JP2010034178A - シリコンエッチング液およびエッチング方法 - Google Patents

シリコンエッチング液およびエッチング方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010034178A
JP2010034178A JP2008193092A JP2008193092A JP2010034178A JP 2010034178 A JP2010034178 A JP 2010034178A JP 2008193092 A JP2008193092 A JP 2008193092A JP 2008193092 A JP2008193092 A JP 2008193092A JP 2010034178 A JP2010034178 A JP 2010034178A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
silicon
tetramethylammonium
carbonate
mol
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008193092A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuyoshi Yaguchi
和義 矢口
Ryuji Sotoaka
隆二 外赤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Gas Chemical Co Inc filed Critical Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority to JP2008193092A priority Critical patent/JP2010034178A/ja
Priority to CN2009801299126A priority patent/CN102113098A/zh
Priority to PCT/JP2009/061619 priority patent/WO2010013562A1/ja
Priority to GB1101574.0A priority patent/GB2474187B/en
Priority to KR1020117002333A priority patent/KR101625247B1/ko
Priority to US13/055,991 priority patent/US20110171834A1/en
Publication of JP2010034178A publication Critical patent/JP2010034178A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604Chemical etching
    • H01L21/30608Anisotropic liquid etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00523Etching material
    • B81C1/00539Wet etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/02Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an alkali metal hydroxide

Abstract

【課題】
シリコンのエッチング加工、特にMEMS部品の製造工程におけるシリコンの異方性エッチング加工において、ヒドロキシルアミンを含有するエッチング液に特有な加温時のエッチング速度の低下を抑制することによって、エッチング液寿命の長いエッチング液およびエッチング方法を提供する。
【解決手段】
水酸化テトラメチルアンモニウムとヒドロキシルアミンと水溶性炭酸化合物を含有したpH13以上のアルカリ性水溶液であって、単結晶シリコンを異方性に溶解することを特徴としたシリコンエッチング液、且つ該エッチング液を用いるシリコンのエッチング方法。
【選択図】 なし

Description

本発明はシリコンのエッチング加工に関し、特にMEMS部品や半導体デバイスの製造に用いるシリコンエッチング液およびシリコンエッチング方法に関する。
一般にシリコン単結晶基板を化学薬液にてエッチングする場合には、フッ酸と硝酸等の成分を加えた混合水溶液である酸性エッチング液にてエッチングする方法、または水酸化カリウム(KOH)、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)等の水溶液であるアルカリ性エッチング液にてエッチングする方法が行われている(非特許文献1、2参照)。
酸性エッチング液を用いた場合、硝酸等の酸化作用をもった成分によってシリコン表面が酸化されて酸化ケイ素が生成し、この酸化ケイ素はフッ酸等によってフッ化シリコンとして溶解されることによってエッチングが進行する。酸性エッチング液でエッチングを行った際の特徴は、エッチング対象のシリコンが単結晶、多結晶、非晶質のいずれであっても、エッチングが等方的に進行することにある。このため、パターンマスク等を用いてパターンエッチングを行う際、エッチングを深くすればするほど、その深さと同程度の横方向へのエッチング、即ち、パターンマスク下のアンダーカット(侵食)が進行し、不都合を起こす場合がある。
一方、アルカリ性エッチング液を用いた場合、液中のヒドロキシアニオンによってシリコンはケイ酸イオンとして溶解し、この際、水が還元されて水素を発生する。アルカリ性エッチング液でエッチングを行うと、酸性エッチング液とは異なり、単結晶シリコンでのエッチングは異方性を有しながら進行する。これはシリコンの結晶面方位ごとにシリコンの溶解速度に差があることに基づいており、結晶異方性エッチングとも呼ばれる。多結晶でも微視的に見れば異方性を保持しつつエッチングが進行するが、結晶粒の面方位はランダムに分布していることから、巨視的には等方性のエッチングが進行するように見える。非晶質では微視的にも巨視的にも等方性にエッチングが進行する。
アルカリ性エッチング液としては、KOH、TMAHの水溶液以外にも水酸化ナトリウム(NaOH)、アンモニア、ヒドラジンなどの水溶液が使用される。これらの水溶液を用いた単結晶シリコン基板のエッチング加工においては、目的とする加工形状や処理を行う温度条件等にもよるが、数時間から数十時間という長い加工時間を要する場合が多い。
この加工時間を少しでも短縮することを目的に、高いエッチング速度を示す薬液が開発されている。例えば、特許文献1にはTMAHにヒドロキシルアミン類を添加した水溶液をエッチング液として使用する技術が開示されている。また特許文献2にはTMAHに鉄、塩化鉄(III)、水酸化鉄(II)などの特定の化合物を添加した水溶液をエッチング液として使用する技術が開示されており、エッチング速度を速くする効果の高さでは、鉄とヒドロキシルアミンを併用する組み合わせが特に好適であると記載されている。また特許文献3にはKOHにヒドロキシルアミン類を添加した水溶液をエッチング液として使用する技術が開示されている。
特開2006−054363 特開2006−186329 特開2006−351813 佐藤、「シリコンエッチング技術」、表面技術、Vol.51、No.8、2000、p754〜759 江刺、「2003マイクロマシン/MEMS技術大全」、p.109〜114
しかしながら上記特許文献1、2および3に記載の技術においてエッチング速度を促進させるために添加されているヒドロキシルアミンは自己分解性のある化合物であることから、室温での保存中に変質による濃度低下が発生しやすく、エッチング液自体を加温状態に維持する場合に、その濃度低下はいっそう顕著になる。このヒドロキシルアミンの濃度低下はエッチング速度の低下を引き起こすため、加温状態に維持している際には、時間の経過とともにエッチング速度は低下してしまう。そのため、ヒドロキシルアミンを含んだエッチング液を用いて深い孔を形成するようなエッチング加工を行う場合、エッチング加工がどの程度の深さまで進行しているか加工中に何度も確認するという煩雑な操作が必要であった。
そこで本発明の目的は、ヒドロキシルアミンを含んだアルカリ性水溶液の持つエッチング速度が高いという特長を損なうことなく、ヒドロキシルアミンの分解を抑制することで時間の経過にともなうエッチング速度の低下を抑制した、単結晶シリコンを異方性に溶解するシリコンエッチング液並びにシリコンエッチング方法を提供することにある。
本発明者等は上記の課題を解決すべく鋭意研究を行った結果、水酸化テトラメチルアンモニウムとヒドロキシルアミンおよび水溶性炭酸化合物を含有したpH13以上のアルカリ性水溶液でエッチングを行うことによって、シリコンに対するエッチング速度が高いという特長を損なうことなく、ヒドロキシルアミンの分解によるエッチング速度の低下を抑制できることを見出し、本発明を完成するに到った。すなわち本発明は、シリコンエッチング液およびエッチング方法に関するものであり、以下のとおりである。
1.単結晶シリコンを異方性に溶解するシリコンエッチング液であって、(1)水酸化テトラメチルアンモニウム、(2)ヒドロキシルアミン、および(3)二酸化炭素(CO)および/またはテトラメチルアンモニウム炭酸塩を含有したpH13以上のアルカリ性水溶液であることを特徴とするシリコンエッチング液。
2.(3)テトラメチルアンモニウム炭酸塩が炭酸テトラメチルアンモニウム〔{(CHN}CO〕、および炭酸水素テトラメチルアンモニウム〔{(CHN}HCO〕である請求項1記載のシリコンエッチング液。
3.シリコンエッチング液中に含まれる(1)水酸化テトラメチルアンモニウムおよび(3)テトラメチルアンモニウム炭酸塩に由来したテトラメチルアンモニウムイオン{(CH}の量が、シリコンエッチング液1kgあたり1.0molから2.4molの範囲にあり、かつ(3)二酸化炭素(CO)、およびテトラメチルアンモニウム炭酸塩より由来した炭酸イオン(CO 2−)および炭酸水素イオン(HCO )の合計量がテトラメチルアンモニウムイオンの量に対するモル比が0.28から0.42の範囲にある請求項1記載のシリコンエッチング液。
4.単結晶シリコンを異方性に溶解するシリコンエッチング方法であって、(1)水酸化テトラメチルアンモニウム、(2)ヒドロキシルアミン、および(3)二酸化炭素(CO)および/またはテトラメチルアンモニウム炭酸塩を含有したpH13以上のアルカリ性水溶液を用いることを特徴とするシリコンエッチング方法。
5.(3)テトラメチルアンモニウム炭酸塩が炭酸テトラメチルアンモニウム、炭酸水素テトラメチルアンモニウムから選ばれる1種以上である請求項4記載のシリコンエッチング方法。
本願発明により、ヒドロキシルアミンを含んだアルカリ性水溶液の特長である高いエッチング速度を維持した上で、ヒドロキシルアミンの分解を抑制し、エッチング速度の低下を抑制できる、単結晶シリコンを異方性に溶解するシリコンエッチング液並びにシリコンエッチング方法を提供することができる。よって、ヒドロキシルアミンを含んだシリコンエッチング液の長寿命化およびエッチング処理を行う際の頻繁な加工形状確認などの煩雑な操作を大幅に簡略化できる。
本発明に用いる水酸化テトラメチルアンモニウムは、カチオンのテトラメチルアンモニウムイオンとアニオンの水酸化物イオン(OH)からなる強塩基性化合物である。一般的には2%〜25%程度の各種濃度の水溶液として市販されている。
本発明に用いる水溶性炭酸化合物は、二酸化炭素(CO)、炭酸テトラメチルアンモニウム〔{(CHN}CO〕および炭酸水素テトラメチルアンモニウム〔{(CHN}HCO〕である。これらの化合物は水中に溶解すると炭酸イオン(CO 2−)または炭酸水素イオン(HCO )を生じる。
一般的に水溶液中の炭酸イオンは、炭酸水素イオンと平衡状態にあり(1)、更に炭酸水素イオンは二酸化炭素と平衡状態にある(2)(原口監訳「クリスチャン分析化学I.基礎編」、丸善、p.309)。pH値が上昇、即ち、OH濃度が高くなればなるほど(2)の平衡は左辺の方向へと移動し、更には(1)の平衡も左辺の方向へと移動する。つまりpHを上昇させることによって二酸化炭素も炭酸水素イオンも炭酸イオンへと変化させることができる。本発明の水溶性炭酸化合物は、単独で用いても、組み合わせて用いてもどちらでも構わない。これは添加したものが二酸化炭素であろうと、炭酸水素テトラメチルアンモニウムあろうと、pH値の上昇によって平衡が移動すれば炭酸イオンの形態へと変化するためである。添加した水溶性炭酸化合物が二酸化炭素でも炭酸水素テトラメチルアンモニウムでも、pH値を調整することによって、結果的には炭酸テトラメチルアンモニウムを添加して調製したシリコンエッチング液と同等のものを調製することが可能である。
CO 2− + HO ⇔ HCO + OH (1)
HCO + HO ⇔ CO + HO + OH (2)
本発明のシリコンエッチング液中に含まれるテトラメチルアンモニウムイオン量は、このシリコンエッチング液1kg当り1.0molから2.4molとなる範囲で用いられ、より好ましくは1.1molから2.3molとなる範囲で用いられる。更に水溶性炭酸化合物に由来した二酸化炭素(CO)、炭酸イオン(CO 2−)、および炭酸水素イオン(HCO )の合計量がテトラメチルアンモニウムイオン量に対するモル比として、0.28から0.42となる範囲で用いられる。シリコンエッチング液1kgあたりに含まれるテトラメチルアンモニウムイオンの量が1.0molよりも低い濃度範囲では、ヒドロキシルアミンによるエッチング速度の向上効果が小さくなる。また2.4molよりも高い濃度範囲ではヒドロキシルアミンの分解抑制に必要な水溶性炭酸化合物の量も高くなり、エッチング液中の溶解成分の総濃度が高くなるため、比較的少量のシリコンの溶解でケイ酸塩が析出してしまい、取り扱いが煩雑になる。なお本発明におけるテトラメチルアンモニウムイオン濃度は添加した水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水溶性炭酸化合物の量から計算によって求めている。また炭酸イオン濃度がテトラメチルアンモニウムイオン濃度に対するモル比で0.28よりも低い濃度範囲ではヒドロキシルアミンの分解抑制効果はほとんどなく、エッチング速度の低下を抑制することが困難になる。またモル比で0.42よりも高い濃度範囲ではpH値の低下に伴いエッチング速度が低下してしまう。
本発明のエッチング液はpH13以上である必要がある。pHが13未満になるとシリコンのエッチング速度が極端に低下してしまう。本発明はヒドロキシルアミンを含有することによって高いエッチング速度を示すエッチング液に関するものであり、この高いエッチング速度をできるだけ長い時間維持させようというものである。エッチング速度自体が極端に低下し、具体的には、ヒドロキシルアミンを未添加の場合と有意差がないような状態であれば、エッチング速度をできるだけ長い時間維持するということ自体の意味が無くなってしまう。よってpH値を13以上にして、エッチング速度が低下しないようにすることが必要である。
本発明に用いるヒドロキシルアミンの濃度は、所望のシリコンエッチング速度に応じて適宜決定することが可能であり、好ましくは1〜11重量%の範囲で用いられる。1重量%より低い濃度では、ヒドロキシルアミンの添加によるシリコンエッチング速度の向上効果が明確に得られない場合がある。1重量%以上であれば、ヒドロキシルアミンの添加によるエッチング速度の向上効果が明確に得られるようになる。ヒドロキシルアミン濃度を増加させた際には、これに伴いエッチング速度も単調に増加する傾向が見られる。ただし、濃度が11重量%を超えてヒドロキシルアミンの濃度を増加させても、エッチング速度の更なる向上効果は小さい。所望のエッチング速度を考慮した上で、ヒドロキシルアミン濃度を適宜決定すればよい。
本発明のシリコンエッチング方法は、通常、加温されたエッチング液中に対象物を浸漬し、所定時間経過後に取り出し、対象物に付着しているエッチング液を水等で洗い流した後、付着している水を除去、乾燥するという方法が採られている。エッチング液の使用温度としては、40℃以上沸点未満の温度が好ましく、さらに好ましくは50℃から90℃、特に70℃から90℃が好ましい。エッチング液の温度が40℃未満の場合、エッチング速度が低くなるため、生産効率が著しく低下してしまう。沸点まで温度を上げると液組成変化が著しく、エッチング条件を一定に保つことが難しい。エッチング液の温度を高くすることで、エッチング速度は上昇するが、エッチング液の組成変化を小さく抑えることなども考慮した上で、適宜最適な処理温度を決定すればよい。
本発明におけるエッチング処理の対象物は、単結晶シリコンを含んだ基板または多面体ブロックであり、基板やブロックの全域または一部領域に単結晶シリコンが存在しているものである。なお、単結晶シリコンは単層でも多層に積層された状態でも構わない。これらの基板やブロックの全域または一部領域にイオンドープしたものもエッチング処理の対象物となる。またシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、有機系絶縁膜やアルミニウム膜、クロム膜、金膜などの金属膜が上記のエッチング対象物の表面や対象物内部に存在しているものについても、本発明におけるエッチング処理の対象物に含まれる。
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら制限されるものではない。評価に用いたエッチング対象物は単結晶シリコン{100}(単にシリコン{100}という場合がある)ウェハである。このシリコン{100}ウェハの片側の面は、その全面がシリコン熱酸化膜からなる保護膜によって覆われた状態となっており、もう片側の面ではシリコン熱酸化膜の一部をドライエッチングにより除去し、シリコン面が露出したパターン形状を有している。このシリコン{100}ウェハはエッチング処理をする直前に23℃の1%フッ化水素酸水溶液に7分間浸漬し、その後、超純水によるリンスを施し、乾燥を行った。このフッ化水素酸水溶液処理によって、パターン形状のシリコン面が露出した部分の表面に生成しているシリコン自然酸化膜を除去した後エッチング処理を行った。
単結晶シリコン{100}ウェハのエッチング処理方法およびエッチング速度の算出方法
以下の実施例および比較例に示したエッチング液をPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)製の容器に入れ、この容器を湯浴中に浸してエッチング液の温度を80℃に加温した。エッチング液の温度が80℃に達した後、単結晶シリコン{100}ウェハをエッチング液の中に10分間浸してエッチング処理を行い、その後、ウェハを取り出して超純水によるリンスおよび乾燥を行った。エッチング処理を行ったウェハは、シリコンのエッチングに伴いパターン部分が周囲よりも窪んだ状態になり、エッチングされた部分とエッチングされていない部分との高低差を測定することによって、10分間でのシリコン{100}面のエッチング深さを求めた。このエッチング深さを10で割った値をシリコン{100}面のエッチング速度(単位はμm/分)として算出した。
加熱老化試験方法およびエッチング速度低下率
過熱老化試験は、以下の方法に従って実施した。すなわち、エッチング温度80℃でシリコン{100}面のエッチング速度(V)を測定した後、このエッチング液の温度を85℃に上げ、85℃加温状態を24時間継続し、その後、液温を80℃に戻し、再度80℃におけるシリコン{100}面のエッチング速度(V)を測定した。この加熱老化処理前後でのエッチング速度の比較を行い、加熱老化処理前後のエッチング速度の差(V−V)を加熱老化処理前のエッチング速度(V)で割って、100をかけた値をエッチング速度低下率として算出した(数式1)。
エッチング速度低下率(%)=[(V−V)/(V)]×100 (数式1)
なお実施例1〜9および比較例1〜4で行っている加熱老化処理は、エッチング液の安定性を評価するために行った処理の一例に過ぎない。加熱する温度を高くするほど、また加熱する時間を長くするほどヒドロキシルアミンの分解が進行してエッチング速度の低下が顕著となり、加熱温度を低くするほど、また加熱時間を短くするほどエッチング速度の低下が軽減することも言うまでもない。この試験は、各液組成間でのシリコン{100}面のエッチング速度の低下度合いを相対的に比較することが目的であり、エッチング速度低下率そのものがエッチング液の絶対的な安定性を示すものではない。
pH測定
pH測定は、堀場製作所製pHメータ(型式:F−12)を用い23℃で測定した。
本発明の実施例においては、エッチング液に添加する炭酸テトラメチルアンモニウムおよび炭酸水素テトラメチルアンモニウムとしては、多摩化学工業製のTMAC(商品名)を用いた。入手したTMACを自動滴定装置(三菱化学製、型式:GT−100)によって分析した結果、炭酸テトラメチルアンモニウムが18.3%、炭酸水素テトラメチルアンモニウムが40.3%含有されていることが分かった。なお、自動滴定装置による測定では0.1MのHCl標準溶液の滴下に伴いpHが測定され、滴定曲線が自動的にプロットされる。実施例の滴定曲線は2段階のpH変化を示し、第一終点までの滴下量(vo1)と第二終点までの滴下量(vo2)から各々の濃度を求めることができる。炭酸塩と炭酸水素塩の混合物水溶液中における各々の濃度をvo1とvo2から求める方法は一般的に知られており、例えば、「分析化学実験」、裳華房、p.110に記載されている。
実施例1
25重量%水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液276g(この中には0.76molに相当するTMAHが含まれている)、TMAC93g(この中には0.08molに相当する〔{(CHN}CO〕と0.28molに相当する〔{(CHN}HCO〕が含まれている)、50重量%ヒドロキシルアミン(HA)水溶液200gおよび水431gを混合し、1000gのエッチング液を調製した。このエッチング液中のテトラメチルアンモニウムイオン濃度は1.20mol/kg、炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計は0.36mol/kgと計算され、テトラメチルアンモニウムイオン濃度に対する炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計量のモル比は0.30である。このエッチング液中のHA濃度は10重量%であり、このエッチング液のpHは13.7である。
このエッチング液を用いて加熱老化試験を行った結果、Vは1.44μm/分、Vは1.26μm/分、エッチング速度低下率は12.5%であった。
実施例2
25重量%TMAH水溶液391g(この中には1.07molに相当するTMAHが含まれている)、TMAC132g(この中には0.12molに相当する〔{(CHN}CO〕と0.39molに相当する〔{(CHN}HCO〕が含まれている)、50重量%ヒドロキシルアミン(HA)水溶液200gおよび水278gを混合し、1000gのエッチング液を調製した。このエッチング液中のテトラメチルアンモニウムイオン濃度は1.70mol/kg、炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計は0.51mol/kgと計算され、テトラメチルアンモニウムイオン濃度に対する炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計量のモル比は0.30である。このエッチング液中のHA濃度は10重量%であり、このエッチング液のpHは13.9以上である。
このエッチング液を用いて加熱老化試験を行った結果、Vは1.36μm/分、Vは1.18μm/分、エッチング速度低下率は13.2%であった。
実施例3
25重量%TMAH水溶液505g(この中には1.39molに相当するTMAHが含まれている)、TMAC171g(この中には0.15molに相当する〔{(CHN}CO〕と0.51molに相当する〔{(CHN}HCO〕が含まれている)、50重量%ヒドロキシルアミン(HA)水溶液200gおよび水124gを混合し、1000gのエッチング液を調製した。このエッチング液中のテトラメチルアンモニウムイオン濃度は2.20mol/kg、炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計は0.66mol/kgと計算され、テトラメチルアンモニウムイオン濃度に対する炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計量のモル比は0.30である。このエッチング液中のHA濃度は10重量%であり、このエッチング液のpHは13.9以上である。
このエッチング液を用いて加熱老化試験を行った結果、Vは1.27μm/分、Vは1.09μm/分、エッチング速度低下率は14.2%であった。
実施例4
25重量%TMAH水溶液222g(この中には0.61molに相当するTMAHが含まれている)、TMAC124g(この中には0.11molに相当する〔{(CHN}CO〕と0.37molに相当する〔{(CHN}HCO〕が含まれている)、50重量%ヒドロキシルアミン(HA)水溶液200gおよび水454gを混合し、1000gのエッチング液を調製した。このエッチング液中のテトラメチルアンモニウムイオン濃度は1.20mol/kg、炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計は0.48mol/kgと計算され、テトラメチルアンモニウムイオン濃度に対する炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計量のモル比は0.40である。このエッチング液中のHA濃度は10重量%であり、このエッチング液のpHは13.4である。
このエッチング液を用いて加熱老化試験を行った結果、Vは1.44μm/分、Vは1.28μm/分、エッチング速度低下率は11.1%であった。
実施例5
25重量%TMAH水溶液315g(この中には0.87molに相当するTMAHが含まれている)、TMAC176g(この中には0.15molに相当する〔{(CHN}CO〕と0.53molに相当する〔{(CHN}HCO〕が含まれている)、50重量%ヒドロキシルアミン(HA)水溶液200gおよび水309gを混合し、1000gのエッチング液を調製した。このエッチング液中のテトラメチルアンモニウムイオン濃度は1.70mol/kg、炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計は0.68mol/kgと計算され、テトラメチルアンモニウムイオン濃度に対する炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計量のモル比は0.40である。このエッチング液中のHA濃度は10重量%であり、このエッチング液のpHは13.8である。
このエッチング液を用いて加熱老化試験を行った結果、Vは1.38μm/分、Vは1.23μm/分、エッチング速度低下率は10.9%であった。
実施例6
25重量%TMAH水溶液407g(この中には1.12molに相当するTMAHが含まれている)、TMAC228g(この中には0.20molに相当する〔{(CHN}CO〕と0.68molに相当する〔{(CHN}HCO〕が含まれている)、50重量%ヒドロキシルアミン(HA)水溶液200gおよび水165gを混合し、1000gのエッチング液を調製した。このエッチング液中のテトラメチルアンモニウムイオン濃度は2.20mol/kg、炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計は0.88mol/kgと計算され、テトラメチルアンモニウムイオン濃度に対する炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計量のモル比は0.40である。このエッチング液中のHA濃度は10重量%であり、このエッチング液のpHは13.9以上である。
このエッチング液を用いて加熱老化試験を行った結果、Vは1.33μm/分、Vは1.18μm/分、エッチング速度低下率は11.3%であった。
比較例1
25重量%TMAH水溶液436g(この中には1.20molに相当するTMAHが含まれている)、50重量%ヒドロキシルアミン(HA)水溶液200gおよび水364gを混合し、1000gのエッチング液を調製した。このエッチング液中のテトラメチルアンモニウムイオン濃度は1.20mol/kgと計算され、炭酸イオンおよび炭酸水素イオンは含まず、よってテトラメチルアンモニウムイオン濃度に対する炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計量のモル比は0である。このエッチング液中のHA濃度は10重量%であり、このエッチング液のpHは13.9以上である。
このエッチング液を用いて加熱老化試験を行った結果、Vは1.38μm/分、Vは1.05μm/分、エッチング速度低下率は23.9%であった。
比較例2
25重量%TMAH水溶液618g(この中には1.70molに相当するTMAHが含まれている)、50重量%ヒドロキシルアミン(HA)水溶液200gおよび水182gを混合し、1000gのエッチング液を調製した。このエッチング液中のテトラメチルアンモニウムイオン濃度は1.70mol/kgと計算され、炭酸イオンおよび炭酸水素イオンは含まず、よってテトラメチルアンモニウムイオン濃度に対する炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計量のモル比は0である。このエッチング液中のHA濃度は10重量%であり、このエッチング液のpHは13.9以上である。
このエッチング液を用いて加熱老化試験を行った結果、Vは1.18μm/分、Vは0.91μm/分、エッチング速度低下率は22.9%であった。
比較例3
25重量%TMAH水溶液800g(この中には2.20molに相当するTMAHが含まれている)、50重量%ヒドロキシルアミン(HA)水溶液200gを混合し、1000gのエッチング液を調製した。このエッチング液中のテトラメチルアンモニウムイオン濃度は2.20mol/kgと計算され、炭酸イオンおよび炭酸水素イオンは含まず、よってテトラメチルアンモニウムイオン濃度に対する炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計量のモル比は0である。このエッチング液中のHA濃度は10重量%であり、このエッチング液のpHは13.9以上である。
このエッチング液を用いて加熱老化試験を行った結果、Vは0.98μm/分、Vは0.77μm/分、エッチング速度低下率は21.4%であった。
実施例7
25重量%TMAH水溶液618g(この中には1.70molに相当するTMAHが含まれている)および50重量%ヒドロキシルアミン(HA)水溶液200gを混合した。
この水溶液に密閉系で12.4L(23℃、1気圧)のCOガス(これは0.51molのCOに相当する)を全量吸収させた。更に水を加えて1000gのエッチング液を調製した。このエッチング液中のテトラメチルアンモニウムイオン濃度は1.70mol/kg、CO、炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計は0.51mol/kgと計算され、テトラメチルアンモニウムイオン濃度に対するCO、炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計量のモル比は0.30である。このエッチング液中のHA濃度は10重量%であり、このエッチング液のpHは13.9以上である。
このエッチング液を用いて加熱老化試験を行った結果、Vは1.35μm/分、Vは1.17μm/分、エッチング速度低下率は13.3%であった。
実施例8
25重量%TMAH水溶液618g(この中には1.70molに相当するTMAHが含まれている)および50重量%ヒドロキシルアミン(HA)水溶液200gを混合した。
この水溶液に密閉系で16.5L(23℃、1気圧)のCOガスを密閉系にて全量吸収させた。この際に増加した重量は29.9g(0.68mol相当)であった。更に水を加えて1000gのエッチング液を調製した。このエッチング液中のテトラメチルアンモニウムイオン濃度は1.70mol/kg、CO、炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計は0.68mol/kgと計算され、テトラメチルアンモニウムイオン濃度に対するCO、炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計量のモル比は0.40である。このエッチング液中のHA濃度は10重量%であり、このエッチング液のpHは13.8である。
このエッチング液を用いて加熱老化試験を行った結果、Vは1.37μm/分、Vは1.22μm/分、エッチング速度低下率は10.9%であった。
比較例4
25重量%TMAH水溶液618g(この中には1.70molに相当するTMAHが含まれている)および50重量%ヒドロキシルアミン(HA)水溶液200gを混合した。
この水溶液に密閉系で20.6L(23℃、1気圧)のCOガスを密閉系にて全量吸収させた。この際に増加した重量は37.4g(0.85mol相当)であった。更に水を加えて1000gのエッチング液を調製した。このエッチング液中のテトラメチルアンモニウムイオン濃度は1.70mol/kg、CO、炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計は0.85mol/kgと計算され、テトラメチルアンモニウムイオン濃度に対するCO、炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計量のモル比は0.50である。このエッチング液中のHA濃度は10重量%であり、このエッチング液のpHは12.5である。
このエッチング液を用いてシリコンのエッチング処理を行ったが、シリコンは溶解せず、エッチングできなかった。
実施例9
25重量%TMAH水溶液466g(この中には1.28molに相当するTMAHが含まれている)、TMAC88g(この中には0.08molに相当する〔{(CHN}CO〕と0.26molに相当する〔{(CHN}HCO〕が含まれている)、50重量%ヒドロキシルアミン(HA)水溶液200gを混合した。この水溶液に密閉系で8.3L(23℃、1気圧)のCOガスを全量吸収させた。この際に増加した重量は15.0g(0.34mol相当)であった。更に水を加えて1000gのエッチング液を調製した。このエッチング液中のテトラメチルアンモニウムイオン濃度は1.70mol/kg、CO、炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計は0.68mol/kgと計算され、テトラメチルアンモニウムイオン濃度に対するCO、炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計量のモル比は0.40である。このエッチング液中のHA濃度は10重量%であり、このエッチング液のpHは13.8である。
このエッチング液を用いて加熱老化試験を行った結果、Vは1.39μm/分、Vは1.24μm/分、エッチング速度低下率は10.8%であった。
実施例1〜9および比較例1〜4より、水酸化テトラメチルアンモニウムとヒドロキシルアミンを含んだ水溶液中に水溶性炭酸化合物を添加し、テトラメチルアンモニウムイオンの量が、シリコンエッチング液1kgあたり1.0molから2.4molの範囲にあり、なおかつ水溶性炭酸化合物に由来した二酸化炭素(CO)、炭酸イオン(CO 2−)および炭酸水素イオン(HCO )の合計量がテトラメチルアンモニウムイオンの量に対するモル比として0.28から0.42の範囲にすることで、加熱老化試験によるシリコンエッチング速度の低下が抑制されることがわかる。
実施例および比較例の結果を表1に示した。
Figure 2010034178
浸漬温度;80℃、浸漬時間;10分、TMAC;炭酸テトラメチルアンモニウムと炭酸水素テトラメチルアンモニウムの混合水溶液、CO2;二酸化炭素
Tc;テトラメチルアンモニウムイオン濃度、Cc;二酸化炭素、炭酸イオンおよび炭酸水素イオン濃度の合計
※1・・・加熱老化処理前のエッチング速度(V)が検出限界(0.1μm/分)以下のため、エッチング速度低下率を算出することが不能

Claims (5)

  1. 単結晶シリコンを異方性に溶解するシリコンエッチング液であって、(1)水酸化テトラメチルアンモニウム、(2)ヒドロキシルアミン、および(3)二酸化炭素(CO)および/またはテトラメチルアンモニウム炭酸塩を含有したpH13以上のアルカリ性水溶液であることを特徴とするシリコンエッチング液。
  2. (3)テトラメチルアンモニウム炭酸塩が炭酸テトラメチルアンモニウム〔{(CHN}CO〕、および炭酸水素テトラメチルアンモニウム〔{(CHN}HCO〕である請求項1記載のシリコンエッチング液。
  3. シリコンエッチング液中に含まれる(1)水酸化テトラメチルアンモニウムおよび(3)テトラメチルアンモニウム炭酸塩に由来したテトラメチルアンモニウムイオン{(CH}の量が、シリコンエッチング液1kgあたり1.0molから2.4molの範囲にあり、かつ(3)二酸化炭素(CO)、およびテトラメチルアンモニウム炭酸塩より由来した炭酸イオン(CO 2−)および炭酸水素イオン(HCO )の合計量がテトラメチルアンモニウムイオンの量に対するモル比が0.28から0.42の範囲にある請求項1記載のシリコンエッチング液。
  4. 単結晶シリコンを異方性に溶解するシリコンエッチング方法であって、(1)水酸化テトラメチルアンモニウム、(2)ヒドロキシルアミン、および(3)二酸化炭素(CO)および/またはテトラメチルアンモニウム炭酸塩を含有したpH13以上のアルカリ性水溶液を用いることを特徴とするシリコンエッチング方法。
  5. (3)テトラメチルアンモニウム炭酸塩が炭酸テトラメチルアンモニウム、炭酸水素テトラメチルアンモニウムから選ばれる1種以上である請求項4記載のシリコンエッチング方法。
JP2008193092A 2008-07-28 2008-07-28 シリコンエッチング液およびエッチング方法 Pending JP2010034178A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008193092A JP2010034178A (ja) 2008-07-28 2008-07-28 シリコンエッチング液およびエッチング方法
CN2009801299126A CN102113098A (zh) 2008-07-28 2009-06-25 硅蚀刻液和蚀刻方法
PCT/JP2009/061619 WO2010013562A1 (ja) 2008-07-28 2009-06-25 シリコンエッチング液およびエッチング方法
GB1101574.0A GB2474187B (en) 2008-07-28 2009-06-25 Silicon etchant and etching method
KR1020117002333A KR101625247B1 (ko) 2008-07-28 2009-06-25 실리콘 에칭액 및 에칭 방법
US13/055,991 US20110171834A1 (en) 2008-07-28 2009-06-25 Silicon etchant and etching method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008193092A JP2010034178A (ja) 2008-07-28 2008-07-28 シリコンエッチング液およびエッチング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010034178A true JP2010034178A (ja) 2010-02-12

Family

ID=41610265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008193092A Pending JP2010034178A (ja) 2008-07-28 2008-07-28 シリコンエッチング液およびエッチング方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20110171834A1 (ja)
JP (1) JP2010034178A (ja)
KR (1) KR101625247B1 (ja)
CN (1) CN102113098A (ja)
GB (1) GB2474187B (ja)
WO (1) WO2010013562A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012121263A1 (en) * 2011-03-04 2012-09-13 Fujifilm Corporation A method of forming a capacitor structure, and a silicon etching liquid used in this method

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110020966A1 (en) * 2009-07-23 2011-01-27 Canon Kabushiki Kaisha Method for processing silicon substrate and method for producing substrate for liquid ejecting head
KR101985217B1 (ko) * 2012-01-25 2019-09-03 후지필름 가부시키가이샤 커패시터 형성방법
KR102532413B1 (ko) 2016-07-21 2023-05-15 동우 화인켐 주식회사 폴리실리콘 식각액 조성물 및 반도체 소자의 제조방법
CN108987497A (zh) * 2018-07-23 2018-12-11 宁夏大学 一种单晶硅太阳能电池用新型陷光结构的制备方法
US11133186B2 (en) * 2018-09-14 2021-09-28 Disco Corporation Processing method of workpiece
CN112480928A (zh) * 2019-09-11 2021-03-12 利绅科技股份有限公司 硅蚀刻组成物及其作用于硅基材的蚀刻方法
CN111440613B (zh) * 2019-12-09 2022-03-25 杭州格林达电子材料股份有限公司 一种tmah系各向异性硅蚀刻液及其制备方法
KR20210115742A (ko) 2020-03-16 2021-09-27 동우 화인켐 주식회사 식각액 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 어레이 기판의 제조 방법, 및 이에 따라 제조된 어레이 기판
KR20230033319A (ko) 2021-09-01 2023-03-08 동우 화인켐 주식회사 실리콘 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3039483B2 (ja) * 1997-10-16 2000-05-08 日本電気株式会社 半導体基板の処理薬液及び半導体基板の薬液処理方法
JP3525791B2 (ja) 1999-03-30 2004-05-10 株式会社デンソー 表面処理装置
US6599370B2 (en) * 2000-10-16 2003-07-29 Mallinckrodt Inc. Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
CN1690120A (zh) * 2004-03-01 2005-11-02 三菱瓦斯化学株式会社 具有高减震能力的树脂组合物
JP2006040925A (ja) * 2004-07-22 2006-02-09 Tokuyama Corp エッチング方法
JP3994992B2 (ja) * 2004-08-13 2007-10-24 三菱瓦斯化学株式会社 シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法
WO2009044647A1 (ja) * 2007-10-04 2009-04-09 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. シリコンエッチング液およびエッチング方法
GB2472365B (en) * 2008-05-09 2012-04-04 Mitsubishi Gas Chemical Co Silicon etching liquid and etching method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012121263A1 (en) * 2011-03-04 2012-09-13 Fujifilm Corporation A method of forming a capacitor structure, and a silicon etching liquid used in this method
JP2012199521A (ja) * 2011-03-04 2012-10-18 Fujifilm Corp キャパシタ構造の形成方法及びこれに用いられるシリコンエッチング液

Also Published As

Publication number Publication date
KR101625247B1 (ko) 2016-05-27
KR20110044214A (ko) 2011-04-28
GB201101574D0 (en) 2011-03-16
US20110171834A1 (en) 2011-07-14
GB2474187B (en) 2012-10-10
GB2474187A (en) 2011-04-06
CN102113098A (zh) 2011-06-29
WO2010013562A1 (ja) 2010-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010034178A (ja) シリコンエッチング液およびエッチング方法
JP5472102B2 (ja) シリコンエッチング液およびエッチング方法
JP5720573B2 (ja) シリコンエッチング液およびエッチング方法
TWI430353B (zh) 用於製造矽之微結構之各向異性蝕刻劑組成物及蝕刻方法
JP5109261B2 (ja) シリコン微細加工に用いるシリコン異方性エッチング剤組成物
JPWO2009044647A1 (ja) シリコンエッチング液およびエッチング方法
JP2006351813A (ja) シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法
JP6142880B2 (ja) シリコンエッチング液およびエッチング方法並びに微小電気機械素子
JP2009123798A (ja) シリコンエッチング液およびエッチング方法
JP2009117504A (ja) シリコンエッチング液およびエッチング方法
JP7305679B2 (ja) シリコンエッチング液
JP4999800B2 (ja) シリコンエッチング液
JP2009105306A (ja) シリコンエッチング液およびエッチング方法
JP2006351811A (ja) シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法。
JP2006339509A (ja) 金属チタンのエッチング用組成物及びそれを用いたエッチング方法