JPH05343377A - 半導体製造ウェット処理装置 - Google Patents
半導体製造ウェット処理装置Info
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- JPH05343377A JPH05343377A JP9512092A JP9512092A JPH05343377A JP H05343377 A JPH05343377 A JP H05343377A JP 9512092 A JP9512092 A JP 9512092A JP 9512092 A JP9512092 A JP 9512092A JP H05343377 A JPH05343377 A JP H05343377A
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- Japan
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- semiconductor manufacturing
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- processing apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【目的】処理槽内でウェハを支持している部分のウェハ
上のパーティクル除去やエッチングを促進させ、ウェハ
面を一様に処理する。 【構成】処理槽１内壁にウェハを立設支持するための複
数の溝を形成し、ウェハを立設支持するための複数の溝
が形成されるプッシャウェハ支持部１０と、このウェハ
支持部１０を上下させるプッシャ４と、処理槽内でウェ
ハ５のオリフラ部を境にウェハ５を正転・逆転回転させ
る回転棒９を設け、処理中のウェハを回転させながら薬
液を攪拌するとともにウェハが支持される部分及びその
付近のウェハ部分に薬液との接触を促進させる。
上のパーティクル除去やエッチングを促進させ、ウェハ
面を一様に処理する。 【構成】処理槽１内壁にウェハを立設支持するための複
数の溝を形成し、ウェハを立設支持するための複数の溝
が形成されるプッシャウェハ支持部１０と、このウェハ
支持部１０を上下させるプッシャ４と、処理槽内でウェ
ハ５のオリフラ部を境にウェハ５を正転・逆転回転させ
る回転棒９を設け、処理中のウェハを回転させながら薬
液を攪拌するとともにウェハが支持される部分及びその
付近のウェハ部分に薬液との接触を促進させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハの表面を
化学薬液によって洗浄あるいはエッチング処理する半導
体製造ウェット処理装置に関する。
化学薬液によって洗浄あるいはエッチング処理する半導
体製造ウェット処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３（ａ）及び（ｂ）は従来の半導体製
造ウェット処理装置の一例を示し、（ａ）は構成を示す
処理槽の長手方向の断面図、（ｂ）は動作を説明するた
めの処理槽の短い方向の断面図である。従来の半導体製
造ウェット処理装置は、図３（ａ）に示すように、処理
用の薬液を貯える処理槽１と、この処理槽１の底部近傍
の中央に処理槽１の長手方向に延設されるウェハ支持棒
２及びウェハガイド３と、これらウェハ支持棒２とウェ
ハガイド３の一端を保持し上下駆動するプッシャ４とが
設けられている。
造ウェット処理装置の一例を示し、（ａ）は構成を示す
処理槽の長手方向の断面図、（ｂ）は動作を説明するた
めの処理槽の短い方向の断面図である。従来の半導体製
造ウェット処理装置は、図３（ａ）に示すように、処理
用の薬液を貯える処理槽１と、この処理槽１の底部近傍
の中央に処理槽１の長手方向に延設されるウェハ支持棒
２及びウェハガイド３と、これらウェハ支持棒２とウェ
ハガイド３の一端を保持し上下駆動するプッシャ４とが
設けられている。
【０００３】また、ウェハガイド３には複数のウェハ５
を支持する溝が形成されており、ウェハ５はウェハガイ
ド３の溝にそれぞれの下方部を挿入された状態で、ウェ
ハ支持棒２上に立設支持されるようになっている。
を支持する溝が形成されており、ウェハ５はウェハガイ
ド３の溝にそれぞれの下方部を挿入された状態で、ウェ
ハ支持棒２上に立設支持されるようになっている。
【０００４】さらに、ウェハ５を他の槽に移す時は、図
３（ｂ）に示すように、プッシャ４を上昇させ、処理槽
１上方にてチャック６にてウェハ５を受け渡すようにな
っている。
３（ｂ）に示すように、プッシャ４を上昇させ、処理槽
１上方にてチャック６にてウェハ５を受け渡すようにな
っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体製造
ウェット処理装置では、ウェハを支持する部分及びその
部分近傍のウェハ部分に処理液が十分に流れないため、
例えば、処理が洗浄である場合は、ウェハ支持する部及
びその部分近傍のウェハ部分のパーティクル除去が不十
分になる。また、処理がエッチングである場合は、ウェ
ハを支持する部分及びその部分近傍のウェハ部分のエッ
チングレートが低くなるという問題があった。
ウェット処理装置では、ウェハを支持する部分及びその
部分近傍のウェハ部分に処理液が十分に流れないため、
例えば、処理が洗浄である場合は、ウェハ支持する部及
びその部分近傍のウェハ部分のパーティクル除去が不十
分になる。また、処理がエッチングである場合は、ウェ
ハを支持する部分及びその部分近傍のウェハ部分のエッ
チングレートが低くなるという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、かかる問題を解消すべく
ウェハ面が一様に処理される半導体製造ウェット処理装
置に関する。
ウェハ面が一様に処理される半導体製造ウェット処理装
置に関する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造ウェ
ット処理装置は、ウェハの端部を案内して収納する複数
の溝が形成されるとともに薬液を貯える処理槽と、この
処理槽内に上下して前記ウェハの薬液浸漬及び引き上げ
を行うとともに支持部に前記溝と同様な溝が形成される
ウェハ保持部と、前記処理槽を貫通するとともに前記ウ
ェハの端面部と接触して前記ウェハを回転させるウェハ
回転棒とを備えている。また、前記ウェハ回転棒が前記
ウェハのオリエーテションフラット部を境に正転・逆転
することを特徴としている。さらに他の半導体製造ウェ
ット処理装置は、前記ウェハ回転棒の断面が楕円である
ことを特徴としている。
ット処理装置は、ウェハの端部を案内して収納する複数
の溝が形成されるとともに薬液を貯える処理槽と、この
処理槽内に上下して前記ウェハの薬液浸漬及び引き上げ
を行うとともに支持部に前記溝と同様な溝が形成される
ウェハ保持部と、前記処理槽を貫通するとともに前記ウ
ェハの端面部と接触して前記ウェハを回転させるウェハ
回転棒とを備えている。また、前記ウェハ回転棒が前記
ウェハのオリエーテションフラット部を境に正転・逆転
することを特徴としている。さらに他の半導体製造ウェ
ット処理装置は、前記ウェハ回転棒の断面が楕円である
ことを特徴としている。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の半導体製造
ウェット処理装置の一実施例を示し、（ａ）は構成を示
す長手方向の断面図、（ｂ）は上面図及び（ｃ）は短い
方向での断面図である。この半導体製造ウェット処理装
置は、図１に示すように、処理槽１を貫通して軸受７を
介して回転するとともにウェハ５の端面と接触するウェ
ハ回転棒９と、このウェハ回転棒９を回転させるモータ
８を設け、処理槽１の内壁及びプッシャウェハ支持部１
０にウェハ５を立設支持するための溝を形成したことで
ある。
ウェット処理装置の一実施例を示し、（ａ）は構成を示
す長手方向の断面図、（ｂ）は上面図及び（ｃ）は短い
方向での断面図である。この半導体製造ウェット処理装
置は、図１に示すように、処理槽１を貫通して軸受７を
介して回転するとともにウェハ５の端面と接触するウェ
ハ回転棒９と、このウェハ回転棒９を回転させるモータ
８を設け、処理槽１の内壁及びプッシャウェハ支持部１
０にウェハ５を立設支持するための溝を形成したことで
ある。
【００１０】次に、この半導体製造ウェット処理装置の
動作を説明する。まず、処理槽１内にウェハ５を浸漬し
た後、プッシャ４を下方に移動させ、プッシャウェハ支
持部１０をウェハ５の下端部より離脱させる。このこと
により、ウェハ５の端面と回転棒９が接触する。次に、
モータ８により回転棒９を時計方向に回転させる。次
に、ウェハ５が反時計方向に回転し、ウェハ５の回転角
が所定の角度（回転棒がウェハ５のオリフラ部に近づく
位置）に達したら、モータ８により回転棒９を半時計方
向に回転させ、ウェハ５を時計方向に回転する。再び、
所定の回転角に達したら、半時計方向にウェハ５を回転
させる。このように、ウェハを正回転及び逆回転させな
がら、ウェハ５の面を一様に処理する。次に、処理が終
了したら、プッシャ４を引き上げ、ウェハ５を処理槽１
より取出す。
動作を説明する。まず、処理槽１内にウェハ５を浸漬し
た後、プッシャ４を下方に移動させ、プッシャウェハ支
持部１０をウェハ５の下端部より離脱させる。このこと
により、ウェハ５の端面と回転棒９が接触する。次に、
モータ８により回転棒９を時計方向に回転させる。次
に、ウェハ５が反時計方向に回転し、ウェハ５の回転角
が所定の角度（回転棒がウェハ５のオリフラ部に近づく
位置）に達したら、モータ８により回転棒９を半時計方
向に回転させ、ウェハ５を時計方向に回転する。再び、
所定の回転角に達したら、半時計方向にウェハ５を回転
させる。このように、ウェハを正回転及び逆回転させな
がら、ウェハ５の面を一様に処理する。次に、処理が終
了したら、プッシャ４を引き上げ、ウェハ５を処理槽１
より取出す。
【００１１】図２は本発明の半導体製造ウェット処理装
置の他の実施例を示す処理槽の短い方向の断面図であ
る。この半導体製造ウェット処理装置は、図２に示すよ
うに、ウェハ５を回転させるウェハ回転棒９ａの断面を
楕円にしたことである。それ以外は前述の実施例と同じ
である。このように断面を楕円にすることにより、前述
の実施例では回転するだけであるのに対し、この実施例
ではウェハが回転しながら上下に移動するので、ウェハ
５の中心付近の処理液の相対流速がより速くなり、ウェ
ハ５の中心付近の処理むらをより低減するという利点が
ある。
置の他の実施例を示す処理槽の短い方向の断面図であ
る。この半導体製造ウェット処理装置は、図２に示すよ
うに、ウェハ５を回転させるウェハ回転棒９ａの断面を
楕円にしたことである。それ以外は前述の実施例と同じ
である。このように断面を楕円にすることにより、前述
の実施例では回転するだけであるのに対し、この実施例
ではウェハが回転しながら上下に移動するので、ウェハ
５の中心付近の処理液の相対流速がより速くなり、ウェ
ハ５の中心付近の処理むらをより低減するという利点が
ある。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、処理槽内
でウェハの全面を薬液に接触させながら回転させる回転
機構を設けることにより、ウェハを支持する部分及び近
傍のウェハ部分のパーティクル除去や薬液との接触を促
し、ウェハ面を一様に処理出来るという効果がある。
でウェハの全面を薬液に接触させながら回転させる回転
機構を設けることにより、ウェハを支持する部分及び近
傍のウェハ部分のパーティクル除去や薬液との接触を促
し、ウェハ面を一様に処理出来るという効果がある。
【図１】本発明の半導体製造ウェット処理装置の一実施
例を示し、（ａ）は構成を示す処理槽の長手方向の断面
図、（ｂ）は上面図及び（ｃ）は処理槽の短い方向の断
面図である。
例を示し、（ａ）は構成を示す処理槽の長手方向の断面
図、（ｂ）は上面図及び（ｃ）は処理槽の短い方向の断
面図である。
【図２】本発明の半導体製造ウェット処理装置の他の実
施例を示す処理槽の短い方向の断面図である。
施例を示す処理槽の短い方向の断面図である。
【図３】従来の半導体製造ウェット処理装置の一例を示
し、（ａ）は構成を示す処理槽の長手方向の断面図、
（ｂ）は処理槽の短い方向の断面図である。
し、（ａ）は構成を示す処理槽の長手方向の断面図、
（ｂ）は処理槽の短い方向の断面図である。
１ 処理槽 ２ ウェハ支持棒 ３ ウェハガイド ４ プッシャ ５ ウェハ ６ チャック ７ 軸受 ８ モータ ９，９ａ ウェハ回転棒 １０ プッシャウェハ支持部
Claims (3)
- 【請求項１】 ウェハの端部を案内して収納する複数の
溝が形成されるとともに薬液を貯える処理槽と、この処
理槽内に上下して前記ウェハの薬液浸漬及び引き上げを
行うとともに支持部に前記溝と同様な溝が形成されるウ
ェハ保持部と、前記処理槽を貫通するとともに前記ウェ
ハの端面部と接触して前記ウェハを回転させるウェハ回
転棒とを備えることを特徴とする半導体製造ウェット処
理装置。 - 【請求項２】 前記ウェハ回転棒が前記ウェハのオリエ
ーテションフラット部を境に正転・逆転することを特徴
とする請求項１記載の半導体製造ウェット処理装置。 - 【請求項３】 前記ウェハ回転棒の断面が楕円であるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体製造ウェット処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4095120A JP3018727B2 (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 半導体製造ウェット処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4095120A JP3018727B2 (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 半導体製造ウェット処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343377A true JPH05343377A (ja) | 1993-12-24 |
| JP3018727B2 JP3018727B2 (ja) | 2000-03-13 |
Family
ID=14128979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4095120A Expired - Fee Related JP3018727B2 (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 半導体製造ウェット処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3018727B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100316743B1 (ko) * | 1999-06-02 | 2001-12-12 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 습식챔버 및 이를 이용한 웨이퍼의 식각방법 |
| US6337030B1 (en) * | 1997-02-04 | 2002-01-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method |
| JP2002093764A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-29 | Nisso Engineering Co Ltd | ウエハ洗浄装置 |
| US6391067B2 (en) | 1997-02-04 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus |
| KR100322482B1 (ko) * | 1998-02-25 | 2002-06-24 | 김춘호 | 일괄벌크마이크로머시닝시스템 |
| JP2008212794A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-18 | Fujikura Ltd | 石英管洗浄装置 |
| CN114743894A (zh) * | 2021-01-07 | 2022-07-12 | 弘塑科技股份有限公司 | 晶圆浸泡清洗装置 |
-
1992
- 1992-04-15 JP JP4095120A patent/JP3018727B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6337030B1 (en) * | 1997-02-04 | 2002-01-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method |
| US6391067B2 (en) | 1997-02-04 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus |
| KR100416963B1 (ko) * | 1997-02-04 | 2004-03-26 | 캐논 가부시끼가이샤 | 웨이퍼처리장치와그방법및에스오아이웨이퍼제조방법 |
| KR100322482B1 (ko) * | 1998-02-25 | 2002-06-24 | 김춘호 | 일괄벌크마이크로머시닝시스템 |
| KR100316743B1 (ko) * | 1999-06-02 | 2001-12-12 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 습식챔버 및 이를 이용한 웨이퍼의 식각방법 |
| JP2002093764A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-29 | Nisso Engineering Co Ltd | ウエハ洗浄装置 |
| JP4565718B2 (ja) * | 2000-09-11 | 2010-10-20 | アプリシアテクノロジー株式会社 | ウエハ洗浄装置 |
| JP2008212794A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-18 | Fujikura Ltd | 石英管洗浄装置 |
| CN114743894A (zh) * | 2021-01-07 | 2022-07-12 | 弘塑科技股份有限公司 | 晶圆浸泡清洗装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3018727B2 (ja) | 2000-03-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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