JPH05267274A - ウエットエッチング処理槽 - Google Patents

ウエットエッチング処理槽

Info

Publication number
JPH05267274A
JPH05267274A JP4064596A JP6459692A JPH05267274A JP H05267274 A JPH05267274 A JP H05267274A JP 4064596 A JP4064596 A JP 4064596A JP 6459692 A JP6459692 A JP 6459692A JP H05267274 A JPH05267274 A JP H05267274A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cassette
wet etching
roller
tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4064596A
Other languages
English (en)
Inventor
Masafumi Iwashita
雅文 岩下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP4064596A priority Critical patent/JPH05267274A/ja
Publication of JPH05267274A publication Critical patent/JPH05267274A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Weting (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハとカセットの溝との接触部分にエッチ
ング残りが無く、ウエハ全面を均一にエッチングする。 【構成】 オーバーフロー槽11内へウエハ16をセッ
トしたカセット15を投入する。このカセットの底部を
固定枠17に固定すると、突き上げ板によってウエハが
持ち上がる。ウエハが持ち上がる事によってポンプ13
で循環された薬液がカセットの洗浄窓19よりカセット
内に流れ込みやすくなり、ウエハ全面を均一にエッチン
グできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置のウエ
ットエッチング処理槽に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、ウエットエッチング処理はディッ
プ槽へウエハをセットしたカセットを投入して行なわれ
ている。
【0003】以下、従来のウエットエッチング処理につ
いて説明する。図7は、従来のウエットエッチング処理
装置の概略図である。1はオーバーフロー槽、2は底
板、3はポンプ、4はフィルター、5はカセット、6は
ウエハである。
【0004】以上のように構成されたウエットエッチン
グ処理槽について具体的に説明する。オーバーフロー槽
1の外槽の薬液をポンプ3でフィルター4を通し内槽へ
循環される。この内槽にウエハ6をセットしたカセット
5を底板上2に投入し、エッチングする。図8にウエッ
トエッチング処理装置のウエハのカセット拡大図を示
す。図中の斜線部はウエハ6とカセット5の溝との接触
部分である。また図中の矢印はウエットエッチングを行
った時の薬液の侵入経路を示す。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ごとき従来のウエットエッチング処理槽は、カセット5
を槽内の底板上に置くだけであるので、ウエハ6とカセ
ット5の溝との接触部分が薬液に浸されにくくなり、エ
ッチングされない欠点を有していた。
【0006】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、カセット5にセットしたウエハ6全面を薬液に浸す
ためのウエットエッチング処理槽を提供することを目的
とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のウエットエッチング処理槽は、槽内の底板に
カセットを固定する枠およびウエハをカセットの溝に沿
って持ち上げるための固定部と、槽内の薬液を循環する
ポンプとオーバーフロー槽を備えている。
【0008】また、この目的を達成するために本発明の
ウエットエッチング処理槽は、槽内の底部にウエハを回
転させるローラと前記ローラを回転させる軸とモーター
を備えている。
【0009】また、この目的を達成するために本発明の
ウエットエッチング処理槽は、槽内の底部にウエハを回
転させるローラとこのローラを気体のバブリングを用い
て回転させる装置を備えている。
【0010】また、この目的を達成するために本発明の
ウエットエッチング処理槽は、ウエハをカセットの溝に
沿って揺動させるアームと前記アームと連結した揺動装
置を備えている。
【0011】
【作用】ウエハをカセットの溝に沿って持ち上げるため
の固定部を備えた構成により、カセットの溝に沿ってウ
エハを持ち上げるためカセットの洗浄窓より薬液がカセ
ット内に流れ込みやすくなる。このため、ウエハ全面が
薬液に接するようになり、均一にエッチングできる。
【0012】また、ローラを回転させる軸とモーターを
備えた構成により、ローラがウエハをカセットの溝に沿
って持ち上げるために前記の効果が得られ、かつウエハ
を回転することによって槽内の液温のバラツキに関係な
くウエハ内を均一にエッチングできる。
【0013】また、ローラを気体のバブリングを用いて
回転させる構成により、ローラがウエハをカセットの溝
に沿って持ち上げるために前記の効果が得られ、かつ気
体のバブリングを用いることによって槽内の薬液の撹拌
に有効であり、さらにウエハを回転することによってウ
エハ内を均一にエッチングできる。
【0014】また、アームと連結した揺動装置を備えた
構成により、ウエハをカセットの溝に沿って揺動するた
めに前記の効果が得られ、かつウエハのみを揺動するた
めに揺動装置に対する負荷が小さくなり、揺動がスムー
ズにできる。
【0015】
【実施例】本発明の具体的な実施例を図面を用いて説明
する。図1は本発明の一実施例においてウエットエッチ
ング処理槽の概略図である。図1において、11はオー
バーフロー槽、12は底板、13はポンプ、14はフィ
ルター、15はカセット、16はウエハ、17はカセッ
ト固定枠、18はウエハの突き上げ板、19は洗浄窓で
ある。以上のように構成されたウエットエッチング処理
槽について、以下その構造を説明する。
【0016】まず、オーバーフロー槽11内へウエハ1
6をセットしたカセット15を投入する。このカセット
の底部を固定枠17に固定すると、突き上げ板によって
ウエハが持ち上がる。ウエハが持ち上がる事によってポ
ンプ13で循環された薬液がカセットの洗浄窓19より
カセット内に流れ込みやすくなり、ウエハ全面を均一に
エッチングできる。図2(a),(b)はそれぞれこの
ウエットエッチング処理槽の底板の平面図及び断面図で
ある。図2において17はカセット固定枠、18はウエ
ハの突き上げ板である。
【0017】図3は、本発明の一実施例においてローラ
を用いたウエットエッチング処理槽の概略図である。図
3において、31はローラ、32はカセット、33はウ
エハである。前記実施例と同様にカセット32を投入す
るとローラ31によりウエハ33が持ち上がる。このロ
ーラを回転させウエハを回転させることによってウエハ
全面を均一にエッチングできる。
【0018】図4は、ローラの回転方法として回転軸を
用いたウエットエッチング処理槽の概略図である。図4
において41はローラ、42は回転軸、43は歯車、4
4はモーターである。ローラの回転方法はモーター44
を回転させ回転軸42の先端の歯車43によってローラ
41を回転させる。
【0019】このように本発明の実施例のウエットエッ
チング処理槽によれば、ローラを回転させる軸とモータ
ーを備えた構成により、ローラがウエハをカセットの溝
に沿って数cm持ち上げるために前記の効果が得られ、か
つウエハを回転することによって槽内の液温のバラツキ
に関係なくウエハ内を均一にエッチングできる。
【0020】図5は、ローラの回転方法として窒素バブ
リングを用いたウエットエッチング処理槽の概略図であ
る。図5において51はローラ、52は配管、53は回
転羽である。ローラの回転方法は配管52より回転羽5
3に窒素をバブリングさせ、ローラを回転させる。な
お、バブリングは窒素に限定されるものではなく空気な
どを用いてもよい。
【0021】このように本発明の実施例のウエットエッ
チング処理槽によれば、ローラを窒素バブリングを用い
て回転させる構成により、ローラがウエハをカセットの
溝に沿って数cm持ち上げるために前記の効果が得られ、
かつ窒素バブリングを用いることによって槽内の薬液の
撹拌に有効であり、さらにウエハを回転することによっ
てウエハ内を均一にエッチングできる。
【0022】図6は、本発明の一実施例において揺動さ
せるアームを用いたウエットエッチング処理槽の概略図
である。図6において61はアーム、62は揺動装置、
63はシリンダー、64はカセット、65はウエハであ
る。以上のように構成されたウエットエッチング処理槽
について、以下その動作を説明する。揺動装置62でシ
リンダー61を上下運動させ、シリンダーに連結したア
ーム61上のウエハ65をカセット64の溝に沿って数
cm揺動させる。
【0023】このように本発明の実施例のウエットエッ
チング処理槽によれば、アームと連結した揺動装置を備
えた構成により、ウエハをカセットの溝に沿って数cm揺
動するために前記の効果が得られ、かつウエハのみを揺
動するために揺動装置に対する負荷が小さくなり、揺動
がスムーズにできる。
【0024】我々の実験例において、高温のリン酸を用
いてナイトライドのエッチングをした場合、図8の斜線
部分にナイトライド残りが見られた。このようにウエハ
全面を均一にエッチングすることは困難であったが、本
発明による装置を使用することによりエッチング残りが
無くウエハ全面を均一にエッチングすることができた。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のウエット
処理装置によれば、カセットの溝に沿ってウエハを持ち
上げるためカセットの洗浄窓より薬液がカセット内に流
れ込みやすくなり、ウエハ全面が薬液に接するようにな
る。このため、エッチング残りが無く、ウエハ全面を均
一にエッチングすることができる。
【0026】また、ウエハを回転もしくは揺動すること
によってもウエハ全面を均一にエッチングできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例におけるウエット処理装置の概
略図
【図2】(a)はウエットエッチング処理槽の底板の平
面図 (b)は同断面図
【図3】本発明の一実施例においてローラを用いたウエ
ットエッチング処理槽の概略図
【図4】ローラの回転方法として回転軸を用いたウエッ
トエッチング処理槽の概略図
【図5】ローラの回転方法として窒素バブリングを用い
たウエットエッチング処理槽の概略図
【図6】本発明の一実施例において揺動させるアームを
用いたウエットエッチング処理槽の概略図
【図7】従来のウエットエッチング処理装置の概略図
【図8】従来のウエットエッチング処理装置のウエハカ
セット拡大図
【符号の説明】
11 オーバーフロー槽 12 底板 13 ポンプ 14 フィルター 15 カセット 16 ウエハ 17 カセット固定枠 18 ウエハの突き上げ板 19 洗浄窓 31 ローラ 42 回転軸 43 歯車 44 モーター 52 配管 53 回転羽 62 揺動装置 63 シリンダー

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】槽内の底板にカセットを固定する枠とウエ
    ハおよびカセットの溝に沿って持ち上げるための固定部
    と、前記槽内の薬液を循環するポンプと、オーバーフロ
    ー槽とを備えたことを特徴とするウエットエッチング処
    理槽。
  2. 【請求項2】槽内の底部にウエハを回転させるためのロ
    ーラと前記ローラを回転させる軸とモーターとを備えた
    ことを特徴とする請求項1記載のウエットエッチング処
    理槽。
  3. 【請求項3】ウエハを回転させるためのローラを気体の
    バブリングを用いて回転させることを特徴とするウエッ
    トエッチング処理槽。
  4. 【請求項4】ウエハをカセットの溝に沿って揺動させる
    アームと前記アームと連結した揺動装置を備えることを
    特徴とするウエットエッチング処理槽。
JP4064596A 1992-03-23 1992-03-23 ウエットエッチング処理槽 Pending JPH05267274A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4064596A JPH05267274A (ja) 1992-03-23 1992-03-23 ウエットエッチング処理槽

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4064596A JPH05267274A (ja) 1992-03-23 1992-03-23 ウエットエッチング処理槽

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05267274A true JPH05267274A (ja) 1993-10-15

Family

ID=13262799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4064596A Pending JPH05267274A (ja) 1992-03-23 1992-03-23 ウエットエッチング処理槽

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05267274A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012509599A (ja) * 2008-11-19 2012-04-19 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 半導体ウェーハのエッジを剥離する方法及びシステム
JP2015035502A (ja) * 2013-08-09 2015-02-19 三洋電機株式会社 シリコン基板のエッチング方法
JP2022038422A (ja) * 2020-08-26 2022-03-10 キオクシア株式会社 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012509599A (ja) * 2008-11-19 2012-04-19 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 半導体ウェーハのエッジを剥離する方法及びシステム
JP2015035502A (ja) * 2013-08-09 2015-02-19 三洋電機株式会社 シリコン基板のエッチング方法
JP2022038422A (ja) * 2020-08-26 2022-03-10 キオクシア株式会社 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3501642B2 (ja) 基板処理方法
JP2002353181A (ja) 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
JP2000183010A (ja) 基板処理装置
JPS62198127A (ja) 半導体ウエハの洗浄方法
CN112534559A (zh) 在金属镀覆前对衬底进行化学和加热润湿的系统和方法
JP2008311660A (ja) 半導体ウェハを洗浄、乾燥及び親水化する方法
JPH05267274A (ja) ウエットエッチング処理槽
JP4236109B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2001267204A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2915205B2 (ja) 基板表面処理装置および基板表面処理方法
US20050271985A1 (en) Method, apparatus and system for rinsing substrate with pH-adjusted rinse solution
JP2002170803A (ja) 基板処理装置
JPH11145099A (ja) 基板処理装置
JPH08107100A (ja) 薬液処理方法及び薬液処理装置
JP2005194613A (ja) 基板の湿式処理方法及び処理装置
JP2002261068A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2001102343A (ja) 半導体ウェーハの洗浄方法
KR100436900B1 (ko) 웨이퍼 세정 장치
JPH05343377A (ja) 半導体製造ウェット処理装置
JPH09171989A (ja) 半導体基板のウエットエッチング方法
JP3976088B2 (ja) 基板処理装置
JPH0878387A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH1027770A (ja) 基板処理装置
JP2003332296A (ja) 半導体ウエット処理装置
JP2001327933A (ja) 基板洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040427