JP4961776B2 - パターン形成用マスクおよびその洗浄方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 42
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 41
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 83
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 57
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 34
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 28
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 21
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 21
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 18
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 12
- QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrachloroethane Chemical compound ClC(Cl)C(Cl)Cl QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 1-chloronaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(Cl)=CC=CC2=C1 JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- BULLHNJGPPOUOX-UHFFFAOYSA-N chloroacetone Chemical compound CC(=O)CCl BULLHNJGPPOUOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 80
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
[1] 被処理物上に形成すべきパターンに対応した開口を有するマスキング部材と、該マスキング部材の開口を除く表面の少なくとも一部を覆うように配置された防着部材とを有するパターン形成用マスクであって、
前記マスキング部材は、少なくとも、前記開口の内壁に、酸溶液、アルカリ溶液、および有機溶剤からなる群から選ばれる少なくとも一種の液体に溶解し得る材質からなる皮膜を有する、前記パターン形成用マスク。
[2] 前記マスキング部材は、少なくとも、前記皮膜を、前記開口の内壁および開口近傍の表面上に有し、
前記防着部材は、前記開口および開口近傍を除く表面の少なくとも一部を覆うように配置されている、[1]に記載のパターン形成用マスク。
[3] 前記液体は、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、硝酸、フッ化水素酸、エチレンジアミン、テトラクロロエタン、クロロアセトン、およびクロロナフタレンからなる群から選ばれる少なくとも一種である、[1]または[2]に記載のパターン形成用マスク。
[4] 前記皮膜は、アルミニウムまたはホウ素からなる、[1]〜[3]のいずれかに記載のパターン形成用マスク。
[5] 被処理物上にパターンを形成するために使用された[1]〜[4]のいずれかに記載のパターン形成用マスクの洗浄方法であって、
前記パターンの形成は、前記マスクを、前記マスキング部材が、前記防着部材と被処理物との間に位置するように配置した状態で成膜処理を施すことによって行われ、
前記マスクの洗浄は、前記パターン形成後にマスキング部材を防着部材と分離し、次いで、前記マスキング部材を、前記皮膜を溶解し得る洗浄液中に浸漬することによって行われる、前記洗浄方法。
[6] 前記成膜処理は、物理気相成長法、蒸着 、スパッタリング、または化学気相成長法によって行われる、[5]に記載の洗浄方法。
[7] 前記成膜処理は、成膜材料として、金、プラチナ、タングステン、イリジウム、ロジウムおよびオスミウムからなる群から選ばれる少なくとも一種を用いて行われる、[5]または[6]に記載の洗浄方法。
[8] 前記洗浄液は、酸溶液、アルカリ溶液、および有機溶剤からなる群から選ばれる少なくとも一種である、[5]〜[7]のいずれかに記載の洗浄方法。
[9] 前記洗浄液は、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、硝酸、フッ化水素酸、エチレンジアミン、テトラクロロエタン、クロロアセトン、およびクロロナフタレンからなる群から選ばれる少なくとも一種である、[8]に記載の洗浄方法。
更に、本発明によれば、パターン形成用マスクの洗浄をきわめて簡便に行うことができ、作業性を著しく向上させることができる。
[パターン形成用マスク]
本発明のパターン形成用マスクは、被処理物上に形成すべきパターンに対応した開口を有するマスキング部材と、該マスキング部材の開口を除く表面の少なくとも一部を覆うように配置された防着部材とを有し、前記マスキング部材は、少なくとも、前記開口の内壁に、酸溶液、アルカリ溶液、および有機溶剤からなる群から選ばれる少なくとも一種の液体に溶解し得る材質からなる皮膜を有する。
図1(a)に示すように、被処理物上にマスキング部材を配置して蒸着、スパッタ等により成膜処理を施すと、図1(b)に示すように、被処理物表面のマスキング部材に覆われていない部分(マスキング部材の開口に対応する部分)に成膜材料が堆積する。これにより、被処理物上にパターンを形成することができるが、同時に、図1(b)に示すようにマスキング部材の開口内壁および表面にも成膜材料が堆積する。これにより開口の内径が変化してしまうため、加工精度を維持するためには、堆積した成膜材料を除去する必要がある。しかし、前述のように、特に成膜材料がアルカリ処理等の化学的処理により除去することが困難な材料であると、研磨等の物理的方法により除去せざるを得ないが、この方法ではマスク自体も削り取られて加工精度が低下するおそれがある。
次に、本発明のマスクに含まれるマスキング部材および防着部材について説明する。
前記マスキング部材としては、通常の蒸着、スパッタリング等による成膜処理に使用されるパターン形成用マスクを使用することができる。マスキング部材の材質は、後述する洗浄に使用する液体に溶解しない材質とする。使用可能な材質としては、例えばSUS304等のステンレスを挙げることができる。但し、本発明のマスキング部材の材質は上記に限定されるものではなく、洗浄に使用する液体に応じて選択すればよい。また、後述するように防着部材とマスキング部材を磁力により固定する場合は、磁性材料からなるマスキング部材を使用することができる。前記マスキング部材の厚さは特に限定されないが、例えば0.05mm〜2mm、好ましくは0.05mm〜1mmである。
前記防着部材としては、例えば、通常の成膜処理に使用されるパターン形成用マスクであって、使用するマスキング部材の開口を覆わないサイズの開口を有するマスクを使用することができる。防着部材の開口サイズについては、先に記載した通りである。但し、前記防着部材は、上記態様に限定されるものではなく、マスキング部材表面の少なくとも一部を覆うことにより、成膜材料が堆積しない領域を設けることができるものであればよく、例えば、板状部材等の複数の部材を組み合わせて防着部材として使用することもできる。
前記防着部材は、プレス成形、射出成形等の公知の方法で製造することができ、また市販品としても入手可能である。前記防着部材の厚さは、特に限定されるものではないが、例えば0.05〜0.3mm、好ましくは0.05〜0.2mmである。
本発明は更に、被処理物上にパターンを形成するために使用された本発明のパターン形成用マスクの洗浄方法に関する。前記パターン形成は、本発明のマスクを、前記マスキング部材が、前記防着部材と被処理物との間に位置するように配置した状態で成膜処理を施すことによって行われ、前記マスクの洗浄は、前記パターン形成後にマスキング部材を防着部材と分離し、次いで、前記マスキング部材を、前記皮膜を溶解し得る洗浄液中に浸漬することによって行われる。
先に説明したように、本発明のマスクは、マスキング部材の少なくとも開口内壁に所定の液体に溶解し得る材質からなる皮膜を有するとともに、マスキング部材上に防着部材を有するため、パターン形成後に防着部材を除去してマスキング部材を洗浄液に浸漬することにより、マスキング部材の開口内壁等に付着した成膜材料を容易に除去することができる。
[実施例1]
マスクの作製
直径5mmの円形の開口を複数有するマスク板(SUS430製)に対して蒸着処理を行い、開口内壁および一方の面に約1000Åの厚さを有するアルミニウム薄膜を成膜した。マスキング部材のアルミニウム薄膜を設けた面上に、マスク板の開口と中心は一致するが大きさが10%程度大きい開口を有する防着板(SUS430製)を、マスク板の開口とその近傍を覆わないように配置した。
マスクの洗浄
図3に示すように、実施例1で作製したマスクを被処理物上に配置した。図3では、下部より補助板、マグネット保持板、下部マスク板、スペーサー、上部マスク板および防着板(上部マスク板と防着板により、実施例1のマスクが構成される)である。これらの中で、補助板、スペーサー、上部マスク板および防着板は磁性材料であるSUS430からなるステンレス薄板である。また、マグネット保持板と下部マスク板は非磁性体からなるステンレス薄板である。前記スペーサーは、被処理物と同じ厚さを有している。同一のマスクを使用し、複数の被処理物に対して、蒸着材料として金を使用して蒸着処理を行った。これにより、図4に示すように被処理物上にパターンを形成することができた。しかし、蒸着処理を繰り返すと、マスキング部材の開口内壁および開口近傍の防着板で覆われていない部分に蒸着材料が付着し形成されるパターンが変形した。そこで、防着板をはずした後、マスク板を室温で0.1規定の水酸化ナトリウム水溶液に1時間浸漬した。水酸化ナトリウム水溶液中でアルミニウム薄膜が溶解するとともに、その上に形成された蒸着膜もリフトオフされることにより、マスク板上に付着した蒸着材料およびアルミニウム薄膜が除去された。この洗浄後のマスク板は、再度皮膜を蒸着して防着板と組み合わせて使用することができる。
Claims (9)
- 被処理物上に形成すべきパターンに対応した開口を有するマスキング部材と、該マスキング部材の開口を除く表面の少なくとも一部を覆うように配置された防着部材とを有するパターン形成用マスクであって、
前記マスキング部材は、少なくとも、前記開口の内壁に、酸溶液、アルカリ溶液、および有機溶剤からなる群から選ばれる少なくとも一種の液体に溶解し得る材質からなる皮膜を有する、前記パターン形成用マスク。 - 前記マスキング部材は、少なくとも、前記皮膜を、前記開口の内壁および開口近傍の表面上に有し、
前記防着部材は、前記開口および開口近傍を除く表面の少なくとも一部を覆うように配置されている、請求項1に記載のパターン形成用マスク。 - 前記液体は、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、硝酸、フッ化水素酸、エチレンジアミン、テトラクロロエタン、クロロアセトン、およびクロロナフタレンからなる群から選ばれる少なくとも一種である、請求項1または2に記載のパターン形成用マスク。
- 前記皮膜は、アルミニウムまたはホウ素からなる、請求項1〜3のいずれか1項に記載のパターン形成用マスク。
- 被処理物上にパターンを形成するために使用された請求項1〜4のいずれか1項に記載のパターン形成用マスクの洗浄方法であって、
前記パターンの形成は、前記マスクを、前記マスキング部材が、前記防着部材と被処理物との間に位置するように配置した状態で成膜処理を施すことによって行われ、
前記マスクの洗浄は、前記パターン形成後にマスキング部材を防着部材と分離し、次いで、前記マスキング部材を、前記皮膜を溶解し得る洗浄液中に浸漬することによって行われる、前記洗浄方法。 - 前記成膜処理は、蒸着 、スパッタリング、または化学気相成長法によって行われる、請求項5に記載の洗浄方法。
- 前記成膜処理は、成膜材料として、金、プラチナ、タングステン、イリジウム、ロジウムおよびオスミウムからなる群から選ばれる少なくとも一種を用いて行われる、請求項5または6に記載の洗浄方法。
- 前記洗浄液は、酸溶液、アルカリ溶液、および有機溶剤からなる群から選ばれる少なくとも一種である、請求項5〜7のいずれか1項に記載の洗浄方法。
- 前記洗浄液は、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、硝酸、フッ化水素酸、エチレンジアミン、テトラクロロエタン、クロロアセトン、およびクロロナフタレンからなる群から選ばれる少なくとも一種である、請求項8に記載の洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006061168A JP4961776B2 (ja) | 2006-03-07 | 2006-03-07 | パターン形成用マスクおよびその洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006061168A JP4961776B2 (ja) | 2006-03-07 | 2006-03-07 | パターン形成用マスクおよびその洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007238996A JP2007238996A (ja) | 2007-09-20 |
JP4961776B2 true JP4961776B2 (ja) | 2012-06-27 |
Family
ID=38584820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006061168A Active JP4961776B2 (ja) | 2006-03-07 | 2006-03-07 | パターン形成用マスクおよびその洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4961776B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013071062A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Toho Technology Corp | 蒸着マスク洗浄装置、蒸着マスク洗浄システムおよび蒸着マスク洗浄方法 |
CN102527676B (zh) * | 2011-12-14 | 2013-11-06 | 青岛吉阳新能源有限公司 | 一种用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺方法 |
JP5990439B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2016-09-14 | 株式会社アルバック | 薄膜形成方法、薄膜形成装置 |
JP5586741B2 (ja) * | 2013-06-12 | 2014-09-10 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
CN103611700A (zh) * | 2013-11-19 | 2014-03-05 | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 | 一种针对开膜腐蚀性浆料的清洗工艺 |
JP6950315B2 (ja) * | 2016-12-15 | 2021-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、ボロン膜、及び成膜装置 |
JP6914143B2 (ja) * | 2016-12-26 | 2021-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム、基板処理システムの制御装置および半導体基板の製造方法 |
CN106702319A (zh) * | 2017-03-30 | 2017-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸镀方法 |
JP6583446B2 (ja) * | 2018-01-31 | 2019-10-02 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6028307B2 (ja) * | 1978-03-22 | 1985-07-04 | 信越ポリマ−株式会社 | 字消し用塩化ビニル系樹脂組成物 |
JPH07145472A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-06-06 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜成膜用マスクとその洗浄方法 |
JPH1136061A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-02-09 | Mitsubishi Materials Corp | 物理蒸着装置のマスキング治具 |
JP2004300495A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Nippon Seiki Co Ltd | 蒸着マスク及びこれを用いた蒸着方法 |
-
2006
- 2006-03-07 JP JP2006061168A patent/JP4961776B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007238996A (ja) | 2007-09-20 |
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