JP2003332296A - 半導体ウエット処理装置 - Google Patents

半導体ウエット処理装置

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JP2003332296A
JP2003332296A JP2002133039A JP2002133039A JP2003332296A JP 2003332296 A JP2003332296 A JP 2003332296A JP 2002133039 A JP2002133039 A JP 2002133039A JP 2002133039 A JP2002133039 A JP 2002133039A JP 2003332296 A JP2003332296 A JP 2003332296A
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JP
Japan
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wafer
carrier
semiconductor
processing apparatus
wet processing
Prior art date
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Application number
JP2002133039A
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English (en)
Inventor
Masahiro Inoue
昌宏 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハのバッチ式ウエット洗浄及びバ
ッチ式ウエットエッチングにおいてウエハとウエハ用キ
ャリアの隙間に気泡が付着したり、ウエハ用キャリアの
溝部分周辺のみが液の対流が不均一になりなったりして
洗浄及びエッチングレートが部分的に悪くなる事を防止
するバッチ式ウエット洗浄槽及びバッチ式ウエットエッ
チング槽を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハの処理槽において、半導体
ウエハとこれを保持するウエハ用キャリアで、ウエハ用
キャリアを動かすことなく半導体ウエハのみを一定速度
もしくは一定角度回転させ、ウエハとキャリアの隙間に
付着している気泡を除去したり、ウエハがキャリアの溝
部分に位置するのを一定個所だけでなくウエハ周辺均一
にすることにより部分的に洗浄力及びエッチレートが悪
くなることなく均一性が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハのウエッ
ト処理装置及び処理方法の改良に関するものであり、特
に連続バッチ式のウエット処理装置及び処理方法に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来、ウエット処理装置は連続バッチ式
であり,搬送ロボットが予めプログラムされたレシピに
従ってウエハのセットされたキャリアを薬液に満たされ
ている処理槽,水洗増に搬送してウエハのセットされた
キャリアをウエット処理し,最後に乾燥部でウエハを乾
燥する装置である。
【0003】以下に、従来のウエット処理槽について説
明する。図2は従来のウエット処理槽の概略断面図であ
る。図3はウエット処理槽のウエハ及びキャリアの拡大
断面図である。1はオーバーフロー槽、2は底板、3はポ
ンプ、4はフィルター、5はキャリア、6はウエハ、7の斜線
部分はウエハ6とキャリア5の溝との接触部分である。
【0004】以上の様に構成されたウエット処理槽につ
いて具体的に説明する。オーバーフロー槽1の外槽の薬
液をポンプ3でフィルター4を通し内槽へ循環される。こ
の内槽にウエハ6をセットしたキャリア5を底板上2に投
入し、ウエット処理する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ごとき従来のウエット処理槽は、図3に示すように、キ
ャリア5を槽内の底板上に置くだけであるので、ウエハ6
とキャリア5の溝との接触部分7が薬液に浸されにくくな
り、部分的に洗浄力及びエッチレートが悪くなると言う
欠点を有していた。
【0006】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、キャリア5にセットしたウエハ6全面を薬液に浸すた
めのウエット処理装置を提供する事を目的とするもので
ある。
【0007】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のウエット処理槽は処理槽の上に配置されて、
キャリアを動かすことなく半導体ウエハのみを回転させ
るウエハ回転冶具を備えている。ウエハ回転冶具は、円
筒状で底面と上面の円中心で回転する円筒状回転部品と
円筒状回転部品を支えて移動させる部品と冶具の動きを
コントロールする部分を備えている。
【0008】またウエハ回転冶具は、処理槽にウエハが
セットされたキャリアが搬送された後に処理槽の上に設
置されているウエハ回転冶具がウエハの外周に円筒状回
転部品が接する位置まで移動し、処理槽の中に入ったキ
ャリアの中のウエハの外周のみに円筒状回転部品が点接
触する。その後円筒状回転部品が回転する事により、ウ
エハも回転する。
【0009】また、ゴミや不純物の混入を防ぐためにウ
エハ回転冶具の円筒状回転部品の駆動部分が薬液に接す
ることが無い様に作られている。
【0010】
【発明の実施形態】本発明の具体的な実施例を図面を用
いて説明する。図1は本発明の一実施例においてウエッ
ト処理槽の概略断面図である。図1において、8はオーバ
ーフロー槽、2は底板、3はポンプ、4はフィルター、5は
キャリア、6はウエハ、14はキャリア固定枠、15は円筒
状回転部品、16は円筒状部品を移動させるアーム、17は
コントローラ、18は回転駆動部である。以上の様に構成
されたウエット処理槽について、以下その構造を説明す
る。
【0011】まず、オーバーフロー槽1内へウエハ6を
セットしたキャリア5を移動する。このキャリア5の低
部は固定枠14によって固定される。コントローラ17によ
り回転制御された円筒状回転部品15がアーム16により、
ウエハ6に接し、さらに回転駆動部18が薬液に浸らない
位置まで移動する。この円筒状回転部品15を回転させる
ことによりウエハ6を回転させて、ウエハ6全面を均一
にしかもゴミや不純物の混入無くウエット処理できる。
特に図3の斜線部分7に洗浄不足やエッチィング残りが
発生しやすかったが、本発明の装置を使用することによ
り洗浄不足やエッチング残りのないウエット処理ができ
る。
【0012】上記構造の様に、円筒状回転部品15、アー
ム16及びコントローラ17よりなるウエハ回転冶具によ
り、キャリア12を動かすことなく、半導体ウエハ6のみ
を回転させることができる。
【0013】
【発明の効果】本発明の装置を使用することにより洗浄
不足やエッチング残りのないウエット処理ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例におけるウエット処理装置の概
略断面図である。
【図2】従来のウエット処理装置の概略図断面である。
【図3】従来のウエット処理装置のウエハとキャリアの
拡大断面図である。
【符号の説明】 8 オーバーフロー槽 9 底板 10 ポンプ 11 フィルター 12 キャリア 13 ウエハ 14 固定枠 15 円筒状回転部品 16 アーム 17 コントローラ 18 回転駆動部

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウエハの処理槽と、前記処理槽の
    上に配置されて、キャリアを動かすことなく半導体ウエ
    ハのみを回転させるウエハ回転冶具を有することを特徴
    とする半導体ウエット処理装置。
  2. 【請求項2】 前記ウエハ回転冶具は、処理槽の中に入
    ったキャリアの中のウエハの外周のみに円筒状部品が点
    接触している請求項1記載の半導体ウエット処理装置。
  3. 【請求項3】 前記ウエハ回転冶具で処理槽の上に配置
    され、処理槽にキャリア及びウエハが搬送されセットさ
    れた後に、処理槽の上に設置されているウエハ回転冶具
    がウエハの外周に円筒状回転部品が接する位置まで移動
    してくる請求項1記載の半導体ウエット処理装置。
  4. 【請求項4】 前記ウエハ回転冶具は、円筒状回転部品
    の回転速度と回転時間及びウエハの接触圧力をコントロ
    ールできる請求項1記載の半導体ウエット処理装置。
  5. 【請求項5】 前記ウエハ回転冶具は、処理槽で使用す
    る薬液に応じて交換可能である請求項1記載の半導体ウ
    エット処理装置。
  6. 【請求項6】 前記円筒状回転部品の駆動部分が、薬液
    に浸らない様にウエハに接触する請求項1記載の半導体
    ウエット処理装置。
JP2002133039A 2002-05-08 2002-05-08 半導体ウエット処理装置 Pending JP2003332296A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11682568B2 (en) 2020-08-26 2023-06-20 Kioxia Corporation Substrate treatment apparatus and manufacturing method of semiconductor device

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RD01 Notification of change of attorney

Effective date: 20040304

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