JP2003092283A

JP2003092283A - 基板処理装置および基板処理方法

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Publication number: JP2003092283A
Application number: JP2001284498A
Authority: JP
Inventors: Tadao Okamoto; 伊雄岡本; Takuya Wada; 卓也和田; Atsuo Naganori; 篤郎永徳; Kaoru Niihara; 薫新原
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-09-19
Filing date: 2001-09-19
Publication date: 2003-03-28
Anticipated expiration: 2021-09-19
Also published as: JP3725809B2

Abstract

(57)【要約】【課題】デバイスに損傷を与えることなく処理性能を
高く維持できるという液滴ノズルによる基板処理の利点
を維持しつつ、さらに基板の処理速度を向上させること
が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】スピンチャック１０に保持されたウエハ
Ｗの上方側には、液滴ノズル２１および処理液ノズル３
１が配置されている。処理液ノズル３１からウエハ上面
Ｗａのほぼ全域に弗酸が供給されつつ、液滴ノズル２１
からウエハ上面Ｗａに向けて液滴が供給される。また、
液滴ノズル２１は旋回駆動機構２５によって旋回される
ようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は処理液を用いて回転
する各種基板を処理する基板処理装置および基板処理方
法に関する。特に、薬液やリンス液を用いて各種基板を
処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。各
種基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基
板、ＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）用ガラ
ス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク、およ
び磁気ディスクなどが含まれる。

【０００２】

【従来の技術】従来、基板を処理するもの、たとえばウ
エハを処理するものとして、回転するウエハに処理液を
供給して種々の処理を施すものがあるが、その処理性能
を向上させるために、この処理液に高い圧力をかけた
り、処理液に超音波振動を付与したりしていた。ところ
が近年のデバイスの高精細化に伴い、この高い圧力エネ
ルギーや超音波振動エネルギーがウエハ上のデバイスに
損傷を与えてしまうという問題が生じた。

【０００３】そこでさらに、デバイスに損傷を与えるこ
となく処理性能を高く維持できる方法として、処理液と
ガスとをノズルの内部あるいは外部で混合させて液滴と
し、この液滴をウエハに供給して処理を行うものが注目
されている。なお、この液滴ノズルを用いたウエハの処
理においては、処理性能を高く維持するために、液滴ノ
ズルとウエハの処理面との距離をできるだけ接近させ、
また、液滴ノズルからの液滴の供給角度をできるだけ狭
く絞る必要がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来のこの液滴ノズル
によるウエハ処理の場合、ウエハの処理面において液滴
が実際に供給される範囲は非常に限られた範囲（たとえ
ば円形の範囲）となってしまう。そこで、この液滴の供
給範囲を回転するウエハ全域に広げるためには、液滴ノ
ズルを少なくともウエハの半径方向全域に渡って比較的
ゆっくりと移動させねばならない。すなわち、液滴ノズ
ルはウエハの半径方向全域にわたってスキャン移動させ
ることが前提となる。この場合、ある瞬間でウエハの処
理面に液滴が供給されていない部分では全く処理が行わ
れないので、ウエハ全体の処理速度が非常に遅いという
問題があった。

【０００５】そこで本発明の目的は、デバイスに損傷を
与えることなく処理性能を高く維持できるという液滴ノ
ズルによる基板処理の利点を維持しつつ、さらに基板の
処理速度を向上させることが可能な基板処理装置および
基板処理方法を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、所定の回転軸（Ｏ）を中心に基板（Ｗ）を保持しつ
つ回転させる保持回転部（１０）と、この保持回転部に
よって保持されている基板の一方面（Ｗａ）に対して、
処理液とガスとが混合されて生成された液滴を供給する
液滴ノズル（２１）と、この液滴ノズルとは別に設けら
れ、上記基板の一方面に対して、上記液滴ノズルからの
液滴に含まれる処理液と同種の処理液を供給する処理液
ノズル（３１）と、を備えることを特徴とする基板処理
装置である。

【０００７】なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態
における対応構成要素等を表す。以下、この項において
同じ。

【０００８】この発明によれば、処理液とガスとを混合
させることによって生じた液滴が、液滴ノズルから基板
の一方面に供給されるとともに、液滴に含まれる処理液
と同種の処理液が処理液ノズルから基板一方面に供給さ
れる。すなわち、液滴を供給するとともに、この液滴に
含まれるのと同じ種類の処理液を基板の一方面に供給で
きる。これにより、ある瞬間において、基板一方面上の
液滴が供給されない領域に向けて処理液を供給すること
ができる。よって、基板一方面上で処理が進行する領域
を広げることができ、したがって、デバイスに損傷を与
えることなく処理性能を高く維持できるという液滴ノズ
ルによる基板処理の利点を維持しつつ、さらに基板の処
理速度を向上させることができる。

【０００９】なお、「液滴ノズル」とは、処理液とガス
から液滴を発生させるものであれば何でもよく、たとえ
ば、内管（２１１）とこの内管を包囲するように設けら
れた外管（２１０および２１２）とからなる２重管構造
のものであってもよい。この場合、内管の先端が外管の
内部にあり、処理液とガスとが液滴ノズルの内部におい
て混合されるもの（以下、内部混合ノズルという）であ
ってもよいし、内管の先端が外管の先端と同じかそれよ
りも長く、処理液とガスとが液滴ノズルの外部において
混合されるもの（以下、外部混合ノズルという）であっ
てもよい。さらに、内管内を処理液が、外管と内管との
隙間をガスが流通するもの（以下、内液タイプという）
であってもよく、また、内管内をガスが、外管と内管と
の隙間を処理液が流通するもの（以下、外液タイプとい
う）であってもよい。またここで、「同種の処理液」と
は、含まれる成分が実質的に同一のものであればよく、
濃度、温度、比重などが異なっていてもよい。ただし、
均一な基板の処理を行うためには、濃度、温度、比重な
ども実質的に同一である方が好ましい。なお、さらに、
基板の一方面に請求項７および８のようなリンス液を供
給するリンスノズルが、液滴ノズルや処理液ノズルとは
別に設けられ、基板表面に残留する処理液を洗い流すよ
うにしてもよい。

【００１０】また、請求項２に記載の発明は、基板の一
方面に対して、上記液滴ノズルから液滴を供給しつつ、
上記処理液ノズルから処理液を供給することを特徴とす
る請求項１に記載の基板処理装置である。

【００１１】この発明によれば、液滴と処理液とを同時
に基板の一方面に供給できるので、基板一方面上で処理
が同時に進行する領域を広げることができ、したがっ
て、さらに基板の処理速度を向上させることができる。

【００１２】なお、この供給タイミングについて、処理
液と液滴の供給開始から供給終了までの供給期間をまっ
たく同一にしてもよいし、処理液および液滴のうちのい
ずれか一方を先に供給開始させてもよく、また、処理液
および液滴のうちのいずれか一方を先に供給終了させて
もよい。ただし、基板のより均一な処理を行うために
は、処理液を先に供給開始し、液滴を先に供給終了させ
るのが好ましい。また、この供給動作は実際には、液滴
ノズルや処理液ノズルに接続された流通配管の途中部に
介装されたバルブの開閉を制御することで行われる。

【００１３】また、請求項３に記載の発明は、上記処理
液ノズルは、基板の一方面の上記回転軸近傍に向けて処
理液を供給するものであることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載の基板処理装置である。

【００１４】この発明によれば、処理液ノズルから処理
液が基板の一方面の回転軸近傍に向けて供給される。こ
れにより、基板の回転による遠心力によって基板の回転
中心から基板の周縁部に至る基板全域に処理液が広がる
ので、基板の一方面全域を処理液で処理するとともに液
滴で処理することができる。したがって、基板の一方面
の処理を隈なく行うことができ、基板の一方面全域の処
理速度をさらに向上させることができる。

【００１５】なお、この場合、処理液が基板全域に広が
るので、処理液が基板表面への液滴の到達を妨げて、液
滴による処理性能が低下することが懸念される。しかし
ながら、液滴とともに噴出されるガスによって基板表面
の処理液が押しよけられるので、基板表面に液滴を直接
当てることができ、したがって、液滴による処理性能を
維持できる。

【００１６】また、請求項４に記載の発明は、上記液滴
ノズルが基板の上記回転軸に対して接近および離隔する
ように液滴ノズルを移動させる液滴ノズル移動手段（２
５）をさらに備えることを特徴とする請求項１から３ま
でのうちのいずれかに記載の基板処理装置である。

【００１７】この発明によれば、液滴ノズルを基板の回
転半径方向に関して移動させることができ、基板の一方
面上における液滴の供給位置を、基板の中央部から周辺
部にかけて移動させることができる。これにより、液滴
を基板一方面全域に供給することができ、基板の一方面
全域の処理速度を向上させることができる。

【００１８】またここで、請求項５に記載の発明のよう
に、処理液は薬液であってもよい。また、請求項６に記
載の発明のように、「薬液」はエッチング液またはポリ
マー除去液であってもよい。ここで、「エッチング液」
としては、弗酸、塩酸、硫酸、硝酸、燐酸、酢酸、蓚
酸、クエン酸、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド）、アンモニア、およびこれらの過酸
化水素水溶液のうちの少なくともいずれか１つが例示さ
れる。あるいは、これらのうちの少なくとも２つの混合
液、たとえば、弗硝酸（弗酸と硝酸の混合溶液）や王水
（塩酸と硝酸の混合溶液であってもよい。

【００１９】また、「ポリマー除去液」としては、有機
アルカリ液を含む液体、無機酸を含む液体、フッ化アン
モン系物質を含む液体のうちの少なくともいずれか１つ
が使用できる。その内、有機アルカリ液を含む液体とし
てはＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＭＳＯ（ジメ
チルスルホキシド）、ヒドロキシルアミンのうちの少な
くともいずれか１つが挙げられる。また無機酸を含む液
体としては弗酸および燐酸のうちの少なくともいずれか
１つが挙げられる。その他、ポリマー除去液としては１
−メチル−２ピロリドン、テトラヒドロチオフェン１．
１−ジオキシド、イソプロパノールアミン、モノエタノ
ールアミン、２−（２アミノエトキシ）エタノール、カ
テコール、Ｎ−メチルピロリドン、アロマテイックジオ
ール、パーフレン、フェノールを含む液体などのうちの
少なくともいずれか１つがあり、より具体的には、１−
メチル−２ピロリドンとテトラヒドロチオフェン１．１
−ジオキシドとイソプロパノールアミンとの混合液、ジ
メチルスルホシキドとモノエタノールアミンとの混合
液、２−（２アミノエトキシ）エタノールとヒドロキシ
アミンとカテコールとの混合液、２−（２アミノエトキ
シ）エタノールとＮ−メチルピロリドンとの混合液、モ
ノエタノールアミンと水とアロマテイックジオールとの
混合液、パーフレンとフェノールとの混合液などのうち
の少なくともいずれか１つが挙げられる。

【００２０】また、請求項７に記載の発明のように、処
理液は薬液を洗い流すためのリンス液であってもよい。
リンス液としては、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）
などの有機溶剤、ならびに純水（請求項８に記載）、炭
酸水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）、およびイ
オン水のうちの少なくともいずれか１つが挙げられる。

【００２１】また、請求項９に記載の発明は、上記液滴
ノズルからの液滴の吐出方向は基板の一方面に対してほ
ぼ垂直であり、上記処理液ノズルからの処理液の吐出方
向は基板の一方面に対して傾斜していることを特徴とす
る請求項１から８までのうちのいずれかに記載の基板処
理装置である。

【００２２】この発明によれば、基板の一方面に対し
て、液滴がほぼ垂直に供給され、処理液が斜め方向に供
給される。これにより、液滴の衝突エネルギーが最大と
なるとともに、処理液が基板上で広い範囲に広がるよう
になる。したがって、さらに、液滴による処理性能を向
上させつつ、基板の一方面の広い範囲の処理速度を向上
させることができる。

【００２３】また、請求項１０に記載の発明は、上記処
理液ノズルから供給される処理液を温度調節する温度調
節機構（２２０ｂ，２２１ｂ）をさらに備えることを特
徴とする請求項１から９までのうちのいずれかに記載の
基板処理装置である。

【００２４】この発明によれば、温度調節機構によって
処理液が適切な温度調節される。この場合、処理液は基
板の広い範囲にわたって広がるので、基板の一方面の温
度を面内でより均一にすることができる。特に請求項３
または請求項９に係る請求項１０に記載の発明の場合
は、さらにその効果が顕著である。なお、上記液滴ノズ
ルから供給される液滴に含まれる処理液およびガスを温
度調節する温度調節機構をさらに備えることがより好ま
しい。

【００２５】また、請求項１１に記載の発明は、処理液
とガスとが混合されて生成された液滴を回転する基板の
一方面に供給する液滴供給工程（Ｓ２／Ｓ４）と、この
液滴供給工程が行われている期間において、この液滴供
給工程で供給される液滴に含まれる処理液と同種の処理
液を基板の一方面に供給する処理液供給工程（Ｓ１／Ｓ
３）と、を備えることを特徴とする基板処理方法であ
る。

【００２６】この発明によれば、少なくとも所定の期間
において、基板の一方面に液滴と処理液との両方をとも
に供給できる。これにより、デバイスに損傷を与えるこ
となく処理性能を高く維持できるという液滴ノズルによ
る基板処理の利点を維持しつつ、さらに基板の処理速度
を向上させることができる。

【００２７】また、請求項１２に記載の発明は、上記処
理液供給工程は、基板の一方面のほぼ全域が処理液で覆
われるように処理液を供給するものであることを特徴と
する請求項１１に記載の基板処理方法である。

【００２８】この発明によれば、基板の一方面に隈なく
処理液を供給できる。これにより、基板の一方面全域を
処理液で処理するとともに液滴で処理することができ
る。したがって、基板の一方面の処理を隈なく行うこと
ができ、基板の一方面全域の処理速度を向上させること
ができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。

【００３０】図１は、この発明の一実施形態に係る基板
処理装置の構成を図解的に示す側面図である。また、図
２は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成
を図解的に示す平面図である。この基板処理装置は、ほ
ぼ円形の基板であるウエハＷの表面、特にその上面Ｗａ
の不要なゴミやパーティクルまたは不要な金属膜（以
下、不要物という）をエッチング除去するための装置で
ある。

【００３１】この基板処理装置には、スピンチャック１
０が備えられている。スピンチャック１０は、ほぼ鉛直
に配置されたチャック軸１１と、このチャック軸１１の
上端にほぼ水平に固定された円板状のスピンベース１２
と、このスピンベース１３の周辺に設けられてウエハＷ
の下面Ｗｂおよび端面を保持するチャックピン１３を含
む。チャック軸１１は、たとえば、円筒状に形成される
ことによって裏面ノズル１４が内部に挿通されており、
この裏面ノズル１４の上端はスピンベース１２の上面よ
りも少し上の位置で開口している。また、チャック軸１
１には、モータなどを含む回転駆動機構１５から回転力
が伝達されて、ウエハＷのほぼ中心を通る鉛直軸線（ウ
エハＷの回転軸Ｏ）まわりに回転されるようになってい
る。

【００３２】なお、裏面ノズル１４は、配管１４０，１
４１によりそれぞれ、エッチング液としての弗酸を供給
するエッチング液供給源、およびリンス液としての純水
を供給するリンス液供給源に接続されている。なお、こ
のエッチング液供給源は、たとえばエッチング液の貯留
タンクまたは工場設備の供給口であってもよく、エッチ
ング液供給源は、たとえばリンス液の貯留タンクまたは
工場設備の供給口であってもよい。そして、配管１４
０，１４１途中のバルブ１４０ａ，１４１ａを開閉する
ことで、ウエハＷの下面Ｗｂ中央に対して弗酸または純
水を選択的に供給開始／停止できるようになっている。

【００３３】これにより、スピンチャック１０は、スピ
ンベース１２上にウエハＷをほぼ水平に保持することが
できる。そして、この状態で、回転駆動機構１５からチ
ャック軸１１に回転力を伝達することにより、スピンベ
ース１２で吸着保持したウエハＷを、そまわりに回転さ
せることができる。

【００３４】また、スピンチャック１０の左側方に、ウ
エハＷの上面Ｗａに対してエッチング液の液滴を供給す
るための液滴ノズル機構２０が設けられ、スピンチャッ
ク１０の左側方に、ウエハＷの上面Ｗａに対して処理液
としての弗酸および純水を供給する処理液ノズル機構３
０が設けられている。

【００３５】また、液滴ノズル機構２０は、エッチング
液としての弗酸またはリンス液としての純水と窒素ガス
とが混合されて生成された液滴を、ウエハＷの上面Ｗａ
の液滴供給位置Ｐ１に供給するための液滴ノズル２１
と、この液滴ノズル２１がブラケット２２を介して先端
に取付けられてほぼ水平方向に延びるアーム２３と、こ
のアーム２３の根元に取付けられてほぼ鉛直な軸Ｇを中
心に回転可能な旋回軸２４と、この旋回軸２４を軸Ｇま
わりに旋回駆動させる旋回駆動機構２５（たとえば、Ａ
Ｃサーボモータやステッピングモータなど）とを有して
いる。なお、ブラケット２２の取付けを調整すること
で、アーム２３に対する液滴ノズル２１の位置や角度を
変更できる。

【００３６】これら液滴ノズル機構２０の構成により、
図２の平面図にも示すように、その先端に取付けられた
液滴ノズル２１を軸Ｇを中心に、平面視で時計回りおよ
び反時計回りに旋回させることができ、液滴供給位置Ｐ
１を変化させることができる。すなわち、ウエハＷ上方
において液滴ノズル２１をウエハＷの回転軸Ｏに対して
接近および離隔させることができるようになっている。
言い換えれば、回転軸Ｏとウエハ上面Ｗａとの交点ＷＯ
（以下、回転中心ＷＯという）を通ってウエハＷをまた
ぐような軌跡で液滴供給位置Ｐ１を移動させることがで
きる。具体的には、図２のように、ウエハＷ外周のＰ１
Ｌから回転中心ＷＯを経てウエハＷ外周のＰ１Ｒを結ぶ
円弧Ｃを少なくとも含む範囲で液滴供給位置Ｐ１を移動
させることができる。

【００３７】なお、液滴ノズル２１から供給される液滴
は、弗酸または純水および窒素ガスにかかる圧力によっ
て、ウエハ上面Ｗａに対してコーン状に勢いよく噴霧さ
れる。この場合、ウエハ上面Ｗａの液滴が供給される範
囲は所定の円形または楕円形に広がる範囲となるが、上
述の液滴供給位置Ｐ１はその供給範囲のほぼ中心付近を
指すものとする。

【００３８】さらに、液滴ノズル機構２０全体を昇降さ
せるための昇降駆動機構４０が備えられており、これに
より液滴ノズル２１をウエハＷの上面に対して近づけた
り遠ざけたりすることができるようになっている。すな
わち、ウエハＷと液滴ノズル２１の先端との距離を変更
することができる。

【００３９】また、処理液ノズル機構３０は、エッチン
グ液としての弗酸およびリンス液としての純水をウエハ
Ｗの上面Ｗａの処理液供給位置Ｐ２に供給するための処
理液ノズル３１と、この処理液ノズル３１がブラケット
３２を介して先端に取付けられてほぼ水平方向に延びる
アーム３３とからなる。ただし、このアーム３３には上
述のような旋回駆動機構は接続されておらず、処理液ノ
ズル３１は固定されて移動しない。すなわち、処理液供
給位置Ｐ２は図２の位置のまま固定されている。

【００４０】なお、この処理液の処理液供給位置Ｐ２
は、図２のように、回転中心ＷＯよりも少しずれた回転
中心ＷＯ近傍となっているが、処理液供給位置Ｐ２に供
給された処理液（弗酸または純水）はその後、回転中心
ＷＯを含む領域に広がり、そしてウエハＷ回転による遠
心力でウエハＷの上面Ｗａ全域に広がる。また、処理液
供給位置Ｐ２は回転中心ＷＯと一致させてもよく、ま
た、回転中心ＷＯから離れた位置としてもよく、少なく
とも回転中心ＷＯに処理液が供給されるように処理液供
給位置Ｐ２を定めればよい。

【００４１】ここで液滴ノズル２１は、図１に示すよう
に、エッチング液供給源、リンス液供給源および窒素ガ
ス供給源に対して配管２２０，２２１，２２２によって
接続されており、その途中にはそれぞれ、開閉可能なバ
ルブ２２０ａ，２２１ａ，２２２ａが介装されている。
また、処理液ノズル３１は、図１に示すように、エッチ
ング液供給源およびリンス液供給源に対して配管３２
０，３２１によって接続されており、その途中にはそれ
ぞれ、開閉可能なバルブ３２０ａ，３２１ａが介装され
ている。

【００４２】なお、配管１４０，２２０および３２０が
合流するエッチング液供給源側の配管の途中部には、弗
酸の温度を２０〜８０℃の範囲で調整できる温度調節器
２２０ｂが介装されている。また、配管１４１，２２１
および３２１が合流する純水供給源側の配管の途中部に
は、純水の温度を２０〜８０℃の範囲で調整できる温度
調節器２２１ｂが介装されている。また、配管２２２の
エッチング液供給源側の途中部には、窒素ガスの温度を
２０〜８０℃の範囲で調整できる温度調節器２２２ｂが
介装されている。ここで、温度調節器２２０ｂ，２２１
ｂ，２２２ｂは、たとえば、温度センサで温度を検知し
て温度を制御する熱交換器あるいはヒータなどである。

【００４３】なお、エッチング液供給源に接続された配
管１４０，２２０および３２０それぞれの途中部には、
弗酸の圧力を１〜１０ｋｇ／ｃｍ^２の範囲で調整できる
圧力調整弁（図示せず）が介装されている。また、リン
ス液供給源に接続された配管１４１，２２１および３２
１の途中部には、純水の圧力を１〜１０ｋｇ／ｃｍ^２の
範囲で調整できる圧力調整弁（図示せず）が介装されて
いる。また、窒素ガス供給源に接続された配管２２２の
途中部には、窒素ガスの圧力を１〜１０ｋｇ／ｃｍ^２の
範囲で調整できる圧力調整弁（図示せず）が介装されて
いる。

【００４４】また、液滴ノズル２１は、本体部２１０
と、この本体部２１０に上方から圧入された第１パイプ
２１１と、本体部２１０に上方から圧入された第２パイ
プ２１２とからなっている。また、本体部２１０はその
左側方に配管２２０および２２１が接続され、第１パイ
プ２１１はその上端に配管２２２が接続されている。そ
して、本体部２１０の左方には貫通路２１０ａ形成され
ている。また、第１パイプ２１１の内径は下方に行くほ
ど小さくなっている。さらに、第２パイプ２１２は、下
方に行くほど内径が小さくなるテーパ部２１２ａと、こ
のテーパ部２１２ａの下方に連なる直管状のストレート
部２１２ｂとで構成されている。

【００４５】また、第１パイプ２１１の下端部周囲の本
体部２１０で囲まれた部分にはほぼ円筒状の空間ＳＰ１
が形成され、第１パイプ２１１の下端周囲のテーパ部２
１２ａで囲まれた部分には円筒状の微少な隙間空間ＳＰ
２が形成され、また、テーパ部２１２ａの内部にはほぼ
円錐状の空間ＳＰ３が形成されている。なお、これらの
空間ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は下方に向かってこの順に
連通している。

【００４６】これにより、バルブ２２０ａを開成すれ
ば、エッチング液供給源から供給された弗酸は、配管２
２０を流通して、液滴ノズル２１の本体部２１０内の貫
通路２１０ａ、空間ＳＰ１および空間ＳＰ２を順に通過
して、空間ＳＰ３に供給される。バルブ２２１ａを開成
すれば、リンス液供給源から供給された純水は、配管２
２１を流通して、液滴ノズル２１の本体部２１０内の貫
通路２１０ａ、空間ＳＰ１および空間ＳＰ２を順に通過
して、空間ＳＰ３に供給される。さらに、バルブ２２２
ａを開成すれば、窒素ガス供給源から供給された窒素ガ
スは、配管２２２を流通して、液滴ノズル２１の第１パ
イプ２１１内を通過して、空間ＳＰ３に供給される。

【００４７】したがって、バルブ２２０ａおよび２２２
ａをともに開成すれば、弗酸および窒素ガスが空間ＳＰ
３に至って、この空間ＳＰ３内で混合され、弗酸の液滴
となってストレート部２１２ｂからウエハＷに向けて吐
出されることとなる。また、バルブ２２１ａおよび２２
２ａをともに開成すれば、純水および窒素ガスが空間Ｓ
Ｐ３に至って、この空間ＳＰ３内で混合され、純水の液
滴となってストレート部２１２ｂからウエハＷに向けて
吐出されることとなる。

【００４８】なお、内管（第１パイプ２１１）の先端が
外管（本体部２１０および第２パイプ２１２）の内部に
あり、処理液（弗酸または純水）とガス（窒素ガス）と
が液滴ノズル２１の内部において混合されるので、この
液滴ノズル２１は内部混合ノズルであるといえる。ま
た、内管（第１パイプ２１１）内をガス（窒素ガス）
が、外管（本体部２１０および第２パイプ２１２）と内
管（第１パイプ２１１）との隙間を処理液（弗酸または
純水）が流通するものであるので、この液滴ノズル２１
は外液タイプのノズルであるといえる。

【００４９】ここで、液滴ノズル２１のストレート部２
１２ｂの内径は、０．１〜５．０ｍｍ程度、たとえば本
実施形態では３ｍｍに細く形成されている。また、この
液滴ノズル２１から吐出される液滴の吐出方向は、ブラ
ケット２２によって角度を調節可能になっており、たと
えば、ウエハＷの上面Ｗａと液滴ノズル２１からの液滴
の吐出方向とのなす角度を１０〜９０度の範囲で調節で
きるようになっている。ただし、本実施形態では、液滴
による処理性能を最大限に発揮させるため、この角度を
９０度としている。また、液滴ノズル２１のストレート
部２１２ｂ先端（下端）とウエハＷ上面Ｗａとの距離
は、昇降駆動機構４０およびブラケット２２によって３
〜７０ｍｍの範囲で設定できるようになっており、本実
施形態では１０ｍｍに設定されている。さらに、本体部
２１０、第１パイプ２１１、および第２パイプ２１２を
含む液滴ノズル２１の材質としては、弗酸に対する耐液
性を考慮してふっ素系樹脂（ＰＦＡ、ＰＴＦＥ、ＰＣＴ
ＦＥ等）から構成されている。

【００５０】＜一実施形態の処理手順＞

【００５１】次に、この基板処理装置における処理手順
について、図３の処理フロー図を用いて説明する。な
お、図３のグラフの横軸は時間軸であり、各処理ステッ
プＳ１〜Ｓ５ごとの処理期間を縦軸方向にずらして表現
している。

【００５２】まず、ウエハＷ表面の不要物を除去すべき
ウエハＷが、図示しない搬送ロボットによって搬入され
てきて、スピンチャック１０に受け渡される。スピンチ
ャック１０にウエハＷが保持されると、スピンチャック
１０およびウエハＷが予め定める回転速度で回転方向Ｒ
の方向に回転され始める。この際、液滴ノズル２１は、
ウエハＷ外方の位置（図２の２点鎖線で示すＡ位置）に
退避している。

【００５３】その後、旋回駆動機構２５によって、液滴
ノズル２１が図２の平面視で時計回りに旋回移動され
て、回転中心ＷＯ上に液滴供給位置Ｐ１がくるように、
ウエハＷの回転中心ＷＯの上方に移動される。もちろ
ん、処理液ノズル３１からの処理液供給位置Ｐ２は回転
中心ＷＯ近傍で固定されている。また、裏面ノズル１４
からの処理液供給位置は、ウエハ下面Ｗｂと回転軸Ｏと
の交点に固定されている。

【００５４】そして、この状態からまず最初に、バルブ
３２０ａ，１４０ａがともに開成されて、ウエハ両面Ｗ
ａおよびＷｂに向けて裏面ノズル１４および処理液ノズ
ル３１から弗酸が供給される（弗酸供給工程：ステップ
Ｓ１）。この直後、バルブ２２０ａ，２２２ａがともに
開成されて、ウエハ上面Ｗａの回転中心ＷＯに向けて液
滴ノズル２１から弗酸の液滴が供給される（弗酸液滴供
給ステップＳ２）。これと同時に、旋回駆動機構２５に
よって、ウエハＷ外周のＰ１ＲからウエハＷ外周のＰ１
Ｒを結ぶ円弧Ｃの範囲で液滴供給位置Ｐ１が往復移動す
るように、液滴ノズル２１が繰り返し旋回移動される。
このステップＳ１およびＳ２を所定時間（たとえば、１
５秒間）行うことで、ウエハ両面Ｗａ，Ｗｂの不要物が
良好に除去される。

【００５５】なお、回転中心ＷＯ上に液滴供給位置Ｐ１
が来た時に液滴ノズル２１の旋回移動が停止され、この
状態で、バルブ２２０ａ，２２２ａがともに閉成されて
液滴ノズル２１からの弗酸の液滴の供給が停止され、次
に、バルブ３２０ａ，１４０ａが閉成されて裏面ノズル
１４および処理液ノズル３１からウエハ両面Ｗａ，Ｗｂ
への弗酸の供給が停止される。これにより、ステップＳ
１およびＳ２を終了する。

【００５６】次に、バルブ３２１ａ，１４１ａがともに
開成されて、裏面ノズル１４および処理液ノズル３１か
らウエハ両面Ｗａ，Ｗｂに向けて純水が供給される（純
水供給ステップＳ３）。この直後、バルブ２２１ａ，２
２２ａがともに開成されて、ウエハ上面Ｗａの回転中心
ＷＯに向けて液滴ノズル２１から純水の液滴が供給され
る（純水液滴供給ステップＳ４）このステップＳ３およ
びＳ４を所定時間（たとえば、４０秒間）行うことで、
ウエハ両面Ｗａ，Ｗｂに残っていた弗酸を洗い流すこと
ができる。

【００５７】なお、バルブ２２０ａ，２２２ａがともに
閉成されて液滴ノズル２１からの弗酸の液滴の供給が停
止されて液滴ノズル２１が旋回移動されてウエハＷ外方
（図２のＡ位置）へ退避し、、次に、バルブ３２１ａ，
１４１ａが閉成されて裏面ノズル１４および処理液ノズ
ル３１からウエハ両面Ｗａ，Ｗｂへの純水の供給が停止
される。これにより、ステップＳ３およびＳ４を終了す
る。

【００５８】次に、図示しないガスノズルからウエハ両
面Ｗａ，Ｗｂに向けて乾燥用の窒素ガスを供給しつつ、
ウエハＷの回転数をそれまでより高めて、ウエハ両面Ｗ
ａ，Ｗｂに残っていた水分を除去し乾燥させ（スピン乾
燥ステップＳ５）、所定時間（たとえば、１５秒間）の
経過後、ウエハＷの回転を停止させる。

【００５９】以上のステップＳ１〜Ｓ５の一連の処理に
よって処理は終了するが、ステップＳ５の終了後は、図
示しない搬送ロボットによって搬出され、次の処理装置
に搬送されていく。

【００６０】＜一実施形態の効果＞

【００６１】以上のように、この一実施形態に係る基板
処理装置では、処理液としての弗酸または純水窒素ガス
とを混合させることによって生じた液滴が、液滴ノズル
２１からウエハ上面Ｗａに供給されるとともに、液滴に
含まれる処理液と同種の処理液が処理液ノズル３１から
ウエハ上面Ｗａに供給される。これにより、ウエハ上面
Ｗａ上で処理が進行する領域を広げることができ、した
がって、デバイスに損傷を与えることなく処理性能を高
く維持できるという液滴ノズル２１によるウエハ処理の
利点を維持しつつ、さらにウエハＷの処理速度（ウエハ
Ｗ上の不要物の除去速度またはリンス処理速度）を向上
させることができる。

【００６２】さらに、弗酸の液滴と弗酸の液とを同時
に、また、純水の液滴と純水の液とを同時にウエハ上面
Ｗａに供給できる。よって、弗酸による不要物のエッチ
ング除去処理、または純水によるリンス処理がウエハ上
面Ｗａ上で同時に進行する領域を広げることができ、し
たがって、さらにウエハＷの処理速度を向上させること
ができる。

【００６３】また、この一実施形態に係る基板処理装置
では、処理液ノズル３１から処理液としての弗酸または
純水がウエハ上面Ｗａの回転軸Ｏ近傍の位置Ｐ２に向け
て供給される。これにより、ウエハＷの回転による遠心
力によってウエハＷの回転中心ＷＯからウエハＷの周縁
部に至るウエハＷ全域に処理液が広がるので、ウエハ上
面Ｗａ全域を処理液の液滴で処理することができる。し
たがって、ウエハ上面Ｗａの処理を隈なく行うことがで
き、ウエハ上面Ｗａ全域の処理速度をさらに向上させる
ことができる。

【００６４】また、この一実施形態に係る基板処理装置
では、液滴ノズル２１を回転軸Ｏに対して接近および離
隔するように移動させることができ、ウエハ上面Ｗａに
おける液滴の供給位置Ｐ１を、ウエハＷの中央部から周
辺部にかけて移動させることができる。これにより、液
滴をウエハ上面Ｗａ全域に供給することができ、ウエハ
上面Ｗａ全域の処理速度を向上させることができる。

【００６５】また、この一実施形態に係る基板処理装置
では、ウエハ上面Ｗａに対して、液滴ノズル２１から弗
酸または純水の液滴がほぼ垂直に供給され、処理液ノズ
ル３１から弗酸または純水の液が斜め方向に供給されて
いる。これにより、弗酸または純水の液滴の衝突エネル
ギーが最大となるとともに、弗酸または純水の液がウエ
ハ上面Ｗａで広い範囲に広がるようになる。したがっ
て、さらに、液滴による処理性能を向上させつつ、ウエ
ハ上面Ｗａの広い範囲の処理速度を向上させることがで
きる。

【００６６】また、この一実施形態に係る基板処理装置
では、処理液ノズル３１から供給される弗酸や純水など
の処理液を温度調節する温度調節器２２０ｂ，２２１
ｂ，２２２ｂが備えられている。これにより処理液はウ
エハ上面Ｗａの広い範囲にわたって広がるので、ウエハ
Ｗの温度を面内でより均一にすることができる。

【００６７】また、この一実施形態に係る基板処理方法
では、弗酸の液滴を回転するウエハ上面Ｗａに供給する
弗酸液滴供給ステップＳ２と、この弗酸液滴供給ステッ
プＳ２が行われている期間において、弗酸の液をウエハ
上面Ｗａに供給する弗酸供給ステップＳ１と、を備えて
いる。また、純水の液滴を回転するウエハ上面Ｗａに供
給する純水液滴供給ステップＳ４と、この純水液滴供給
ステップＳ４が行われている期間において、純水の液を
ウエハ上面Ｗａに供給する純水供給ステップＳ３と、を
備えている。これらにより、デバイスに損傷を与えるこ
となく処理性能を高く維持できるという液滴ノズル２１
によるウエハ処理の利点を維持しつつ、さらにウエハＷ
の処理速度（ウエハＷ上の不要物の除去速度またはリン
ス処理速度）を向上させることができる。

【００６８】また、この一実施形態に係る基板処理方法
では、弗酸供給ステップＳ１および純水供給ステップＳ
３では、ウエハ上面Ｗａのほぼ全域が弗酸または純水で
覆われる。したがって、ウエハ上面Ｗａの処理を隈なく
行うことができ、ウエハ上面Ｗａ全域の処理速度を向上
させることができる。

【００６９】＜一実施形態の変形例＞

【００７０】以上、この発明の一実施形態について説明
したが、この発明は、さらに他の形態で実施することも
できる。たとえば、上述の一実施形態では、液滴ノズル
２１は、内部混合ノズルとなっているが、上述の外部混
合ノズルとしてもよい。また、液滴ノズル２１は、外液
タイプのノズルとなっているが、上述の内液タイプのノ
ズルとしてもよい。

【００７１】また、上述の一実施形態では、液滴ノズル
２１は、エッチング液（弗酸）の液滴とリンス液（純
水）の液滴の両方をバルブ切替えによって吐出できるよ
うな共用のノズルとなっているが、それぞれ別のノズル
となっていてもよく、すなわち、液滴ノズル２１の代わ
りに、エッチング液の液滴を吐出する第１液滴ノズルと
リンス液の液滴を吐出する第２液滴ノズルとが別々に備
えられていてもよい。また、処理液ノズル３１および裏
面ノズル１４についても同様に、エッチング液を吐出ず
る第１処理液ノズルとリンス液を吐出する第２処理液ノ
ズルとが別々に備えられていてもよい。

【００７２】また、上述の一実施形態では、ウエハＷに
対してエッチング処理（Ｓ１，Ｓ２）とリンス処理（Ｓ
３，Ｓ４）とスピン乾燥処理（Ｓ５）の３つの処理を順
に行う装置および方法について説明したが、本発明はエ
ッチング処理のみを行う装置および方法、リンス処理の
みを行う装置および方法、エッチング処理およびリンス
処理のみを行う装置および方法、ならびにリンス処理お
よびスピン乾燥処理のみを行う装置および方法のいずれ
にも適用可能である。

【００７３】また、上述の一実施形態では、液滴ノズル
２１は、ウエハＷの上面Ｗａに液滴を供給するようにな
っているが、ウエハＷの下面Ｗｂに液滴を供給するもの
であってもよく、さらには、ウエハＷの両面Ｗａおよび
Ｗｂに液滴を供給するものであってもよい。

【００７４】また、上述の一実施形態では、液滴ノズル
２１からの液滴に含まれるエッチング液、および処理液
ノズル３１および裏面ノズル１４からのエッチング液
は、弗酸となっているが、このエッチング液としては、
弗酸の他、塩酸、硫酸、硝酸、燐酸、酢酸、蓚酸、クエ
ン酸、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイド）、アンモニア、およびこれらの過酸化水素水
溶液のうちの少なくともいずれか１つ、あるいは、これ
らのうちの少なくとも２つの混合液、たとえば、弗硝酸
（弗酸と硝酸の混合溶液）や王水（塩酸と硝酸の混合溶
液であってもよい。

【００７５】また、上述の一実施形態では、液滴ノズル
２１からの液滴に含まれるリンス液、ならびに処理液ノ
ズル３１および裏面ノズル１４からのリンス液は、純水
となっているが、このリンス液としては、その他、ＩＰ
Ａ（イソプロピルアルコール）などの有機溶剤、炭酸
水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）、およびイオ
ン水のうちのいずれであってもよい。さらに液滴ノズル
２１に導入される気体として窒素ガスが用いられている
が、その他、アルゴンガスやヘリウムガスなどの不活性
ガスおよびクリーンエアのうちのいずれであってもよ
い。さらには、上述の一実施形態では、液滴ノズル２１
からの液滴に含まれる薬液、および処理液ノズル３１お
よび裏面ノズル１４からの薬液は、エッチング液（弗
酸）となっているが、その他ウエハＷを処理可能な液体
であればなんでもよく、たとえば、ウエハＷ上の不要な
レジスト残渣を除去するためのポリマー除去液であって
もよい。

【００７６】また、上述の一実施形態では、図３に示し
たように、処理液ノズル３１から処理液の供給を開始し
た後に、液滴ノズル２１からの液滴の供給を開始してい
るが、液滴ノズル２１からの液滴の供給の方を先に行っ
てもよい。また、処理液ノズル３１から処理液の供給を
停止させる前に、液滴ノズル２１からの液滴の供給が終
了されているが、液滴ノズル２１からの液滴の供給の方
を後で終了させてもよい。

【００７７】また、上述の一実施形態では、液滴供給位
置Ｐ１を変更するために液滴ノズル２１を移動させる液
滴ノズル移動手段として、液滴ノズル２１を旋回移動さ
せるための旋回駆動機構２５（ＡＣサーボモータやステ
ッピングモータなど）が用いられているが、これに限る
ものではない。たとえば、液滴ノズル２１を直線移動さ
せるための直線駆動機構（モータやシリンダなど）であ
ってもよい。またたとえば、液滴ノズル２１を移動させ
るものに限らず、液滴ノズル２１の向きを変更して液滴
の吐出方向を変更するものであってもよい。

【００７８】なお、この旋回駆動機構２５による液滴供
給位置Ｐ１の移動に応じて液滴ノズル２１による処理性
能（エッチング力やリンス洗浄力）を変化させてもよ
い。具体的には、液滴ノズル２１に導入されるガス（窒
素ガス）の圧力や流量、液滴ノズル２１の移動速度、ス
ピンチャック１０によるウエハＷの回転数を変化させて
もよい。たとえば、液滴供給位置Ｐ１が、ウエハ上面Ｗ
ａのデバイス形成領域内（図２の境界ｄよりも内方）に
あるときは、デバイス形成領域外（図２の境界ｄよりも
外方）にあるときよりも、ガスの圧力や流量を小さくし
たり、液滴ノズル２１の移動速度を早くしたり、ウエハ
Ｗの回転数を遅くしたりするのがよい。これは、デバイ
ス形成領域Ｄ１内のデバイスにできるだけ損傷を与えな
いようにするためである。

【００７９】さらには、基板の一例として半導体ウエハ
を取り上げたが、この発明は、液晶表示装置用ガラス基
板、ＰＤＰ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、
光ディスク、および磁気ディスクなどの他の種類の基板
に対して処理を施すための装置にも適用することができ
る。

【００８０】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

【００８１】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、請求項１に
係る発明の基板処理装置によると、デバイスに損傷を与
えることなく処理性能を高く維持できるという液滴ノズ
ルによる基板処理の利点を維持しつつ、さらに基板の処
理速度を向上させることができるという効果を奏する。

【００８２】また、請求項２に係る発明の基板処理装置
によると、さらに基板の処理速度を向上させることがで
きるという効果を奏する。

【００８３】また、請求項３に係る発明の基板処理装置
によると、基板の一方面全域の処理速度をさらに向上さ
せることができるという効果を奏する。

【００８４】また、請求項４に係る発明の基板処理装置
によると、基板の一方面全域の処理速度を向上させるこ
とができるという効果を奏する。

【００８５】また、請求項９に係る発明の基板処理装置
によると、さらに、液滴による処理性能を向上させつ
つ、基板の一方面の広い範囲の処理速度を向上させるこ
とができるという効果を奏する。

【００８６】また、請求項１０に係る発明の基板処理装
置によると、基板の一方面の温度を面内でより均一にす
ることができるという効果を奏する。

【００８７】また、請求項１１に係る発明の基板処理方
法によると、デバイスに損傷を与えることなく処理性能
を高く維持できるという液滴ノズルによる基板処理の利
点を維持しつつ、さらに基板の処理速度を向上させるこ
とができるという効果を奏する。

【００８８】また、請求項１２に係る発明の基板処理方
法によると、基板の一方面の処理を隈なく行うことがで
き、基板の一方面全域の処理速度を向上させることがで
きるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構
成を図解的に示す側面図である。

【図２】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構
成を図解的に示す平面図である。

【図３】図１の基板処理装置における処理手順について
説明するための処理フロー図である。

【符号の説明】

１０スピンチャック１１チャック軸１２スピンベース１３チェックピン１４裏面ノズル１４０，１４１配管１４０ａ，１４１ａバルブ１５回転駆動機構２０液滴ノズル機構２１液滴ノズル２２ブラケット２３アーム２４旋回軸２５旋回駆動機構２１０本体部２１０ａ貫通路２１１第１パイプ２１２第２パイプ２１２ａテーパ部２１２ｂストレート部２２０，２２１，２２２配管２２０ａ，２２１ａ，２２２ａバルブ２２０ｂ，２２１ｂ，２２２ｂ温度調節器３０処理液ノズル機構３１処理液ノズル３２０，３２１配管３２０ａ，３２１ａバルブ３２ブラケット３３アーム４０昇降駆動機構Ｃ円弧ｄ境界ＯウエハＷの回転軸Ｇ旋回軸Ｐ１液滴供給位置Ｐ２処理液供給位置ＲウエハＷの回転方向Ｓ１弗酸供給ステップＳ２弗酸液滴供給ステップＳ３純水供給ステップＳ４純水液滴供給ステップＳ５スピン乾燥ステップＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３空間ＷウエハＷａウエハの上面Ｗｂウエハの下面ＷＯウエハの回転中心

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｂ０５Ｃ 11/08 Ｂ０８Ｂ 3/02 Ｂ５Ｆ０４３Ｂ０８Ｂ 3/02 3/08 Ｚ５Ｆ０４６ 3/08 3/10 Ｚ 3/10 Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３ＡＨ０１Ｌ 21/027 21/306 Ｊ 21/304 ６４３ 21/30 ５６９Ｃ (72)発明者永徳篤郎京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内 (72)発明者新原薫京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内Ｆターム(参考） 3B201 AA02 AA03 AB34 AB47 BB23 BB24 BB38 BB44 BB82 BB93 BB96 CC01 CC12 CC13 4F033 AA14 BA03 CA07 HA01 QA05 QB02Y QB03X QB13Y QB17 QC04 QD03 4F035 AA04 BC01 4F041 AA06 AB01 BA42 BA46 4F042 AA02 AA07 EB11 EB17 5F043 DD13 EE07 EE08 GG10 5F046 LA03 LA04 LA13

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の回転軸を中心に基板を保持しつつ
回転させる保持回転部と、この保持回転部によって保持されている基板の一方面に
対して、処理液とガスとが混合されて生成された液滴を
供給する液滴ノズルと、この液滴ノズルとは別に設けられ、上記基板の一方面に
対して、上記液滴ノズルからの液滴に含まれる処理液と
同種の処理液を供給する処理液ノズルと、を備えること
を特徴とする基板処理装置。
【請求項２】基板の一方面に対して、上記液滴ノズル
から液滴を供給しつつ、上記処理液ノズルから処理液を
供給することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装
置。
【請求項３】上記処理液ノズルは、基板の一方面の上
記回転軸近傍に向けて処理液を供給するものであること
を特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】上記液滴ノズルが基板の上記回転軸に対
して接近および離隔するように液滴ノズルを移動させる
液滴ノズル移動手段をさらに備えることを特徴とする請
求項１から３までのうちのいずれかに記載の基板処理装
置。
【請求項５】上記処理液は薬液であることを特徴とす
る請求項１から４までのうちのいずれかに記載の基板処
理装置。
【請求項６】上記薬液はエッチング液またはポリマー
除去液であることを特徴とする請求項５に記載の基板処
理装置。
【請求項７】上記処理液は薬液を洗い流すためのリン
ス液であることを特徴とする請求項１から４までのうち
のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】上記リンス液は純水であることを特徴と
する請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】上記液滴ノズルからの液滴の吐出方向は
基板の一方面に対してほぼ垂直であり、上記処理液ノズ
ルからの処理液の吐出方向は基板の一方面に対して傾斜
していることを特徴とする請求項１から８までのうちの
いずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】上記処理液ノズルから供給される処理
液を温度調節する温度調節機構をさらに備えることを特
徴とする請求項１から９までのうちのいずれかに記載の
基板処理装置。
【請求項１１】処理液とガスとが混合されて生成され
た液滴を回転する基板の一方面に供給する液滴供給工程
と、この液滴供給工程が行われている期間において、この液
滴供給工程で供給される液滴に含まれる処理液と同種の
処理液を基板の一方面に供給する処理液供給工程と、を
備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１２】上記処理液供給工程は、基板の一方面
のほぼ全域が処理液で覆われるように処理液を供給する
ものであることを特徴とする請求項１１に記載の基板処
理方法。