JP2008140818A - デバイス素子製造方法およびダイシング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】デバイス素子を製造する場合、ます、基板に複数のデバイス素子を形成する(S1)。次いで、ダイシングの前に、デバイス素子が形成された基板の少なくとも表面に揮発性保護剤を塗布する(S2)。その後、ダイシングにより各デバイス素子を分離する(S3)。ダイシング工程の後、揮発性保護剤の表面を洗浄する(S4)。この洗浄工程の後、揮発性保護剤を蒸発させる(S5)。
【選択図】図8
Description
次に、ステップS2として、基板11に揮発性保護剤を塗布する。揮発性保護剤の塗布についての具体的な工程は、図9に示す。
(付記1)
基板に複数のデバイス素子を形成するデバイス素子形成工程と、
前記デバイス素子が形成された基板の少なくとも表面に揮発性保護剤を塗布する揮発性保護剤塗布工程と、
前記デバイス素子が形成された基板から各デバイス素子を分離するダイシング工程と、
前記ダイシング工程の後、前記揮発性保護剤の表面を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程の後、前記揮発性保護剤を蒸発させる揮発性保護剤蒸発工程と、
を有することを特徴とするデバイス素子製造方法。
前記揮発性保護剤塗布工程は、前記デバイス素子が形成された基板の両面に揮発性の保護剤を塗布する工程であり、ダミー基板上に揮発性保護剤を塗布し、その上に前記デバイス素子が形成された基板の裏面を載置し、その後前記デバイス素子が形成された基板の表面に揮発性の保護剤を塗布する工程を含むことを特徴とする付記1に記載のデバイス素子製造方法。
前記揮発性保護剤塗布工程は、前記デバイス素子が形成された基板の裏面に接着テープ貼付し、該基板の表面に揮発性の保護剤を塗布する工程を含むことを特徴とする付記1に記載のデバイス素子製造方法。
前記揮発性保護剤を塗布した後、少なくとも洗浄工程の終了するまで、前記デバイス素子が形成された基板は、前記揮発性保護剤の融点以下の温度に維持されることを特徴とする付記1〜3のいずれか1項に記載のデバイス素子製造方法。
前記洗浄工程は、高周波超音波を重畳した液体により揮発性保護剤の表面を切削することを特徴とする付記1〜4のいずれか1項に記載のデバイス素子製造方法。
前記高周波超音波を重畳した液体は、ダイシング時に前記基板を固定するダイシングチャックを冷却する冷却水であることを特徴とする付記5に記載のデバイス素子製造方法。
前記洗浄工程は、揮発性保護剤の融点より高い温度の液体により揮発性保護剤の表面を溶解させることを特徴とする付記1〜4のいずれか1項に記載のデバイス素子製造方法。
前記揮発性保護剤蒸発工程は、前記揮発性保護剤で覆われた基板を大気圧環境かつ室温で蒸発させることを特徴とする付記1〜7のいずれか1項に記載のデバイス素子製造方法。
前記揮発性保護剤蒸発工程は、前記揮発性保護剤で覆われた基板を減圧下で蒸発させることを特徴とする付記1〜7のいずれか1項に記載のデバイス素子製造方法。
前記揮発性保護剤塗布工程は、
前記基板が載置される基台上に揮発性保護剤を塗布する工程と、
前記揮発性保護剤が塗布された基台上に前記基板を載置する工程と、
前記基上に載置された基板の表面に、揮発性保護剤を塗布する工程と、を含むことを特徴とする、付記1に記載のデバイス素子製造方法。
前記揮発性保護剤は所定の融点を有し、
前記基台上への前記揮発性保護剤塗布は前記融点以上の温度で行われるとともに、
前記基台上に前記基板が載置された後、前記揮発性保護剤を前記融点以下の温度にさせる工程をさらに備えたことを特徴とする、付記10に記載のデバイス素子製造方法。
前記揮発性保護剤の融点は常温であることを特徴とする、付記11に記載のデバイス素子製造方法。
基板のダイシング方法において、
前記基板を基台上に載置する工程と、
前記基板の表面に揮発性保護剤を塗布する工程と、
前記揮発性保護剤を凝固させる工程と、
前記揮発性保護剤の上から、前記基板のダイシングを行う工程と、
前記揮発性保護剤の表面を洗浄する工程と、
前記揮発性保護剤を溶融・揮発させる工程と、を有することを特徴とするダイシング方法。
前記揮発性保護剤は所定の融点を有し、
前記塗布工程は前記融点以上の温度で行われ、
前記凝固工程は前記揮発性保護剤を前記融点以下の温度にすることで実行されることを特徴とする、付記13に記載のダイシング方法。
前記基台にはダミー基板が載置され、前記基板は、前記ダミー基板の上に載置されることを特徴とする、付記13および14に記載のダイシング方法。
前記載置工程に先立って、前記基台上に揮発性保護剤を塗布する工程を有し、
前記基板は、前記揮発性保護剤が塗布された基台上に載置されることを特徴とする、付記13〜15のいずれか1項に記載のダイシング方法。
12 貫通孔
13 ダイシング溝
21 ダミー基板
22 揮発性保護剤
31 ダイシングチャック
32 チラー
41 噴射ノズルユニット
42 噴射ノズル
43 高周波超音波供給ユニット
Claims (10)
- 基板に複数のデバイス素子を形成するデバイス素子形成工程と、
前記デバイス素子が形成された基板の少なくとも表面に揮発性保護剤を塗布する揮発性保護剤塗布工程と、
前記デバイス素子が形成された基板から各デバイス素子を分離するダイシング工程と、
前記ダイシング工程の後、前記揮発性保護剤の表面を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程の後、前記揮発性保護剤を蒸発させる揮発性保護剤蒸発工程と、
を有することを特徴とするデバイス素子製造方法。 - 前記揮発性保護剤塗布工程は、前記デバイス素子が形成された基板の両面に揮発性の保護剤を塗布する工程であり、ダミー基板上に揮発性保護剤を塗布し、その上に前記デバイス素子が形成された基板の裏面を載置し、その後前記デバイス素子が形成された基板の表面に揮発性の保護剤を塗布する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のデバイス素子製造方法。
- 前記揮発性保護剤塗布工程は、前記デバイス素子が形成された基板の裏面に接着テープ貼付し、該基板の表面に揮発性の保護剤を塗布する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のデバイス素子製造方法。
- 前記揮発性保護剤を塗布した後、少なくとも洗浄工程の終了するまで、前記デバイス素子が形成された基板は、前記揮発性保護剤の融点以下の温度に維持されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のデバイス素子製造方法。
- 前記洗浄工程は、高周波超音波を重畳した液体により揮発性保護剤の表面を切削することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のデバイス素子製造方法。
- 前記高周波超音波を重畳した液体は、ダイシング時に前記基板を固定するダイシングチャックを冷却する冷却水であることを特徴とする請求項5に記載のデバイス素子製造方法。
- 前記洗浄工程は、揮発性保護剤の融点より高い温度の液体により揮発性保護剤の表面を溶解させることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のデバイス素子製造方法。
- 前記揮発性保護剤蒸発工程は、前記揮発性保護剤で覆われた基板を大気圧環境かつ室温で蒸発させることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のデバイス素子製造方法。
- 前記揮発性保護剤蒸発工程は、前記揮発性保護剤で覆われた基板を減圧下で蒸発させることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のデバイス素子製造方法。
- 基板のダイシング方法において、
前記基板を基台上に載置する工程と、
前記基板の表面に揮発性保護剤を塗布する工程と、
前記揮発性保護剤を凝固させる工程と、
前記揮発性保護剤の上から、前記基板のダイシングを行う工程と、
前記揮発性保護剤の表面を洗浄する工程と、
前記揮発性保護剤を溶融・揮発させる工程と、を有することを特徴とするダイシング方法。
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