JP4700333B2 - シリコンウエーハ用の高純度アルカリエッチング液およびシリコンウエーハアルカリエッチング方法 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 98
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 39
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 39
- 239000003513 alkali Substances 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 34
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 18
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 claims description 12
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 claims description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N lithium nitrate Chemical compound [Li+].[O-][N+]([O-])=O IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 7
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 claims description 4
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 74
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 37
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 20
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 15
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- -1 nitrite ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000000918 plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M sodium nitrite Chemical group [Na+].[O-]N=O LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M Nitrite anion Chemical compound [O-]N=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AZFNGPAYDKGCRB-XCPIVNJJSA-M [(1s,2s)-2-amino-1,2-diphenylethyl]-(4-methylphenyl)sulfonylazanide;chlororuthenium(1+);1-methyl-4-propan-2-ylbenzene Chemical compound [Ru+]Cl.CC(C)C1=CC=C(C)C=C1.C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)[N-][C@@H](C=1C=CC=CC=1)[C@@H](N)C1=CC=CC=C1 AZFNGPAYDKGCRB-XCPIVNJJSA-M 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000001479 atomic absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 235000010289 potassium nitrite Nutrition 0.000 description 1
- 239000004304 potassium nitrite Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000010288 sodium nitrite Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3063—Electrolytic etching
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30608—Anisotropic liquid etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02019—Chemical etching
Description
本発明は、新規なシリコンウエーハ用の高純度アルカリエッチング液及びそれを用いるシリコンウエーハアルカリエッチング方法に関する。
ＩＣやＬＳＩ等の集積回路やトランジスタやダイオード等の個別半導体素子に用いられるシリコンウエーハを製造する場合には、チョクラルスキー法（ＣＺ法）やフロートゾーン法（ＦＺ法）によって得られた単結晶を内周刃切断機やワイヤーソーを用いて切断し、周辺部を面取り加工し、平坦度を向上させるために主表面を遊離砥粒によるラップ加工をした後に、これらの工程でウエーハに加えられた加工歪を除去するため湿式エッチングがなされ、その後鏡面研磨が行われている。この加工歪を除去する湿式エッチングに水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のアルカリを用いるアルカリエッチングがある。かかるアルカリエッチングはエッチングレートが遅いことからエッチング後のウエーハの平坦度の良好なものが得られるという利点を有する一方、アルカリエッチング液に含まれる金属不純物がアルカリエッチング中にウエーハ内部に拡散してしまうという欠点があった。
本発明は、上記欠点のないシリコンウエーハ用の高純度アルカリエッチング液およびシリコンウエーハアルカリエッチング方法を提供することを目的とする。
本発明者等は、上記の欠点が、極めて高純度の水酸化ナトリウム溶液をアルカリエッチング液に用いることで解消できることを見出し本発明を完成した。
すなわち、本発明にかかるアルカリエッチング液は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｇ及びＣｒ元素含有量が、それぞれ１ｐｐｂ以下、Ｐｂ及びＦｅ元素含有量が、それぞれ５ｐｐｂ以下、Ａｌ、Ｃａ及びＺｎ元素含有量が、それぞれ１０ｐｐｂ以下、塩化物、硫酸塩、リン酸塩及び窒素化合物が、それぞれ１ｐｐｍ以下である水酸化ナトリウムに、硝酸塩を溶解したアルカリエッチング液であって、水酸化ナトリウム成分が４０〜６０質量％でかつ０．０１〜１０質量％の硝酸塩が添加されたアルカリエッチング液であることを特徴とする。
また、本発明にかかるシリコンウエーハのアルカリエッチング方法は、本発明のアルカリエッチング液を使用することを特徴とする。
さらに本発明にはＣｕ、Ｎｉ、Ｍｇ及びＣｒ元素含有量が、それぞれ１ｐｐｂ以下、Ｐｂ及びＦｅ元素含有量が、それぞれ５ｐｐｂ以下、Ａｌ、Ｃａ及びＺｎ元素含有量が、それぞれ１０ｐｐｂ以下、塩化物、硫酸塩、リン酸塩及び窒素化合物が、それぞれ１ｐｐｍ以下である水酸化ナトリウムに、０．０１〜１０質量％の硝酸塩を溶解したアルカリエッチング液を用いてシリコンウエーハをアルカリエッチングし、エッチング後のウエーハにおける重金属の付着量が１×１０１０atoms/cm２以下且つエッチングによる平坦度劣化（ΔＴＴＶ＝エッチング後ＴＴＶ−エッチング前ＴＴＶ）が１μｍ以下であるシリコンウエーハを製造する方法が含まれる
本発明によるアルカリエッチング液は、金属不純物の含有量が極めて低い高純度の水酸化ナトリウム溶液を用いたものであり、かつ亜硝酸イオン及び／又は硝酸イオンの存在により、エッチングムラの発生を制御可能となり、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｃｒ元素含有量が１ｐｐｂ以下、Ｐｂ，Ｆｅ元素含有量が５ｐｐｂ以下、Ａｌ，Ｃａ，Ｚｎ元素含有量が１０ｐｐｂ以下、塩化物，硫酸塩，リン酸塩，窒素化合物が１ｐｐｍ以下であり、かつ平坦度においても極めて優れたシリコンウエーハの製造を可能とする。
（アルカリエッチング液）
本発明にかかるアルカリエッチング液は、従来用いられてきたシリコンウエーハ用アルカリエッチング用のエッチング液とは相違し、含まれる金属不純物の含有量が極めて少ないアルカリ水溶液を使用する。ここで不純物として含まれる金属とは、非イオン性、イオン性のいずれの形態も含まれ、その金属の種類においても制限されるものではない。本発明においては、アルカリエッチングにおいてウエーハ内部に拡散し、ウエーハの品質を低下させることが知られている金属をすべて含む。特に遷移金属が含まれ、そのうちでも特に鉄，ニッケル，銅，クロムが該当する。
本発明にかかるアルカリエッチング液は、従来用いられてきたシリコンウエーハ用アルカリエッチング用のエッチング液とは相違し、含まれる金属不純物の含有量が極めて少ないアルカリ水溶液を使用する。ここで不純物として含まれる金属とは、非イオン性、イオン性のいずれの形態も含まれ、その金属の種類においても制限されるものではない。本発明においては、アルカリエッチングにおいてウエーハ内部に拡散し、ウエーハの品質を低下させることが知られている金属をすべて含む。特に遷移金属が含まれ、そのうちでも特に鉄，ニッケル，銅，クロムが該当する。
また、金属不純物の含有量が極めて少ないとは、少なければすくないほど好ましいが、本発明においてはＣｕ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｃｒ元素含有量が１ｐｐｂ以下、Ｐｂ，Ｆｅ元素含有量が５ｐｐｂ以下、Ａｌ，Ｃａ，Ｚｎ元素含有量が１０ｐｐｂ以下、塩化物，硫酸塩，リン酸塩，窒素化合物が１ｐｐｍ以下であるものを意味する。かかる低濃度の金属不純物のみ含むアルカリ水溶液は従来シリコンウエーハのアルカリエッチングには用いられていなかった。
また、本発明で好ましく使用できるアルカリ水溶液の濃度については特に制限はなく、所望のエッチングを達成するべく適宜最適なアルカリ濃度を選択することが可能である。具体的には、アルカリ成分が２０質量％〜７０質量％の範囲であり、好ましくは４０質量％〜６０質量％、より好ましくは５０質量％〜５５質量％の範囲である。
かかる極めて金属不純物の含有量の少ないアルカリ水溶液の製造方法についても特に制限はなく、従来公知の高純度を目的とした化学的及び／又は電気化学的方法により得ることが可能である。具体的には電解分解（特許第３３８０６５８号）の方法が挙げられる。または従来方法により製造された１ｐｐｂより多い金属不純物が含有されているアルカリ水溶液を従来公知の方法により不純物を１ｐｐｂ以下になるまで除去することも可能である。
本発明にかかるアルカリエッチング液の他の特徴は、上で説明した高純度の水酸化ナトリウム水溶液によるシリコンウエーハ表面で生じ得るいわゆるエッチングムラを制御するために種々の塩（又は酸）を添加することである。これは本発明者等により得られた次の知見に基づく。すなわち上で説明した高純度のアルカリ水溶液によるエッチングでは確かに金属不純物が極めて少ないシリコンウエーハが得られたが、シリコンウエーハ表面でいわゆるエッチングムラが生成し、エッチング後の平坦度が極めて劣化することがあり、そのエッチングムラを種々の塩（又は酸）を添加することで制御することができることを見出したものである。
この目的で添加可能な塩については特に制限はない。種々の塩を添加し、所望のエッチングムラの制御が可能な塩の種類と濃度を選択することができる。本発明では硝酸塩及び／又は亜硝酸塩の添加が好ましい。
添加される塩の濃度についても特に制限はなく塩の種類と、所望のエッチングムラの制御が可能な濃度を適宜選択することができる。本発明では０．０１質量％〜２０質量％、好ましくは０．０５質量％〜１０質量％の範囲である。
また、アルカリ水溶液に酸を添加することも可能であるが、その場合はアルカリ成分と中和反応により、所望の濃度の塩を生成することになる。
本発明による高純度シリコンウエーハ用アルカリエッチング液は、通常のアルカリエッチング液と同様に保存することができる。
（アルカリエッチング方法）
本発明にかかるアルカリエッチング方法は、上で説明した本発明にかかるアルカリエッチング液を使用することを特徴とする。
本発明にかかるアルカリエッチング方法は、上で説明した本発明にかかるアルカリエッチング液を使用することを特徴とする。
本発明にかかるアルカリエッチング方法に使用するエッチング条件については特に制限はなく、通常公知のアルカリエッチング液を使用する場合に設定される条件が好ましく使用可能である。具体的にはエッチング濃度、エッチング液量、エッチング時間、温度、攪拌等が挙げられる。
さらに、本発明にかかるアルカリエッチング方法に使用する装置についても特に制限はなく、通常公知のアルカリエッチング液を使用する場合に用いられる装置好ましく使用可能である。特に装置から混入金属不純物の量に注意するべきである。
本発明により製造されるシリコンウエーハは、金属不純物による汚染が極めて少ないだけでなく平坦性についても非常に優れている。
金属不純物の種類及び量、ウエーハ中への金属不純物の拡散の程度については従来公知の種々の測定手段により評価することが可能である。具体的には原子吸光分析や融合結合プラズマ質量分析が挙げられる。さらにシリコンウエーハの平坦性についても、従来公知の種々の測定手段により評価することが可能である。具体的にはＡＤＥ社製のＵｌｔｒａｓｃａｎやＥ＋Ｈ社製のＭＸ３０２が挙げられる。
以下本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
［実施例１］
アルカリ濃度４８質量％の高純度水酸化ナトリウム（鶴見曹達（株）製：ＣＬＥＡＲＣＵＴ−Ｓ４８％）水溶液中に、硝酸ナトリウム（和光純薬工業（株）製：試薬特級）０．０５質量％を溶解してアルカリエッチング液を調製した。調製したアルカリエッチング液を充填容量１５リットルの角型エッチング処理槽に充填した。ラッピング処理された直径２００ｍｍのシリコンウエーハをキャリアーに装填してこのアルカリエッチング液中に浸した。液温度８５℃で７〜１１分間処理することで２５μｍエッチング処理した。後ウエーハを水洗浄槽に移して洗浄し、乾燥した。
アルカリ濃度４８質量％の高純度水酸化ナトリウム（鶴見曹達（株）製：ＣＬＥＡＲＣＵＴ−Ｓ４８％）水溶液中に、硝酸ナトリウム（和光純薬工業（株）製：試薬特級）０．０５質量％を溶解してアルカリエッチング液を調製した。調製したアルカリエッチング液を充填容量１５リットルの角型エッチング処理槽に充填した。ラッピング処理された直径２００ｍｍのシリコンウエーハをキャリアーに装填してこのアルカリエッチング液中に浸した。液温度８５℃で７〜１１分間処理することで２５μｍエッチング処理した。後ウエーハを水洗浄槽に移して洗浄し、乾燥した。
得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハに付着した金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。なお、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶの測定はそれぞれ以下に準じて行った。
「ウエーハ評価試験法」
（１）エッチング速度：（エッチング前厚み−エッチング後厚み）÷エッチング時間。
「ウエーハ評価試験法」
（１）エッチング速度：（エッチング前厚み−エッチング後厚み）÷エッチング時間。
なお、ウエーハの厚みの測定には平均厚みと中心厚みの場合があるが、本実施例の場合、中心厚み測定値を採用した。
（２）目視検査：暗室にてハロゲンランプを用いて１０５，０００ルクスの光をウエーハに照射し、肉眼にてエッチムラの有無を観察。
（３）粗度：（株）ミツトヨ製ＳＪ−２０１Ｐを用いてＲａを測定。
（４）光沢度：日本電色工業（株）製 ＰＧ−１Ｍにて測定。
（５）ΔＴＴＶ：エッチング後ＴＴＶ−エッチング前ＴＴＶ。
（６）ウエーハに付着した金属付着量：原子吸光分析法はＩＣＰ−ＭＳ（融合結合プラズマ質量分析）
（２）目視検査：暗室にてハロゲンランプを用いて１０５，０００ルクスの光をウエーハに照射し、肉眼にてエッチムラの有無を観察。
（３）粗度：（株）ミツトヨ製ＳＪ−２０１Ｐを用いてＲａを測定。
（４）光沢度：日本電色工業（株）製 ＰＧ−１Ｍにて測定。
（５）ΔＴＴＶ：エッチング後ＴＴＶ−エッチング前ＴＴＶ。
（６）ウエーハに付着した金属付着量：原子吸光分析法はＩＣＰ−ＭＳ（融合結合プラズマ質量分析）
［実施例２］
硝酸ナトリウムの濃度を０．１質量％とした他は実施例１と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。また目視検査時の写真及び表面の顕微鏡観察によるエッチングムラを測定した結果を図１に示した。
硝酸ナトリウムの濃度を０．１質量％とした他は実施例１と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。また目視検査時の写真及び表面の顕微鏡観察によるエッチングムラを測定した結果を図１に示した。
［実施例３］
硝酸ナトリウムの濃度を１．０質量％とした他は実施例１と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
硝酸ナトリウムの濃度を１．０質量％とした他は実施例１と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
［実施例４］
硝酸ナトリウムの濃度を５質量％とした他は実施例１と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
硝酸ナトリウムの濃度を５質量％とした他は実施例１と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
［実施例５］
硝酸ナトリウムの濃度を１０質量％とした他は実施例１と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
硝酸ナトリウムの濃度を１０質量％とした他は実施例１と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
［参考例６］
硝酸ナトリウムを亜硝酸ナトリウムに替えた他は実施例２と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
硝酸ナトリウムを亜硝酸ナトリウムに替えた他は実施例２と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
［実施例７］
水酸化ナトリウムの濃度を３０質量％とした他は実施例３と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
水酸化ナトリウムの濃度を３０質量％とした他は実施例３と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
［実施例８］
硝酸ナトリウムに替えて硝酸カリウムとした他は実施例２と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
硝酸ナトリウムに替えて硝酸カリウムとした他は実施例２と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
［参考例９］
硝酸ナトリウムに替えて亜硝酸カリウムとした他は実施例２と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
硝酸ナトリウムに替えて亜硝酸カリウムとした他は実施例２と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
［実施例１０］
硝酸ナトリウムに替えて硝酸リチウムとした他は実施例２と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
硝酸ナトリウムに替えて硝酸リチウムとした他は実施例２と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
［実施例１１］
水酸化ナトリウムの濃度を５１質量％とした他は実施例２と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
水酸化ナトリウムの濃度を５１質量％とした他は実施例２と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
［比較例１］
添加剤を添加せず実施例１と同様にしてエッッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。また目視検査時の写真及び表面の顕微鏡観察によるエッチングムラを測定した結果を図２に示した。
添加剤を添加せず実施例１と同様にしてエッッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。また目視検査時の写真及び表面の顕微鏡観察によるエッチングムラを測定した結果を図２に示した。
［比較例２］
添加剤を添加せず実施例１１と同様にしてエッッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
添加剤を添加せず実施例１１と同様にしてエッッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
［比較例３］
高純度水酸化ナトリウムにかえて、従来よりある重金属を数十ｐｐｂ、各種の塩を数ｐｐｍ含有する水酸化ナトリウムとした以外は比較例２と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
高純度水酸化ナトリウムにかえて、従来よりある重金属を数十ｐｐｂ、各種の塩を数ｐｐｍ含有する水酸化ナトリウムとした以外は比較例２と同様にしてエッチング液を調製した。さらに実施例１と同様にシリコンウエーハをエッチング処理した。得られたウエーハを次の試験法により、エッチング速度、目視検査、粗度、光沢度、ΔＴＴＶ、ウエーハ表面の金属付着量を測定した。得られた結果は表１にまとめた。
本発明により製造されるシリコンウエーハは、金属不純物による汚染が極めて少ないだけでなく平坦性についても非常に優れている。
Claims (3)
- 金属不純物として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｇ及びＣｒ元素含有量が、それぞれ１ｐｐｂ以下、Ｐｂ及びＦｅ元素含有量が、それぞれ５ｐｐｂ以下、Ａｌ、Ｃａ及びＺｎ元素含有量が、それぞれ１０ｐｐｂ以下の、４０〜６０質量％の水酸化ナトリウム水溶液に、０．０１〜１０質量％の硝酸ナトリウム、硝酸カリウム及び硝酸リチウムのいずれかからなる硝酸塩を溶解したことを特徴とするシリコンウエーハのアルカリエッチング液。
- 金属不純物として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｇ及びＣｒ元素含有量が、それぞれ１ｐｐｂ以下、Ｐｂ及びＦｅ元素含有量が、それぞれ５ｐｐｂ以下、Ａｌ、Ｃａ及びＺｎ元素含有量が、それぞれ１０ｐｐｂ以下の、４０〜６０質量％の水酸化ナトリウム水溶液に、０．０１〜１０質量％の硝酸ナトリウム、硝酸カリウム及び硝酸リチウムのいずれかからなる硝酸塩を溶解したアルカリエッチング液を用いてシリコンウエーハをアルカリエッチングすることを特徴とするシリコンウエーハアルカリエッチング方法。
- 金属不純物として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｇ及びＣｒ元素含有量が、それぞれ１ｐｐｂ以下、Ｐｂ及びＦｅ元素含有量が、それぞれ５ｐｐｂ以下、Ａｌ、Ｃａ及びＺｎ元素含有量が、それぞれ１０ｐｐｂ以下の、４０〜６０質量％の水酸化ナトリウム水溶液に、０．０１〜１０質量％の硝酸ナトリウム、硝酸カリウム及び硝酸リチウムのいずれかからなる硝酸塩を溶解したアルカリエッチング液を用いてシリコンウエーハをアルカリエッチングし、エッチング後のウエーハにおける重金属の付着量が１×１０１０atoms／cm２以下であり、且つエッチングによる平坦度劣化（ΔＴＴＶ＝エッチング後ＴＴＶ−エッチング前ＴＴＶ）が１μｍ以下であることを特徴とするシリコンウエーハを製造する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004353252A JP4700333B2 (ja) | 2003-12-22 | 2004-12-06 | シリコンウエーハ用の高純度アルカリエッチング液およびシリコンウエーハアルカリエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003425672 | 2003-12-22 | ||
| JP2003425672 | 2003-12-22 | ||
| JP2004353252A JP4700333B2 (ja) | 2003-12-22 | 2004-12-06 | シリコンウエーハ用の高純度アルカリエッチング液およびシリコンウエーハアルカリエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005210085A JP2005210085A (ja) | 2005-08-04 |
| JP4700333B2 true JP4700333B2 (ja) | 2011-06-15 |
Family
ID=34544950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004353252A Active JP4700333B2 (ja) | 2003-12-22 | 2004-12-06 | シリコンウエーハ用の高純度アルカリエッチング液およびシリコンウエーハアルカリエッチング方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7288206B2 (ja) |
| EP (1) | EP1548812B1 (ja) |
| JP (1) | JP4700333B2 (ja) |
| KR (1) | KR100647148B1 (ja) |
| CN (1) | CN100415934C (ja) |
| DE (1) | DE602004022125D1 (ja) |
| TW (1) | TWI254985B (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4552616B2 (ja) * | 2004-11-22 | 2010-09-29 | セイコーエプソン株式会社 | エッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法 |
| JP4835069B2 (ja) * | 2005-08-17 | 2011-12-14 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコンウェーハの製造方法 |
| JP5017709B2 (ja) * | 2006-09-07 | 2012-09-05 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | シリコンウェーハのエッチング方法および半導体シリコンウェーハの製造方法 |
| JP2008166805A (ja) * | 2006-12-29 | 2008-07-17 | Siltron Inc | 高平坦度シリコンウェハーの製造方法 |
| JP5142592B2 (ja) | 2007-06-06 | 2013-02-13 | 関東化学株式会社 | 基板の洗浄またはエッチングに用いられるアルカリ性水溶液組成物 |
| CN101884095B (zh) * | 2007-10-04 | 2012-06-27 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 硅蚀刻液和蚀刻方法 |
| JP2009141165A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Siltronic Japan Corp | シリコンウェハのエッチング方法 |
| JP5379441B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2013-12-25 | 関東化学株式会社 | 基板処理用アルカリ性水溶液組成物 |
| JP5216749B2 (ja) * | 2009-11-02 | 2013-06-19 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | シリコンウエーハの加工方法 |
| EP2983195A1 (en) * | 2014-08-04 | 2016-02-10 | EpiGan NV | Semiconductor structure comprising an active semiconductor layer of the iii-v type on a buffer layer stack and method for producing semiconductor structure |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3380658B2 (ja) | 1995-09-19 | 2003-02-24 | 鶴見曹達株式会社 | アルカリ溶液の精製方法 |
| CN1188817A (zh) * | 1996-11-15 | 1998-07-29 | Memc电子材料有限公司 | 在超声场的存在下用稀化学蚀刻剂控制二氧化硅蚀刻速率 |
| JP3686910B2 (ja) | 1997-09-29 | 2005-08-24 | 三菱住友シリコン株式会社 | シリコンウェーハのエッチング方法 |
| JP3400694B2 (ja) | 1997-11-14 | 2003-04-28 | 東芝セラミックス株式会社 | シリコンウエハのエッチング方法 |
| EP0928017B1 (en) | 1997-12-09 | 2014-09-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Semiconductor wafer processing method |
| JP4113288B2 (ja) * | 1998-09-04 | 2008-07-09 | スピードファム株式会社 | 研磨用組成物およびそれを用いたシリコンウェーハの加工方法 |
| US6338805B1 (en) * | 1999-07-14 | 2002-01-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for fabricating semiconductor wafers with external gettering |
| US6225136B1 (en) * | 1999-08-25 | 2001-05-01 | Seh America, Inc. | Method of producing a contaminated wafer |
| JP2001250807A (ja) | 1999-12-28 | 2001-09-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エッチング液、エッチング方法及び半導体シリコンウェーハ |
| JP3563017B2 (ja) * | 2000-07-19 | 2004-09-08 | ロデール・ニッタ株式会社 | 研磨組成物、研磨組成物の製造方法及びポリシング方法 |
-
2004
- 2004-12-06 JP JP2004353252A patent/JP4700333B2/ja active Active
- 2004-12-16 EP EP04029853A patent/EP1548812B1/en active Active
- 2004-12-16 DE DE602004022125T patent/DE602004022125D1/de active Active
- 2004-12-21 TW TW093139905A patent/TWI254985B/zh active
- 2004-12-22 US US11/020,832 patent/US7288206B2/en active Active
- 2004-12-22 CN CNB2004101037349A patent/CN100415934C/zh active Active
- 2004-12-22 KR KR1020040110308A patent/KR100647148B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE602004022125D1 (de) | 2009-09-03 |
| US7288206B2 (en) | 2007-10-30 |
| EP1548812A1 (en) | 2005-06-29 |
| EP1548812B1 (en) | 2009-07-22 |
| TWI254985B (en) | 2006-05-11 |
| JP2005210085A (ja) | 2005-08-04 |
| KR20050063733A (ko) | 2005-06-28 |
| US20050133759A1 (en) | 2005-06-23 |
| TW200522194A (en) | 2005-07-01 |
| CN100415934C (zh) | 2008-09-03 |
| CN1648287A (zh) | 2005-08-03 |
| KR100647148B1 (ko) | 2006-11-23 |
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|
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|
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140311 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140311 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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