CN110911288A - 工件的加工方法 - Google Patents

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Abstract

提供工件的加工方法，能够解决保护膜所引起的问题而对工件进行适当地加工。该工件的加工方法包含如下的步骤：保护膜形成步骤，在工件的正面上形成由非水溶性的树脂形成的保护膜；加工步骤，对形成有该保护膜的工件进行加工；劣化步骤，对加工后的工件提供有机溶剂而使该保护膜劣化；以及去除步骤，对劣化后的该保护膜提供清洗水而将该保护膜从工件的该正面去除。

Description

工件的加工方法
技术领域
本发明涉及在对以晶片为代表的板状的工件进行加工时所用的工件的加工方法。
背景技术
在以移动电话或个人计算机为代表的电子设备中，具有电子电路等器件的器件芯片成为必须的构成要素。对于器件芯片，例如将由硅等半导体材料形成的晶片的正面侧利用分割预定线(间隔道)划分成多个区域，在各区域内形成器件之后，沿着该分割预定线对晶片进行分割，由此得到器件芯片。
在对以晶片为代表的板状的工件进行分割时，例如使用被称为激光烧蚀的加工方法(例如，参照专利文献1)。在该激光烧蚀中，通过激光束将工件的一部分熔融、升华，因此容易产生被称为碎屑等的加工屑。
当因激光烧蚀而产生的碎屑与工件接触并粘固时，不能将该碎屑从工件容易地去除。因此，预先利用水溶性的保护膜覆盖工件的正面侧，使碎屑不与工件接触(例如，参照专利文献2)。
专利文献1：日本特开2003-320466号公报
专利文献2：日本特开2006-14031号公报
另外，当利用激光烧蚀等对工件进行加工时，在工件的被加工区域产生加工变形(热变形)，器件芯片的抗弯强度降低。因此，研究了使用被称为蚀刻(湿蚀刻)的方法将加工变形从工件去除，该蚀刻利用药液(蚀刻液)对被加工区域进行处理。
在该蚀刻中，为了使药液选择性地作用于工件的被加工区域，例如考虑了使用上述的水溶性的保护膜作为掩模。但是，水溶性的保护膜几乎不具有对药液的耐性，因此当使用该水溶性的保护膜对工件进行处理时，保护膜在中途消失，药液也会作用于工件的要保护的区域。
还考虑了将非水溶性的保护膜设置于工件的正面来用作蚀刻时的掩模。在该情况下，在药液作用于工件之后，使用有机溶剂将非水溶性的保护膜从工件的正面去除。但是，在该方法中，保护膜等的残渣容易残留在工件的正面上。
发明内容
本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供工件的加工方法，能够解决保护膜所引起的问题而对工件进行适当地加工。
根据本发明的一个方式，提供工件的加工方法，其中，该工件的加工方法包含如下的步骤：保护膜形成步骤，在工件的正面上形成由非水溶性的树脂形成的保护膜；加工步骤，对形成有该保护膜的工件进行加工；劣化步骤，对加工后的工件提供有机溶剂而使该保护膜劣化；以及去除步骤，对劣化后的该保护膜提供清洗水而将该保护膜从工件的该正面去除。
在本发明的一个方式中，优选在使该保护膜劣化时，一边使工件旋转一边向工件的中央部提供该有机溶剂，利用该有机溶剂将工件的整体覆盖，在将该保护膜从工件的该正面去除时，将该清洗水提供至工件的该正面侧而将该保护膜去除。另外，有时该有机溶剂包含异丙醇。
另外，也可以是，在对形成有该保护膜的工件进行加工时，对工件的该正面侧照射能够被工件吸收的波长的激光束而形成工件被部分地去除而得的加工痕。另外，也可以是，在对形成有该保护膜的工件进行加工时，一边利用卡盘工作台隔着该保护膜而对工件的该正面侧进行保持一边对工件的背面进行磨削而使工件变薄。另外，也可以是，在对形成有该保护膜的工件进行加工时，通过蚀刻将工件的一部分去除，该蚀刻将该保护膜用作掩模。
在本发明的一个方式的工件的加工方法中，在工件的正面上形成由非水溶性的树脂形成的保护膜，因此在对该工件进行加工时，通过保护膜适当地保护工件的正面侧。即，不会像使用水溶性的保护膜的情况那样，保护膜在加工的中途消失而损伤工件的要保护的区域。
另外，在本发明的一个方式的工件的加工方法中，将不需要的保护膜通过有机溶剂劣化，然后通过清洗水去除，因此也不会像以往那样，保护膜等的残渣残留在工件的正面上。这样，根据本发明的一个方式的工件的加工方法，能够解决保护膜所引起的问题而对工件进行适当地加工。
附图说明
图1是示出工件等的立体图。
图2是示出在工件上形成保护膜的情况的局部剖视侧视图。
图3是示出通过激光束对工件进行加工的情况的局部剖视侧视图。
图4是示出通过湿蚀刻将工件的一部分去除的情况的局部剖视侧视图。
图5是示出对湿蚀刻中所使用的蚀刻液进行冲洗的情况的局部剖视侧视图。
图6是示出使保护膜劣化的情况的局部剖视侧视图。
图7是将图6的一部分放大而得的局部剖视侧视图。
图8是示出将保护膜从工件去除的情况的局部剖视侧视图。
图9是将图8的一部分放大而得的局部剖视侧视图。
图10是示出对形成于工件的保护膜进行平坦化的情况的局部剖视侧视图。
图11是示出对工件进行磨削的情况的局部剖视侧视图。
图12是示出通过激光束对工件的一部分进行改质的情况的局部剖视侧视图。
图13的(A)和图13的(B)是示出对扩展片进行扩展的情况的局部剖视侧视图。
图14是示出通过等离子蚀刻(干蚀刻)将工件的一部分去除的情况的局部剖视侧视图。
标号说明
11：工件；11a：正面；11b：背面；13：分割预定线；15：器件；17：加工痕；19：改质层；21：划片带；23：框架；25：扩展片；27：框架；31：原料；33：保护膜；35：激光束；37：蚀刻液；39：流体；41：有机溶剂；43：清洗水；45：激光束；12：旋涂机；14：收纳部；14a：空间；16：旋转工作台；16a：保持面；18：夹具；20：主轴；22：旋转驱动源；24：第1喷嘴；26：旋转驱动源；28：第2喷嘴；30：旋转驱动源；42：激光加工装置；44：卡盘工作台；46：框体；46a：流路；48：保持板；48a：保持面；50：夹具；52：激光照射单元；62：蚀刻槽；72：保护膜去除装置；74：第1喷嘴；76：第2喷嘴；82：刀具切削装置；84：卡盘工作台；84a：保持面；86：刀具切削单元；88：主轴；90：工具安装座；92：刀具工具；92a：基台；92b：切刃；102：磨削装置；104：卡盘工作台；104a：保持面；106：磨削单元；108：主轴；110：安装座；112：磨削磨轮；114：磨轮基台；116：磨削磨具；122：激光加工装置；124：激光照射单元；132：扩展装置；134：支承构造；136：扩展鼓；138：支承工作台；140：夹具；142：升降机构；144：缸筒；146：活塞杆；152：等离子蚀刻装置；154：真空腔室；154a：开口；154b：排气口；156：门；158：排气单元；160：下部电极；162：高频电源；164：上部电极；164a：气体喷出孔；164b：气体提供孔；166：绝缘材料；168：气体提供源；170：高频电源。
具体实施方式
参照附图，对本发明的实施方式进行说明。图1是示意性示出利用本实施方式的工件的加工方法进行加工的工件(被加工物)11等的立体图。如图1所示，本实施方式的工件11例如是由砷化镓(GaAs)形成的圆盘状的晶片，该工件11具有相互大致平行的正面11a和背面11b。
工件11的正面11a由相互交叉的多条分割预定线(间隔道)13划分成多个区域。在由该分割预定线13划分的区域内分别形成有例如激光二极管(LD：Laser Diode)等器件15。
另外，对于工件11的材质、形状、构造、大小等没有限制。例如也可以使用由硅(Si)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等半导体、蓝宝石(Al2O3)、钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃、石英玻璃等电介质(绝缘体)、钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)等强电介质形成的圆盘状的晶片或俯视矩形状的基板作为工件11。
同样地，对于器件15的种类、数量、形状、构造、大小、配置等也没有限制。例如，作为器件15，也可以形成有IC(Integrated Circuit：集成电路)、MEMS(Micro ElectroMechanical Systems：微机电系统)、LED(Light Emitting Diode：发光二极管)、光电二极管(Photodiode)、SAW(Surface Acoustic Wave：表面弹性波)滤波器、BAW(Bulk AcousticWave：体弹性波)滤波器等。另外，也可以不在工件11上形成器件15。
在本实施方式的工件的加工方法中，首先在该工件11的背面11b上粘贴比工件11大型的划片带21(划片带粘贴步骤)。划片带21代表性地由膜状的基材和设置于基材的一个面的糊料层构成。
划片带21的基材例如由聚烯烃、氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等材料形成，划片带21的糊料层例如由丙烯酸系或橡胶系的材料形成。若将该划片带21的糊料层侧紧贴于工件11的背面11b上，则将划片带21粘贴于工件11上。
在划片带21的糊料层侧的外周部分例如固定有由不锈钢(SUS)或铝等金属材料形成的环状的框架23。由此，工件11借助划片带21而支承于环状的框架23。另外，如后所述，也可以不使用划片带21和框架23而对工件11进行加工。
在将划片带21粘贴于工件11之后，在工件11的正面11a上形成由非水溶性的树脂形成的保护膜(保护膜形成步骤)。图2是示出在工件上形成保护膜的情况的局部剖视侧视图。保护膜的形成例如使用图2所示的旋涂机12。
旋涂机12包含收纳工件11等的圆筒状的收纳部14。该收纳部14的内侧的空间14a成为对工件11形成保护膜时的处理室。在空间14a的中央附近配置有旋转工作台16。
旋转工作台16的上表面的一部分是对工件11(划片带21)进行保持的保持面16a。在保持面16a上经由形成于旋转工作台16的内部的流路(未图示)及阀(未图示)等而连接有喷射器等吸引源(未图示)。因此，若将阀打开，则吸引源的负压作用于保持面16a。
在旋转工作台16的周围设置有对上述环状的框架23进行固定的多个夹具18。另外，在旋转工作台16的下部借助主轴20而连结有电动机等旋转驱动源22。旋转工作台16通过该旋转驱动源22所产生的力而进行旋转。
另外，各夹具18例如构成为能够利用通过旋转工作台16的旋转而产生的离心力对框架23进行固定。因此，即使使旋转工作台16高速旋转，工件11或框架23等也不会脱离旋转工作台16。
在旋转工作台16的上方配置有第1喷嘴24，该第1喷嘴24从前端部滴下用于形成保护膜的液态的原料31。在第1喷嘴24的基端侧连结有电动机等旋转驱动源26，滴下液态的原料31的第1喷嘴24的前端部通过该旋转驱动源26所产生的力而在旋转工作台16的上方的区域移动。
在本实施方式中，通过旋转驱动源26的力使第1喷嘴24绕沿着铅垂方向的旋转轴旋转，因此位于远离该旋转轴的位置的第1喷嘴24的前端部的移动路径呈圆弧状。在滴下液态的原料31时，使第1喷嘴24的前端部从相当于空间14a的端部的第1喷嘴退避区域移动至相当于旋转工作台16的正上方的滴下区域。
另外，在旋转工作台16的上方配置有从前端部提供清洗用的流体的第2喷嘴28。在第2喷嘴28的基端侧连结有电动机等旋转驱动源30，提供清洗用的流体的第2喷嘴28的前端部通过该旋转驱动源30所产生的力在旋转工作台16的上方的区域移动。
在本实施方式中，通过旋转驱动源30的力使第2喷嘴28绕沿着铅垂方向的旋转轴旋转，因此位于远离该旋转轴的位置的第2喷嘴28的前端部的移动路径呈圆弧状。在提供清洗用的流体时，使第2喷嘴28的前端部从相当于空间14a的端部的第2喷嘴退避区域移动至相当于旋转工作台16的正上方的清洗区域。
在形成保护膜时，首先按照使粘贴于工件11的划片带21的基材侧与旋转工作台16的保持面16a接触的方式将工件11等载置于旋转工作台16。然后，将吸引源的负压作用于保持面16a。其结果是，划片带21被保持面16a吸引，隔着该划片带21而将工件11保持于旋转工作台16。即，工件11的正面11a侧向上方露出。
然后，使第1喷嘴24的前端部移动至相当于旋转工作台16的正上方的滴下区域，从该前端部朝向旋转工作台16所保持的工件11的正面11a侧滴下液态的原料31。更具体而言，将第1喷嘴24的前端部定位于工件11的中央部的上方而滴下液态的原料31。
并且使旋转工作台16旋转。旋转工作台16的转速例如为2000rpm。使旋转工作台16旋转的时间例如为30秒。不过，对于旋转工作台16的旋转等的条件没有特别限制。通过该旋转工作台16的旋转，液态的原料31扩展至工件11的整个正面11a。即，在整个正面11a上涂布液态的原料31。
在本实施方式中，使用适合形成由非水溶性的树脂形成的保护膜的PVB(聚乙烯醇缩丁醛)作为液态的原料31。另外，也可以使用以聚甲基丙烯酸甲酯树脂为代表的丙烯酸系树脂、包含乙酸纤维素的纤维素系树脂、环氧系树脂等作为液态的原料31。
在使液态的原料31扩展至工件11的整个正面11a之后，例如在室温下使该液态的原料31干燥。使液态的原料31干燥的时间(将工件11在室温下放置的时间)例如为24小时。由此，由非水溶性的树脂形成的保护膜33(参照图3)形成于工件11的正面11a上。不过，对于使已涂布在工件11的正面11a的液态的原料31干燥时的条件没有特别限制。
例如在停止提供液态的原料31的状态下，通过使旋转工作台16持续旋转，也能够使已涂布在工件11的正面11a的液态的原料31干燥。另外，也可以使用热板、烘箱(干燥炉)、加热器、灯等对液态的原料31进行加热而以较短的时间使其干燥。例如通过将工件11投入至设定为80℃的烘箱，能够以较短的时间使液态的原料31干燥。在该情况下，加热的时间例如可以为3分钟左右。
在工件11的正面11a上形成了非水溶性的保护膜33之后，对工件11的正面11a侧照射能够被工件11吸收的波长的激光束而对工件11进行加工(加工步骤、激光烧蚀步骤)。图3是示出通过激光束对工件11进行加工的情况的局部剖视侧视图。在通过激光束对工件11进行加工时，例如使用图3所示的激光加工装置42。
激光加工装置42具有用于保持工件11的卡盘工作台44。卡盘工作台44例如包含：圆筒状的框体46，其由以不锈钢为代表的金属材料形成；以及保持板48，其由多孔质材料形成，配置在框体46的上部。
保持板48的上表面成为对工件11(划片带21)进行保持的保持面48a。保持板48的下表面侧经由设置于框体46的内部的流路46a及阀(未图示)等而与吸引源(未图示)连接。因此，若将阀打开，则吸引源的负压作用于保持面48a。
在框体46的周围设置有用于固定框架23的多个夹具50。框体46(卡盘工作台44)与电动机等旋转驱动源(未图示)连结，绕相对于上述保持面48a大致垂直的旋转轴旋转。另外，框体46(卡盘工作台44)被移动机构(未图示)支承，在相对于上述保持面48a大致平行的方向上移动。
在卡盘工作台44的上方配置有激光照射单元52。激光照射单元52将由激光振荡器(未图示)脉冲振荡出的激光束35照射并会聚在规定的位置。在本实施方式中所使用的激光振荡器构成为能够生成能够被工件11吸收的波长(容易被吸收的波长)的激光束35，适合工件11的激光烧蚀。
如上所述，工件11由砷化镓构成，因此在本实施方式中，使用能够生成波长为355nm～532nm的激光束35的激光振荡器。作为这样的激光振荡器，例如可以举出Nd：YAG或Nd：YVO4等利用晶体的激光振荡器。
在对工件11进行加工时，首先使粘贴于工件11的划片带21的基材侧与卡盘工作台44的保持面48a接触，然后将吸引源的负压作用于保持面48a。其结果是，划片带21被保持面48a吸引，工件11在正面11a侧的保护膜33向上方露出的状态下被保持于卡盘工作台44。另外，框架23被夹具50固定。
接着，对卡盘工作台44的位置等进行调整，例如使激光照射单元52的位置对齐在任意的分割预定线13的延长线的上方。并且，如图3所示，一边从激光照射单元52朝向工件11的正面11a侧照射激光束35，一边使卡盘工作台44在相对于对象的分割预定线13平行的方向上移动。即，沿着对象的分割预定线13对工件11照射激光束35。
激光束35例如按照会聚在工件11的正面11a或内部的条件进行照射。这样，通过沿着分割预定线13对工件11照射能够被工件11吸收的波长的激光束35，能够沿着分割预定线13部分地去除工件11和保护膜33而形成加工痕17。即，能够沿着分割预定线13在工件11上形成基于激光烧蚀的加工痕17。
在本实施方式中，按照能够沿着分割预定线13形成将工件11断开的加工痕17的条件照射激光束35。具体而言，重复进行多次激光束35对于对象的分割预定线13(第1分割预定线)的照射，直至沿着该分割预定线13(第1分割预定线)将工件11断开为止。
即，沿着作为对象的分割预定线13(第1分割预定线)从其一端至另一端照射激光束35，然后使激光束35会聚在厚度方向不同的其他位置而对相同的分割预定线13(第1分割预定线)再次照射激光束35即可。由此，能够沿着对象的分割预定线13(第1分割预定线)将工件11可靠地断开。
不过，激光束35的输出、光斑直径、重复频率、照射次数等条件可在能够将工件11适当地断开的范围内任意地设定。例如若能够通过一次激光束35的照射而将工件11断开，则无需沿着对象的分割预定线13(第1分割预定线)多次重复激光束35的照射。
在沿着作为对象的分割预定线13(第1分割预定线)对工件11进行了加工之后，再次对卡盘工作台44的位置等进行调整，使激光照射单元52的位置对齐在另一分割预定线13(第2分割预定线)的延长线的上方。并且，一边从激光照射单元52朝向工件11的正面11a侧照射激光束35，一边使卡盘工作台44在相对于该另一分割预定线13(第2分割预定线)平行的方向上移动。
即，沿着另一分割预定线13(第2分割预定线)对工件11照射激光束35。其结果是，沿着该另一分割预定线13(第2分割预定线)在工件11上形成加工痕17。另外，对该另一分割预定线13(第2分割预定线)的激光束35的照射按照与对之前作为对象的分割预定线13(第1分割预定线)的激光束35的照射同等的条件进行。
上述的步骤重复进行，直至沿着所有的分割预定线13对工件11进行加工(断开)为止。其结果是，将工件11分割成分别包含器件15的多个器件芯片。同样地，保护膜33也与工件11一起被分割成与各器件芯片对应的较小的保护膜。另外，在本实施方式中，形成了将工件11断开的方式的加工痕17，但该加工痕17也可以是未将工件11断开的槽等。
在照射激光束35而对工件11进行了加工之后，通过将保护膜33用作掩模的湿蚀刻而将工件11的一部分去除(加工步骤、湿蚀刻步骤)。图4是示出通过湿蚀刻将工件11的一部分去除的情况的局部剖视侧视图。
在通过湿蚀刻将工件11的一部分去除时，如图4所示，将工件11浸渍于注入蚀刻槽62中的蚀刻液37中。另外，在本实施方式中，划片带21和框架23也与工件11一起被浸渍于蚀刻液37中。
作为蚀刻液37，例如可以使用将氢氧化铵(NH4OH)和过氧化氢(H2O2)溶解于水(H2O)而得到的碱性的水溶液。在该情况下，例如将工件11浸渍于蚀刻液37中两分钟左右即可。不过，蚀刻液37的种类、处理的时间等条件可根据工件11的种类、厚度等条件任意地设定。
例如，作为蚀刻液37，也可以使用将氢氧化钾(KOH)、氢氧化钠(NaOH)、四甲基氢氧化铵(TMAH)等溶解于水而得到的碱性的水溶液。另外，作为蚀刻液37，也可以使用将氯化氢(HCl)溶解于水而得到的酸性的水溶液(盐酸)、或磷酸(H3PO4)和硫酸(H2SO4)的混酸等。
如上所述，工件11的正面11a侧被由非水溶性的树脂形成的保护膜33覆盖(除了与加工痕17对应的区域以外)。因此，当将工件11浸渍于蚀刻液37时，蚀刻液仅作用于未被该保护膜33覆盖的区域。
即，在该湿蚀刻中，将未被保护膜33覆盖的一部分的区域从工件11去除。由此，例如将在加工痕17的附近所生成的加工变形(热变形)等从工件11去除而提高器件芯片的抗弯强度。
另外，在本实施方式中，如上所述，将由非水溶性的树脂形成的保护膜33用作湿蚀刻时的掩模，因此不会像将由水溶性的树脂形成的保护膜用作掩模的情况那样，掩模被蚀刻液溶解而消失。由此，能够可靠地保护工件11的要保护的区域(例如器件15)。
在通过湿蚀刻将工件11的一部分去除之后，冲洗附着于工件11等的蚀刻液37(冲洗步骤)。图5是示出对湿蚀刻中所使用的蚀刻液37进行冲洗的情况的局部剖视侧视图。在冲洗蚀刻液37时，例如使用上述的旋涂机12。
具体而言，首先按照粘贴于工件11的划片带21的基材侧与旋转工作台16的保持面16a接触的方式将工件11等载置于旋转工作台16。并且，将吸引源的负压作用于保持面16a。其结果是，划片带21被保持面16a吸引，隔着该划片带21而将工件11保持于旋转工作台16。即，工件11的正面11a侧的保护膜33向上方露出。
然后，使第2喷嘴28的前端部移动至相当于旋转工作台16的正上方的清洗区域，从该前端部朝向旋转工作台16所保持的工件11(保护膜33)提供清洗用的流体39。并且使旋转工作台16例如按照800rpm的转速旋转。
使用水(代表性地为纯水)等作为清洗用的流体39。例如通过进行五分钟左右的该处理，能够完全洗掉附着于工件11等的蚀刻液37。不过，对于旋转工作台16的转速、处理的时间、清洗用的流体39的种类等条件没有特别限制。另外，也可以不使用旋涂机12，例如通过流水等而冲洗蚀刻液37。
在冲洗了蚀刻液37之后，对工件11提供有机溶剂而使保护膜33劣化(劣化步骤)。图6是示出使保护膜33劣化的情况的局部剖视侧视图，图7是将图6的一部分放大而得的局部剖视侧视图。在使保护膜33劣化时，例如使用图6所示的保护膜去除装置72。另外，该保护膜去除装置72的构成要素大多与旋涂机12的构成要素通用。由此，对通用的构成要素标记相同的标号，省略了其详细的说明。
如图6所示，在构成保护膜去除装置72的旋转工作台16的上方配置有从前端部提供使保护膜33劣化的有机溶剂41的第1喷嘴74。在第1喷嘴74的基端侧连结有电动机等旋转驱动源26，提供有机溶剂41的第1喷嘴74的前端部通过该旋转驱动源26所产生的力而在旋转工作台16的上方的区域移动。
在本实施方式中，通过旋转驱动源26的力使第1喷嘴74绕沿着铅垂方向的旋转轴旋转，因此位于远离该旋转轴的位置的第1喷嘴74的前端部的移动路径呈圆弧状。在提供有机溶剂41时，使第1喷嘴74的前端部从相当于空间14a的端部的第1喷嘴退避区域移动至相当于旋转工作台16的正上方的有机溶剂提供区域。
另外，在旋转工作台16的上方配置有从前端部提供清洗水的第2喷嘴76。在第2喷嘴76的基端侧连结有电动机等旋转驱动源30，提供清洗水的第2喷嘴76的前端部通过该旋转驱动源30所产生的力而在旋转工作台16的上方的区域移动。
在本实施方式中，通过旋转驱动源30的力使第2喷嘴76绕沿着铅垂方向的旋转轴旋转，因此位于远离该旋转轴的位置的第2喷嘴76的前端部的移动路径呈圆弧状。在提供清洗水时，使第2喷嘴76的前端部从相当于空间14a的端部的第2喷嘴退避区域移动至相当于旋转工作台16的正上方的清洗水提供区域。
在使保护膜33劣化时，首先按照使粘贴于工件11的划片带21的基材侧与旋转工作台16的保持面16a接触的方式将工件11等载置于旋转工作台16。并且，将吸引源的负压作用于保持面16a。其结果是，划片带21被保持面16a吸引，隔着该划片带21而将工件11保持于旋转工作台16。即，工件11的正面11a侧的保护膜33向上方露出。
然后，使第1喷嘴74的前端部移动至相当于旋转工作台16的正上方的有机溶剂提供区域，从该前端部朝向旋转工作台16所保持的工件11的正面11a侧(保护膜33)提供有机溶剂41。更具体而言，将第1喷嘴74的前端部定位于工件11的中央部的上方而提供有机溶剂41。并且使旋转工作台16旋转。
在本实施方式中，使用IPA(异丙醇)作为该有机溶剂41。由此，不使设置于工件11的器件15等损伤而能够使保护膜33劣化。另外，通过有机溶剂41所产生的保护膜33的劣化包含保护膜33的溶胀、裂纹(裂纹的生成)、局部的溶解、剥离等。
旋转工作台16的转速例如为100rpm～300rpm，有机溶剂41的提供量例如为10ml/min～100ml/min。当按照这样的条件提供有机溶剂41时，如图7所示，工件11的正面11a侧(保护膜33)被有机溶剂41覆盖。
即，在向工件11的中央部持续提供新的有机溶剂41而使有机溶剂41从该工件11的中央部朝向外周部流动的情况下，工件11的正面11a侧被有机溶剂41覆盖。这样，通过利用有机溶剂41将工件11的整个正面11a侧覆盖，能够防止工件11的局部的干燥，能够防止保护膜33或有机溶剂41等所引起的残渣残留在工件11上。
为了使工件11的正面11a侧保持被有机溶剂41覆盖的状态，重要的是不过度提高旋转工作台16的转速并且持续提供与工件11的大小(直径)相应的充分量的有机溶剂41。不过，旋转工作台16的转速、有机溶剂41的提供量等条件可以不必在上述的范围内。
另外，对于有机溶剂的种类等也没有大限制。例如可以使用不使器件15等损伤而能够使保护膜33劣化的甲醇、乙醇、甲苯、丙酮、PGME(丙二醇单甲醚)等作用有机溶剂41。另外，也可以使用以Solmix(注册商标)为代表的混合溶剂作为有机溶剂41。
在使保护膜33劣化之后，对该保护膜33提供清洗水而将保护膜33从工件11的正面11a去除(去除步骤)。图8是示出将保护膜33从工件11去除的情况的局部剖视侧视图，图9是将图8的一部分放大而得的局部剖视侧视图。在将保护膜33去除时，继续使用保护膜去除装置72。
具体而言，首先使第2喷嘴76的前端部移动至相当于旋转工作台16的正上方的清洗水提供区域，从该前端部朝向旋转工作台16所保持的工件11(保护膜33)提供清洗水43。并且，使旋转工作台16按照800rpm的转速旋转。另外，在本实施方式中，使用水(代表性地为纯水)作为清洗水43，将水与空气混合而按照0.4MPa、200ml/min～400ml/min左右的条件吹送至工件11(保护膜33)。
如上所述，保护膜33通过有机溶剂41发生了劣化。因此，当按照规定的条件将清洗水43吹送至工件11(保护膜33)时，通过该清洗水43的冲击等而将保护膜33从工件11去除。另外，也可以使用水作为清洗水43，不将水与空气混合而按照10MPa左右的高压力吹送至工件11(保护膜33)。
另外，在本实施方式中，一边使第2喷嘴76在工件11的径向上移动一边提供清洗水43。由此，能够对工件11的整个正面11a侧吹送清洗水43，因此与不使第2喷嘴76移动而提供清洗水43的情况相比，能够更可靠地去除保护膜33。
在该情况下，若对在工件11与框架23之间露出的划片带21吹送清洗水43，则通过有机溶剂41发生了劣化的划片带21的糊料层有可能从基材剥离而附着于工件11。因此，优选按照不对划片带21直接吹送清洗水43的方式使第2喷嘴76移动。
另外，优选在工件11的正面11a侧被有机溶剂41覆盖的状态下开始该清洗水43的提供。例如在停止对工件11提供有机溶剂41之后且在工件11上的有机溶剂41干燥之前开始清洗水43的提供。另外，在停止有机溶剂41的提供之后，不停止旋转工作台16的旋转而开始清洗水43的提供。由此，能够防止工件11的干燥，能够防止保护膜33等的残渣残留在工件11上。
当然也可以在完全停止有机溶剂41的提供之前开始清洗水43的提供。即，基于有机溶剂41的提供的保护膜33的劣化处理(劣化步骤)和基于清洗水43的提供的保护膜33的去除处理(去除步骤)可以并列进行。在该情况下，能够更可靠地防止工件11的干燥。另外，对于工件11的清洗水43的提供也可以利用使用保护膜去除装置72(旋转工作台16)的所谓的旋转清洗以外的方法来进行。
如上所述，在本实施方式的工件的加工方法中，在工件11的正面11a上形成由非水溶性的树脂形成的保护膜33，在对该工件11进行加工时，通过保护膜33适当地保护工件的正面11a侧。即，不会像使用水溶性的保护膜的情况那样，保护膜在加工的中途消失而损伤工件11的要保护的区域。
另外，在本实施方式的工件的加工方法中，在利用激光束35对工件11进行加工之后，通过蚀刻液37进行处理，因此可将基于激光束35的加工时所产生的加工变形(热变形)等从工件11去除，提高其品质。另外，在基于激光束35的加工时所用的保护膜33也用于基于蚀刻液37的处理，因此在基于激光束35的加工和基于蚀刻液37的处理中无需准备不同的保护膜。
另外，在本实施方式的工件的加工方法中，通过有机溶剂41将不需要的保护膜33劣化，然后通过清洗水43去除，因此也不会像以往那样，保护膜等的残渣残留在工件11的正面上。这样，根据本实施方式的工件的加工方法，能够解决保护膜33所引起的问题而对工件11进行适当地加工。
另外，本发明不限于上述实施方式的记载，可以进行各种变更并实施。例如在上述的实施方式中，利用不同的装置进行了保护膜33的形成(保护膜形成步骤)和蚀刻液37的去除(冲洗步骤)以及保护膜33的劣化(劣化步骤)和保护膜33的去除(去除步骤)，但也可以利用1台装置进行这些所有的处理。例如通过将用于提供有机溶剂41的喷嘴加入至旋涂机12，能够利用1台旋涂机12进行这些所有的处理。
另外，例如在上述实施方式的工件的加工方法中，在激光烧蚀和湿蚀刻时出于保护工件11的正面11a侧的目的而使用由非水溶性的树脂形成的保护膜33，但也可以出于其他目的而使用保护膜33。
以下，对在磨削和湿蚀刻时出于保护工件11的正面11a侧的目的而使用由非水溶性的树脂形成的保护膜33的第1变形例以及在等离子蚀刻(干蚀刻)时出于保护工件11的正面11a侧的目的而使用由非水溶性的树脂形成的保护膜33的第2变形例进行说明。
在第1变形例的工件的加工方法中，首先按照与上述实施方式同样的步骤在工件11的正面11a上形成由非水溶性的树脂形成的保护膜33(保护膜形成步骤)。另外，这里使用由硅形成的晶片作为工件11。不过，对于工件11的材质、形状、构造、大小等没有限制。
另外，在该变形例中，未在工件11的背面11b上粘贴划片带21。由此，在利用旋涂机12的旋转工作台16对工件11进行保持时，工件11的背面11b直接与保持面16a接触。
在工件11的正面11a侧的凹凸较大的情况下，可以多次重复进行液态的原料31的涂布和干燥而形成保护膜33。由此，能够在工件11上形成完全覆盖正面11a侧的凹凸的保护膜33。该方法例如在对在正面11a侧设置有作为端子(电极)发挥功能的凸起等的工件11进行磨削时极其有效。
在工件11的正面11a上形成了非水溶性的保护膜33之后，对该保护膜33的露出的正面(与工件11相反的一侧的面)进行平坦化(平坦化步骤)。图10是示出对形成于工件11的保护膜33进行平坦化的情况的局部剖视侧视图。在对保护膜33进行平坦化时，例如使用图10所示的刀具切削装置82。
刀具切削装置82具有用于保持工件11的卡盘工作台84。卡盘工作台84通过下方的移动机构(未图示)支承并通过该移动机构在水平方向上移动。卡盘工作台84的上表面的一部分成为对工件11进行保持的保持面84a。保持面84a经由设置于卡盘工作台84的内部的流路(未图示)及阀(未图示)等而与吸引源(未图示)连接。因此，若将阀打开，则吸引源的负压作用于保持面84a。
在卡盘工作台84的上方配置有刀具切削单元86。刀具切削单元86具有主轴88。该主轴88按照轴心相对于铅垂方向平行的方式通过升降机构(未图示)进行支承。在主轴88的下端部固定有直径与工件11的直径同等以上的圆盘状的工具安装座90。
在工具安装座90的下表面上安装有刀具工具92。刀具工具92包含由铝、不锈钢等金属材料形成的圆盘状的基台92a。在基台92a的下表面上固定有由单晶金刚石等形成的切刃(刀具)92b。在主轴88的上端侧连结有电动机等旋转驱动源(未图示)，刀具工具92通过旋转驱动源所产生的力进行旋转。另外，刀具工具92通过对主轴88进行支承的升降机构定位于任意的高度。
在对保护膜33的正面进行平坦化时，首先按照使工件11的背面11b与卡盘工作台84的保持面84a接触的方式将工件11载置于卡盘工作台84。并且，将吸引源的负压作用于保持面84a。其结果是，工件11的背面11b被保持面84a吸引，工件11被保持于卡盘工作台84。即，工件11的正面11a侧的保护膜33向上方露出。
接着，通过升降机构调整刀具工具92的高度，以使切刃92b的下端的高度低于保护膜33的正面(即上表面)的高度。并且，如图10所示，一边使主轴88(刀具工具92)旋转，一边使卡盘工作台84在水平方向上移动。
由此，能够使切刃92b沿着圆弧状的轨迹切入至保护膜33的正面侧，从而对保护膜33的整个正面侧进行平坦化。另外，在该第1变形例中，通过对保护膜33进行切削而进行平坦化，但也可以通过对保护膜33进行磨削或研磨而进行平坦化。
在对保护膜33进行了平坦化之后，对工件11的背面11b进行磨削(加工步骤、磨削步骤)。图11是示出对工件11进行磨削的情况的局部剖视侧视图。在对工件11进行磨削时，例如使用图11所示的磨削装置102。
磨削装置102具有用于保持工件11的卡盘工作台104。卡盘工作台104与电动机等旋转驱动源(未图示)连结，通过该旋转驱动源所产生的力而绕与铅垂方向大致平行的旋转轴旋转。另外，卡盘工作台104通过下方的移动机构(未图示)进行支承并通过该移动机构在水平方向上移动。
卡盘工作台104的上表面的一部分成为对工件11(保护膜33)进行保持的保持面104a。保持面104a经由设置于卡盘工作台104的内部的流路(未图示)及阀(未图示)等而与吸引源(未图示)连接。因此，若将阀打开，则吸引源的负压作用于保持面104a。
在卡盘工作台104的上方配置有磨削单元106。磨削单元106具有主轴108。该主轴108按照轴心相对于铅垂方向平行的方式通过升降机构(未图示)进行支承。在主轴108的下端部固定有圆盘状的安装座110。
在安装座110的下表面上安装有直径与安装座110大致相等的圆盘状的磨削磨轮112。磨削磨轮112具有由不锈钢、铝等金属材料形成的磨轮基台114。在磨轮基台114的下表面上呈环状排列有多个磨削磨具116。
在主轴108的上端侧(基端侧)连结有电动机等旋转驱动源(未图示)，磨削磨轮112通过该旋转驱动源所产生的力而进行旋转。在与磨削单元106相邻的位置、或磨削单元106的内部设置有用于对工件11等提供磨削用的液体(磨削液)的喷嘴(未图示)。
在对工件11的背面11b进行磨削时，首先使形成于工件11的保护膜33的正面与卡盘工作台104的保持面104a接触，然后使吸引源的负压作用于该保持面104a。其结果是，保护膜33被保持面104a吸引，工件11在背面11b侧向上方露出的状态下被保持于卡盘工作台104。
接着，使保持着工件11的卡盘工作台104移动至磨削单元106的下方。并且，如图11所示，分别使卡盘工作台104和主轴108(磨削磨轮112)旋转，一边对工件11的背面11b侧提供磨削用的液体(代表性地为纯水)，一边使主轴108(磨削磨轮112)下降。
调整主轴108的下降速度(下降量)以使磨削磨具116的下表面以适当的力按压至工件11的背面11b侧。由此，能够对工件11的背面11b侧进行磨削而使该工件11变薄。这里，将工件11磨削至规定的完工厚度。
如上所述，在该变形例中，通过由非水溶性的树脂形成的保护膜33对工件11的正面11a侧进行保护。因此，保护膜33不会被提供至工件11的磨削用的液体溶解。由此，能够一边利用保护膜33适当地保护正面11a侧，一边对工件11的背面11b侧进行磨削。
在对工件11的背面11b进行磨削之后，例如对工件11照射透过工件11的波长的激光束而对工件11的一部分进行改质(加工步骤、改质步骤)。图12是示出通过激光束对工件11的一部分进行改质的情况的局部剖视侧视图。
在对工件11的一部分进行改质时，例如使用图12所示的激光加工装置122。另外，该激光加工装置122的构成要素的一部分与激光加工装置42的构成要素通用。由此，对通用的构成要素标记相同的标号，省略了其详细的说明。
在构成激光加工装置122的卡盘工作台44的上方配置有激光照射单元124。激光照射单元124将由激光振荡器(未图示)脉冲振荡出的激光束45照射并会聚在规定的位置。在该变形例中所使用的激光振荡器构成为能够生成透过工件11的波长(不容易被吸收的波长)的激光束45，适合利用多光子吸收等的工件11的改质。
在该变形例中，如上所述，工件11由硅构成，因此例如使用能够生成波长为1064nm～1342nm的激光束45的激光振荡器。作为这样的激光振荡器，例如可以举出Nd：YAG或Nd：YVO4等利用晶体的激光振荡器。
在对工件11的一部分进行改质时，首先使形成于工件11的保护膜33的正面与卡盘工作台44的保持面48a接触，然后使吸引源的负压作用于该保持面48a。其结果是，保护膜33被保持面48a吸引，工件11在背面11b侧向上方露出的状态下被保持于卡盘工作台44。
接着，对卡盘工作台44的位置等进行调整，例如使激光照射单元124的位置对齐在任意的分割预定线13的延长线的上方。并且，如图12所示，一边从激光照射单元124朝向工件11的背面11b侧照射激光束45，一边使卡盘工作台44在相对于对象的分割预定线13平行的方向上移动。即，沿着对象的分割预定线13对工件11照射激光束45。
激光束45例如按照会聚至工件11的内部(距离背面11b或正面11a为第1深度的位置)的条件进行照射。这样，通过使透过工件11的波长的激光束45会聚至工件11的内部，能够在聚光点和其附近对工件11的一部分进行改质，能够形成强度低于其他区域的改质层19。该改质层19作为对工件11进行分割时的起点。
在沿着对象的分割预定线13形成了改质层19之后，可以按照同样的步骤沿着相同的分割预定线13在另一深度位置(第2深度的位置)形成改质层19。不过，对于沿着一条分割预定线13所形成的改质层19的数量或位置没有特别限制。
另外，优选按照形成改质层19时从该改质层19延伸的裂纹到达正面11a(或背面11b)的条件对工件11照射激光束45。当然也可以按照裂纹到达正面11a和背面11b这双方的条件照射激光束45。由此，能够更适当地分割工件11。
在沿着对象的分割预定线13形成了改质层19之后，按照同样的步骤沿着另一分割预定线13形成改质层19。该步骤重复进行，直至沿着所有的分割预定线13形成所需数量的改质层19为止。另外，在该第1变形例中，通过从工件11的背面11b侧照射激光束45而形成了改质层19，但对于照射激光束45的方式没有特别限制。
例如，也可以从工件11的正面11a侧隔着保护膜33照射激光束45而在工件11的内部形成改质层19。另外，也可以将之后要使用的扩展片粘贴于工件11的背面11b侧，然后隔着该扩展片照射激光束45而在工件11的内部形成改质层19。
在对工件11的一部分进行了改质之后，在该工件11的背面11b上粘贴比工件11大型的扩展片25(扩展片粘贴步骤)。扩展片25代表性地由膜状的基材和设置于基材的一个面的糊料层构成。
扩展片25的基材例如由聚烯烃、氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等材料形成，扩展片25的糊料层例如由丙烯酸系或橡胶系的材料形成。若使该扩展片25的糊料层侧紧贴于工件11的背面11b上，则将扩展片25粘贴于工件11上。在扩展片25的糊料层侧的外周部分例如固定有由不锈钢(SUS)或铝等金属材料形成的环状的框架27。
在将扩展片25粘贴于工件11之后，对该扩展片25进行扩展而以改质层19为起点对工件11进行分割(扩展步骤)。图13的(A)和图13的(B)是示出对扩展片25进行扩展的情况的局部剖视侧视图。在对扩展片25进行扩展而对工件11进行分割时，例如使用图13的(A)和图13的(B)所示的扩展装置132。
扩展装置132具有用于支承工件11的支承构造134以及圆筒状的扩展鼓136。支承构造134包含支承工作台138，该支承工作台138具有俯视圆形的开口部。在该支承工作台138的上表面上载置有环状的框架27。在支承工作台138的外周部分设置有用于对框架27进行固定的多个夹具140。支承工作台138通过用于使支承构造134升降的升降机构142进行支承。
升降机构142具有固定于下方的基台(未图示)的缸筒144以及插入至缸筒144的活塞杆146。在活塞杆146的上端部固定有支承工作台138。升降机构142通过使活塞杆146上下移动而使支承构造134升降。
在支承工作台138的开口部配置有扩展鼓136。扩展鼓136的内径(直径)大于工件11的直径。另一方面，扩展鼓136的外径(直径)小于环状的框架27的内径(直径)和支承工作台138的开口部的直径。
在对扩展片25进行扩展时，首先如图13的(A)所示，使支承工作台138的上表面的高度与扩展鼓136的上端的高度对齐，将框架27载置于支承工作台138的上表面之后，利用夹具140对框架27进行固定。由此，扩展鼓136的上端在工件11与框架27之间与扩展片25接触。
接着，利用升降机构142使支承构造134下降，如图13的(B)所示，使支承工作台138的上表面移动至比扩展鼓136的上端靠下方的位置。其结果是，扩展鼓136相对于支承工作台138上升，扩展片25被扩展鼓136顶起而呈放射状扩展。
当扩展片25进行扩展时，对扩展片25进行扩展的方向的力(放射状的力)作用于工件11。由此，工件11以改质层19为起点而被分割成多个器件芯片。另外，保护膜33也与工件11一起被分割成与各器件芯片对应的较小的保护膜。
另外，在对扩展片25进行扩展之前，可以照射激光束而将保护膜33加工得容易分割，也可以利用同样的方法将保护膜33分割成较小的保护膜。另外，也可以代替上述的方法(被称为所谓的旋涂的方法)而使用丝网印刷等方法形成与各器件芯片对应的大小的多个保护膜。
在对扩展片25进行扩展而对工件11进行分割之后，按照与上述实施方式同样的步骤，通过将保护膜33用作掩模的湿蚀刻将工件11的一部分去除(加工步骤、湿蚀刻步骤)。并且，在通过湿蚀刻将工件11的一部分去除之后，按照与上述实施方式同样的步骤，冲洗附着在工件11等的蚀刻液37(冲洗步骤)。
另外，在冲洗了蚀刻液37之后，按照与上述实施方式同样的步骤，对工件11提供有机溶剂而使保护膜33劣化(劣化步骤)。另外，在使保护膜33劣化之后，按照与上述实施方式同样的步骤对保护膜33提供清洗水，将保护膜33从工件11的正面11a去除(去除步骤)。
在该第1变形例的工件的加工方法中，也在工件11的正面11a上形成由非水溶性的树脂形成的保护膜33，因此在对该工件11进行加工时，通过保护膜33适当地保护工件的正面11a侧。即，不会像使用水溶性的保护膜的情况那样，保护膜在加工的中途消失而损伤工件11的要保护的区域。
另外，在第1变形例的工件的加工方法中，在利用激光束45对工件11进行了改质之后，通过蚀刻液37进行处理，因此将在基于激光束45的改质时所产生的加工变形(热变形)等从工件11去除，提高其品质。另外，在基于激光束45的改质时所用的保护膜33也用于基于蚀刻液37的处理，因此在基于激光束45的改质和基于蚀刻液37的处理中也无需准备不同的保护膜。
另外，在第1变形例的工件的加工方法中，将不需要的保护膜33通过有机溶剂41劣化，然后通过清洗水43去除，也不会像以往那样，保护膜等的残渣残留在工件11的正面上。这样，在第1变形例的工件的加工方法中，也能够解决保护膜33所引起的问题而对工件11进行适当地加工。
另外，在第1变形例的工件的加工方法中，对工件11的一部分进行改质而形成作为分割起点的改质层19，但也可以代替该改质层19而在工件11上形成上述实施方式那样的加工痕17。另外，也可以使被称为切削刀具的圆环状的磨具工具切入至工件11而在工件11上形成作为分割起点的槽、或将工件11切断而分割成多个器件芯片。
另外，在使用激光束或切削刀具将工件11切断的情况下，能够省略向该工件11粘贴扩展片25及扩展片25的扩展。另外，也可以省略将保护膜33用作掩模的湿蚀刻。在该情况下，也可以在利用有机溶剂41使保护膜33劣化而将保护膜33从工件11去除之后，对扩展片25进行扩展而对工件11进行分割。
另一方面，在第2变形例的工件的加工方法中，首先按照与上述实施方式同样的步骤在工件11的背面11b上粘贴比工件11大型的划片带21(划片带粘贴步骤)。在工件11上粘贴了划片带21之后，按照与上述实施方式同样的步骤，在工件11的正面11a上形成由非水溶性的树脂形成的保护膜33(保护膜形成步骤)。
不过，在该第2变形例中，需要按照形成对之后进行的干蚀刻(等离子蚀刻)具有一定程度的耐性的保护膜33的方式选择液态的原料31。在工件11的正面11a上形成了非水溶性的保护膜33之后，例如沿着分割预定线13对保护膜33进行分割(保护膜分割步骤)。即，使工件11的正面11a侧沿着分割预定线13露出。
对保护膜33进行分割的方法没有特别限制，例如可以如上述实施方式那样利用沿着分割预定线13对工件11的正面11a侧照射能够被工件11吸收的波长的激光束35的方法对保护膜33进行分割。在该情况下，在工件11的正面11a侧形成槽(加工痕)等。
在沿着分割预定线13对保护膜33进行了分割之后，通过等离子蚀刻(干蚀刻)将工件11的一部分去除(加工步骤、等离子蚀刻步骤)。图14是示出通过等离子蚀刻将工件11的一部分去除的情况的局部剖视侧视图。在利用等离子蚀刻将工件11的一部分去除时，例如使用图14所示的等离子蚀刻装置152。
等离子蚀刻装置152具有在内部形成有处理用的空间的真空腔室154。在真空腔室154的侧壁上形成有在搬入或搬出工件11等时所用的开口154a。在开口154a的外部设置有覆盖该开口154a的大小的门156。
在门156上连结有开闭机构(未图示)，门156通过该开闭机构例如上下移动。例如通过使门156下降而使开口154a露出，能够通过开口154a将工件11等搬入至真空腔室154的内部的空间、或者将工件11等从真空腔室154的内部的空间搬出。
在真空腔室154的底壁上形成有排气口154b。该排气口154b与真空泵等排气单元158连接。在真空腔室154的空间内配置有下部电极160。下部电极160使用导电性的材料形成为圆盘状，在真空腔室154的外部与高频电源162连接。
在下部电极160的上表面侧例如配置有静电卡盘(未图示)。静电卡盘具有相互绝缘的多个电极，利用在各电极与工件11之间所产生的电力而对工件11进行吸附、保持。不过，该变形例的等离子蚀刻装置152可以不必具有静电卡盘。
在真空腔室154的顶壁上隔着绝缘材料166而安装有使用导电性的材料形成为圆盘状的上部电极164。在上部电极164的下表面侧形成有多个气体喷出孔164a，该气体喷出孔164a经由设置于上部电极164的上表面侧的气体提供孔164b等而与气体提供源168连接。由此，能够将蚀刻用的气体提供至真空腔室154的空间内。该上部电极164也在真空腔室154的外部与高频电源170连接。
在通过等离子蚀刻将工件11的一部分去除时，首先通过开闭机构使门156下降。接着，通过开口154a而将工件11搬入至真空腔室154的空间内并载置于静电卡盘(下部电极160)。在该第2变形例中，在工件11上粘贴有划片带21，因此使划片带21与静电卡盘的上表面接触。
之后，若使静电卡盘进行动作，则工件11在设置于正面11a侧的保护膜33向上方露出的状态下被保持于静电卡盘。在利用静电卡盘对工件11进行了保持之后，隔着保护膜33而对工件11的正面11a侧实施等离子蚀刻，从而沿着分割预定线13形成加工痕。具体而言，首先通过开闭机构使门156上升而使真空腔室154的空间密闭。
另外，使排气单元158进行动作而对空间内进行减压。当在该状态下一边从气体提供源168按照规定的流量提供蚀刻用的气体一边利用高频电源162、170对下部电极160和上部电极164提供适当的高频电力时，在下部电极160与上部电极164之间产生等离子或包含离子等的等离子。
由此，未被保护膜33覆盖的工件11的正面11a侧(与分割预定线13对应的区域)暴露在等离子中，从而能够对工件11进行加工。另外，从气体提供源168提供的蚀刻用的气体根据工件11的材质等而适当选择。
对于等离子蚀刻的具体方式没有限制。例如也可以使用被称为所谓的BOSCH工艺的蚀刻技术在工件11上形成加工痕。在该情况下，例如交替提供SF6和C4F8作为蚀刻用的气体。
在第2变形例中，通过该等离子蚀刻，沿着分割预定线13形成将工件11断开那样的加工痕。其结果是，工件11被分割成分别包含器件15的多个器件芯片。另外，在该第2变形例中，形成了将工件11断开的方式的加工痕，但加工痕也可以是未将工件11断开的槽等。
在通过等离子蚀刻将工件11的一部分去除而形成了加工痕之后，按照与上述实施方式同样的步骤，对工件11提供有机溶剂而使保护膜33劣化(劣化步骤)。另外，在使保护膜33劣化之后，按照与上述实施方式同样的步骤，对保护膜33提供清洗水而将保护膜33从工件11的正面11a去除(去除步骤)。
在该第2变形例的工件的加工方法中，也在工件11的正面11a上形成由非水溶性的树脂形成的保护膜33，因此在对该工件11进行加工时，通过保护膜33适当地保护工件的正面11a侧。即，不会像使用水溶性的保护膜的情况那样，保护膜在加工的中途消失而损伤工件11的要保护的区域。
另外，在第2变形例的工件的加工方法中，将不需要的保护膜33通过有机溶剂41劣化，然后通过清洗水43去除，因此也不会像以往那样，保护膜等的残渣残留在工件11的正面上。这样，在第2变形例的工件的加工方法中，也能够解决保护膜33所引起的问题而对工件11进行适当地加工。
另外，也能够将该第2变形例的基于等离子蚀刻的工件11的加工(等离子蚀刻步骤)应用于上述的实施方式或第1变形例。例如也可以代替上述的实施方式和第1变形例中的基于湿蚀刻的工件11的加工(湿蚀刻步骤)等而应用基于等离子蚀刻的工件11的加工(等离子蚀刻步骤)。
同样地，也可以代替第1变形例的工件11的改质(改质步骤)而应用基于等离子蚀刻的工件11的加工(等离子蚀刻步骤)。在这些情况下，根据需要适当地变更步骤的一部分。
例如在代替第1变形例的工件11的改质而应用基于等离子蚀刻的工件11的加工的情况下，在工件11的正面11a上形成了由非水溶性的树脂形成的保护膜33之后且在通过等离子蚀刻对工件11进行加工之前，需要沿着分割预定线13对保护膜33进行分割。
除此以外，上述的实施方式、第1变形例以及第2变形例的构造、方法等只要不脱离本发明的目的的范围，则可以适当变更并实施。

Claims (6)

1.一种工件的加工方法，其特征在于，
该工件的加工方法包含如下的步骤：
保护膜形成步骤，在工件的正面上形成由非水溶性的树脂形成的保护膜；
加工步骤，对形成有该保护膜的工件进行加工；
劣化步骤，对加工后的工件提供有机溶剂而使该保护膜劣化；以及
去除步骤，对劣化后的该保护膜提供清洗水而将该保护膜从工件的该正面去除。
2.根据权利要求1所述的工件的加工方法，其特征在于，
在使该保护膜劣化时，一边使工件旋转一边对工件的中央部提供该有机溶剂而利用该有机溶剂将工件的整体覆盖，
在将该保护膜从工件的该正面去除时，向工件的该正面侧提供该清洗水而将该保护膜去除。
3.根据权利要求1或2所述的工件的加工方法，其特征在于，
该有机溶剂包含异丙醇。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的工件的加工方法，其特征在于，
在对形成有该保护膜的工件进行加工时，对工件的该正面侧照射能够被工件吸收的波长的激光束而形成工件被部分地去除而得的加工痕。
5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的工件的加工方法，其特征在于，
在对形成有该保护膜的工件进行加工时，一边利用卡盘工作台隔着该保护膜而对工件的该正面侧进行保持，一边对工件的背面进行磨削而使工件变薄。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的工件的加工方法，其特征在于，
在对形成有该保护膜的工件进行加工时，通过蚀刻而将工件的一部分去除，该蚀刻将该保护膜用作掩模。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11037792B2 (en) * 2018-10-25 2021-06-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure etching solution and method for fabricating a semiconductor structure using the same etching solution
KR20200075531A (ko) * 2018-12-18 2020-06-26 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
US20200321250A1 (en) * 2019-04-02 2020-10-08 Semiconductor Components Industries, Llc Wet chemical die singulation systems and related methods
KR102148626B1 (ko) * 2020-02-24 2020-08-26 이장엽 판재의 성형 및 건조 장치
KR20220149885A (ko) * 2021-04-30 2022-11-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US11837464B2 (en) 2022-01-06 2023-12-05 Applied Materials, Inc. Methods, systems, and apparatus for tape-frame substrate cleaning and drying

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020168793A1 (en) * 2001-05-10 2002-11-14 Yoshihiro Izumi Composite active-matrix substrates, methods for manufacturing same, and electromagnetic wave capturing devices
CN105336601A (zh) * 2014-08-05 2016-02-17 株式会社迪思科 晶片的加工方法
JP2018041935A (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 株式会社ディスコ 分割方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0281420A (ja) * 1988-09-19 1990-03-22 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP3209918B2 (ja) * 1996-04-18 2001-09-17 富士通株式会社 剥離液及びそれを使用した半導体装置の製造方法
US6352747B1 (en) * 1999-03-31 2002-03-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Spin and spray coating process for curved surfaces
JP3664605B2 (ja) * 1999-04-30 2005-06-29 信越半導体株式会社 ウェーハの研磨方法、洗浄方法及び処理方法
JP2002141311A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハの研磨方法及びウェーハの洗浄方法
JP3701193B2 (ja) * 2000-11-22 2005-09-28 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US6830979B2 (en) * 2001-05-23 2004-12-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor device
JP2003320466A (ja) 2002-05-07 2003-11-11 Disco Abrasive Syst Ltd レーザビームを使用した加工機
JP4416108B2 (ja) * 2003-11-17 2010-02-17 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの製造方法
JP2005268308A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Sony Corp レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置
JP2006014031A (ja) 2004-06-28 2006-01-12 Nippon Antenna Co Ltd 伸縮式ボトムヘリカルアンテナ
JP4571850B2 (ja) * 2004-11-12 2010-10-27 東京応化工業株式会社 レーザーダイシング用保護膜剤及び該保護膜剤を用いたウエーハの加工方法
JP2010034178A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Mitsubishi Gas Chemical Co Inc シリコンエッチング液およびエッチング方法
JP5171909B2 (ja) * 2010-09-16 2013-03-27 株式会社東芝 微細パターンの形成方法
CN102842595B (zh) * 2011-06-20 2015-12-02 中国科学院微电子研究所 半导体器件及其制造方法
JP5822356B2 (ja) * 2012-04-17 2015-11-24 花王株式会社 シリコンウェーハ用研磨液組成物
JP6043693B2 (ja) * 2012-10-19 2016-12-14 富士フイルム株式会社 保護膜形成用の樹脂組成物、保護膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP2014203954A (ja) * 2013-04-04 2014-10-27 株式会社タムラ製作所 半導体素子の製造方法
JP2017038030A (ja) * 2015-08-14 2017-02-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法及び電子デバイス
JP2018056502A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 株式会社ディスコ デバイスウエーハの加工方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020168793A1 (en) * 2001-05-10 2002-11-14 Yoshihiro Izumi Composite active-matrix substrates, methods for manufacturing same, and electromagnetic wave capturing devices
CN105336601A (zh) * 2014-08-05 2016-02-17 株式会社迪思科 晶片的加工方法
JP2018041935A (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 株式会社ディスコ 分割方法

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