JP4906559B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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HNO3+3HCl→NOCl+Cl2+2H2O (式1)
(式1)の反応により生成した塩化ニトロシル(NOCl)がPtと反応することにより、Ptは塩化白金酸イオン([PtCl6]2−)になって溶解し、Ptのエッチング除去処理が行われる。
基板保持手段に保持された基板を回転させる回転手段と、基板保持手段に保持された基板の表面周縁部に対向する第1供給位置に位置する第1薬液供給ノズルを有し、第1薬液供給ノズルから基板保持手段に保持された基板の表面周縁部に向けて第1薬液を供給する第1薬液供給手段と、基板の回転方向において第1供給位置と異なるとともに基板の周端面からの径方向の距離が第1供給位置と同一である第2供給位置に位置する第2薬液供給ノズルを有し、第2薬液供給ノズルから基板保持手段に保持された基板の表面周縁部に向けて第2薬液を供給する第2薬液供給手段と、を備え、第1薬液は塩酸であり、第2薬液は硝酸であり、基板保持手段に保持され、回転手段によって回転されている基板の表面周縁部上において、第1薬液供給手段および第2薬液供給手段から同時に供給された第1薬液および第2薬液を混合させることにより腐食性を有するベベルエッチング液を生成し、ベベルエッチング液により基板の表面周縁部の不要物をエッチングすることを特徴とする基板処理装置である。
ここでは、第1薬液は塩酸であり、第2薬液は硝酸であり、塩酸と硝酸が(式1)に示す反応を起こすことにより、ベベルエッチング液または裏面エッチング液中に塩化ニトロシルが生成される。これにより、白金(Pt)を含む金属膜のエッチング処理を行うことができる。
図1はこの発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す図である。また、図2は図1の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は、基板Wの表面Wfの周縁部に存在する薄膜(不要物)または該周縁部および基板裏面Wbに存在する薄膜をエッチング除去する装置である。処理対象となっている基板Wには、白金で構成された金属膜が基板表面Wfまたは表裏面Wf,Wbに形成されている。そこで、基板表面Wfのみに薄膜が形成されている場合には、基板表面Wfの周縁部TR(処理領域)に薬液および純水やDIWなどのリンス液(以下、薬液およびリンス液を総称して「処理液」という)を供給して周縁部TRから薄膜をエッチング除去するとともに、基板裏面Wbに処理液を供給して裏面Wbを洗浄する。また、基板Wの表裏面Wf,Wbに薄膜が形成されている場合には、表面周縁部TRおよび裏面Wbに処理液を供給して表面周縁部TRおよび裏面Wbから薄膜をエッチング除去する。なお、この実施形態では、基板表面Wfとはデバイスパターンが形成されるデバイス形成面(基板の回路が形成される面)をいう。
図11はこの発明にかかる基板処理装置の第2実施形態における第1ノズル3の供給位置P31と第2ノズル4の供給位置P41を示す図である。この第2実施形態にかかる基板処理装置は以下の点で第1実施形態と相違する。すなわち、上記第1実施形態では、第1ノズル3の供給位置P31と第2ノズル4の供給位置P41が平面視で回転中心A0から第1ノズル3の供給位置P31に延びる方向と回転中心A0から第2ノズル4の供給位置P41に延びる方向とが形成する角度を180°としていたのに対し、この実施形態では、第1ノズル3の供給位置P31と第2ノズル4の供給位置P41とが隣接するように配置されている。具体的には、第1ノズル3および第2ノズル4の各吐出口間の距離が約15mmとなるように配置されている。また、第1ノズル3の供給位置P31が第2ノズル4の供給位置P41よりも基板Wの回転方向Rにおいて下流側に位置するように配置されている。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。
3…第1ノズル
4…第2ノズル
5…対向部材
5A、5B…ノズル挿入孔
15…スピンベース
18…ガス供給ユニット
33…第1ノズル移動機構
43…第2ノズル移動機構
501…対向部材の下面
502…ガス吐出口
A0…(基板の)回転中心
F1〜F6…支持ピン
P31…供給位置
P41…供給位置
R…(基板の)回転方向
S1〜S6…支持ピン
SP…(基板対向面と基板表面とに挟まれた)空間
TR…表面周縁部
W…基板
Wb…基板裏面
Wf…基板表面
Claims (7)
- 基板の表面を上方に向けて基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板を回転させる回転手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の表面周縁部に対向する第1供給位置に位置する第1薬液供給ノズルを有し、前記第1薬液供給ノズルから前記基板保持手段に保持された基板の表面周縁部に向けて第1薬液を供給する第1薬液供給手段と、
前記基板の回転方向において前記第1供給位置と異なるとともに前記基板の周端面からの径方向の距離が前記第1供給位置と同一である第2供給位置に位置する第2薬液供給ノズルを有し、前記第2薬液供給ノズルから前記基板保持手段に保持された基板の表面周縁部に向けて第2薬液を供給する第2薬液供給手段と、
を備え、
前記第1薬液は塩酸であり、前記第2薬液は硝酸であり、
前記基板保持手段に保持され、前記回転手段によって回転されている基板の表面周縁部上において、前記第1薬液供給手段および前記第2薬液供給手段から同時に供給された第1薬液および第2薬液を混合させることにより腐食性を有するベベルエッチング液を生成し、前記ベベルエッチング液により基板の表面周縁部の不要物をエッチングすることを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板保持手段に保持された基板の裏面に向けて、第1薬液および第2薬液が予め希釈混合されることにより生成された裏面エッチング液を供給する裏面エッチング液供給手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記第1薬液供給手段は、前記第1供給位置と前記基板の上方から離れた第1待機位置との間で前記第1薬液供給ノズルを移動させる第1ノズル移動機構を有し、
前記第2薬液供給手段は、前記第2供給位置と前記基板の上方から離れた第2待機位置との間で前記第2薬液供給ノズルを移動させる第2ノズル移動機構を有し、
前記第1薬液供給ノズルおよび前記第2薬液供給ノズルを前記第1および第2供給位置にそれぞれ位置させて、第1薬液および第2薬液を各ノズルから吐出することにより基板の表面周縁部の不要物をエッチングすることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。 - 前記第1ノズル移動機構および前記第2ノズル移動機構は共通のノズル移動機構で構成されており、前記第1薬液供給ノズルおよび前記第2薬液供給ノズルは一体的に移動することを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。
- 前記基板保持手段に保持された基板の表面に対向しながら近接配置され、基板の表面周縁部に対向する位置に前記第1薬液供給ノズルおよび前記第2薬液供給ノズルがそれぞれ挿入される複数のノズル挿入孔が形成された対向部材をさらに備え、
前記第1および第2ノズル移動機構は前記複数のノズル挿入孔に第1薬液供給ノズルおよび第2薬液供給ノズルをそれぞれ挿入することによって各ノズルが第1および第2供給位置に位置されることを特徴とする請求項3または4記載の基板処理装置。 - 前記対向部材は前記基板保持手段に保持された基板の表面に対向する基板対向面を有し、前記基板対向面にガス吐出口が形成されており、
前記基板保持手段は、鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、前記回転部材に上方に向けて突設され、基板の裏面に当接して基板を前記回転部材から離間させて支持する少なくとも3個以上の支持部材と、前記ガス吐出口から前記基板対向面と基板の表面とに挟まれた空間にガスを供給することによって基板を支持部材に押圧させるガス供給部とを有することを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。 - 基板を保持して回転させる基板保持回転工程と、
基板の表面周縁部に対向する第1供給位置に第1薬液供給ノズルを位置させる第1ノズル位置決め工程と、
前記基板の回転方向において前記第1供給位置と異なるとともに前記基板の周端面からの径方向の距離が前記第1供給位置と同一である第2供給位置に第2薬液供給ノズルを位置させる第2ノズル位置決め工程と、
前記基板保持回転工程と並行して行われ、前記第1供給位置に位置する前記第1薬液供給ノズルから基板の表面周縁部に向けて塩酸を供給する第1薬液供給工程と、
前記基板保持回転工程と並行して行われ、かつ前記第1薬液供給工程と同時に、前記第2供給位置に位置する前記第2薬液供給ノズルから基板の表面周縁部に向けて硝酸を供給する第2薬液供給工程と、
前記第1薬液供給工程により供給された第1薬液と前記第2薬液供給工程により供給された第2薬液とが基板の表面周縁部上で混合されることにより生成される腐食性を有するベベルエッチング液により、基板の表面周縁部の不要物をエッチングするベベルエッチング工程と
を備えることを特徴とする基板処理方法。
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