JPWO2009044647A1 - シリコンエッチング液およびエッチング方法 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 145
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 102
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 78
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 39
- HAMNKKUPIHEESI-UHFFFAOYSA-N aminoguanidine Chemical class NNC(N)=N HAMNKKUPIHEESI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims abstract description 19
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims abstract description 19
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical group [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 64
- OTXHZHQQWQTQMW-UHFFFAOYSA-N (diaminomethylideneamino)azanium;hydrogen carbonate Chemical compound OC([O-])=O.N[NH2+]C(N)=N OTXHZHQQWQTQMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VKGQPUZNCZPZKI-UHFFFAOYSA-N (diaminomethylideneamino)azanium;sulfate Chemical compound NN=C(N)N.NN=C(N)N.OS(O)(=O)=O VKGQPUZNCZPZKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UBDZFAGVPPMTIT-UHFFFAOYSA-N 2-aminoguanidine;hydron;chloride Chemical compound [Cl-].NC(N)=N[NH3+] UBDZFAGVPPMTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BAKYASSDAXQKKY-UHFFFAOYSA-N 4-Hydroxy-3-methylbenzaldehyde Chemical compound CC1=CC(C=O)=CC=C1O BAKYASSDAXQKKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 150000002357 guanidines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 silicic acid ions Chemical class 0.000 description 2
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30608—Anisotropic liquid etching
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
- B81C1/00523—Etching material
- B81C1/00539—Wet etching
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
第四級水酸化アンモニウムおよびアミノグアニジン塩を含有した水溶液を用い、単結晶シリコンを異方的に溶解することを特徴としたシリコンエッチング液、且つ該エッチング液を用いるシリコンのエッチング方法は、シリコンのエッチング加工、特にＭＥＭＳ部品や半導体デバイスの製造工程におけるシリコンのエッチング加工において、高いエッチング速度での加工を可能とするエッチング液およびエッチング方法である。
Description
本発明はシリコンのエッチング加工に関し、特にＭＥＭＳ（ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍｓ）部品や半導体デバイスの製造に用いるシリコンエッチング液並びにシリコンエッチング方法に関する。
従来、シリコン単結晶基板を化学薬液にてエッチングする場合、フッ酸と硝酸等の成分を加えた混合水溶液である酸系エッチング液にてエッチングする方法と、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等の水溶液であるアルカリ系エッチング液にてエッチングする方法などがある（非特許文献１、２参照）。
酸系エッチング液を用いた場合、硝酸等の酸化作用をもった成分によってシリコン表面が酸化されて酸化ケイ素が生成し、この酸化ケイ素はフッ酸等によってフッ化シリコンとして溶解されることによってエッチングが進行する。酸系エッチング液でエッチングを行った際の特徴は、エッチング対象のシリコンが単結晶、多結晶、非晶質のいずれであっても、エッチングが等方向に進行することにある。このため、パターンマスク等を用いてパターンエッチングを行う際、エッチングを深くすればするほど、その深さと同程度の横方向へのエッチング、即ち、パターンマスク下のアンダーカット(侵食)が進行し、不都合を起こす場合がある。
一方、アルカリ系エッチング液を用いた場合、液中のヒドロキシアニオンによってシリコンはケイ酸のイオンとして溶解し、この際、水が還元されて水素を発生する。アルカリ系エッチング液でエッチングを行うと、酸系エッチング液とは異なり、単結晶シリコンでのエッチングは異方性を有しながら進行する。これはシリコンの結晶面方位ごとにシリコンの溶解速度に差があることに基づいており、結晶異方性エッチングとも呼ばれる。多結晶でも微視的に見れば異方性を保持しつつエッチングが進行するが、結晶粒の面方位はランダムに分布していることから、巨視的には等方性のエッチングが進行するように見える。非晶質では微視的にも巨視的にも等方性にエッチングが進行する。アルカリ系エッチング液の一種として、結晶面方位ごとの溶解速度差を利用するだけではなく、ｐ型ドーパントを局所的に打ち込んだ単結晶シリコン基板を対象物にドーパントの有無で溶解選択性を発現させようとするものもあり、アルカリ水溶液にアルコールやフェノール等を添加して異方性を向上させたエッチングを行う方法が提案されている（特許文献１参照）。
アルカリ系エッチング液の中に溶解させるアルカリ化合物は、ＮａＯＨやＫＯＨなどの無機アルカリ化合物と、水酸化テトラメチルアンモニウム、コリンなどの有機アルカリ化合物とに大別できる。
無機アルカリ水溶液と有機アルカリ水溶液を比べた場合、濃度や温度等の条件にも依存するが、一般的に無機アルカリ水溶液の方が高いシリコンエッチング速度を達成できる。このため、高いエッチング速度でシリコンのエッチングを行いたい場合には無機アルカリ水溶液が用いられる場合が多い。一方、ＮａイオンやＫイオンがエッチング対象物であるシリコン基板上、または同一設備を用いて製造する他のシリコン基板上に存在する電気的素子部や電気的配線部の機能に対して影響を与えることが懸念される場合には、水酸化テトラメチルアンモニウム(ＴＭＡＨ)等の有機アルカリ水溶液が用いられる場合が多い（非特許文献３参照）。
また、ＴＭＡＨはシリコンのエッチング用途以外でも、電子材料分野、特に洗浄用溶剤等の分野において一般的に使用される化合物である。例えば、特許文献２に、シリコン、金属、層間誘電材料などの基板自体をエッチングすることなく、基板に付着した汚染物質(レジストおよびドライエッチング残渣等)を除去する水溶性清浄剤としてＴＭＡＨとグアニジン塩からなる洗浄剤を使用することが開示されているが、シリコン自体をエッチングすることを目的とした本発明とは全く異なっている。
特開平６−１８８２３６号公報
特開２００７−１６２３２
佐藤、「シリコンエッチング技術」、表面技術、Vol.51、No.8、2000、ｐ754〜759
江刺、「2003マイクロマシン／MEMS技術大全」、ｐ.109〜114
田畑、「TMAH水溶液によるＳｉ結晶異方性エッチング」、表面技術、Vol.51、No.8、2000、ｐ767〜772
ＴＭＡＨ等の第四級水酸化アンモニウムの水溶液をエッチング液として用いた場合、ＮａイオンやＫイオンによる電気的素子部や電気的配線部の機能に対する好ましくない影響は避けられる一方、エッチング速度が低いために、エッチング加工に要する時間が長くなってしまうという課題があった。
そこで本発明の目的は、第四級水酸化アンモニウムを含んだ水溶液のエッチング速度を向上させることによってエッチング加工に要する時間を短縮できるようなエッチング液並びにエッチング方法を提供することにある。
本発明者等は上記の課題を解決すべく鋭意研究を行った結果、第四級水酸化アンモニウムとアミノグアニジン塩を含んだ水溶液でエッチングすることによって、シリコンに対する高いエッチング速度を達成できることを見出し、本発明を完成するに到った。すなわち本発明は、第四級水酸化アンモニウムおよびアミノグアニジン塩を含有した水溶液であることを特徴とするシリコンエッチング液およびエッチング方法に関するものであり、以下のとおりである。
１．単結晶シリコンを異方的に溶解するシリコンエッチング液であって、（１）第四級水酸化アンモニウムおよび（２）アミノグアニジン塩を含有した水溶液であることを特徴とするシリコンエッチング液。
２．（１）第四級水酸化アンモニウムが水酸化テトラメチルアンモニウムである上記１記載のシリコンエッチング液。
３．（２）アミノグアニジン塩がアミノグアニジン重炭酸塩、アミノグアニジン硫酸塩、アミノグアニジン塩酸塩およびアミノグアニジン硝酸塩から選ばれた１種以上である上記１記載のシリコンエッチング液。
４．（１）第四級水酸化アンモニウムの濃度が３〜３０質量％で、（２）アミノグアニジン塩の濃度が１〜２０質量％である上記１記載のシリコンエッチング液。
５．ｐＨが１１以上である上記１記載のシリコンエッチング液。
６．エッチング対象物を上記１記載のシリコンエッチング液に浸漬する工程を有するシリコンエッチング方法。
７．前記（２）アミノグアニジン塩がアミノグアニジン重炭酸塩、アミノグアニジン硫酸塩、アミノグアニジン塩酸塩およびアミノグアニジン硝酸塩から選ばれた１種以上である上記６記載のシリコンエッチング方法。
１．単結晶シリコンを異方的に溶解するシリコンエッチング液であって、（１）第四級水酸化アンモニウムおよび（２）アミノグアニジン塩を含有した水溶液であることを特徴とするシリコンエッチング液。
２．（１）第四級水酸化アンモニウムが水酸化テトラメチルアンモニウムである上記１記載のシリコンエッチング液。
３．（２）アミノグアニジン塩がアミノグアニジン重炭酸塩、アミノグアニジン硫酸塩、アミノグアニジン塩酸塩およびアミノグアニジン硝酸塩から選ばれた１種以上である上記１記載のシリコンエッチング液。
４．（１）第四級水酸化アンモニウムの濃度が３〜３０質量％で、（２）アミノグアニジン塩の濃度が１〜２０質量％である上記１記載のシリコンエッチング液。
５．ｐＨが１１以上である上記１記載のシリコンエッチング液。
６．エッチング対象物を上記１記載のシリコンエッチング液に浸漬する工程を有するシリコンエッチング方法。
７．前記（２）アミノグアニジン塩がアミノグアニジン重炭酸塩、アミノグアニジン硫酸塩、アミノグアニジン塩酸塩およびアミノグアニジン硝酸塩から選ばれた１種以上である上記６記載のシリコンエッチング方法。
以上、本発明により、ＮａイオンやＫイオンによる電気的素子部や電気的配線部の機能に対する好ましくない影響を避けながら、高いエッチング速度でのシリコンのエッチングが可能になる。このため、従来の第四級水酸化アンモニウム水溶液でのエッチングよりもエッチング速度を向上させることによって、エッチング加工に要する時間を従来よりも短縮できるという効果がある。
本発明に用いる第四級水酸化アンモニウムは、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウムが好ましく、特に水酸化テトラメチルアンモニウムが好ましい。本発明の第四級水酸化アンモニウムは、２種類以上組み合わせて用いても良い。
第四級水酸化アンモニウムの濃度は、所望のシリコンエッチング速度に応じて適宜決定することが可能であり、好ましくは３〜３０質量％の範囲で用いられる。より好ましくは、５〜２９質量％であり、更に好ましくは８〜２６質量％である。３質量％よりも低い濃度範囲では、エッチングされた面の表面にピラミッド状の微細な突起が多量に生成し、最終的に製品の外観および機能に好ましくない影響を与えてしまう場合がある。また３０質量％よりも高い濃度ではアミノグアニジン塩を添加することによって得られるエッチング速度の向上が図れない。
なお３〜３０質量％の濃度範囲内であっても、処理する環境やエッチングするシリコン自体の不純物濃度にも依存して、ピラミッド状の微細な突起が生成することがある。この突起は上記の濃度範囲内の高濃度側では生成する個数が少なくなる傾向があるため、突起の生成を少なくしたい場合には、高濃度側の領域、例えば１０〜３０質量％にて使用するのが好ましい。
一方、多少の突起の生成が、プロセス上、問題とならないような場合には、３〜３０質量％の範囲内において比較的高いエッチング速度が得られる低濃度側の領域、例えば３〜１０質量％にて使用することが可能である。
このように、第四級水酸化アンモニウムの濃度は、３〜３０質量％の範囲で適宜決定することが可能である。
なお３〜３０質量％の濃度範囲内であっても、処理する環境やエッチングするシリコン自体の不純物濃度にも依存して、ピラミッド状の微細な突起が生成することがある。この突起は上記の濃度範囲内の高濃度側では生成する個数が少なくなる傾向があるため、突起の生成を少なくしたい場合には、高濃度側の領域、例えば１０〜３０質量％にて使用するのが好ましい。
一方、多少の突起の生成が、プロセス上、問題とならないような場合には、３〜３０質量％の範囲内において比較的高いエッチング速度が得られる低濃度側の領域、例えば３〜１０質量％にて使用することが可能である。
このように、第四級水酸化アンモニウムの濃度は、３〜３０質量％の範囲で適宜決定することが可能である。
本発明においては第四級水酸化アンモニウムとともにアミノグアニジン塩を用いる。アミノグアニジン塩として、より具体的には、アミノグアニジン重炭酸塩、アミノグアニジン硫酸塩、アミノグアニジン塩酸塩およびアミノグアニジン硝酸塩である。アミノグアニジン塩は、単独で用いても、２種類以上組み合わせて用いてもよい。
アミノグアニジン塩の濃度は、所望のシリコンエッチング速度に応じて適宜決定することが可能であり、好ましくは１〜２０質量％の範囲で用いられる。より好ましくは、５〜２０質量％であり、更に好ましくは１０〜１９質量％である。１質量％より低い濃度では、アミノグアニジン塩の添加によるシリコンエッチング速度の向上効果が明確に得られない場合がある。１質量％以上であれば、アミノグアニジン塩の添加によるエッチング速度の向上効果が明確に得られるようになり、アミノグアニジン塩濃度を増加させた際には、これに伴いエッチング速度も向上する傾向が見られる。ただし、濃度が２０質量％を超えてアミノグアニジン塩の濃度を増加させても、エッチング速度の更なる向上効果が見られない。なお、エッチング液の温度によっては第四級水酸化アンモニウム及びアミノグアニジン塩の溶解性が不十分になることがあるため、所望のエッチング速度を考慮した上で、第四級水酸化アンモニウム及びアミノグアニジン塩濃度を調製すればよい。
また、本発明のエッチング液には、濡れ性を向上するために界面活性剤を添加してもよく、例えばカチオン系、ノニオン系、アニオン系の何れの界面活性剤を使用しても構わない。さらに着色剤等の一般的な添加剤を加えることもできる。本発明のエッチング液のｐＨは、７より高いアルカリであれば好ましく、９以上であるとより好ましく、ｐＨ１１以上がさらに好ましい。
本発明のシリコンエッチング方法は、通常、加温されたエッチング液中にエッチング対象物を浸漬し、所定時間経過後に取り出し、エッチング対象物に付着しているエッチング液をエッチング対象物より除去するために水等でリンスした後、乾燥する方法が行なわれている。エッチング液の使用温度としては、４０℃以上沸点未満の温度が好ましく、さらに好ましくは５０℃から９０℃、特に７０℃から９０℃が好ましい。エッチング液の温度が４０℃未満の場合、エッチング速度が低くなるため、生産効率が著しく低下してしまう。沸点まで温度を上げると液組成変化が著しく、エッチング条件を一定に保つことが難しい。エッチング液の温度を高くすることで、エッチング速度は上昇するが、エッチング液の性能の経時変動を小さく抑えることなども考慮した上で、適宜最適な処理温度を決定すればよい。
本発明におけるエッチング対象物は、単結晶シリコンを含んだ基板または多面体ブロックであり、基板やブロックの全域または一部領域に単結晶シリコンが存在しているものである。なお、単結晶シリコンは単層でも多層に積層された状態でも構わない。これらの基板やブロックの全域または一部領域にイオンドープしたものもエッチング対象物となる。またシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン有機膜等材料やアルミニウム膜、クロム膜、金膜などの金属膜が上記のエッチング対象物の表面や対象物内部に存在しているものについても、本発明におけるエッチング対象物に含まれる。
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら制限されるものではない。実施例および比較例の中の％は質量％を意味する。評価に用いたエッチング対象物は単結晶シリコン（１００）（単にシリコン(１００)という場合がある）ウェハである。このシリコン(１００)ウェハの片側の面は、その全面がシリコン熱酸化膜からなる保護膜によって覆われた状態となっており、もう片側の面ではシリコン熱酸化膜の一部をドライエッチングにより除去し、シリコン面が露出したパターン形状を有している。このシリコン（１００）ウェハはエッチング処理をする直前に１％フッ化水素酸水溶液に常温で３分間浸漬し、その後、超純水によるリンスを施し、乾燥を行った。このフッ化水素酸水溶液処理によって、パターン形状のシリコン面が露出した部分の表面に生成しているシリコン自然酸化膜を除去した後に処理を行った。
実施例１
１０％の水酸化テトラメチルアンモニウムと１０％のアミノグアニジン重炭酸塩を含んだ水溶液をエッチング液として調製した。このエッチング液をＰＴＦＥ製の容器に入れ、この容器を湯浴中に浸してエッチング液の温度を８０℃に加温した。エッチング液の温度が８０℃に達した後、単結晶シリコン（１００）ウェハをエッチング液の中に１０分間浸してエッチング処理を行い、その後、ウェハを取り出して超純水によるリンスおよび乾燥を行った。エッチング処理を行ったウェハは、シリコンのエッチングに伴いパターン部分が周囲よりも窪んだ状態になり、エッチングされた部分とエッチングされていない部分との高低差を測定することによって、１０分間でのシリコン（１００）面のエッチング深さを求めた。このエッチング深さを１０で割った値をシリコン（１００）面のエッチング速度（単位はμｍ/分）として算出した。この結果、シリコン（１００）面のエッチング速度は１．５６μｍ／分であった。
１０％の水酸化テトラメチルアンモニウムと１０％のアミノグアニジン重炭酸塩を含んだ水溶液をエッチング液として調製した。このエッチング液をＰＴＦＥ製の容器に入れ、この容器を湯浴中に浸してエッチング液の温度を８０℃に加温した。エッチング液の温度が８０℃に達した後、単結晶シリコン（１００）ウェハをエッチング液の中に１０分間浸してエッチング処理を行い、その後、ウェハを取り出して超純水によるリンスおよび乾燥を行った。エッチング処理を行ったウェハは、シリコンのエッチングに伴いパターン部分が周囲よりも窪んだ状態になり、エッチングされた部分とエッチングされていない部分との高低差を測定することによって、１０分間でのシリコン（１００）面のエッチング深さを求めた。このエッチング深さを１０で割った値をシリコン（１００）面のエッチング速度（単位はμｍ/分）として算出した。この結果、シリコン（１００）面のエッチング速度は１．５６μｍ／分であった。
実施例２
１０％の水酸化テトラメチルアンモニウムと１０％のアミノグアニジン硫酸塩を含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、１.２１μｍ／分であった。
１０％の水酸化テトラメチルアンモニウムと１０％のアミノグアニジン硫酸塩を含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、１.２１μｍ／分であった。
実施例３
１０％の水酸化テトラメチルアンモニウムと１０％のアミノグアニジン塩酸塩を含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン(１００)面のエッチング速度を調べた結果、１.０９μｍ／分であった。
１０％の水酸化テトラメチルアンモニウムと１０％のアミノグアニジン塩酸塩を含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン(１００)面のエッチング速度を調べた結果、１.０９μｍ／分であった。
実施例４
１０％の水酸化テトラメチルアンモニウムと１０％のアミノグアニジン硝酸塩を含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、１.０８μｍ／分であった。
１０％の水酸化テトラメチルアンモニウムと１０％のアミノグアニジン硝酸塩を含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、１.０８μｍ／分であった。
比較例１
１０％の水酸化テトラメチルアンモニウムのみを含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、シリコン（１００）面のエッチング速度は０.６１μｍ／分であった。
１０％の水酸化テトラメチルアンモニウムのみを含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、シリコン（１００）面のエッチング速度は０.６１μｍ／分であった。
実施例１〜４および比較例１より、有機アルカリ化合物である水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液にアミノグアニジン塩を添加することで、同濃度の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液よりシリコン（１００）面のエッチング速度が向上することがわかる。
実施例５
８％の水酸化テトラメチルアンモニウムと１０％の重炭酸アミノグアニジンを含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン(１００)面のエッチング速度を調べた結果、１.４３μｍ／分であった。
８％の水酸化テトラメチルアンモニウムと１０％の重炭酸アミノグアニジンを含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン(１００)面のエッチング速度を調べた結果、１.４３μｍ／分であった。
比較例２
８％の水酸化テトラメチルアンモニウムのみを含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、シリコン（１００）面のエッチング速度は０.７３μｍ／分であった。
８％の水酸化テトラメチルアンモニウムのみを含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、シリコン（１００）面のエッチング速度は０.７３μｍ／分であった。
実施例６
１５％の水酸化テトラメチルアンモニウムと１０％のアミノグアニジン重炭酸塩を含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、１.０１μｍ／分であった。
１５％の水酸化テトラメチルアンモニウムと１０％のアミノグアニジン重炭酸塩を含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、１.０１μｍ／分であった。
比較例３
１５％の水酸化テトラメチルアンモニウムのみを含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、シリコン（１００）面のエッチング速度は０.６０μｍ／分であった。
１５％の水酸化テトラメチルアンモニウムのみを含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、シリコン（１００）面のエッチング速度は０.６０μｍ／分であった。
実施例７
２５％の水酸化テトラメチルアンモニウムと１０％のアミノグアニジン重炭酸塩を含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、０．６２μｍ／分であった。
２５％の水酸化テトラメチルアンモニウムと１０％のアミノグアニジン重炭酸塩を含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、０．６２μｍ／分であった。
比較例４
２５％の水酸化テトラメチルアンモニウムのみを含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、シリコン（１００）面のエッチング速度は０．４８μｍ／分であった。
２５％の水酸化テトラメチルアンモニウムのみを含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、シリコン（１００）面のエッチング速度は０．４８μｍ／分であった。
実施例１と比較例１および実施例５、６、７と比較例２、３、４より、有機アルカリ化合物である水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液の濃度を変化させたものに対して一定濃度のアミノグアニジン塩を添加した場合に、それぞれの同濃度の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液よりもシリコン（１００）面のエッチング速度が向上することがわかる。
実施例８
２０％の水酸化テトラメチルアンモニウムと５．０％のアミノグアニジン重炭酸塩を含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン(１００)面のエッチング速度を調べた結果、０．６３μｍ／分であった。
２０％の水酸化テトラメチルアンモニウムと５．０％のアミノグアニジン重炭酸塩を含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン(１００)面のエッチング速度を調べた結果、０．６３μｍ／分であった。
実施例９
２０％の水酸化テトラメチルアンモニウムと１０．０％のアミノグアニジン重炭酸塩を含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、０．７２μｍ／分であった。
２０％の水酸化テトラメチルアンモニウムと１０．０％のアミノグアニジン重炭酸塩を含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、０．７２μｍ／分であった。
実施例１０
２０％の水酸化テトラメチルアンモニウムと１２．０％のアミノグアニジン重炭酸塩を含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、０．７７μｍ／分であった。
２０％の水酸化テトラメチルアンモニウムと１２．０％のアミノグアニジン重炭酸塩を含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、０．７７μｍ／分であった。
比較例５
２０％の水酸化テトラメチルアンモニウムのみを含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、０．５１μｍ／分であった。
２０％の水酸化テトラメチルアンモニウムのみを含んだ水溶液をエッチング液として調製し、実施例１と同様な方法でシリコン（１００）面のエッチング速度を調べた結果、０．５１μｍ／分であった。
実施例８、９、１０および比較例５より、有機アルカリ化合物である水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液にアミノグアニジン塩の添加した場合、その添加量に応じてシリコン（１００）面のエッチング速度が向上するのがわかる。
実施例１〜１０及び比較例１〜５において調整されたエッチング液の配合比率並びにそれらのエッチング速度を表１に示す。
Claims (7)
- 単結晶シリコンを異方的に溶解するシリコンエッチング液であって、（１）第四級水酸化アンモニウムおよび（２）アミノグアニジン塩を含有した水溶液であることを特徴とするシリコンエッチング液。
- （１）第四級水酸化アンモニウムが水酸化テトラメチルアンモニウムである請求項１記載のシリコンエッチング液。
- （２）アミノグアニジン塩がアミノグアニジン重炭酸塩、アミノグアニジン硫酸塩、アミノグアニジン塩酸塩およびアミノグアニジン硝酸塩から選ばれた１種以上である請求項１記載のシリコンエッチング液。
- （１）第四級水酸化アンモニウムの濃度が３〜３０質量％で、（２）アミノグアニジン塩の濃度が１〜２０質量％である請求項１記載のシリコンエッチング液。
- ｐＨが１１以上である請求項１記載のシリコンエッチング液。
- エッチング対象物を請求項１記載のシリコンエッチング液に浸漬する工程を有するシリコンエッチング方法。
- （２）アミノグアニジン塩がアミノグアニジン重炭酸塩、アミノグアニジン硫酸塩、アミノグアニジン塩酸塩およびアミノグアニジン硝酸塩から選ばれた１種以上である請求項６記載のシリコンエッチング方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007260827 | 2007-10-04 | ||
| JP2007260827 | 2007-10-04 | ||
| PCT/JP2008/067106 WO2009044647A1 (ja) | 2007-10-04 | 2008-09-22 | シリコンエッチング液およびエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2009044647A1 true JPWO2009044647A1 (ja) | 2011-02-03 |
Family
ID=40526075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009536018A Pending JPWO2009044647A1 (ja) | 2007-10-04 | 2008-09-22 | シリコンエッチング液およびエッチング方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8883652B2 (ja) |
| JP (1) | JPWO2009044647A1 (ja) |
| KR (1) | KR20100080780A (ja) |
| CN (1) | CN101884095B (ja) |
| TW (1) | TW200925253A (ja) |
| WO (1) | WO2009044647A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102027579B (zh) * | 2008-05-09 | 2012-09-26 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 硅蚀刻液和蚀刻方法 |
| JP2010034178A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | シリコンエッチング液およびエッチング方法 |
| WO2011154875A1 (en) * | 2010-06-09 | 2011-12-15 | Basf Se | Aqueous alkaline etching and cleaning composition and method for treating the surface of silicon substrates |
| KR101429250B1 (ko) | 2010-08-20 | 2014-09-25 | 주식회사 팬택 | 단계별 객체 정보 제공이 가능한 단말 장치 및 방법 |
| CN103295902A (zh) * | 2012-03-02 | 2013-09-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 鳍式场效应管及其形成方法 |
| US10400167B2 (en) | 2015-11-25 | 2019-09-03 | Versum Materials Us, Llc | Etching compositions and methods for using same |
| CN108998032B (zh) * | 2017-06-06 | 2021-06-04 | 关东鑫林科技股份有限公司 | 蚀刻液组成物及使用该蚀刻液组成物的蚀刻方法 |
| US10934485B2 (en) * | 2017-08-25 | 2021-03-02 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution for selectively removing silicon over silicon-germanium alloy from a silicon-germanium/ silicon stack during manufacture of a semiconductor device |
| KR20200086180A (ko) * | 2019-01-08 | 2020-07-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 막 식각액 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 |
| CN111440613B (zh) * | 2019-12-09 | 2022-03-25 | 杭州格林达电子材料股份有限公司 | 一种tmah系各向异性硅蚀刻液及其制备方法 |
| KR20230036677A (ko) | 2021-09-08 | 2023-03-15 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
| CN117106451B (zh) * | 2023-10-24 | 2024-02-20 | 浙江奥首材料科技有限公司 | 一种低损伤半导体硅蚀刻液、其制备方法与用途 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7491252B2 (en) * | 2002-03-25 | 2009-02-17 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Tantalum barrier removal solution |
| JP2007505485A (ja) * | 2003-09-09 | 2007-03-08 | シーエスジー ソーラー アクチェンゲゼルシャフト | シリコンをエッチングする方法の改良 |
| JP4700333B2 (ja) * | 2003-12-22 | 2011-06-15 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | シリコンウエーハ用の高純度アルカリエッチング液およびシリコンウエーハアルカリエッチング方法 |
| JP4684869B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2011-05-18 | 株式会社トクヤマ | シリコンエッチング液 |
| US7700533B2 (en) * | 2005-06-23 | 2010-04-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for removal of residue comprising cationic salts and methods using same |
-
2008
- 2008-09-22 US US12/681,247 patent/US8883652B2/en active Active
- 2008-09-22 KR KR1020107007182A patent/KR20100080780A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-09-22 WO PCT/JP2008/067106 patent/WO2009044647A1/ja active Application Filing
- 2008-09-22 CN CN200880109890.2A patent/CN101884095B/zh active Active
- 2008-09-22 JP JP2009536018A patent/JPWO2009044647A1/ja active Pending
- 2008-10-02 TW TW97137853A patent/TW200925253A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2009044647A1 (ja) | 2009-04-09 |
| US8883652B2 (en) | 2014-11-11 |
| TW200925253A (en) | 2009-06-16 |
| CN101884095A (zh) | 2010-11-10 |
| CN101884095B (zh) | 2012-06-27 |
| KR20100080780A (ko) | 2010-07-12 |
| US20100248495A1 (en) | 2010-09-30 |
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