JPH0281420A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0281420A JPH0281420A JP23244188A JP23244188A JPH0281420A JP H0281420 A JPH0281420 A JP H0281420A JP 23244188 A JP23244188 A JP 23244188A JP 23244188 A JP23244188 A JP 23244188A JP H0281420 A JPH0281420 A JP H0281420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- solution
- photoresist
- resist
- rinsing liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造工程におけるフォトレジストの除去
方法及び装置に関するものである。
方法及び装置に関するものである。
従来、ウニ八表面に残存するフォトレジスト膜を除去す
る半導体装置の製造方法としては、例えば、特開昭６２
−２４５５３１号公報（：記載のような公知例がある。
る半導体装置の製造方法としては、例えば、特開昭６２
−２４５５３１号公報（：記載のような公知例がある。
次に、前記公知例について第２図を参照ルて説明する。
第２図は前記公知例の原理図である。第２図（ａ）のよ
うに、レジストを途布したウェハ１は回転できる吸着チ
ャック２の上に載っている。その上部にはレジストの溶
解する薬液及び洗浄液を滴下する滴下ノズル４が設けら
れている。
うに、レジストを途布したウェハ１は回転できる吸着チ
ャック２の上に載っている。その上部にはレジストの溶
解する薬液及び洗浄液を滴下する滴下ノズル４が設けら
れている。
次にその作用について説明する。第２図（ａ）のように
レジスト３を塗布したウェハ１を吸着チャック２の上に
吸着保持する。その状部で滴下ノズル４よりレジストを
溶解する薬液５を滴下液盛りを行う、第２図（ｂ）のよ
う１；十分：ニレジスト３が溶解した時点で第２図（ｏ
）のように吸着チャックを回転させるとウェハも回転し
て溶解したレジスト６はウェハ上から外部へ振り飛ばさ
れる。その後第２図（ｄ）のように吸着チャック２を回
転成いは静止した状態で滴下ノズル４から洗浄液７をウ
ェハ１上に滴下しウェハの洗浄を行う、洗浄が完了した
時点で第２図（ｅ）のように吸着チャック２を高速回転
しクエへの乾燥を行う。
レジスト３を塗布したウェハ１を吸着チャック２の上に
吸着保持する。その状部で滴下ノズル４よりレジストを
溶解する薬液５を滴下液盛りを行う、第２図（ｂ）のよ
う１；十分：ニレジスト３が溶解した時点で第２図（ｏ
）のように吸着チャックを回転させるとウェハも回転し
て溶解したレジスト６はウェハ上から外部へ振り飛ばさ
れる。その後第２図（ｄ）のように吸着チャック２を回
転成いは静止した状態で滴下ノズル４から洗浄液７をウ
ェハ１上に滴下しウェハの洗浄を行う、洗浄が完了した
時点で第２図（ｅ）のように吸着チャック２を高速回転
しクエへの乾燥を行う。
以上のように、前記公知例によれば、ウェハ上：：塗布
されたレジストの除去処理がレジストの溶解除去から洗
浄、乾燥までを一枚のウェハ上で行える為に、薬品の使
用量に無駄が少ない利点を有している。
されたレジストの除去処理がレジストの溶解除去から洗
浄、乾燥までを一枚のウェハ上で行える為に、薬品の使
用量に無駄が少ない利点を有している。
しかしながら、上記従来技術はレジストの途布膜のみの
除去についてしか配慮されていない、−般に半導体製造
工程においては、フォレジストを塗布した後、グリベー
クし露光現像してパターニングを行い、ボストベークし
た後、エツチングのマスクとして使用後、不要となった
フォトレジストを除去するが、以上のような工程を経た
フォトレジストは市販の剥離液に対して常温では溶解せ
ず、一般に１００℃前後に加熱する必要がある。
除去についてしか配慮されていない、−般に半導体製造
工程においては、フォレジストを塗布した後、グリベー
クし露光現像してパターニングを行い、ボストベークし
た後、エツチングのマスクとして使用後、不要となった
フォトレジストを除去するが、以上のような工程を経た
フォトレジストは市販の剥離液に対して常温では溶解せ
ず、一般に１００℃前後に加熱する必要がある。
また、上記従来技術は溶解したレジストをウェハを回転
させて乾燥させるが、一般に、このような方法によれば
、溶解したレジストの薄膜や、レジストの変質膜がウェ
ハ上に残存し、その後の洗浄でも完全に除去することが
困難になるという問題がある。
させて乾燥させるが、一般に、このような方法によれば
、溶解したレジストの薄膜や、レジストの変質膜がウェ
ハ上に残存し、その後の洗浄でも完全に除去することが
困難になるという問題がある。
本発明の目的は上記従来技術の問題点を解決することに
ある。
ある。
上記目的は、除去すべきフォトレジストの残存した半導
体ウェハとレジストの剥離液を所望温度に加熱保温し、
ウェハ上に剥離液を滴下液盛りしてレジストを溶解した
後、リンス液を流下しながらウェハを回転させて、剥離
液をリンス液で置換した後、ウェハを高速回転させてリ
ンス液をスピン乾燥させることにより達成される。
体ウェハとレジストの剥離液を所望温度に加熱保温し、
ウェハ上に剥離液を滴下液盛りしてレジストを溶解した
後、リンス液を流下しながらウェハを回転させて、剥離
液をリンス液で置換した後、ウェハを高速回転させてリ
ンス液をスピン乾燥させることにより達成される。
ウェハとレジスト剥離液を所望温度に加熱保温し、ウェ
ハ上に剥離液の液盛りを形成することによりウェハ上に
残存したフォトレジストを短時間で溶解することが出来
、また、レジストの溶解した剥離液をリンスを流下しな
からウェハを回転して、リンス液で置換することにより
、溶解したレジストやレジストの変質膜の再付着を防止
出来、完全なレジスト除去が可能となる。
ハ上に剥離液の液盛りを形成することによりウェハ上に
残存したフォトレジストを短時間で溶解することが出来
、また、レジストの溶解した剥離液をリンスを流下しな
からウェハを回転して、リンス液で置換することにより
、溶解したレジストやレジストの変質膜の再付着を防止
出来、完全なレジスト除去が可能となる。
実施例１
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図は本発明の一実施例の工程順原理図である。
図は本発明の一実施例の工程順原理図である。
まず、第１図（ａ）のように、フォトレジスト２の残存
した半導体ウェハ１は回転速度と加熱温度が調節可能な
吸着チャック３の上に搭載されている。
した半導体ウェハ１は回転速度と加熱温度が調節可能な
吸着チャック３の上に搭載されている。
ウェハの中心上部には温調されたレジスト剥離液を滴下
する滴下ノズル４が設けられている。フォトレジストと
してポジ型フォトレジストＯＦ’ＰＲ−８００（東京応
化製）を用い、ポストベーク、１３０℃、５０分で膜厚
１μｍの膜を形成した場合、剥離液としてストリッパー
１０（東京応化製）を用いて、ウェハ１及びレジスト剥
離液５を８（）−１００℃に加熱保温し、滴下ノズル４
からウェハ１上に滴下する。
する滴下ノズル４が設けられている。フォトレジストと
してポジ型フォトレジストＯＦ’ＰＲ−８００（東京応
化製）を用い、ポストベーク、１３０℃、５０分で膜厚
１μｍの膜を形成した場合、剥離液としてストリッパー
１０（東京応化製）を用いて、ウェハ１及びレジスト剥
離液５を８（）−１００℃に加熱保温し、滴下ノズル４
からウェハ１上に滴下する。
次に第１図（ｂ）のようにウェハ１上に剥離液の液盛り
６を形成し、８０〜１００℃で１〜２分間保持する。
６を形成し、８０〜１００℃で１〜２分間保持する。
次に、第１図（０）のように７オトレジスト２が完全に
溶解した後、流下ノズル７からリンス液として超純水を
流下する。
溶解した後、流下ノズル７からリンス液として超純水を
流下する。
次に、第１図（ｄ）のように、剥離液とリンス液の混合
液がウェハ１の周辺から零れないうちにＳＯＯｒｐｍ程
度の回転数で回転しながら、レジスト２の溶解した剥離
液６をリンス液８で完全に置換する。
液がウェハ１の周辺から零れないうちにＳＯＯｒｐｍ程
度の回転数で回転しながら、レジスト２の溶解した剥離
液６をリンス液８で完全に置換する。
次に、第１図（ｅ）のように、３０００〜４０００ｒＰ
ｍの高速回転でリンス液を振り切り乾燥させる。
ｍの高速回転でリンス液を振り切り乾燥させる。
本実施例によれば、常温では除去出来ないフォトレジス
トのボストベーク膜を短時間で残渣なしに除去すること
が可能となる。
トのボストベーク膜を短時間で残渣なしに除去すること
が可能となる。
実施例２
実施例１において、ポジ型７オトレジス） ０ＦＰＲ８
００をポストベークをしない場合、レジスト除去前に１
００ｍＪ／ｃｊ（ａｔ３６５ｎｍ ）の露光量で全面露
光することにより、剥離液として、現像液ＮＭＤ−３（
東京応化製）を用い常温でレジスト除去が可能となる。
００をポストベークをしない場合、レジスト除去前に１
００ｍＪ／ｃｊ（ａｔ３６５ｎｍ ）の露光量で全面露
光することにより、剥離液として、現像液ＮＭＤ−３（
東京応化製）を用い常温でレジスト除去が可能となる。
実施例３
実施例１または実施例２において、フォトレジストをエ
ツチングマスクとして用いて、レジスト表面に変質膜が
形成されて、剥離液に完全に溶解しない場合、ウェハ表
面に超音波を印加すること（二より、変質膜がウェハに
再付着するのを防止できる。
ツチングマスクとして用いて、レジスト表面に変質膜が
形成されて、剥離液に完全に溶解しない場合、ウェハ表
面に超音波を印加すること（二より、変質膜がウェハに
再付着するのを防止できる。
本発明によれば、フォトレジストの除去をクエハー枚毎
の葉様処理で自動的に完全に再現性良く出来るので、フ
ォトレジストの残渣を防止出来、半導体の歩留向上の効
果が大きい。
の葉様処理で自動的に完全に再現性良く出来るので、フ
ォトレジストの残渣を防止出来、半導体の歩留向上の効
果が大きい。
第１図（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施例の半導体装
置の製造方法の工程順原理図、第２図（ａ）〜（８）は
、従来技術による半導体装置の製造方法の工程順原理図
である。 １・・・半導体ウェハ ２・・・フォトレジスト ３・・・吸着チャック ４・・・滴下ノズル ５・・・レジスト剥離液 ６・・・剥離液の液盛り ７・・・流下ノズル ８・・・リンス液。 第 ＩＬ￥］ 第 ２口 （Ｃ） （ｅ）
置の製造方法の工程順原理図、第２図（ａ）〜（８）は
、従来技術による半導体装置の製造方法の工程順原理図
である。 １・・・半導体ウェハ ２・・・フォトレジスト ３・・・吸着チャック ４・・・滴下ノズル ５・・・レジスト剥離液 ６・・・剥離液の液盛り ７・・・流下ノズル ８・・・リンス液。 第 ＩＬ￥］ 第 ２口 （Ｃ） （ｅ）
Claims (1)
- １、回転速度、温度が調整可能なチャック上に、フォト
レジスト膜の残存した半導体ウェハを所用温度に保温・
保持し、所用温度に保持したレジスト剥離液を半導体ウ
ェハ上に滴下して、液がウェハから零れない範囲で全面
を覆うように液盛りを行い、フォトレジスト膜を溶解し
た後、リンス液を流下しながら、半導体ウェハを回転し
て、レジストの溶解した剥離液をリンス液で置換した後
、リンス液を振り切ることによって、半導体ウェハ上に
残存しているフォトレジスト膜を完全に除去することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23244188A JPH0281420A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23244188A JPH0281420A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281420A true JPH0281420A (ja) | 1990-03-22 |
Family
ID=16939317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23244188A Pending JPH0281420A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0281420A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020047915A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | 株式会社ディスコ | ワークピースの加工方法 |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP23244188A patent/JPH0281420A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020047915A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | 株式会社ディスコ | ワークピースの加工方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200807524A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| JPH10189511A (ja) | ウェーハ洗浄装置 | |
| JPS6053305B2 (ja) | 現像方法 | |
| JP5836021B2 (ja) | 厚膜レジストの現像方法、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP3899854B2 (ja) | 現像方法 | |
| JPH0281420A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2731752B2 (ja) | レジスト膜の処理方法 | |
| JPH09213610A (ja) | 基板処理装置及び処理方法 | |
| JPH03215867A (ja) | ポジレジストの現像処理方法 | |
| JP3719843B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| JPH0855781A (ja) | 現像方法 | |
| JP2005197455A (ja) | 半導体デバイス製造プロセスにおける現像処理方法およびこれを実施する現像処理装置 | |
| JP2002075834A (ja) | 半導体製造工程における現像方法 | |
| JPH0356041Y2 (ja) | ||
| JPH03256321A (ja) | レジスト膜形成装置 | |
| JP2006073854A (ja) | フォトレジスト液の塗布方法、フォトレジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法 | |
| JP2004063796A (ja) | 平板状角型基板の裏面洗浄装置 | |
| JP2002246288A (ja) | 電子部品の製造方法およびこれに用いる現像装置 | |
| JPH10199791A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 | |
| JPS5888749A (ja) | 現像装置 | |
| JP2000068186A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04196212A (ja) | 現像前洗浄装置 | |
| JPH07183208A (ja) | 回転式基板現像処理方法および装置 | |
| JPS63132429A (ja) | フオトレジスト現像装置 | |
| JPS593549B2 (ja) | 被処理基板の表面処理方法 |