JPH11340185A

JPH11340185A - 基板処理装置および基板処理システム

Info

Publication number: JPH11340185A
Application number: JP14736198A
Authority: JP
Inventors: Seiji Sano; 精二佐野; Kiyoshi Akao; 喜代志赤尾; Masato Tanaka; 眞人田中
Original assignee: Fujitsu VLSI Ltd; Fujitsu Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Fujitsu VLSI Ltd; Fujitsu Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-05-28
Filing date: 1998-05-28
Publication date: 1999-12-10

Abstract

(57)【要約】【課題】スループットを低下させることなく、劣化し
ていない新鮮な混合液を使用することができる基板処理
装置および基板処理システムを提供する。【解決手段】薬液槽ＣＢは、アンモニア水と過酸化水
素水と純水との混合液を使用して基板Ｗにエッチング処
理を行う処理槽である。基板Ｗが薬液槽ＣＢ１に搬入さ
れる予定がないときは、純水と過酸化水素水のみの混合
液が循環ポンプ７０によって循環され続ける。そして、
基板Ｗが薬液槽ＣＢ１に搬入される予定が発生した後、
アンモニア水のみを秤量槽４０から投入する。基板Ｗが
薬液槽ＣＢ１に搬入される直前にアンモニア水を投入し
ているため、アンモニアの揮発による混合液の劣化は抑
制され、新鮮な混合液を使用することができる。また、
この際には、純水に比較して著しく少量のアンモニア水
のみを投入すればよいので、短時間で混合液の調製が行
え、スループットの低下を防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、経時的に劣化す
る処理液と経時的に劣化しない処理液とを含む混合液に
半導体基板、液晶ガラス基板、フォトマスク用ガラス基
板および光ディスク用基板などの薄板状基板（以下、単
に「基板」と称する）を浸漬して表面処理を施す基板処
理装置および基板処理システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、上記のような基板処理装置
は、薬液を貯留する薬液槽と純水を貯留する水洗槽とを
備えている。そして、予め定められた手順に従って、各
処理槽に単数ないし一組の複数の基板（以下、「ロッ
ト」と称する）を循環搬送し、搬送先のそれぞれの処理
槽において所定の処理時間ロットを浸漬する複数工程に
より、基板表面の汚染物質を除去したり、基板表面をエ
ッチングしたり、レジスト膜を剥離したりする一連の基
板処理を達成している。

【０００３】これら種々の表面処理に使用される薬液の
一つにＳＣ−１がある。ＳＣ−１は、アンモニア水およ
び過酸化水素水の混合水溶液であり、基板表面の異物
（パーティクル）の除去や、基板表面に形成されたポリ
シリコン層のエッチングに広く利用されている。

【０００４】通常、ＳＣ−１については、使用回数が定
められており、１ないし数ロットの処理が終了するごと
に、槽内の液交換を行っている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、ＳＣ−１に
含まれる処理液のうちアンモニア水についてはＮＨ₃が
揮発性であるため、液交換を行った後、その新しいＳＣ
−１を貯留した槽にロットを搬入するまでの時間が長い
と液が劣化することがある。劣化したＳＣ−１と劣化し
ていないＳＣ−１とではポリシリコンのエッチングレー
トに差異が生じ、このようなエッチングレートのばらつ
きは基板の製造プロセス上好ましいことではない。そこ
で、ロットの搬送間隔に関係なく、液交換を行った後な
るべく短時間で被処理ロットが浸漬されるようにする必
要がある。

【０００６】これを解決するための手段として、被処理
ロットがＳＣ−１槽に搬入される予定が発生してから液
交換を行うことが考えられる。このようにすれば、ロッ
トの搬送間隔に関係なく、液交換を行った後、短時間で
被処理ロットを浸漬することができる。しかしながら、
液交換のプロセスとしては、古い使用済みＳＣ−１の廃液、新しいＳＣ−１の調合、新しい調合済みＳＣ−１の投入・温調、という手順を経なければならず、相当の時間を要するた
め、被処理ロットが液交換中のＳＣ−１槽の手前で待機
しなければならない場合も生じる。このような事態が頻
繁に生じると、当然にスループットが著しく低下するこ
ととなる。

【０００７】すなわち、従来においては、ロットの搬送
間隔に関係なく劣化していないＳＣ−１を使用するとい
うこととスループットを維持するということを両立させ
るのは非常に困難な問題であった。

【０００８】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、スループットを低下させることなく、劣化して
いない新鮮な混合液を使用することができる基板処理装
置および基板処理システムを提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、経時的に劣化する第１の処理液
と経時的に劣化しない第２の処理液とを含む混合液に基
板を浸漬して前記基板に表面処理を行う基板処理装置で
あって、(a)所定量の前記第１の処理液を貯留する予備
処理液槽と、(b)所定の供給経路から供給される前記第
２の処理液と、前記予備処理槽から供給される前記第１
の処理液とを受け取って前記混合液を生成し、前記混合
液を貯留して前記基板を浸漬させる混合液槽と、(c)前
記所定の供給経路から前記混合液槽へ前記第２の処理液
を供給した後、前記混合液槽への前記基板の浸漬開始予
定時刻から所定時間だけ前の時点に前記予備処理液槽か
ら前記混合液槽への前記第１の処理液の供給を開始させ
る供給制御手段と、を備えるとともに、前記所定時間
を、前記所定量の前記第１の処理液を前記予備処理液槽
から前記混合液槽に供給するために要する供給所要時間
に応じて定めている。

【００１０】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る基板処理装置において、前記第１の処理液をアン
モニア水溶液とし、前記第２の処理液を純水としてい
る。

【００１１】また、請求項３の発明は、基板に対して所
定の表面処理を行う基板処理システムであって、少なく
とも２つ以上の請求項１の発明に係る基板処理装置を備
えている。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００１３】＜Ａ．基板処理システムの全体概略構成＞
まず、本発明に係る基板処理装置を組み込んだ基板処理
システムの全体構成について説明する。図１は、本発明
に係る基板処理装置を組み込んだ基板処理システムの一
例を示す正面概略図である。この基板処理システム１０
０は、３つの薬液槽ＣＢ１、ＣＢ２、ＣＢ３と、４つの
水洗槽ＷＢ１、ＷＢ２、ＷＢ３、ＦＲと、乾燥部ＳＤ
と、基板を搬送する基板搬送ロボットＴＲとを備えてい
る。また、基板処理システム１００は、その両端に、未
処理基板Ｗを収納したカセット２０を載置するローダー
部ＬＤと処理済みの基板Ｗが格納されるカセット２０を
載置するアンローダー部ＵＬＤとを備えている。

【００１４】薬液槽ＣＢ１、ＣＢ２、ＣＢ３は硫酸、ア
ンモニア、塩酸、フッ酸、過酸化水素水またはそれらの
混合液などの薬液を収容可能な槽であるが、ここで考え
ている例では、少なくとも薬液槽ＣＢ１、ＣＢ２には薬
液として２８％アンモニア水（ＮＨ₄ＯＨ）と３０％過
酸化水素水（Ｈ₂Ｏ₂）と純水（Ｈ₂Ｏ）とを１：２：１
００の混合比にて混合したＳＣ−１を使用している。そ
して、薬液槽ＣＢ１、ＣＢ２が本発明に係る基板処理装
置として機能しており、これらについてはさらに後述す
る。

【００１５】水洗槽ＷＢ１、ＷＢ２、ＷＢ３は純水を収
容し、基板Ｗに付着した薬液を洗浄する処理槽である。
また、水洗槽ＦＲも純水を収容する洗浄処理槽である
が、主として仕上げの洗浄として用いられる。また、乾
燥部ＳＤは基板Ｗを回転させつつ当該基板Ｗに付着した
水滴を除去、乾燥させる処理部である。

【００１６】基板搬送ロボットＴＲは、水平方向および
上下方向に移動可能であり、ローダー部ＬＤから未処理
ロットを払い出し、予め定められた処理手順に従って上
記各処理槽間でロットを循環搬送するとともに、処理済
みのロットをアンローダー部ＵＬＤに渡すロボットであ
る。基板搬送ロボットＴＲは、開閉自在の一対のハンド
１１を備えており、当該ハンド１１には、その内側に基
板Ｗを保持するための複数の溝が一定のピッチで平行に
設けられており（図示省略）、当該複数の溝によってロ
ットが保持されることとなる。

【００１７】この基板搬送ロボットＴＲがローダー部Ｌ
Ｄからロットを受け取る際には、カセット２０の下方に
設けられた図示を省略するホルダによってカセット２０
から上昇されたロットを基板搬送ロボットＴＲの一対の
ハンド１１が把持することによって行われる。また、ア
ンローダー部ＵＬＤにロットを渡す場合には、上記とは
逆に、ハンド１１から図示を省略するホルダにロットが
渡され、そのホルダが下降することによって、ロットが
カセット２０内部に格納される。なお、ここに示してい
る例は、カセット２０からロットを取り出して、そのロ
ットを直接基板搬送ロボットＴＲが把持、搬送する方式
の装置であるが、カセット２０ごと基板搬送ロボットＴ
Ｒが保持してロットを搬送する、いわゆるカセット搬送
方式の装置であってもかまわない。

【００１８】また、基板処理システム１００はその内部
にマイクロコンピュータなどで構成された制御部３０を
備えている。制御部３０は基板搬送ロボットＴＲによる
ロット搬送や上記各処理槽の動作を管理している。

【００１９】＜Ｂ．薬液槽ＣＢ１、ＣＢ２の構成＞次
に、本発明に係る基板処理装置である薬液槽ＣＢ１、Ｃ
Ｂ２の構成について説明する。図２は、薬液槽ＣＢ１、
ＣＢ２の概略構成図である。図示のように、薬液槽ＣＢ
１と薬液槽ＣＢ２とは完全に同一の構成となっており、
以下薬液槽ＣＢ１について説明するが薬液槽ＣＢ２につ
いても同様である。

【００２０】薬液槽ＣＢ１は、内槽６０、外槽６５、そ
れらに付随する薬液循環機構および注排液機構により構
成されている。ロットが薬液槽ＣＢ１に搬入されるとき
は、内槽６０内にＳＣ−１が満たされており、この内槽
６０にロットを構成する基板Ｗが浸漬されて当該基板Ｗ
に対するエッチング処理が行われる。内槽６０から溢れ
出たＳＣ−１は外槽６５によって回収され、その回収さ
れたＳＣ−１は循環ポンプ７０によって循環され、フィ
ルタ７１による浄化、ヒータ７２による温調を経た後、
再び内槽６０に送られ、循環利用される。なお、本実施
形態では、ヒータ７２がＳＣ−１を８０℃に温調するよ
うにしている。

【００２１】また、内槽６０には排液手段７３が接続さ
れている。排液手段７３は、内槽６０内の使用済みＳＣ
−１を排出するための手段であるが、循環ポンプ７０に
よる循環との協働により外槽６５に貯留されているＳＣ
−１の排出も可能である。排液手段７３の形態として
は、例えば、バルブを開放することによってＳＣ−１を
排出するようにしてもよいし、内槽６０の槽壁に嵌合さ
れた弁体をピストンの挿脱によって槽壁から離すことに
よりＳＣ−１を急速に排出するようにしてもよい。

【００２２】さらに、内槽６０内には昇降自在のリフタ
（図示省略）が設けられており、当該リフタが基板搬送
ロボットＴＲからロットを受け取り、降下することによ
って基板ＷはＳＣ−１に浸漬され、またエッチング処理
終了後はリフタが上昇し、処理済みのロットを基板搬送
ロボットＴＲに渡す。

【００２３】本発明に係る基板処理装置である薬液槽Ｃ
Ｂ１においては、ＳＣ−１が予め上記混合比にて調合さ
れてから内槽６０に供給されるのではなく、アンモニア
水、過酸化水素水、純水のそれぞれが別個独立に上記混
合比に応じた所定量内槽６０に供給される。すなわち、
薬液槽ＣＢ１は、予備槽としてアンモニア水の秤量槽４
０と過酸化水素水の秤量槽５０と純水の予備温調槽８０
とを備えており、これらの予備槽から内槽６０にアンモ
ニア水、過酸化水素水、純水の各処理液が供給される。

【００２４】図３は、アンモニア水の秤量槽４０の内部
を説明する概略図である。秤量槽４０には、その底部を
貫通してドレイン管４２が鉛直方向に設けられている。
また、秤量槽４０には、秤量槽４０から内槽６０へのア
ンモニア水供給経路である供給管４３が接続されてお
り、当該供給管４３の経路中にはエアー弁４１が設けら
れている。

【００２５】アンモニア水は、図示を省略する供給源か
らアンモニア水配管４６を経て、秤量槽４０に供給され
るが、このときにはエアー弁４１は閉じられており、供
給されたアンモニア水は秤量槽４０内に貯留される。秤
量槽４０内にアンモニア水が供給され続け、やがて秤量
槽４０の底部からのアンモニア水の高さが図中の高さｈ
に達すると当該高さｈを超過する分のアンモニア水はド
レイン管４２から排出されるようになり、アンモニア水
の供給は停止される。すなわち、秤量槽４０は、高さｈ
に応じた一定量のアンモニア水を秤量・貯留する機能を
有する予備槽である。秤量槽４０から内槽６０にアンモ
ニア水を供給するときには、エアー弁４１を開放して、
当該秤量槽４０内に貯留されているアンモニア水を供給
管４３を介して一時に投入する。

【００２６】なお、秤量槽４０は一定量のアンモニア水
を秤量・貯留する機能を有する予備槽であればよく、上
記のようなドレイン管の代わりに例えば液レベルセンサ
などを用いる形態であっても良い。

【００２７】図３はアンモニア水の秤量槽４０について
説明するための図であったが、過酸化水素水の秤量槽５
０と純水の予備温調槽８０も同様の構成となっており、
それぞれ一定量の過酸化水素水または純水を秤量・貯留
する。そして、図２に戻り、秤量槽５０に貯留されてい
る過酸化水素水はエアー弁５１を開放することによって
供給管５３を介して内槽６０に供給され、また予備温調
槽８０に貯留されている純水はエアー弁８１を開放する
ことによって供給管８４を介して内槽６０に供給され
る。

【００２８】秤量槽４０、秤量槽５０および予備温調槽
８０によって秤量されるアンモニア水、過酸化水素水お
よび純水の量は１：２：１００としており、これらを内
槽６０に供給することによって、当該内槽６０内におい
て前記混合比のＳＣ−１が調製される。

【００２９】既述したように、エッチング処理時にはＳ
Ｃ−１を８０℃に温調するようにしているが、室温のＳ
Ｃ−１をヒータ７２によって８０℃まで昇温するのには
相当の時間を要するため、本実施形態では予備温調槽８
０に温調ユニット８２とヒータ８３とを設け、純水を予
め昇温するようにしている。すなわち、予備温調槽８０
に貯留された純水が８５℃に維持されるように、温調ユ
ニット８２がヒータ８３を制御している。ここで、予備
温調槽８０に貯留された純水を８５℃としているのは、
供給時における熱的なロスを考慮したものである。ま
た、アンモニア水および過酸化水素水はその供給量が純
粋に比べて著しく少ないため秤量槽４０および秤量槽５
０には昇温機構は設けていない。

【００３０】なお、薬液槽ＣＢ１、ＣＢ２に付随する各
機構、例えば、循環ポンプ７０、排液手段７３、エアー
弁４１、５１、８１および温調ユニット８２などは、制
御部３０（図１参照）によってその動作を制御されてい
る。

【００３１】＜Ｃ．薬液槽ＣＢ１、ＣＢ２の動作手順＞
次に、薬液槽ＣＢ１、ＣＢ２の動作手順について説明す
る。図４は、薬液槽ＣＢ１、ＣＢ２の動作手順を示すフ
ローチャートである。これらの各手順は、制御部３０に
よって自動実行されるものである。なお、以下の説明
は、薬液槽ＣＢ１についてのものであるが、薬液槽ＣＢ
２についても同様である。

【００３２】ここでは、薬液槽ＣＢ１において基板Ｗの
エッチング処理が行われておらず、ＳＣ−１も排液され
た状態からの動作について説明する。

【００３３】まず、予備温調槽８０において予備的に温
調された純水が内槽６０に投入される（ステップＳ
１）。次いで、秤量槽５０において秤量・貯留されてい
た過酸化水素水が内槽６０に投入される（ステップＳ
２）。内槽６０から溢れた純水と過酸化水素水の混合液
は外槽６５へ流れ込み、循環ポンプ７０によって循環さ
れる。また、このときには、ヒータ７２によって当該混
合液が８０℃となるように温調される（ステップＳ
３）。なお、ここでは、純水を投入した後、過酸化水素
水を投入するようにしていたが、これらは同時に投入す
るようにしても良い。

【００３４】次に、薬液槽ＣＢ１に基板Ｗが搬入される
予定があるか否かが制御部３０によって判断される（ス
テップＳ４）。薬液槽ＣＢ１に基板Ｗが搬入される予定
がない場合は、ステップＳ３に戻ることとなる。換言す
れば、薬液槽ＣＢ１に基板Ｗが搬入される予定が発生す
るまでは、純水と過酸化水素水のみの混合液が循環・温
調され続けることとなる。

【００３５】一方、薬液槽ＣＢ１に基板Ｗが搬入される
予定がある場合は、ステップＳ５に進み、基板Ｗが搬入
される直前に、秤量槽４０において秤量・貯留されてい
たアンモニア水が内槽６０に投入される。アンモニア水
が内槽６０に投入されることによって、純水と過酸化水
素水との混合液にアンモニア水が加えられ、ＳＣ−１が
調製されることとなる。

【００３６】この工程の詳細は以下の通りである（以下
において、記号Ｔ0，Ｔ、ΔＴは図示せず）。

【００３７】まず、秤量槽４０において秤量・貯留され
ていたアンモニア水の全量を秤量槽４０から内槽６０に
供給するために要する供給所要時間ΔＴが、あらかじめ
実測などによって求められており、その供給所要時間Δ
Ｔの値が制御部３０に記憶されている。この供給所要時
間ΔＴは、内槽６０へのアンモニア水の実際の投入に要
する時間のほか、内槽６０へのアンモニア水の投入後に
内槽６０の中で混合液が均一になるまでの付帯時間など
のマージンを含めて設定してあってもよい。

【００３８】そして、実際の基板処理ルーチンにおい
て、薬液槽ＣＢ１への基板Ｗの浸漬開始時刻Ｔ0が基板
搬送スケジュールからわかると、その浸漬開始時刻Ｔ0
から上記供給所要時間ΔＴを制御部３０が減算して時刻
Ｔ＝（Ｔ0−ΔＴ）を求め、その時刻Ｔになると秤量槽
４０から内槽６０へのアンモニア水の供給を開始させ
る。すると、内槽６０への基板Ｗの浸漬が開始される時
点Ｔ0の直前に、秤量槽４０から内槽６０へのアンモニ
ア水の供給が完了することになる。

【００３９】なお、これらにおいて、基板Ｗの浸漬開始
時刻Ｔ0は薬液槽ＣＢ１への基板Ｗの到着予定時刻など
で近似的に表現してもよい。また、時刻Ｔ＝（Ｔ0−Δ
Ｔ）の減算を行うかわりに、基板搬送ロボットＴＲが所
定の位置まで接近したら秤量槽４０から内槽６０へのア
ンモニア水の投入を開始させてもよい。この所定の位置
は、その位置から薬液槽ＣＢ１への基板Ｗの搬送所要時
間が、ほぼ前記供給所要時間ΔＴに等しくなるような位
置である。

【００４０】図４に戻って、このようにしてＳＣ−１が
内槽６０内で得られると、ステップＳ６に進み、薬液槽
ＣＢ１に搬入されたロットが内槽６０内のＳＣ−１中に
浸漬され、ロットを構成する基板Ｗにエッチング処理が
所定の時間行われる。

【００４１】エッチング処理が終了すると、ロットが薬
液槽ＣＢ１から搬出され、内槽６０および外槽６５を循
環していた使用済みのＳＣ−１が排液手段７３によって
排出される。なお、ＳＣ−１の排液は１ロットごとに行
う必要は必ずしもなく、処理ロット数をパラメータにし
て数ロットごと行うようにしてもよい。

【００４２】次に、ステップＳ８に進み、基板処理シス
テム１００における基板処理がさらに続行されるか否か
が制御部３０によって判断される。基板処理がさらに続
行される場合には、ステップＳ１に戻り、再び予備温調
槽８０から純水が投入され、上記の手順が繰り返され
る。一方、基板処理が続行されない場合は、一連の処理
が終了することとなる。

【００４３】以上のようにすれば、基板Ｗが薬液槽ＣＢ
１に搬入される直前にアンモニア水を内槽６０に投入し
てＳＣ−１を調製しているため、ＮＨ₃の揮発による劣
化のない新鮮なＳＣ−１を使用して基板Ｗのエッチング
処理を行うことができる。その結果、基板間でのエッチ
ングレートの差異もなくなり、安定した処理を行うこと
ができる。特に、基板Ｗの搬送間隔が長い場合に、基板
Ｗが薬液槽ＣＢ１に搬入される予定がないときは純水と
過酸化水素水のみの混合液が循環・温調され続け（図４
のステップＳ３とステップＳ４とを繰り返す）、基板Ｗ
が薬液槽ＣＢ１に搬入される直前にアンモニア水を投入
しているため、予めＳＣ−１の液交換を行って待機させ
ておくよりも、ＳＣ−１の劣化の程度は著しく抑制され
る。

【００４４】また、基板Ｗが薬液槽ＣＢ１に搬入される
予定が発生した後は、純水に比較して著しく少量のアン
モニア水のみを投入すればよいので、既述した従来例に
比較して極めて短時間でＳＣ−１の調製を行うことがで
きる。その結果、ＳＣ−１の調製時間にともなうスルー
プットの低下を防止することができる。

【００４５】したがって、本実施形態における薬液槽Ｃ
Ｂ１においては、スループットを低下させることなく、
劣化していない新鮮なＳＣ−１を使用することができ
る。

【００４６】ところで、基板Ｗの搬送間隔が短い場合に
は、薬液槽ＣＢ１においてエッチング処理を行っている
ときに、その前工程である水洗槽ＷＢ１での処理を終了
した基板Ｗが待機しなければならない可能性もありう
る。このような場合には、薬液槽ＣＢ１と同様の構成・
機能を有する薬液槽ＣＢ２に当該基板Ｗを搬入する。す
なわち、本実施形態の基板処理システム１００では、薬
液槽ＣＢ１または薬液槽ＣＢ２のうちエッチング処理可
能な方が択一的に選択されて基板Ｗが搬入される。この
ようにすれば、基板Ｗが待機しなければならない状態は
解消され、スループットの低下を防ぐことができる。

【００４７】＜Ｄ．変形例＞以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、上記実施形態では、基板Ｗが薬
液槽ＣＢ１に搬入される直前にアンモニア水のみを投入
していたが、これをアンモニア水および過酸化水素水を
投入するようにしても良い。これは、過酸化水素水が水
と酸素に分解する性質を有しているため、アンモニア水
に比較すると程度は軽いものの、時間とともにＳＣ−１
が劣化する原因となるからである。

【００４８】したがって、基板Ｗが薬液槽ＣＢ１に搬入
される直前にアンモニア水および過酸化水素水を投入す
るようにしても、上記実施形態と同様に、スループット
を低下させることなく、劣化していない新鮮なＳＣ−１
を使用することができる。

【００４９】すなわち、本発明に係る基板処理装置は、
経時的に劣化する処理液と経時的に劣化しない処理液と
からなる混合液を使用して処理を行う装置であれば適用
可能であり、基板の処理直前に経時的に劣化する処理液
を混合させる形態であればよい。経時的に劣化する処理
液としては、時間とともに揮発する処理液（例えば、本実施形態の
アンモニア水）時間とともに分解する処理液（例えば、本実施形態の
過酸化水素水）時間とともに他の成分と化学反応を生じる処理液などが該当する。また、経時的に劣化しない処理液とし
ては、例えば本実施形態の純水が該当する。そして、経
時的に劣化しない処理液に比較して経時的に劣化する処
理液の混合比率が低いほど、基板の処理直前に投入する
液量が少なくなり、スループットの低下を防ぎ易い。

【００５０】また、上記実施形態における基板処理シス
テム１００では、本発明に係る基板処理装置として２つ
の薬液槽ＣＢ１、ＣＢ２を組み込んでいたが、これは１
つでもよいし、また３つ以上であってもよい。上記実施
形態においても説明したように、本発明に係る基板処理
装置を多く組み込んだ基板処理システムの方がスループ
ットの低下防止は容易となるが、設置スペースやコスト
は当然に上昇することとなる。したがって、その数につ
いては、他の処理槽における処理時間との兼ね合いを考
慮して決定すればよい。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１および請
求項２の発明によれば、混合液槽へ経時的に劣化しない
第２の処理液を供給した後、混合液槽への基板の浸漬開
始予定時刻から所定時間だけ前の時点に経時的に劣化す
る第１の処理液を予備処理液槽から混合液槽へ供給開始
させ、当該所定時間を、所定量の第１の処理液を予備処
理液槽から混合液槽に供給するために要する供給所要時
間に応じて定めているため、第１の処理液の供給後短時
間で混合液槽に基板を浸漬させることができ、劣化して
いない新鮮な混合液を使用することができる。また、混
合液槽への基板の浸漬開始予定時刻から所定時間だけ前
の時点に供給を開始するのは第１の処理液だけであるた
め、混合液の調製が短時間で可能となり、スループット
の低下を防止することができる。

【００５２】また、請求項３の発明によれば、基板処理
システムに少なくとも２つ以上の請求項１の発明に係る
基板処理装置を備えているため、当該基板処理システム
における基板の搬送間隔が短い場合であってもスループ
ットの低下を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置を組み込んだ基板処
理システムの一例を示す正面概略図である。

【図２】図１の薬液槽の概略構成図である。

【図３】図２のアンモニア水秤量槽の内部を説明する概
略図である。

【図４】図１の薬液槽の動作手順を示すフローチャート
である。

【符号の説明】

３０制御手段４０、５０秤量槽４１、５１、８１エアー弁６０内槽６５外槽７３排液手段８０予備温調槽１００基板処理システムＣＢ１、ＣＢ２薬液槽Ｗ基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐野精二愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 (72)発明者赤尾喜代志滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番１大日本スクリーン製造株式会社野洲事業所内 (72)発明者田中眞人滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番１大日本スクリーン製造株式会社野洲事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】経時的に劣化する第１の処理液と経時的
に劣化しない第２の処理液とを含む混合液に基板を浸漬
して前記基板に表面処理を行う基板処理装置であって、 (a) 所定量の前記第１の処理液を貯留する予備処理液槽
と、 (b) 所定の供給経路から供給される前記第２の処理液
と、前記予備処理槽から供給される前記第１の処理液と
を受け取って前記混合液を生成し、前記混合液を貯留し
て前記基板を浸漬させる混合液槽と、 (c) 前記所定の供給経路から前記混合液槽へ前記第２の
処理液を供給した後、前記混合液槽への前記基板の浸漬
開始予定時刻から所定時間だけ前の時点に前記予備処理
液槽から前記混合液槽への前記第１の処理液の供給を開
始させる供給制御手段と、を備え、前記所定時間は、前記所定量の前記第１の処理液を前記
予備処理液槽から前記混合液槽に供給するために要する
供給所要時間に応じて定められていることを特徴とする
基板処理装置。
【請求項２】請求項１記載の基板処理装置において、前記第１の処理液は、アンモニア水溶液であり、前記第２の処理液は、純水であることを特徴とする基板
処理装置。
【請求項３】基板に対して所定の表面処理を行う基板
処理システムであって、少なくとも２つ以上の請求項１
記載の基板処理装置を備えたことを特徴とする基板処理
システム。