラ２０が設けられている。
【００１５】次に、この研磨装置１を使用してのウェー
ハＷの研磨方法について説明する。
ハＷの研磨方法について説明する。
【００１６】まず、ウェーハＷのリンスを行った後、ウ
ェーハＷにＳｉＯ２膜を形成して親水性を持たせるため
アンモニア過水で洗浄する。この場合、ワックス方式の
ようにパーティクル除去のための苛性ソーダによる洗浄
は不要である。次に、キャリア６が付設されたプレート
７に、このウェーハＷを装着する。この場合のウェーハ
Ｗの装着はキャリア６に設けられた開口１５ａを介して
行われる。そして、ウェーハＷが装着されたプレート７
を、ウェーハＷが定盤３の研磨布２に接するようにして
研磨ヘッド４の下方に置く。この際、昇降装置（図示せ
ず）によって、軸５を持ち上げることによって研磨ヘッ
ド４を上昇させておく。次に、昇降装置によって、軸５
を下降させて研磨ヘッド４をプレート７の上に乗せる。
この状態で、定盤３を図示しない電動モータによって回
転させる。すると、ウェーハＷに押されてキャリア６が
その場で定盤３の回転方向と同じ方向に回転する。この
回転は、定盤３の回転による線速度が外周と中心とで異
なることによって生じる。また、キャリア６が回転する
と、プレート７の中心の周りをウェーハＷが自転しつつ
公転することになる。
ェーハＷにＳｉＯ２膜を形成して親水性を持たせるため
アンモニア過水で洗浄する。この場合、ワックス方式の
ようにパーティクル除去のための苛性ソーダによる洗浄
は不要である。次に、キャリア６が付設されたプレート
７に、このウェーハＷを装着する。この場合のウェーハ
Ｗの装着はキャリア６に設けられた開口１５ａを介して
行われる。そして、ウェーハＷが装着されたプレート７
を、ウェーハＷが定盤３の研磨布２に接するようにして
研磨ヘッド４の下方に置く。この際、昇降装置（図示せ
ず）によって、軸５を持ち上げることによって研磨ヘッ
ド４を上昇させておく。次に、昇降装置によって、軸５
を下降させて研磨ヘッド４をプレート７の上に乗せる。
この状態で、定盤３を図示しない電動モータによって回
転させる。すると、ウェーハＷに押されてキャリア６が
その場で定盤３の回転方向と同じ方向に回転する。この
回転は、定盤３の回転による線速度が外周と中心とで異
なることによって生じる。また、キャリア６が回転する
と、プレート７の中心の周りをウェーハＷが自転しつつ
公転することになる。
【００１７】このようにすれば、バッキングパッド１２
の広い面を使ってウェーハＷの研磨が行われるので、バ
ッキングパッド１２の劣化が少なくなり、バッキングパ
ッド１２の平坦性の悪さの影響が低減されることにな
る。具体的には、バッキングパッド１２の平坦度寿命が
著しく向上することになる。
の広い面を使ってウェーハＷの研磨が行われるので、バ
ッキングパッド１２の劣化が少なくなり、バッキングパ
ッド１２の平坦性の悪さの影響が低減されることにな
る。具体的には、バッキングパッド１２の平坦度寿命が
著しく向上することになる。
【００１８】以上、本発明者がなした実施形態について
説明したが、本発明は、かかる実施形態に限定されず、
その要旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能
である。
説明したが、本発明は、かかる実施形態に限定されず、
その要旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能
である。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、研磨布が張られた定盤と、こ
の定盤の中心からずれた位置の上方に設けられた研磨ヘ
ッドと、この研磨ヘッドの下側に設置されるプレートと
を備え、前記プレートには、下側にバッキングパッドが
設けられると共に、下側に複数のウェーハを坦持可能で
当該プレートに対して回転自在なキャリアが設けられ、
前記プレートに対して前記ウェーハを自転させつつ公転
させることによって研磨を行うように構成されているの
で、プレートに対してウェーハを自転させつつ公転させ
て研磨を行うことができ、バッキングパッドのほぼ全面
が活用できることとなる結果、バッキングパッドの劣化
はゆっくりと全体的に進行することになる。換言すれ
ば、劣化部分が偏在しなくなる。したがって、平坦性に
優れたウェーハを安定して得られることになる。
の定盤の中心からずれた位置の上方に設けられた研磨ヘ
ッドと、この研磨ヘッドの下側に設置されるプレートと
を備え、前記プレートには、下側にバッキングパッドが
設けられると共に、下側に複数のウェーハを坦持可能で
当該プレートに対して回転自在なキャリアが設けられ、
前記プレートに対して前記ウェーハを自転させつつ公転
させることによって研磨を行うように構成されているの
で、プレートに対してウェーハを自転させつつ公転させ
て研磨を行うことができ、バッキングパッドのほぼ全面
が活用できることとなる結果、バッキングパッドの劣化
はゆっくりと全体的に進行することになる。換言すれ
ば、劣化部分が偏在しなくなる。したがって、平坦性に
優れたウェーハを安定して得られることになる。
【図１】実施形態の研磨装置の主要部を示す正面図であ
る。
る。
【図２】実施形態の研磨装置の主要部を示す平面図であ
る。
る。
【図３】ワックス方式の研磨装置の研磨のされ方を示す
図である。
図である。
【図４】ワックスフリー方式の研磨装置の研磨のされ方
を示す図である。
を示す図である。
【符号の説明】
１ 研磨装置
２ 研磨布
３ 定盤
１２ バッキングパッド
Ｗ ウェーハ
フロントページの続き
(72)発明者 鈴木 文夫
福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平
150番地 信越半導体株式会社 半導体
白河研究所内
(56)参考文献 特開 平７−58066（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−169758（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−23664（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−136927（ＪＰ，Ａ)
実開 昭62−35761（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B24B 37/04
H01L 21/304
Claims (2)
- 【請求項１】 研磨布が張られた定盤と、この定盤の中
心からずれた位置の上方に設けられた研磨ヘッドと、こ
の研磨ヘッドの下側に設置されるプレートとを備え、前
記プレートには、ウェーハを押圧するためのバッキング
パッドが設けられると共に、複数枚の前記ウェーハを担
持可能に構成されたキャリアが当該プレートに対して回
転自在となるように設けられ、前記プレートに対して前
記ウェーハを自転させつつ公転させることによって当該
ウェーハの研磨を行うように構成されていることを特徴
とする、ウェーハの研磨装置。 - 【請求項２】 前記バッキングパッドの下側には界面活
性剤が塗布されていることを特徴とする請求項１記載
の、ウェーハの研磨装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35398795A JP3453977B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | ウェーハの研磨装置 |
| TW085115366A TW351690B (en) | 1995-12-28 | 1996-12-12 | Apparatus for grinding wafer |
| KR1019960067571A KR100225275B1 (ko) | 1995-12-28 | 1996-12-18 | 웨이퍼 연마장치 |
| US08/769,441 US5860853A (en) | 1995-12-28 | 1996-12-19 | Apparatus for polishing wafers |
| EP96309331A EP0781628B1 (en) | 1995-12-28 | 1996-12-20 | Apparatus for polishing wafers |
| DE69607123T DE69607123T2 (de) | 1995-12-28 | 1996-12-20 | Gerät zum Polieren von Wafers |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JPH09183063A JPH09183063A (ja) | 1997-07-15 |
| JP3453977B2 true JP3453977B2 (ja) | 2003-10-06 |
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ID=18434564
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP3453977B2 (ja) |
| KR (1) | KR100225275B1 (ja) |
| DE (1) | DE69607123T2 (ja) |
| MY (1) | MY132537A (ja) |
| TW (1) | TW351690B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP3185753B2 (ja) | 1998-05-22 | 2001-07-11 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| TW467795B (en) * | 1999-03-15 | 2001-12-11 | Mitsubishi Materials Corp | Wafer transporting device, wafer polishing device and method for making wafers |
| US6196899B1 (en) * | 1999-06-21 | 2001-03-06 | Micron Technology, Inc. | Polishing apparatus |
| US6287173B1 (en) * | 2000-01-11 | 2001-09-11 | Lucent Technologies, Inc. | Longer lifetime warm-up wafers for polishing systems |
| DE10054166C2 (de) * | 2000-11-02 | 2002-08-08 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben |
| KR100430581B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2004-05-10 | 동부전자 주식회사 | Ｃｍｐ 장치의 상부링 |
| JP2005322663A (ja) | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Opnext Japan Inc | 半導体基板の研磨方法および研磨治具 |
| US7520798B2 (en) * | 2007-01-31 | 2009-04-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with grooves to reduce slurry consumption |
| US7520796B2 (en) * | 2007-01-31 | 2009-04-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with grooves to reduce slurry consumption |
| JP5495525B2 (ja) * | 2008-08-18 | 2014-05-21 | 株式会社東京精密 | 研磨ヘッドにおけるウェーハ回転安定化構造 |
| US8998677B2 (en) * | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Bellows driven floatation-type abrading workholder |
| US9011207B2 (en) * | 2012-10-29 | 2015-04-21 | Wayne O. Duescher | Flexible diaphragm combination floating and rigid abrading workholder |
| US8998678B2 (en) * | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Spider arm driven flexible chamber abrading workholder |
| US9039488B2 (en) * | 2012-10-29 | 2015-05-26 | Wayne O. Duescher | Pin driven flexible chamber abrading workholder |
| US8845394B2 (en) * | 2012-10-29 | 2014-09-30 | Wayne O. Duescher | Bellows driven air floatation abrading workholder |
| CN111958460A (zh) * | 2020-08-28 | 2020-11-20 | 房金祥 | 一种机械瓶盖加工用太阳纹砂光设备 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3841031A (en) * | 1970-10-21 | 1974-10-15 | Monsanto Co | Process for polishing thin elements |
| US4258508A (en) * | 1979-09-04 | 1981-03-31 | Rca Corporation | Free hold down of wafers for material removal |
| FR2521895A1 (fr) * | 1982-02-23 | 1983-08-26 | Ansermoz Raymond | Tasseau multiple pour le rodage, au lapidaire, de pieces en forme de lames minces |
| US4918870A (en) * | 1986-05-16 | 1990-04-24 | Siltec Corporation | Floating subcarriers for wafer polishing apparatus |
| JPH0615565A (ja) * | 1991-12-18 | 1994-01-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ自動ラッピング装置 |
| JP3024373B2 (ja) * | 1992-07-07 | 2000-03-21 | 信越半導体株式会社 | シート状弾性発泡体及びウェーハ研磨加工用治具 |
| JPH0663862A (ja) * | 1992-08-22 | 1994-03-08 | Fujikoshi Mach Corp | 研磨装置 |
| JP2716653B2 (ja) * | 1993-11-01 | 1998-02-18 | 不二越機械工業株式会社 | ウェーハの研磨装置および研磨方法 |
| JPH07201787A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Lintec Corp | ウエハ表面保護シートおよびその利用方法 |
| JP2616735B2 (ja) * | 1995-01-25 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | ウェハの研磨方法およびその装置 |
| JP3158934B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2001-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP35398795A patent/JP3453977B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-12-12 TW TW085115366A patent/TW351690B/zh active
- 1996-12-18 KR KR1019960067571A patent/KR100225275B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-12-19 US US08/769,441 patent/US5860853A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-20 DE DE69607123T patent/DE69607123T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-20 EP EP96309331A patent/EP0781628B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-27 MY MYPI96005503A patent/MY132537A/en unknown
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| MY132537A (en) | 2007-10-31 |
| US5860853A (en) | 1999-01-19 |
| DE69607123T2 (de) | 2000-07-13 |
| EP0781628B1 (en) | 2000-03-15 |
| TW351690B (en) | 1999-02-01 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |