TWI827670B - 工件的加工方法 - Google Patents

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TWI827670B TW108132609A TW108132609A TWI827670B TW I827670 B TWI827670 B TW I827670B TW 108132609 A TW108132609 A TW 108132609A TW 108132609 A TW108132609 A TW 108132609A TW I827670 B TWI827670 B TW I827670B
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Abstract

[課題]提供一種可解決起因於保護膜的問題並適當地加工工件之新的工件的加工方法。 [解決手段]一種工件的加工方法，包含以下步驟：保護膜形成步驟，在工件的正面形成以非水溶性的樹脂所構成的保護膜；加工步驟，加工形成有該保護膜的工件；劣化步驟，將有機溶劑供給至已加工的工件而使該保護膜劣化；及去除步驟，將洗淨水供給至已劣化的該保護膜而從工件的該正面去除該保護膜。

Description

工件的加工方法
發明領域 本發明是有關於一種加工以晶圓為代表之板狀的工件時使用的工件的加工方法。
發明背景 在以行動電話及個人電腦為代表的電子機器中，具備有電子電路等的元件之元件晶片已成為必要的構成要件。元件晶片是藉由例如以分割預定線(切割道)將晶圓的正面側區劃成複數個區域，並在各區域中形成元件後，沿著此分割預定線將晶圓分割而獲得，其中前述晶圓是以矽等之半導體材料所構成。
在分割以晶圓為代表之板狀的工件時，可使用例如稱為雷射燒蝕的加工方法(參照例如專利文獻1)。在此雷射燒蝕中，由於是藉由雷射光束將工件的一部分熔融，並且使其升華，因此會較容易產生稱為碎屑等的加工屑。
若在雷射燒蝕中所產生的碎屑接觸並固著於工件，會變得無法容易地將此碎屑從工件去除。於是，可設成事先以水溶性的保護膜來覆蓋工件的正面側，以免碎屑對工件接觸(參照例如專利文獻2)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2003-320466號公報 專利文獻2：日本專利特開2006-14031號公報
發明概要 發明欲解決之課題 然而，若以雷射燒蝕等來加工工件，會在工件的被加工區域產生加工應變(熱應變)，使得元件晶片的抗折強度降低。於是，已在檢討中的作法是：使用以藥液(蝕刻液)來處理被加工區域之稱為蝕刻(濕式蝕刻)的方法，來從工件去除加工應變。
在此蝕刻中，為了讓藥液選擇性地對工件的被加工區域產生作用而考慮的作法是例如將上述之水溶性的保護膜使用作為遮罩。但是，由於水溶性的保護膜幾乎沒有對藥液的耐受性，因此若使用此水溶性的保護膜來處理工件，會在中途失去保護膜，導致藥液也作用在工件之應保護的區域。
也可考慮下述作法：將非水溶性的保護膜設置於工件的正面，來使用作為蝕刻時的遮罩。在此情況下，會形成為下述情形：使藥液作用於工件後，要使用有機溶劑來從工件的正面去除非水溶性的保護膜。但是，在此方法中，會讓保護膜等的殘渣易於殘留在工件的正面。
本發明是有鑒於所述的問題點而完成的發明，其目的在於提供一種可以解決起因於保護膜的問題並適當地加工工件之新的工件的加工方法。 用以解決課題之手段
根據本發明的一態樣，可提供一種工件的加工方法，前述工件的加工方法包含以下步驟： 保護膜形成步驟，在工件的正面形成以非水溶性的樹脂所構成的保護膜； 加工步驟，加工形成有該保護膜的工件； 劣化步驟，將有機溶劑供給至已加工的工件而使該保護膜劣化；及 去除步驟，將洗淨水供給至已劣化的該保護膜而從工件的該正面去除該保護膜。
較佳的是，在本發明的一態樣中，在使該保護膜劣化時，是一邊使工件旋轉一邊將該有機溶劑供給至工件的中央部而以該有機溶劑來覆蓋工件的整體，在從工件的該正面去除該保護膜時，是將該洗淨水供給至工件的該正面側來去除該保護膜。又，該有機溶劑可包含異丙醇。
又，在加工形成有該保護膜的工件時，亦可將可被工件吸收之波長的雷射光束朝工件的該正面側照射，來形成將工件部分地去除之加工痕跡。又，在加工形成有該保護膜的工件時，亦可一邊以工作夾台隔著該保護膜來保持工件的該正面側，一邊磨削工件的背面來將工件變薄。又，在加工形成有該保護膜的工件時，亦可藉由以該保護膜為遮罩之蝕刻來去除工件的一部分。 發明效果
在本發明的一態樣之工件的加工方法中，由於是在工件的正面形成以非水溶性的樹脂所構成的保護膜，因此在加工此工件時，可藉由保護膜來適當地保護工件的正面側。亦即，不會有如使用水溶性的保護膜之情況一般，在加工的中途失去保護膜而損傷工件之應保護的區域之情形。
此外，在本發明的一態樣之工件的加工方法中，由於是將已變得不需要的保護膜藉由有機溶劑來使其劣化之後，再藉由洗淨水來去除，因此也不會有如以往地於工件的正面殘留有保護膜等的殘渣之情形。如此，根據本發明的一態樣之工件的加工方法，可以解決起因於保護膜的問題並適當地加工工件。
用以實施發明之形態 參照附圖，說明本發明的實施形態。圖1是示意地顯示以本實施形態之工件的加工方法來加工的工件(被加工物)11等的立體圖。如圖1所示，本實施形態的工件11是以例如砷化鎵(GaAs)所構成之圓盤狀的晶圓，並且具備有互相大致平行的正面11a及背面11b。
工件11的正面11a是藉由互相交叉的複數條分割預定線(切割道)13而區劃成複數個區域。藉由此分割預定線13而區劃出的區域的每一個中，形成有例如雷射二極體(LD：Laser Diode)等之元件15。
再者，對工件11的材質、形狀、構造、大小等並無限制。也可以將例如以矽(Si)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等之半導體、藍寶石(Al2 O3 )、鈉玻璃、硼矽酸鹽玻璃、石英玻璃等之介電體(絕緣體)、鉭酸鋰(LiTaO3 )、鈮酸鋰(LiNbO3 )等的鐵電體所構成之圓盤狀的晶圓或平面視角下矩形的基板作為工件11來使用。
同樣地，對元件15的種類、數量、形狀、構造、大小、配置等亦無限制。例如，作為元件15，亦可形成IC(積體電路，Integrated Circuit)、MEMS(微機電系統，Micro Electro Mechanical Systems)、LED(發光二極體，Light Emitting Diode)、光二極體(Photodiode)、SAW(表面聲波，Surface Acoustic Wave)濾波器、BAW(體聲波，Bulk Acoustic Wave)濾波器等。又，在工件11中亦可未形成有元件15。
在本實施形態之工件的加工方法中，首先是在此工件11的背面11b貼附比工件11更大型的切割膠帶21(切割膠帶貼附步驟)。切割膠帶21作為代表性的是以薄膜狀的基材、以及設置於基材的其中一面之糊層來構成。
切割膠帶21的基材是以例如聚烯烴、氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等之材料所構成，切割膠帶21的糊層是以例如丙烯酸系或橡膠系的材料所構成。若使此切割膠帶21的糊層側密合於工件11的背面11b，即可將切割膠帶21貼附於工件11。
在切割膠帶21的糊層側的外周部分，固定有例如以不鏽鋼(SUS)或鋁等之金屬材料所構成之環狀的框架23。藉此，可將工件11透過切割膠帶21而支撐於環狀的框架23上。再者，如後所述，也可以不使用切割膠帶21或框架23來加工工件11。
將切割膠帶21貼附於工件11後，是在工件11的正面11a形成以非水溶性的樹脂所構成的保護膜(保護膜形成步驟)。圖2是顯示在工件形成保護膜之情形的局部截面側視圖。在保護膜的形成中，可使用例如圖2所示的旋轉塗布機12。
旋轉塗布機12包含有容置工件11等之圓筒狀的容置部14。此容置部14的內側的空間14a成為對工件11形成保護膜時的處理室。在空間14a的中央附近配置有旋轉工作台16。
旋轉工作台16的上表面的一部分是保持工件11(切割膠帶21)的保持面16a。在保持面16a中，是透過形成於旋轉工作台16的內部之流路(未圖示)或閥(未圖示)等而連接有噴射器(ejector)等之吸引源(未圖示)。因此，若將閥打開，吸引源的負壓即作用於保持面16a。
在旋轉工作台16的周圍，設置有將上述之環狀的框架23固定的複數個夾具18。又，在旋轉工作台16的下部，透過主軸20而連結有馬達等之旋轉驅動源22。旋轉工作台16是藉由此旋轉驅動源22所產生之力來旋轉。
再者，各夾具18是構成為可以利用例如旋轉工作台16的旋轉所產生的離心力來固定框架23。因此，即便使旋轉工作台16高速地旋轉，也不會有導致工件11或框架23等從旋轉工作台16脫離之情形。
在旋轉工作台16的上方配置有第1噴嘴24，前述第1噴嘴24是從前端部滴下可使用於保護膜的形成之液狀的原料31。在第1噴嘴24的基端側連結有馬達等之旋轉驅動源26，滴下液狀的原料31之第1噴嘴24的前端部是藉由此旋轉驅動源26所產生之力而移動至旋轉工作台16的上方之區域。
在本實施形態中，由於是藉由旋轉驅動源26之力，使第1噴嘴24繞著沿鉛直方向的旋轉軸來旋轉，因此位於遠離此旋轉軸的位置之第1噴嘴24的前端部的移動路徑會成為圓弧狀。要滴下液狀的原料31時，是使第1噴嘴24的前端部從相當於空間14a的端部之第1噴嘴退避區域移動至相當於旋轉工作台16的正上方之滴下區域。
又，在旋轉工作台16的上方配置有從前端部供給洗淨用的流體之第2噴嘴28。在第2噴嘴28的基端側連結有馬達等之旋轉驅動源30，供給洗淨用的流體之第2噴嘴28的前端部是藉由此旋轉驅動源30所產生之力而移動至旋轉工作台16的上方之區域。
在本實施形態中，由於是藉由旋轉驅動源30之力，使第2噴嘴28繞著沿鉛直方向的旋轉軸來旋轉，因此位於遠離此旋轉軸的位置之第2噴嘴28的前端部的移動路徑會成為圓弧狀。在供給洗淨用的流體時，是使第2噴嘴28的前端部從相當於空間14a的端部之第2噴嘴退避區域移動至相當於旋轉工作台16的正上方之洗淨區域。
在形成保護膜時，首先是將工件11等載置於旋轉工作台16，以使貼附於工件11的切割膠帶21的基材側接觸於旋轉工作台16的保持面16a。並且，使吸引源的負壓作用於保持面16a。其結果，切割膠帶21會受保持面16a所吸引，而可隔著此切割膠帶21將工件11保持在旋轉工作台16。亦即，會使工件11的正面11a側露出於上方。
之後，使第1噴嘴24的前端部移動到相當於旋轉工作台16的正上方之滴下區域，並且從此前端部朝向已保持在旋轉工作台16的工件11的正面11a側滴下液狀的原料31。更具體而言，是將第1噴嘴24的前端部定位於工件11的中央部的上方，而滴下液狀的原料31。
並且，使旋轉工作台16旋轉。旋轉工作台16的旋轉數為例如2000rpm，使旋轉工作台16旋轉的時間為例如30秒。但是，有關於旋轉工作台16的旋轉等之條件並無特別的限制。藉由此旋轉工作台16的旋轉，液狀的原料31會散布到工件11的正面11a之整體。亦即，可將液狀的原料31塗布於正面11a之整體。
在本實施形態中，作為液狀的原料31，而使用以非水溶性的樹脂所構成之適合於保護膜的形成的PVB(聚乙烯醇縮丁醛)。再者，亦可將以聚甲基丙烯酸甲酯樹脂為代表的丙烯酸系樹脂、包含醋酸纖維素的纖維素系樹脂、環氧系樹脂等作為液狀的原料31來使用。
將液狀的原料31散布於工件11的正面11a之整體後，是例如讓此液狀的原料31在室溫下乾燥。使液狀的原料31乾燥的時間(將工件11放置在室溫下的時間)為例如24小時。藉此，可將以非水溶性的樹脂所構成的保護膜33(參照圖3)形成於工件11的正面11a。但是，在讓已塗布於工件11的正面11a之液狀的原料31乾燥時的條件上並無特別的限制。
例如，也可以在已將液狀的原料31的供給停止之狀態下，藉由讓旋轉工作台16持續旋轉，而使已塗布於工件11的正面11a之液狀的原料31乾燥。又，亦可利用加熱板、烘箱(乾燥爐)、加熱器、燈具等來加熱液狀的原料31，而以較短的時間來乾燥。例如，可以藉由將工件11投入已設定為80℃的烘箱，而以較短的時間來使液狀的原料31乾燥。在此情況下，加熱的時間為例如3分鐘左右即可。
已在工件11的正面11a形成非水溶性的保護膜33後，是將可被工件11吸收之波長的雷射光束朝工件11的正面11a側照射來加工工件11(加工步驟、雷射燒蝕步驟)。圖3是顯示藉由雷射光束加工工件11之情形的局部截面側視圖。藉由雷射光束來加工工件11時，可使用例如圖3所示的雷射加工裝置42。
雷射加工裝置42具備有使用於工件11之保持的工作夾台44。工作夾台44包含例如以不鏽鋼為代表之金屬材料所形成的圓筒狀的框體46、及以多孔質材料所構成且配置於框體46的上部之保持板48。
保持板48的上表面是形成為保持工件11(切割膠帶21)的保持面48a。保持板48的下表面側是透過設置於框體46的內部之流路46a或閥(未圖示)等而連接於吸引源(未圖示)。因此，若將閥打開，吸引源的負壓即作用於保持面48a。
在框體46的周圍，設置有使用於框架23的固定之複數個夾具50。框體46(工作夾台44)是連結於馬達等之旋轉驅動源(未圖示)，並且繞著相對於上述之保持面48a大致垂直的旋轉軸而旋轉。又，框體46(工作夾台44)是被移動機構(未圖示)所支撐，且在相對於上述之保持面48a大致平行的方向上移動。
在工作夾台44的上方配置有雷射照射單元52。雷射照射單元52是將以雷射振盪器(未圖示)所脈衝振盪產生的雷射光束35照射並聚光於預定的位置。在本實施形態中所使用的雷射振盪器是構成為可以生成可被工件11吸收之波長(容易被吸收之波長)的雷射光束35，而適合於工件11的雷射燒蝕。
如上所述，由於工件11是藉由砷化鎵所構成，因此在本實施形態中，是使用可以生成355nm~532nm之波長的雷射光束35之雷射振盪器。作為像這樣的雷射振盪器，可列舉例如利用Nd：YAG或Nd：YVO4等之結晶的雷射振盪器。
在加工工件11時，首先是在使貼附於工件11的切割膠帶21的基材側接觸於工作夾台44的保持面48a後，使吸引源的負壓作用於保持面48a。其結果，切割膠帶21會受保持面48a所吸引，而可將工件11以正面11a側的保護膜33露出於上方的狀態保持於工作夾台44。再者，框架23是藉由夾具50來固定。
接著，調整工作夾台44的位置等，而將雷射照射單元52的位置對準於例如任意的分割預定線13的延長線之上方。然後，如圖3所示，一邊從雷射照射單元52朝向工件11的正面11a側照射雷射光束35，一邊使工作夾台44在相對於對象之分割預定線13平行的方向上移動。亦即，沿著對象之分割預定線13來將雷射光束35照射於工件11。
雷射光束35是以例如聚光於工件11的正面11a或內部之條件來照射。如此，藉由將可被工件11吸收之波長的雷射光束35沿著分割預定線13來照射於工件11，可以沿著分割預定線13將工件11及保護膜33部分地去除而形成加工痕跡17。亦即，可以沿著分割預定線13在工件11形成由雷射燒蝕所造成的加工痕跡17。
在本實施形態中，是以可以形成沿著分割預定線13將工件11斷開的加工痕跡17的條件來照射雷射光束35。具體而言，是將雷射光束35對於對象之分割預定線13(第1分割預定線)的照射，重複好幾次直到沿著此分割預定線13(第1分割預定線)將工件11斷開為止。
亦即，沿著對象之分割預定線13(第1分割預定線)從其一端到另一端照射了雷射光束35後，使雷射光束35聚光於厚度方向上不同的其他位置，並將雷射光束35再次照射於相同的分割預定線13(第1分割預定線)即可。藉此，變得可以沿著對象之分割預定線13(第1分割預定線)將工件11確實地斷開。
但是，雷射光束35的輸出、光斑直徑、重複頻率、照射次數等之條件，可在可以適當地將工件11斷開的範圍內任意地設定。例如，若藉由一次的雷射光束35的照射即可將工件11斷開，即不需要沿著對象之分割預定線13(第1分割預定線)重複雷射光束35的照射好幾次。
已沿著對象之分割預定線13(第1分割預定線)加工工件11後，再次調整工作夾台44的位置等，將雷射照射單元52的位置對準於其他的分割預定線13(第2分割預定線)的延長線之上方。然後，一邊從雷射照射單元52朝向工件11的正面11a側照射雷射光束35，一邊使工作夾台44在相對於此其他的分割預定線13(第2分割預定線)平行的方向上移動。
亦即，沿著其他的分割預定線13(第2分割預定線)來對工件11照射雷射光束35。其結果，可沿著此其他的分割預定線13(第2分割預定線)而在工件11形成加工痕跡17。再者，雷射光束35對於此其他的分割預定線13(第2分割預定線)的照射，是以和雷射光束35對於先前設為對象之分割預定線13(第1分割預定線)的照射同等的條件來進行。
上述的順序是重複直到沿著全部的分割預定線13加工(斷開)工件11為止。其結果，工件11會被分割成分別包含元件15的複數個元件晶片。同樣地，保護膜33也會和工件11一起被分割成對應於各元件晶片之較小的保護膜。再者，在本實施形態中，雖然是形成將工件11斷開的態樣之加工痕跡17，但是此加工痕跡17亦可為未將工件11斷開的溝等。
照射雷射光束35而加工工件11後，是將保護膜33使用作為遮罩而藉由濕式蝕刻來將工件11的一部分去除(加工步驟、濕式蝕刻步驟)。圖4是顯示藉由濕式蝕刻將工件11的一部分去除之情形的局部截面側視圖。
藉由濕式蝕刻將工件11的一部分去除時，如圖4所示，是將工件11浸入已注入於蝕刻槽62的蝕刻液37中。再者，在本實施形態中，切割膠帶21及框架23也會和工件11一起浸入蝕刻液37中。
作為蝕刻液37，可以使用例如使氫氧化銨(NH4 OH)與過氧化氫(H2 O2 )溶解於水(H2 O)之鹼性的水溶液。在此情況下，宜例如對蝕刻液37來將工件11浸入2分鐘左右。但是，蝕刻液37的種類、處理的時間等之條件，可因應於工件11的種類、厚度等之條件來任意地設定。
例如，作為蝕刻液37，也可以使用讓氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鈉(NaOH)、四甲基氫氧化銨(TMAH)等溶解於水之鹼性的水溶液。又，作為蝕刻液37，亦可使用讓氯化氫(HCl)溶解於水之酸性的水溶液(鹽酸)、或磷酸(H3 PO4 )與硫酸(H2 SO4 )的混酸等。
如上所述，工件11的正面11a側是除了對應於加工痕跡17的區域以外，以非水溶性的樹脂所構成的保護膜33來覆蓋。因此，當將工件11浸入蝕刻液37後，蝕刻液只會作用在未被此保護膜33所覆蓋的區域。
亦即，在此濕式蝕刻中，會成為下述情形：從工件11去除未被保護膜33所覆蓋之一部分的區域。藉此，例如，可將在加工痕跡17的附近所產生之加工應變(熱應變)等從工件11去除，而提高元件晶片的抗折強度。
又，在本實施形態中，如上所述，由於是將以非水溶性的樹脂所構成的保護膜33使用作為濕式蝕刻時的遮罩，因此不會有下述情形：如將以水溶性的樹脂所構成的保護膜使用作為遮罩的情況一般，因蝕刻液而導致遮罩溶解並失去。據此，可以確實地保護工件11之應保護的區域(例如，元件15)。
藉由濕式蝕刻將工件11的一部分去除後，是沖洗附著於工件11等的蝕刻液37(沖洗步驟)。圖5是顯示將在濕式蝕刻中所使用的蝕刻液37沖洗掉之情形的局部截面側視圖。在沖洗蝕刻液37時可例如使用上述之旋轉塗布機12。
具體而言，首先是將工件11等載置於旋轉工作台16，以使貼附於工件11的切割膠帶21的基材側接觸於旋轉工作台16的保持面16a。並且，使吸引源的負壓作用於保持面16a。其結果，切割膠帶21會受保持面16a所吸引，而可隔著此切割膠帶21將工件11保持在旋轉工作台16。亦即，會使工件11的正面11a側的保護膜33露出於上方。
之後，使第2噴嘴28的前端部移動到相當於旋轉工作台16的正上方之洗淨區域，並且從此前端部朝向已保持在旋轉工作台16的工件11(保護膜33)供給洗淨用的流體39。並且，使旋轉工作台16以例如800rpm的旋轉數來旋轉。
作為洗淨用的流體39可使用水(代表性的是純水)等。可以藉由例如進行此處理約5分鐘，而將附著於工件11等的蝕刻液37完全地沖洗掉。但是，對旋轉工作台16的旋轉數、處理的時間、洗淨用的流體39的種類等之條件並無特別的限制。又，也可以不使用旋轉塗布機12，而是藉由例如流水等來沖洗蝕刻液37。
將蝕刻液37沖洗掉之後，是將有機溶劑供給至工件11而使保護膜33劣化(劣化步驟)。圖6是顯示使保護膜33劣化之情形的局部截面側視圖，圖7是將圖6的一部分放大的局部截面側視圖。在使保護膜33劣化時，可使用例如圖6所示的保護膜去除裝置72。再者，此保護膜去除裝置72的大多數的構成要件，是和旋轉塗布機12的構成要件共通。據此，對於共通的構成要件是附上相同的符號並且省略其詳細的說明。
如圖6所示，在構成保護膜去除裝置72的旋轉工作台16的上方配置有從前端部供給使保護膜33劣化的有機溶劑41之第1噴嘴74。在第1噴嘴74的基端側連結有馬達等之旋轉驅動源26，供給有機溶劑41之第1噴嘴74的前端部是藉由此旋轉驅動源26所產生之力而移動至旋轉工作台16的上方之區域。
在本實施形態中，由於是藉由旋轉驅動源26之力，使第1噴嘴74繞著沿鉛直方向的旋轉軸來旋轉，因此位於遠離此旋轉軸的位置之第1噴嘴74的前端部的移動路徑會成為圓弧狀。在供給有機溶劑41時，是使第1噴嘴74的前端部從相當於空間14a的端部之第1噴嘴退避區域移動至相當於旋轉工作台16的正上方之有機溶劑供給區域。
又，在旋轉工作台16的上方配置有從前端部供給洗淨水之第2噴嘴76。在第2噴嘴76的基端側連結有馬達等之旋轉驅動源30，供給洗淨水的第2噴嘴76的前端部是藉由此旋轉驅動源30所產生之力而移動至旋轉工作台16的上方之區域。
在本實施形態中，由於是藉由旋轉驅動源30之力，使第2噴嘴76繞著沿鉛直方向的旋轉軸來旋轉，因此位於遠離此旋轉軸的位置之第2噴嘴76的前端部的移動路徑會成為圓弧狀。在供給洗淨水時，是使第2噴嘴76的前端部從相當於空間14a的端部之第2噴嘴退避區域移動至相當於旋轉工作台16的正上方之洗淨水供給區域。
在使保護膜33劣化時，首先是將工件11等載置於旋轉工作台16，以使貼附於工件11的切割膠帶21的基材側接觸於旋轉工作台16的保持面16a。並且，使吸引源的負壓作用於保持面16a。其結果，切割膠帶21會受保持面16a所吸引，而可將工件11隔著此切割膠帶21保持在旋轉工作台16。亦即，會使工件11的正面11a側的保護膜33露出於上方。
之後，使第1噴嘴74的前端部移動到相當於旋轉工作台16的正上方之有機溶劑供給區域，並且從此前端部朝向已保持在旋轉工作台16的工件11的正面11a側(保護膜33)供給有機溶劑41。更具體而言，是將第1噴嘴74的前端部定位於工件11的中央部的上方而供給有機溶劑41。並且，使旋轉工作台16旋轉。
在本實施形態中，作為此有機溶劑41，使用的是IPA(異丙醇)。藉此，可以在不損傷設置於工件11的元件15等的情形下使保護膜33劣化。再者，在藉由有機溶劑41所產生的保護膜33的劣化中，包含保護膜33的膨脹、裂開(裂隙的生成)、部分的溶解、剝離等。
旋轉工作台16的旋轉數為例如100rpm~300rpm，有機溶劑41的供給量為例如10ml/min~100ml/min。當在像這樣的條件下供給有機溶劑41後，如圖7所示，工件11的正面11a側(保護膜33)即被有機溶劑41所覆蓋。
亦即，在對工件11的中央部持續供給新的有機溶劑41，而使有機溶劑41從此工件11的中央部朝向外周部流動的情況下，工件11的正面11a側會被有機溶劑41所覆蓋。如此，可以藉由以有機溶劑41覆蓋工件11的正面11a側之整體，而防止工件11之局部性的乾燥，並且防止起因於保護膜33或有機溶劑41等的殘渣殘留於工件11之情形。
為了保持以有機溶劑41覆蓋工件11的正面11a側之狀態，重要的是不過度提升旋轉工作台16的旋轉數，並且持續供給因應於工件11的大小(直徑)之充分的量的有機溶劑41。但是，旋轉工作台16的旋轉數或有機溶劑41的供給量等之條件，不一定要在上述之範圍中。
又，對於有機溶劑的種類等也沒有較大的限制。例如，亦可將不會損傷元件15等而可以讓保護膜33劣化的甲醇、乙醇、甲苯、丙酮、PGME(丙二醇單甲基醚)等使用作為有機溶劑41。又，也可以將以Solmix(註冊商標)為代表的混合溶劑使用作為有機溶劑41。
已使保護膜33劣化後，是將洗淨水供給至此保護膜33，而從工件11的正面11a去除保護膜33(去除步驟)。圖8是顯示從工件11去除保護膜33之情形的局部截面側視圖，圖9是將圖8的一部分放大的局部截面側視圖。在去除保護膜33時是接著使用保護膜去除裝置72。
具體而言，首先是使第2噴嘴76的前端部移動到相當於旋轉工作台16的正上方之洗淨水供給區域，並且從此前端部朝向已保持在旋轉工作台16的工件11(保護膜33)供給洗淨水43。並且，使旋轉工作台16以800rpm的旋轉數來旋轉。再者，在本實施形態中，作為洗淨水43，使用的是水(代表性的是純水)，並將其與空氣混合而以0.4MPa、200ml/min~400ml/min左右的條件來噴附於工件11(保護膜33)。
如上述，保護膜33已藉由有機溶劑41而劣化。因此，當以預定的條件將洗淨水43噴附於工件11(保護膜33)後，藉由此洗淨水43的衝擊等即可將保護膜33從工件11去除。再者，亦可作為洗淨水43而使用水，並在不將其與空氣混合的情形下以10MPa左右之較高的壓力來噴附於工件11(保護膜33)。
又，在本實施形態中，是一邊使第2噴嘴76在工件11的直徑方向上移動一邊供給洗淨水43。藉此，由於可以將洗淨水43噴附於工件11的正面11a側之整體，因此和不移動第2噴嘴76來供給洗淨水43的情況相較之下，可以更確實地去除保護膜33。
在此情況下，若將洗淨水43噴附到在工件11與框架23之間露出的切割膠帶21，會有下述可能性：因有機溶劑41而劣化的切割膠帶21的糊層從基材剝離並附著於工件11。因此，所期望的是使第2噴嘴76移動成不對切割膠帶21直接噴附洗淨水43。
又，所期望的是，此洗淨水43的供給是在工件11的正面11a側被有機溶劑41覆蓋的狀態下開始。例如，將有機溶劑41對工件11的供給停止後，在工件11上的有機溶劑41乾燥前開始洗淨水43的供給。又，在停止有機溶劑41的供給後不停止旋轉工作台16的旋轉的情形下開始洗淨水43的供給。藉此，即可以防止工件11的乾燥，並且防止保護膜33等的殘渣殘留於工件11之情形。
當然，亦可在完全地停止有機溶劑41的供給之前，即開始洗淨水43的供給。亦即，亦可並行來進行由有機溶劑41的供給所進行之保護膜33的劣化處理(劣化步驟)、以及由洗淨水43的供給所進行之保護膜33的去除處理(去除步驟)。在此情況下，可以更確實地防止工件11的乾燥。又，洗淨水43對工件11的供給也可以利用旋轉洗淨以外的方法來進行，其中前述旋轉洗淨是使用所謂的保護膜去除裝置72(旋轉工作台16)之方法。
如以上，在本實施形態之工件的加工方法中，由於是在工件11的正面11a形成以非水溶性的樹脂所構成的保護膜33，因此在加工此工件11時，可藉由保護膜33來適當地保護工件11的正面11a側。亦即，不會有如使用水溶性的保護膜之情況一般，在加工的中途失去保護膜而損傷工件11之應保護的區域之情形。
又，在本實施形態之工件的加工方法中，由於是將工件11於以雷射光束35加工後，藉由蝕刻液37來處理，因此可從工件11去除由雷射光束35所進行之加工時產生的加工應變(熱應變)等，而可提高其品質。又，由於由雷射光束35所進行之加工時所使用的保護膜33，也可在由蝕刻液37所進行之處理中使用，因此也不需要在由雷射光束35所進行之加工與由蝕刻液37所進行之處理中準備其他的保護膜。
此外，在本實施形態之工件的加工方法中，由於是將已變得不需要的保護膜33於藉由有機溶劑41來使其劣化之後，再藉由洗淨水43來去除，因此也不會有如以往地於工件11的正面殘留有保護膜等的殘渣之情形。如此，根據本實施形態之工件的加工方法，可以解決起因於保護膜33的問題並適當地加工工件11。
再者，本發明並不限定於上述之實施形態的記載，而可作各種變更來實施。例如，在上述之實施形態中，雖然是以不同的裝置來進行保護膜33的形成(保護膜形成步驟)與蝕刻液37的去除(沖洗步驟)、及保護膜33的劣化(劣化步驟)與保護膜33的去除(去除步驟)，但是亦可在1台裝置上進行這些全部的處理。例如，可以藉由將在有機溶劑41的供給上所使用的噴嘴追加到旋轉塗布機12，而以1台旋轉塗布機12來進行這些全部的處理。
又，例如，在上述之實施形態之工件的加工方法中，雖然是因為在雷射燒蝕及濕式蝕刻時保護工件11的正面11a側之目的而使用以非水溶性的樹脂所構成的保護膜33，但是也可以因為其他目的來使用保護膜33。
在以下，針對第1變形例及第2變形例進行說明，前述第1變形例是因為在磨削及濕式蝕刻時保護工件11的正面11a側之目的而使用以非水溶性的樹脂所構成的保護膜33之例子，前述第2變形例是因為在電漿蝕刻(乾式蝕刻)時保護工件11的正面11a側之目的而使用以非水溶性的樹脂所構成的保護膜33之例子。
在第1變形例之工件的加工方法中，首先是以和上述之實施形態同樣的順序，在工件11的正面11a形成以非水溶性的樹脂所構成的保護膜33(保護膜形成步驟)。再者，在此是使用由矽所構成的晶圓來作為工件11。但是，對工件11的材質、形狀、構造、大小等並無限制。
又，在此變形例中，在工件11的背面11b並未貼附切割膠帶21。據此，以旋轉塗布機12的旋轉工作台16來保持工件11時，會成為使工件11的背面11b對保持面16a直接接觸。
當工件11的正面11a側的凹凸較大的情況下，宜將液狀的原料31之塗布與乾燥重複好幾次來形成保護膜33。藉此，可以在工件11形成完全覆蓋正面11a側的凹凸之保護膜33。此方法在例如對正面11a側設置有作為端子(電極)而發揮功能的凸塊之工件11進行磨削時，是極為有效的。
已在工件11的正面11a形成非水溶性的保護膜33後，是將此保護膜33之露出的正面(和工件11為相反的相反側之面)平坦化(平坦化步驟)。圖10是顯示將形成於工件11的保護膜33平坦化之情形的局部截面側視圖。在將保護膜33平坦化時，可使用例如圖10所示的刀具切割裝置82。
刀具切割裝置82具備有使用於工件11之保持的工作夾台84。工作夾台84是被下方的移動機構(未圖示)所支撐，並且藉由此移動機構而在水平方向上移動。工作夾台84的上表面的一部分是成為保持工件11的保持面84a。保持面84a是透過設置於工作夾台84的內部之流路(未圖示)或閥(未圖示)等而連接於吸引源(未圖示)。因此，若將閥打開，吸引源的負壓即作用於保持面84a。
在工作夾台84的上方配置有刀具切割單元86。刀具切割單元86具備有主軸88。此主軸88是受升降機構(未圖示)支撐成使軸心相對於鉛直方向而成為平行。在主軸88的下端部固定有和工件11的直徑為同等以上之直徑的圓盤狀的工具安裝座90。
在工具安裝座90的下表面裝設有刀具工具92。刀具工具92包含以鋁、不鏽鋼等之金屬材料所形成之圓盤狀的基台92a。在基台92a的下表面固定有以單晶鑽石等所構成的切割刃(刀具)92b。在主軸88的上端側連結有馬達等之旋轉驅動源(未圖示)，且刀具工具92是藉由旋轉驅動源所產生之力而旋轉。又，刀具工具92是藉由支撐主軸88的升降機構而定位在任意的高度。
在將保護膜33的正面平坦化時，首先是將工件11在工作夾台84載置成使工件11的背面11b接觸於工作夾台84的保持面84a。並且，使吸引源的負壓作用於保持面84a。其結果，工件11的背面11b受保持面84a所吸引，而將工件11保持於工作夾台84。亦即，會使工件11的正面11a側的保護膜33露出於上方。
接著，藉由升降機構來調整刀具工具92的高度，以使切割刃92b之下端的高度變得比保護膜33的正面(亦即上表面)的高度更低。並且，如圖10所示，一邊使主軸88(刀具工具92)旋轉一邊使工作夾台84在水平方向上移動。
藉此，可以使切割刃92b沿著圓弧狀的軌跡切入保護膜33的正面側，而將保護膜33的正面側之整體平坦化。再者，在此第1變形例中，雖然是藉由切割保護膜33來進行平坦化，但是亦可藉由磨削或研磨保護膜33來進行平坦化。
在已將保護膜33平坦化後，是磨削工件11的背面11b(加工步驟、磨削步驟)。圖11是顯示磨削工件11之情形的局部截面側視圖。在磨削工件11時，可使用例如圖11所示的磨削裝置102。
磨削裝置102具備有使用於工件11之保持的工作夾台104。工作夾台104是連結於馬達等之旋轉驅動源(未圖示)，並藉由此旋轉驅動源所產生之力，而繞著與鉛直方向大致平行的旋轉軸來旋轉。又，工作夾台104是被下方的移動機構(未圖示)所支撐，並且藉由此移動機構而在水平方向上移動。
工作夾台104的上表面的一部分是成為保持工件11(保護膜33)的保持面104a。保持面104a是透過設置於工作夾台104的內部之流路(未圖示)或閥(未圖示)等而連接於吸引源(未圖示)。因此，若將閥打開，吸引源的負壓即作用於保持面104a。
在工作夾台104的上方配置有磨削單元106。磨削單元106具備有主軸108。此主軸108是受升降機構(未圖示)支撐成使軸心相對於鉛直方向而成為平行。在主軸108的下端部固定有圓盤狀的安裝座110。
於安裝座110的下表面裝設有與安裝座110大致相同直徑之圓盤狀的磨削輪112。磨削輪112具備有以不鏽鋼、鋁等金屬材料所形成的輪基台114。在輪基台114的下表面環狀地配置排列有複數個磨削磨石116。
在主軸108的上端側(基端側)連結有馬達等之旋轉驅動源(未圖示)，且磨削輪112是藉由此旋轉驅動源所產生之力而旋轉。在相鄰於磨削單元106的位置、或磨削單元106的內部，設置有用於對工件11等供給磨削用的液體(磨削液)的噴嘴(未圖示)。
在磨削工件11的背面11b時，首先是在讓已形成於工件11的保護膜33的正面接觸於工作夾台104的保持面104a後，使吸引源的負壓作用於此保持面104a。其結果，保護膜33會受保持面104a所吸引，而可將工件11以背面11b側露出於上方的狀態保持於工作夾台104。
接著，使保持有工件11的工作夾台104移動至磨削單元106的下方。並且，如圖11所示，使工作夾台104與主軸108(磨削輪112)各自旋轉，並一邊將磨削用的液體(代表性的是純水)供給至工件11的背面11b側，一邊使主軸108(磨削輪112)下降。
主軸108的下降速度(下降量)是調整成使磨削磨石116的下表面以適當之力壓抵於工件11的背面11b側。藉此，可以磨削工件11的背面11b側，而使此工件11變薄。在此，是將工件11磨削到成為預定的成品厚度為止。
如上所述，在此變形例中，是藉由以非水溶性的樹脂所構成的保護膜33來保護工件11的正面11a側。因此，不會有保護膜33溶解於供給到工件11之磨削用的液體之情形。藉此，可以一邊以保護膜33來適當地保護正面11a側，一邊磨削工件11的背面11b側。
在磨削工件11的背面11b後，是例如將可穿透工件11之波長的雷射光束照射於工件11來將工件11的一部分改質(加工步驟、改質步驟)。圖12是顯示藉由雷射光束將工件11的一部分改質之情形的局部截面側視圖。
將工件11的一部分改質時，可使用例如圖12所示的雷射加工裝置122。再者，此雷射加工裝置122的大多數的構成要件，是和雷射加工裝置42的構成要件共通。據此，對於共通的構成要件是附上相同的符號並且省略其詳細的說明。
在構成雷射加工裝置122的工作夾台44的上方配置有雷射照射單元124。雷射照射單元124是將以雷射振盪器(未圖示)所脈衝振盪產生的雷射光束45照射並聚光於預定的位置。在此變形例中所使用的雷射振盪器是構成為可以生成可穿透工件11之波長(難以被吸收之波長)的雷射光束45，而適合於利用多光子吸收等之工件11的改質。
在此變形例中，如上述，由於工件11是藉由矽所構成，因此是使用例如可以生成1064nm~1342nm之波長的雷射光束45之雷射振盪器。作為像這樣的雷射振盪器，可列舉例如利用Nd：YAG或Nd：YVO4等之結晶的雷射振盪器。
在將工件11的一部分改質時，首先是在讓已形成於工件11的保護膜33的正面接觸於工作夾台44的保持面48a後，使吸引源的負壓作用於此保持面48a。其結果，保護膜33會受保持面48a所吸引，而可將工件11以背面11b側露出於上方的狀態保持於工作夾台44。
接著，調整工作夾台44的位置等，而將雷射照射單元124的位置對準於例如任意的分割預定線13的延長線之上方。然後，如圖12所示，一邊從雷射照射單元124朝向工件11的背面11b側照射雷射光束45，一邊使工作夾台44在相對於對象之分割預定線13平行的方向上移動。亦即，沿著對象之分割預定線13來對工件11照射雷射光束45。
雷射光束45是以例如聚光於工件11的內部(從背面11b或正面11a起到第1深度的位置)之條件來照射。如此，藉由讓可穿透工件11之波長的雷射光束45聚光於工件11的內部，可以在聚光點及其附近將工件11的一部分改質，而形成強度相較於其他區域為較低之改質層19。此改質層19是成為分割工件11時的起點。
於沿著對象之分割預定線13形成改質層19之後，亦可用同樣的順序，沿著相同的分割預定線13在其他深度的位置(第2深度的位置)形成改質層19。但是，對沿著1條分割預定線13所形成的改質層19的數量或位置並無特別的限制。
又，所期望的是，雷射光束45是以改質層19的形成時讓從此改質層19伸長的裂隙到達正面11a(或背面11b)之條件來對工件11照射。當然，亦可藉讓裂隙到達正面11a及背面11b之雙方的條件來照射雷射光束45。藉此，變得可以更適當地分割工件11。
沿著對象之分割預定線13而形成有改質層19之後，是以同樣的順序而沿著其他分割預定線13來形成改質層19。此順序是重複進行到沿著全部的分割預定線13都形成需要的數量之改質層19為止。再者，在此第1變形例中，雖然是藉由從工件11的背面11b側照射雷射光束45而形成改質層19，但是對照射雷射光束45的態樣並無特別的限制。
例如，也可以從工件11的正面11a側越過保護膜33來照射雷射光束45，而在工件11的內部形成改質層19。又，也可以在將之後使用的擴展片貼附於工件11的背面11b側後，再越過此擴展片來照射雷射光束45，而在工件11的內部形成改質層19。
已將工件11的一部分改質後，是在此工件11的背面11b貼附比工件11更大型的擴展片25(擴展片貼附步驟)。擴展片25作為代表性的是以薄膜狀的基材、及設置於基材的其中一面之糊層所構成。
擴展片25的基材是以例如聚烯烴、氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等之材料所構成，擴展片25的糊層是以例如丙烯酸系或橡膠系的材料所構成。若使此擴展片25的糊層側密合於工件11的背面11b，即可將擴展片25貼附於工件11。在擴展片25的糊層側的外周部分，固定有例如以不鏽鋼(SUS)或鋁等之金屬材料所構成之環狀的框架27。
已將擴展片25貼附於工件11後，是將此擴展片25擴張而以改質層19為起點來分割工件11(擴張步驟)。圖13(A)及圖13(B)是顯示將擴展片25擴張之情形的局部截面側視圖。在將擴展片25擴張而分割工件11時，可使用例如圖13(A)及圖13(B)所示的擴張裝置132。
擴張裝置132具備有使用於工件11之支撐的支撐構造134、及圓筒狀的擴張圓筒136。支撐構造134包含支撐工作台138，前述支撐工作台138具有在平面視角下圓形的開口部。在此支撐工作台138的上表面載置有環狀的框架27。在支撐工作台138的外周部分，設置有用於固定框架27的複數個夾具140。支撐工作台138是藉由用於升降支撐構造134的升降機構142而受到支撐。
升降機構142具備有固定在下方的基台(未圖示)之汽缸罩殼144、及插入汽缸罩殼144的活塞桿146。在活塞桿146的上端部固定有支撐工作台138。升降機構142是藉由使活塞桿146朝上下移動來使支撐構造134升降。
於支撐工作台138的開口部配置有擴張圓筒136。擴張圓筒136的內徑(直徑)是形成為比工件11的直徑更大。另一方面，擴張圓筒136的外徑(直徑)是形成得比環狀的框架27的內徑(直徑)、或支撐工作台138的開口部的直徑更小。
在將擴展片25擴張時，首先是如圖13(A)所示，將擴張圓筒136的上端之高度對齊於支撐工作台138的上表面之高度，並且將框架27載置於支撐工作台138的上表面後，以夾具140來固定框架27。藉此，擴張圓筒136的上端是在工件11與框架27之間接觸於擴展片25。
接著，以升降機構142使支撐構造134下降，以如圖13(B)所示，使支撐工作台138的上表面移動到比擴張圓筒136的上端更下方。其結果，擴張圓筒136是相對於支撐工作台138而上升，且擴展片25會被擴張圓筒136上推而以放射狀的形式擴張。
當將擴展片25擴張後，會讓擴展片25擴張的方向之力(放射狀之力)作用於工件11。藉此，工件11會以改質層19為起點而分割成複數個元件晶片。又，保護膜33也會和工件11一起被分割成對應於各元件晶片之較小的保護膜。
再者，亦可在將擴展片25擴張之前，照射雷射光束來讓保護膜33容易地分割而進行加工，亦可用同樣的方法將保護膜33分割成較小的保護膜。又，也可以取代上述之方法(被稱為所謂的旋轉塗布之方法)，而使用網版印刷等之方法，來形成對應於各元件晶片之大小的複數個保護膜。
於已將擴展片25擴張而分割工件11後，是以和上述之實施形態同樣的順序，將保護膜33使用作為遮罩而藉由濕式蝕刻來將工件11的一部分去除(加工步驟、濕式蝕刻步驟)。並且，藉由濕式蝕刻將工件11的一部分去除後，是以和上述之實施形態同樣的順序，沖洗附著於工件11等的蝕刻液37(沖洗步驟)。
又，將蝕刻液37沖洗掉之後，是以和上述之實施形態同樣的順序，將有機溶劑供給至工件11而使保護膜33劣化(劣化步驟)。此外，已使保護膜33劣化之後，是以和上述之實施形態同樣的順序，將洗淨水供給至保護膜33，而從工件11的正面11a去除保護膜33(去除步驟)。
在此第1變形例之工件的加工方法中，由於也是在工件11的正面11a形成以非水溶性的樹脂所構成的保護膜33，因此在加工此工件11時，可藉由保護膜33來適當地保護工件11的正面11a側。亦即，不會有如使用水溶性的保護膜之情況一般，在加工的中途失去保護膜而損傷工件11之應保護的區域之情形。
又，在第1變形例之工件的加工方法中，由於是將工件11於以雷射光束45改質後，藉由蝕刻液37來處理，因此可從工件11去除由雷射光束45所進行之改質時產生的加工應變(熱應變)等，而可提高其品質。又，由於由雷射光束45所進行之改質時所使用的保護膜33，也可在由蝕刻液37所進行之處理中使用，因此也不需要在由雷射光束45所進行之改質與由蝕刻液37所進行之處理中準備其他的保護膜。
此外，在第1變形例之工件的加工方法中，由於是將已變得不需要的保護膜33於藉由有機溶劑41來使其劣化之後，再藉由洗淨水43來去除，因此也不會有如以往地於工件11的正面殘留有保護膜等的殘渣之情形。如此，在第1變形例之工件的加工方法中，也可以解決起因於保護膜33的問題並適當地加工工件11。
再者，在第1變形例之工件的加工方法中，雖然是將工件11的一部分改質而形成成為分割之起點的改質層19，但是亦可取代此改質層19，而在工件11形成如上述之實施形態的加工痕跡17。又，也可以使稱為切割刀片之圓環狀的磨石工具切入工件11，而在工件11形成成為分割之起點的溝、或將工件11切斷而分割成複數個元件晶片。
再者，在使用雷射光束或切割刀片來切斷工件11的情況下，可以省略對此工件11之擴展片25的貼附或擴展片25的擴張。又，亦可省略將保護膜33使用作為遮罩的濕式蝕刻。在此情況下，也可以在藉由有機溶劑41使保護膜33劣化，而從工件11去除保護膜33後，將擴展片25擴張來分割工件11。
另一方面，在第2變形例之工件的加工方法中，首先是以和上述之實施形態同樣的順序，在工件11的背面11b貼附比工件11更大型的切割膠帶21(切割膠帶貼附步驟)。將切割膠帶21貼附於工件11後，是以和上述之實施形態同樣的順序，在工件11的正面11a形成以非水溶性的樹脂所構成的保護膜33(保護膜形成步驟)。
但是，在此第2變形例中，必須以可以形成對之後進行的乾式蝕刻(電漿蝕刻)具有某種程度的耐受性之保護膜33的方式，來選擇液狀的原料31。已在工件11的正面11a形成非水溶性的保護膜33後，是例如沿著分割預定線13來分割保護膜33(保護膜分割步驟)。亦即，沿著分割預定線13來使工件11的正面11a側露出。
對分割保護膜33的方法並無特別的限制，可以如例如上述之實施形態所述，以將可被工件11吸收之波長的雷射光束35沿著分割預定線13照射於工件11的正面11a側之方法來分割保護膜33。在此情況下，可在工件11的正面11a側形成溝(加工痕跡)等。
已沿著分割預定線13分割保護膜33後，是藉由電漿蝕刻(乾式蝕刻)來將工件11的一部分去除(加工步驟、電漿蝕刻步驟)。圖14是顯示藉由電漿蝕刻將工件11的一部分去除之情形的局部截面側視圖。藉由電漿蝕刻將工件11的一部分去除時，可使用例如圖14所示的電漿蝕刻裝置152。
電漿蝕刻裝置152具備有於內部形成有處理用之空間的真空腔室154。在真空腔室154的側壁形成有將工件11等搬入時或搬出時所使用的開口154a。在開口154a的外部設置有覆蓋此開口154a的大小之閘門156。
於閘門156連結有開閉機構(未圖示)，藉由此開閉機構，閘門156會例如朝上下移動。例如，藉由使閘門156下降而使開口154a露出，可以通過開口154a將工件11等搬入真空腔室154的內部的空間、或將工件11等從真空腔室154的內部的空間搬出。
在真空腔室154的底壁形成有排氣口154b。此排氣口154b是連接於真空幫浦等排氣單元158。於真空腔室154的空間內配置有下部電極160。下部電極160是使用導電性的材料並形成為圓盤狀，且在真空腔室154的外部連接於高頻電源162。
在下部電極160的上表面側配置有例如靜電夾頭(未圖示)。靜電夾頭具備有互相絕緣的複數個電極，並且利用各電極與工件11之間所產生的電性之力來吸附、保持工件11。但是，此變形例的電漿蝕刻裝置152並不一定要具備有靜電夾頭。
於真空腔室154的頂壁是隔著絕緣材166而安裝有上部電極164，前述上部電極164是使用導電性的材料並形成為圓盤狀。於上部電極164的下表面側形成有複數個氣體噴出孔164a，此氣體噴出孔164a是透過設置於上部電極164的上表面側的氣體供給孔164b等而連接到氣體供給源168。藉此，可將蝕刻用的氣體供給至真空腔室154的空間內。此上部電極164也是在真空腔室154的外部連接到高頻電源170。
於藉由電漿蝕刻來將工件11的一部分去除時，首先是藉由開閉機構使閘門156下降。接著，通過開口154a將工件11搬入真空腔室154的空間內，並且載置於靜電夾頭(下部電極160)。在此第2變形例中，由於工件11黏貼有切割膠帶21，因此是讓切割膠帶21接觸於靜電夾頭的上表面。
之後，只要使靜電夾頭作動，即可將工件11以設置於正面11a側的保護膜33露出於上方的狀態來保持於靜電夾頭。以靜電夾頭保持工件11後，是隔著保護膜33對工件11的正面11a側施行電漿蝕刻，藉此沿著分割預定線13形成加工痕跡。具體而言，首先是藉由開閉機構使閘門156上升，以將真空腔室154的空間密閉。
又，使排氣單元158作動，以將空間內減壓。在此狀態下，若一邊從氣體供給源168以預定的流量供給蝕刻用的氣體，一邊以高頻電源162、170將適當的高頻電力供給至下部電極160及上部電極164時，會在下部電極160與上部電極164之間產生包含自由基或離子等的電漿。
藉此，可以將未被保護膜33覆蓋之工件11的正面11a側(對應於分割預定線13的區域)暴露於電漿，而加工工件11。再者，從氣體供給源168所供給的蝕刻用的氣體，可因應於工件11的材質等而適當地選擇。
對電漿蝕刻的具體態樣並無限制。例如，也可以使用被稱為所謂的波希法(Bosch process)之蝕刻技術而在工件11上形成加工痕跡。在此情況下，會成為例如交互地供給SF6 與C4 F8 ，來作為蝕刻用的氣體。
在第2變形例中，是藉由此電漿蝕刻而沿著分割預定線13形成將工件11斷開之形式的加工痕跡。其結果，工件11會被分割成分別包含元件15的複數個元件晶片。再者，在第2變形例中，雖然是形成將工件11斷開的態樣之加工痕跡，但是加工痕跡亦可為未將工件11斷開的溝等。
藉由電漿蝕刻將工件11的一部分去除，並形成加工痕後，是以和上述之實施形態同樣的順序，將有機溶劑供給至工件11而使保護膜33劣化(劣化步驟)。又，已使保護膜33劣化後，是以和上述之實施形態同樣的順序，將洗淨水供給至保護膜33，而從工件11的正面11a去除保護膜33(去除步驟)。
在此第2變形例之工件的加工方法中，由於也是在工件11的正面11a形成以非水溶性的樹脂所構成的保護膜33，因此在加工此工件11時，可藉由保護膜33來適當地保護工件11的正面11a側。亦即，不會有如使用水溶性的保護膜之情況一般，在加工的中途失去保護膜而損傷工件11之應保護的區域之情形。
又，在第2變形例之工件的加工方法中，由於是將已變得不需要的保護膜33於藉由有機溶劑41來使其劣化之後，再藉由洗淨水43來去除，因此也不會有如以往地於工件11的正面殘留有保護膜等的殘渣之情形。如此，在第2變形例之工件的加工方法中，也可以解決起因於保護膜33的問題並適當地加工工件11。
再者，也可以將此第2變形例之由電漿蝕刻所進行之工件11的加工(電漿蝕刻步驟)，適用於上述之實施形態或第1變形例。例如，亦可取代於上述之實施形態及第1變形例之由濕式蝕刻所進行之工件11的加工(濕式蝕刻步驟)等，而適用由電漿蝕刻所進行之工件11的加工(電漿蝕刻步驟)。
同樣地，也可以取代於第1變形例之工件11的改質(改質步驟)，而適用由電漿蝕刻所進行之工件11的加工(電漿蝕刻步驟)。在這些情況下，可因應於需要來適當地變更順序的一部分。
例如，取代於第1變形例之工件11的改質，而適用由電漿蝕刻所進行之工件11的加工之情況下，必須在已在工件11的正面11a形成以非水溶性的樹脂所構成的保護膜33後，在藉由電漿蝕刻加工工件11前，沿著分割預定線13來分割保護膜33。
此外，上述之實施形態、第1變形例、及第2變形例之構造、方法等，只要不脫離本發明之目的的範圍，皆可適當變更而實施。
11:工件 11a:正面 11b:背面 12:旋轉塗布機 13:分割預定線 14:容置部 14a:空間 15:元件 16:旋轉工作台 16a、48a、84a、104a:保持面 17:加工痕跡 18、50、140:夾具 19:改質層 20、88、108:主軸 21:切割膠帶 22、26、30:旋轉驅動源 23、27:框架 24、74:第1噴嘴 25:擴展片 28、76:第2噴嘴 31:原料 33:保護膜 35、45:雷射光束 37:蝕刻液 39:流體 41:有機溶劑 42、122:雷射加工裝置 43:洗淨水 44、84、104:工作夾台 46:框體 46a:流路 48:保持板 52、124:雷射照射單元 62:蝕刻槽 72:保護膜去除裝置 82:刀具切割裝置 86:刀具切割單元 90:工具安裝座 92:刀具工具 92a:基台 92b:切割刃 102:磨削裝置 106:磨削單元 110:安裝座 112:磨削輪 114:輪基台 116:磨削磨石 132:擴張裝置 134:支撐構造 136:擴張圓筒 138:支撐工作台 142:升降機構 144:汽缸罩殼 146:活塞桿 152:電漿蝕刻裝置 154:真空腔室 154a:開口 154b:排氣口 156:閘門 158:排氣單元 160:下部電極 162、170:高頻電源 164:上部電極 164a:氣體噴出孔 164b:氣體供給孔 166:絕緣材 168:氣體供給源
圖1是顯示工件等的立體圖。 圖2是顯示在工件形成保護膜之情形的局部截面側視圖。 圖3是顯示藉由雷射光束加工工件之情形的局部截面側視圖。 圖4是顯示藉由濕式蝕刻將工件的一部分去除之情形的局部截面側視圖。 圖5是顯示將在濕式蝕刻中所使用的蝕刻液沖洗掉之情形的局部截面側視圖。 圖6是顯示使保護膜劣化之情形的局部截面側視圖。 圖7是將圖6的一部分放大的局部截面側視圖。 圖8是顯示從工件去除保護膜之情形的局部截面側視圖。 圖9是將圖8的一部分放大的局部截面側視圖。 圖10是顯示將形成於工件的保護膜平坦化之情形的局部截面側視圖。 圖11是顯示磨削工件之情形的局部截面側視圖。 圖12是顯示藉由雷射光束將工件的一部分改質之情形的局部截面側視圖。 圖13(A)及圖13(B)是顯示將擴展片擴張之情形的局部截面側視圖。 圖14是顯示藉由電漿蝕刻(乾式蝕刻)將工件的一部分去除之情形的局部截面側視圖。
11:工件
11a:正面
11b:背面
13:分割預定線
15:元件
21:切割膠帶
23:框架

Claims (7)

  1. 一種工件的加工方法，其特徵在於包含以下步驟：保護膜形成步驟，在工件的正面形成以非水溶性的樹脂所構成的保護膜；加工步驟，加工形成有該保護膜的工件；劣化步驟，將有機溶劑以覆蓋已加工之工件之正面的整體的方式供給至工件而使該保護膜劣化；及去除步驟，將洗淨水供給至已劣化的該保護膜而從工件的該正面去除該保護膜，在該去除步驟中，是在工件之正面的該有機溶劑乾燥前開始該洗淨水的供給。
  2. 如請求項1之工件的加工方法，其中在使該保護膜劣化時，是一邊使工件旋轉一邊將該有機溶劑供給至工件的中央部而以該有機溶劑來覆蓋工件的整體，在從工件的該正面去除該保護膜時，是將該洗淨水供給至工件的該正面側來去除該保護膜。
  3. 如請求項1或2之工件的加工方法，其中該有機溶劑包含異丙醇。
  4. 如請求項1或2之工件的加工方法，其中在加工形成有該保護膜的工件時，是將可被工件吸收之波長的雷射光束朝工件的該正面側照射，來形成將工件部分地去除之加工痕跡。
  5. 如請求項1或2之工件的加工方法，其中在加工形成有該保護膜的工件時，是一邊以工作夾台隔著該保護膜來保持工件的該正面側，一邊磨削工件的背面來將工件變薄。
  6. 如請求項1或2之工件的加工方法，其中在加工形成 有該保護膜的工件時，是藉由以該保護膜為遮罩之蝕刻來將工件的一部分去除。
  7. 如請求項1或2之工件的加工方法，其中在該去除步驟中，是一邊使供給該洗淨水的噴嘴在工件的徑向上移動，一邊將該洗淨水供給至該保護膜。
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