KR100647148B1 - 실리콘 웨이퍼용 고순도 알칼리 에칭액 및 실리콘웨이퍼의 알칼리 에칭 방법 - Google Patents

실리콘 웨이퍼용 고순도 알칼리 에칭액 및 실리콘웨이퍼의 알칼리 에칭 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 금속 불순물에 의한 오염이 매우 낮고, 우수한 평탄도를 부여하는 실리콘 웨이퍼용 고순도 알칼리 에칭액, 및 이를 이용한 실리콘 웨이퍼의 알칼리 에칭 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 에칭액은, Cu, Ni, Mg 및 Cr 원소 함유량이 1ppb 이하, Pb 및 Fe 원소 함유량이 5ppb 이하, Al, Ca 및 Zn 원소 함유량이 10ppb 이하, 염화물, 황산염, 인산염 및 질소 화합물이 lppm 이하인 고순도 수산화나트륨의 용액으로서, 수산화나트륨 성분을 40∼60wt%로 포함하고, 질산염 및/또는 아질산염이 O.O1∼10 wt% 첨가된 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼용 고순도 알칼리 에칭액이다.
알칼리 에칭액, 고순도

Description

실리콘 웨이퍼용 고순도 알칼리 에칭액 및 실리콘 웨이퍼의 알칼리 에칭 방법 {HIGH-PURITY ALKALI ETCHING SOLUTION FOR SILICON WAFER AND ALKALI ETCHING METHOD OF SILICON WAFER}
도 1은 실시예 2에서 수득한 웨이퍼 표면의 전자현미경 사진을 나타내는 것이다.
도 2는 비교예 1에서 수득한 웨이퍼 표면의 전자현미경 사진을 나타내는 것이다.
본 발명은, 실리콘 웨이퍼를 위한 신규한 고순도 알칼리 에칭액 및 이를 이용한 실리콘 웨이퍼의 알칼리 에칭 방법에 관한 것이다.
IC 또는 LSI 등의 집적회로 혹은, 트랜지스터나 다이오드 등의 개별 반도체소자에 이용되는 실리콘 웨이퍼를 제조하는 경우, 쵸크랄스키(CZ:Czochralski)법 또는 플로팅 영역 (FZ:Floating zone)법에 의해 수득한 단결정을 내주 칼날 톱(inner blade saw) 혹은 와이어 톱을 이용하여 절단하고, 주변부를 챔퍼 가공 (chamfer processing)하고, 평탄도를 향상시키기 위해서 주 표면을 유리 연마 입자(free abrasives)로 랩 가공을 한 후에, 이들 공정에서 웨이퍼에 부가된 가공 왜곡(process distortion)을 제거하기 위해 습식 에칭을 하고; 그 후 웨이퍼의 경면 연마를 수행하고 있다. 가공 왜곡을 제거하는 습식 에칭의 한 예로서, 수산화나트륨 또는 수산화칼륨 등의 알칼리를 이용하는 알칼리 에칭이 있다. 이러한 알칼리 에칭은 에칭 속도가 느리기 때문에, 에칭 후의 웨이퍼의 평탄도가 양호한 것이 얻어진다고 하는 이점을 가지는 반면, 알칼리 에칭액에 포함되는 금속 불순물이 알칼리 에칭 중에 웨이퍼 내부로 확산되는 결점이 있다.
본 발명은, 이러한 결점이 없는 실리콘 웨이퍼용 고순도 알칼리 에칭액 및 실리콘 웨이퍼의 알칼리 에칭 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 초고순도의 수산화나트륨 용액을 알칼리 에칭액에 이용함에 의해 상기 결점을 해소할 수 있는 것을 확인하고 본 발명을 완성하게 되었다.
즉, 본 발명에 따른 알칼리 에칭액은, Cu, Ni, Mg 및 Cr 원소 함유량이 1ppb 이하, Pb 및 Fe 원소 함유량이 5ppb 이하, Al, Ca 및 Zn 원소 함유량이 10ppb 이하, 염화물, 황산염, 인산염 및 질소 화합물이 lppm 이하인 수산화나트륨을 포함하고, 40∼60wt%의 수산화나트륨 및, O.O1∼10% wt%의 질산염(nitrate) 및/또는 아질산염(nitrite)을 포함한다.
본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼의 알칼리 에칭 방법은, 본 발명의 상기 알칼리 에칭액을 사용하는 것을 특징으로 한다.
나아가, 본 발명은, 상기 알칼리 에칭액을 이용하여 실리콘 웨이퍼를 알칼리에칭하는 단계를 포함한 실리콘 웨이퍼 제조방법을 포함하는 바, 이 때, 상기 알칼리 에칭액은 Cu, Ni, Mg 및 Cr 원소 함유량이 1ppb 이하, Pb 및 Fe 원소 함유량이 5ppb 이하, Al, Ca 및 Zn 원소 함유량이 10ppb 이하, 염화물, 황산염, 인산염 및 질소 화합물이 1ppm 이하인 수산화나트륨을 포함하고, 0.01 내지 10 wt%의 질산염 및/또는 아질산염을 포함하며; 에칭 후, 상기 웨이퍼에서의 중금속의 부착량이 1×1010atoms/㎠ 이하이며; 하기 식으로 표현되는 표면 평탄도 열화가 1㎛ 이하인 것을 특징으로 한다:
Δ TTV = 에칭 전 TTV - 에칭 후 TTV.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
(알칼리 에칭액)
본 발명에 따른 알칼리 에칭액은, 종래 이용되어 온 알칼리 에칭액과는 다른 것으로, 지극히 적은 양의 금속 불순물이 함유된 알카리 용액을 사용한다. 여기서 알칼리 용액에 불순물로서 포함되는 금속이란, 비이온성 및 이온성 형태 모두를 포함하며 그 금속의 종류에 의해 제한되지 않는다. 본 발명에서는, 알칼리 에칭에 있어, 웨이퍼 내부로 확산하여 웨이퍼의 품질을 저하시키는 것으로 알려진 금속들 모두가 포함된다. 특히, 전이금속이 포함되며, 그 중에서도 특히 철, 니켈, 구리, 크롬이 해당한다.
또, 본 발명에 있어, "금속 불순물의 함유량이 매우 적다"고 하는 것은, Cu, Ni, Mg 및 Cr 원소 함유량이 1ppb 이하, Pb 및 Fe 원소 함유량이 5ppb 이하, Al, Ca 및 Zn 원소 함유량이 10ppb 이하, 염화물, 황산염, 인산염 및 질소화합물이 1ppm 이하인 것을 의미한다. 이처럼 적은 양의 금속 불순물을 함유하는 알카리 수용액은 종래 실리콘 웨이퍼의 알칼리 에칭에서는 이용되고 있지 않았다.
또, 본 발명에서 바람직하게 사용할 수 있는 알카리 용액의 농도에 관해서 특별한 제한은 없으며, 원하는 에칭을 달성하기에 적절하도록 최적의 알칼리 농도를 선택하는 것이 가능하다. 구체적으로는, 알칼리 농도는 2O wt%∼7O wt%의 범위이고, 바람직하게는 40 wt%∼60wt%, 보다 바람직하게는 5O wt%∼55wt%의 범위이다.
이처럼 금속 불순물의 함유량이 매우 적은 알카리 용액의 제조 방법에 관해서 특별히 제한은 없으며, 종래 기술에 공지된 고순도를 목적으로 한 화학적 및/또는 전기화학적 방법에 의해 제조할 수 있다. 구체적으로는 전해 분해 (일본특허 제3380658호) 방법을 들 수 있다. 혹은, 종래 방법에 의해 제조된, 1ppb 초과의 금속 불순물이 함유되어 있는 알카리 수용액으로부터 종래의 공지된 방법에 의해 1ppb 이하로 될 때까지 불순물을 제거할 수도 있다.
본 발명에 따른 알칼리 에칭액의 다른 특징은, 위에서 설명한 고순도의 수산화나트륨 용액을 사용함에 의해 실리콘 웨이퍼 표면에 생기는 이른바 에칭 얼룩(uneven etching)을 제어하기 위해서 여러 가지 염 (또는 산)을 첨가한다는 것이다. 이는, 본 발명자들에 의해 얻어진 후술하는 지견에 기초한 것이다. 즉, 위에서 설명한 고순도의 알카리 수용액을 사용한 에칭에 의해 확실히 금속 불순물이 매우 적은 실리콘 웨이퍼가 얻어졌지만, 실리콘 웨이퍼 표면에서 이른바 에칭 얼룩이 생 성되어, 에칭 후의 평탄도가 매우 열화되는 경우가 있었다. 결국, 본 발명자들은 이러한 에칭 얼룩을 여러 가지 염 (또는 산)을 첨가함에 의해 제어할 수 있는 것을 발견한 것이다.
이러한 목적으로 첨가할 수 있는 염에 관해서 특별히 제한은 없다. 원하는 에칭 얼룩의 제어를 위해, 다양한 염의 종류와 농도를 선택할 수 있다. 본 발명에서는 질산염 및/또는 아질산염의 첨가가 바람직하다.
첨가되는 염의 농도에 관해서도 특별히 제한은 없으며, 염의 종류와, 원하는 에칭 얼룩의 제어가 가능한 농도를 적절하게 선택할 수 있다. 본 발명에서는 O.0l wt%∼2O wt%, 바람직하게는 0.O5 wt%∼10 wt%의 범위이다.
또, 알카리 수용액에 산을 첨가하는 것도 가능하다. 이 경우, 첨가된 산이 알칼리와 중화되어 원하는 농도의 염이 생성된다.
본 발명에 의한 고순도 실리콘 웨이퍼용 알칼리 에칭액은, 보통의 알칼리 에칭액과 같은 방법으로 보존할 수 있다.
(알칼리 에칭 방법)
본 발명에 따른 알칼리 에칭 방법은, 위에서 설명한 본 발명에 따른 알칼리 에칭액을 사용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 알칼리 에칭 방법에 사용하는 에칭 조건에 관해서는 특별히 제한은 없다. 통상 공지된 알칼리 에칭액을 사용하는 경우에 설정되는 조건을 바람직하게 사용할 수 있다. 구체적으로는 에칭 농도, 에칭액량, 에칭 시간, 온도, 교반 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 알칼리 에칭 방법에 사용하는 장치에 관해서도 특별히 제한은 없다. 공지된 통상의 알칼리 에칭액에 사용되는 장치를 바람직하게 사용할 수 있다. 이 경우, 장치로부터 혼입되는 금속 불순물의 양에 주의해야 된다.
본 발명에 의해 제조되는 실리콘 웨이퍼는, 금속 불순물에 의한 오염의 양이 매우 적을 뿐만 아니라 평탄성의 면에서도 대단히 우수하다.
금속 불순물의 종류 및 양, 웨이퍼 내로의 금속불순물의 확산의 정도에 관해서는 종래 공지된 여러 가지 측정 수단에 의해 평가하는 것이 가능하다. 구체적으로는 원자 흡광 분석이나 유도결합 플라즈마 질량분석 (inductively coupled plasma-mass spectrometry)을 들 수 있다. 또, 실리콘 웨이퍼의 평탄성에 관해서도, 종래 기술 상에 공지된 여러 가지 측정 수단에 의해 평가하는 것이 가능하다. 구체적으로는 ADE 사 제조의 Ultrascan이나 E+H사 제조의 MX302을 들 수 있다.
이하 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명한다.
[실시예]
실시예 1
알칼리 농도 48wt%의 고순도 수산화나트륨 (CLEARCUT-S 48%; 쓰루미소다(주) 제조) 수용액 중에, 질산 나트륨 (시약특급: 와코쥰야쿠고교(주) 제조) O.O5 wt%를 용해시켜 알칼리 에칭액을 조제했다. 조제된 상기 알칼리 에칭액을 충전 용량 15 리터의 각형 에칭 처리조에 부가하였다. 래핑(rapping) 처리된 직경 200mm의 실리콘 웨이퍼를 캐리어에 장전하고 상기 알칼리 에칭액 중에 침지하였다. 액체 온도 85℃에서 7∼11분간 처리함에 의해 25㎛ 에칭 처리를 수행하였다. 이어서, 상기 웨 이퍼를 세정조로 옮겨 세정하고 건조했다.
수득된 웨이퍼에 대해, 후술하는 시험법에 의해, 에칭 속도, 육안검사, 조도(粗度), 광택도, ΔTTV, 웨이퍼에 부착한 금속 부착량을 측정했다. 얻어진 결과는 표 1에 정리하였다. 또, 에칭 속도, 육안검사, 조도, 광택도, ΔTTV의 측정은 각각 하기에 준하여 행하였다:
「웨이퍼 평가 시험법」
(1) 에칭 속도: (에칭 전 두께-에칭 후 두께)/에칭 시간.
이 때, 웨이퍼의 두께는 평균 두께 또는 중심 두께로서 측정된다. 본 실시예의 경우, 중심 두께 측정값을 채용했다.
(2) 육안 검사: 암실에서 할로겐 램프를 이용하여 105,000 럭스의 광을 웨이퍼에 조사하고, 육안으로써 에칭 얼룩의 유무를 관찰함.
(3) 조도: (주) 미쯔토요 제조 SJ-20lP를 이용하여 Ra를 측정.
(4) 광택도: 니혼덴쇼크고교(주) 제조 PG-lM에서 측정.
(5) ΔTTV: 에칭 후 TTV - 에칭 전 TTV.
(6) 웨이퍼에 부착한 금속 부착량: 원자 흡광 분석법은 ICP-MS (유도결합 플라즈마 질량 분석)
실시예 2
질산나트륨의 농도를 O.1 wt%로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 같이 하여 에칭액을 조제했다. 또 실시예 1과 같이 실리콘 웨이퍼를 에칭 처리했다. 얻어진 웨이퍼에 대하여, 전술한 시험법에 의해, 에칭 속도, 육안검사, 조도, 광택도, Δ TTV, 웨이퍼 표면의 금속 부착량을 측정했다. 얻어진 결과는 표 1에 정리하였다. 또한, 육안검사 시의 사진 및 표면의 전자 현미경 관찰 (배율 1250배)에 의한 에칭 얼룩을 측정한 결과를 도 1에 나타내었다.
실시예 3
질산나트륨의 농도를 1.O wt%로 한 것 외에는 실시예 1과 같이 하여 에칭액을 조제했다. 또 실시예 1과 같이 실리콘 웨이퍼를 에칭 처리했다. 얻어진 웨이퍼에 대하여, 전술한 시험법에 의해, 에칭 속도, 육안검사, 조도, 광택도, ΔTTV, 웨이퍼 표면의 금속 부착량을 측정했다. 얻어진 결과는 표 1에 정리하였다.
실시예 4
질산나트륨의 농도를 5 wt%로 한 것 외에는 실시예 1과 같이 하여 에칭액을 조제했다. 또 실시예 1과 같이 실리콘 웨이퍼를 에칭 처리했다. 얻어진 웨이퍼에 대하여, 전술한 시험법에 의해, 에칭 속도, 육안검사, 조도, 광택도, ΔTTV, 웨이퍼 표면의 금속 부착량을 측정했다. 얻어진 결과는 표 1에 정리하였다.
실시예 5
질산나트륨의 농도를 10 wt%로 한 것 외에는 실시예 1과 같이 하여 에칭액을 조제했다. 또, 실시예 1과 같이 실리콘 웨이퍼를 에칭 처리했다. 얻어진 웨이퍼에 대하여, 전술한 시험법에 의해, 에칭 속도, 육안검사, 조도, 광택도, ΔTTV, 웨이퍼 표면의 금속 부착량을 측정했다. 얻어진 결과는 표 1에 정리하였다.
실시예 6
질산나트륨을 아질산나트륨으로 바꾸고, 실시예 2와 같이 하여 에칭액을 조 제했다. 또, 실시예 1과 같이 실리콘 웨이퍼를 에칭 처리했다. 얻어진 웨이퍼에 대하여, 전술한 시험법에 의해, 에칭 속도, 육안검사, 조도 (거칠기), 광택도, ΔTTV, 웨이퍼 표면의 금속 부착량을 측정했다. 얻어진 결과는 표 1에 정리하였다.
실시예 7
수산화나트륨의 농도를 30 wt%로 한 것 외에는 실시예 3과 같이 하여 에칭액을 조제했다. 또, 실시예 1과 같이 실리콘 웨이퍼를 에칭 처리했다. 얻어진 웨이퍼에 대하여, 전술한 시험법에 의해, 에칭 속도, 육안검사, 조도, 광택도, ΔTTV, 웨이퍼 표면의 금속 부착량을 측정했다. 얻어진 결과는 표 1에 정리하였다.
실시예 8
질산나트륨을 질산칼륨으로 바꾼 것을 제외하고는, 실시예 2와 같이 하여 에칭액을 조제했다. 또, 실시예 1과 같이 실리콘 웨이퍼를 에칭 처리했다. 얻어진 웨이퍼에 대하여, 전술한 시험법에 의해, 에칭 속도, 육안검사, 조도, 광택도, ΔTTV, 웨이퍼 표면의 금속 부착량을 측정했다. 얻어진 결과는 표 1에 정리하였다.
실시예 9
질산 나트륨을 아질산 칼륨으로 바꾼 것을 제외하고는, 실시예 2와 같이 하여 에칭액을 조제했다. 또, 실시예 1과 같이 실리콘 웨이퍼를 에칭 처리했다. 얻어진 웨이퍼에 대하여, 전술한 시험법에 의해, 에칭 속도, 육안검사, 조도, 광택도, ΔTTV, 웨이퍼 표면의 금속 부착량을 측정했다. 얻어진 결과는 표 1에 정리하였다.
실시예 10
질산나트륨을 질산리튬으로 바꾼 것을 제외하고는, 실시예 2와 같이 하여 에칭액을 조제했다. 또, 실시예 1과 같이 실리콘 웨이퍼를 에칭 처리했다. 얻어진 웨이퍼에 대하여, 전술한 시험법에 의해, 에칭 속도, 육안검사, 조도, 광택도, ΔTTV, 웨이퍼 표면의 금속 부착량을 측정했다. 얻어진 결과는 표 1에 정리하였다.
실시예 11
수산화 나트륨의 농도를 51 wt%로 한 것을 제외하고는, 실시예 2와 같이 하여 에칭액을 조제했다. 또, 실시예 1과 같이 실리콘 웨이퍼를 에칭 처리했다. 얻어진 웨이퍼에 대하여, 전술한 시험법에 의해, 에칭 속도, 육안검사, 조도, 광택도, ΔTTV, 웨이퍼 표면의 금속 부착량을 측정했다. 얻어진 결과는 표 1에 정리하였다.
비교예 1
질산염 첨가제를 첨가하지 않은 채, 실시예 1과 같이 하여 에칭액을 조제했다. 또, 실시예 1과 같이 실리콘 웨이퍼를 에칭 처리했다. 얻어진 웨이퍼에 대하여, 전술한 시험법에 의해, 에칭 속도, 육안검사, 조도, 광택도, ΔTTV, 웨이퍼 표면의 금속 부착량을 측정했다. 얻어진 결과는 표 1에 정리하였다. 또한, 육안검사 시의 사진 및 표면의 전자 현미경 관찰 (배율 1250배)에 의한 에칭 얼룩을 측정한 결과를 도 2에 나타내었다.
비교예 2
질산염 첨가제를 첨가하지 않고, 실시예 11과 같이 하여 에칭액을 조제했다. 또, 실시예 1과 같이 실리콘 웨이퍼를 에칭 처리했다. 얻어진 웨이퍼에 대하여, 전술한 시험법에 의해, 에칭 속도, 육안검사, 조도, 광택도, ΔTTV, 웨이퍼 표면의 금속 부착량을 측정했다. 얻어진 결과는 표 1에 정리하였다.
비교예 3
고순도 수산화나트륨 대신에, 종래기술 상 중금속을 수 ppb, 각종 염을 수 ppm으로 함유하는 수산화나트륨을 사용한 것 이외에는 실시예 2와 같이 하여 에칭액을 조제했다. 또, 실시예 1과 같이 실리콘 웨이퍼를 에칭 처리했다. 얻어진 웨이퍼에 대하여, 전술한 시험법에 의해, 에칭 속도, 육안검사, 조도, 광택도, ΔTTV, 웨이퍼 표면의 금속 부착량을 측정했다. 얻어진 결과는 표 1에 정리하였다.
Figure 112004060587914-pat00001
금속 부착량 단위: [E9 atoms/㎠]
A = 검출한계 미만 혹은 100 미만
B = 100 이상으로부터 500 미만까지
C = 500 이상으로부터 1000 미만까지
D = 1000 이상
본 발명에서 제조된 실리콘 웨이퍼는 금속 불순물 오염이 매우 적을 뿐만 아니라, 매우 우수한 평탄성을 나타낸다.
본 발명에 의한 알칼리 에칭액은, 금속 불순물의 함유량이 매우 낮은 고순도의 수산화나트륨 용액을 이용한 것이다. 나아가, 아질산염 이온 및/또는 질산염 이온의 존재에 의해, 에칭 얼룩의 발생이 제어 가능하게 되고, Cu, Ni, Mg 및 Cr 원소 함유량이 1ppb 이하, Pb, Fe 원소 함유량이 5ppb 이하, Al, Ca, Zn 원소 함유량이 l 0ppb 이하, 염화물, 황산염, 인산염, 질소화합물이 1ppm 이하이며, 또한 평탄도에 있어서도 매우 우수한 실리콘 웨이퍼의 제조를 가능하게 한다.

Claims (3)

  1. 삭제
  2. 알칼리 에칭액을 이용하여 실리콘 웨이퍼를 알칼리 에칭하는 단계를 포함하는 실리콘 웨이퍼의 알칼리 에칭 방법으로서,
    상기 알칼리 에칭액은
    Cu, Ni, Mg 및 Cr 원소 함유량이 1ppb 이하, Pb 및 Fe 원소 함유량이 5ppb 이하, Al, Ca 및 Zn 원소 함유량이 10ppb 이하, 질산염(nitrate)을 제외한 질소 화합물, 염화물, 황산염 및 인산염이 1ppm 이하인, 고순도의 수산화나트륨 40∼60wt%을 포함하고,
    O.O1∼10wt% 의 질산염을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 알칼리 에칭 방법.
  3. 삭제
KR1020040110308A 2003-12-22 2004-12-22 실리콘 웨이퍼용 고순도 알칼리 에칭액 및 실리콘웨이퍼의 알칼리 에칭 방법 KR100647148B1 (ko)

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4552616B2 (ja) * 2004-11-22 2010-09-29 セイコーエプソン株式会社 エッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法
JP4835069B2 (ja) * 2005-08-17 2011-12-14 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコンウェーハの製造方法
JP5017709B2 (ja) * 2006-09-07 2012-09-05 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト シリコンウェーハのエッチング方法および半導体シリコンウェーハの製造方法
JP2008166805A (ja) * 2006-12-29 2008-07-17 Siltron Inc 高平坦度シリコンウェハーの製造方法
JP5142592B2 (ja) 2007-06-06 2013-02-13 関東化学株式会社 基板の洗浄またはエッチングに用いられるアルカリ性水溶液組成物
CN101884095B (zh) * 2007-10-04 2012-06-27 三菱瓦斯化学株式会社 硅蚀刻液和蚀刻方法
JP2009141165A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Siltronic Japan Corp シリコンウェハのエッチング方法
JP5379441B2 (ja) * 2008-10-09 2013-12-25 関東化学株式会社 基板処理用アルカリ性水溶液組成物
JP5216749B2 (ja) * 2009-11-02 2013-06-19 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト シリコンウエーハの加工方法
EP2983195A1 (en) * 2014-08-04 2016-02-10 EpiGan NV Semiconductor structure comprising an active semiconductor layer of the iii-v type on a buffer layer stack and method for producing semiconductor structure

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3380658B2 (ja) 1995-09-19 2003-02-24 鶴見曹達株式会社 アルカリ溶液の精製方法
CN1188817A (zh) * 1996-11-15 1998-07-29 Memc电子材料有限公司 在超声场的存在下用稀化学蚀刻剂控制二氧化硅蚀刻速率
JP3686910B2 (ja) 1997-09-29 2005-08-24 三菱住友シリコン株式会社 シリコンウェーハのエッチング方法
JP3400694B2 (ja) 1997-11-14 2003-04-28 東芝セラミックス株式会社 シリコンウエハのエッチング方法
MY120464A (en) 1997-12-09 2005-10-31 Shinetsu Handotai Kk Semiconductor wafer processing method and semiconductor wafers produced by the same
JP4113288B2 (ja) * 1998-09-04 2008-07-09 スピードファム株式会社 研磨用組成物およびそれを用いたシリコンウェーハの加工方法
US6338805B1 (en) * 1999-07-14 2002-01-15 Memc Electronic Materials, Inc. Process for fabricating semiconductor wafers with external gettering
US6225136B1 (en) * 1999-08-25 2001-05-01 Seh America, Inc. Method of producing a contaminated wafer
JP2001250807A (ja) * 1999-12-28 2001-09-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd エッチング液、エッチング方法及び半導体シリコンウェーハ
JP3563017B2 (ja) * 2000-07-19 2004-09-08 ロデール・ニッタ株式会社 研磨組成物、研磨組成物の製造方法及びポリシング方法

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