DE112010004793B4 - Reinigungsverfahren - Google Patents

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Abstract

Verfahren zum Reinigen einer Vielzahl von Werkstücken unter Benutzung einer Reinigungsvorrichtung mit einer Vielzahl von Reinigungstanks umfassend einen mit einer Ozonreinigungslösung gefüllten Ozonreinigungstank und einen mit einer eine alkalische Komponente enthaltenden Lösung gefüllten Alkali-Reinigungstank, und ein Transfermittel mit Transferarmen und auf den Transferarmen bereitgestellten Chuck-Elementen, welches zwischen der Vielzahl von Reinigungstanks bewegbar ist, umfassend: Eintauchen eines Werkstücks, wobei das Werkstück einer Vielzahl von Werkstücken lösbar durch die Chuck-Elemente gehalten ist, in eine Reinigungslösung in einem der Vielzahl von Reinigungstanks zumindest zusammen mit den Chuck-Elementen und einem Teil der Transferarme, dann Lösen der Chuck-Elemente von dem Werkstück, um das Transfermittel während der Behandlung des Werkstücks in dem Reinigungstank zu bewegen, und lösbares Halten eines anderen Werkstücks, welches in eine Reinigungslösung eines anderen Reinigungstanks getaucht wurde, unter Benutzung der Chuck-Elemente, wobei, bevor die Chuck-Elemente das andere Werkstück halten, welches vorher in die Ozonreinigungslösung in dem Ozonreinigungstank getaucht wurde, eine an einem Teil der Transferarme und den Chuck-Elementen haftende alkalische Komponente durch Reinigung entfernt wird, wodurch die alkalische Komponente daran gehindert wird, sich in die Ozonreinigungslösung zu mischen, wobei die Reinigungsvorrichtung weiter einen Reinwasser-Reinigungstank für Chuck-Elemente gefüllt mit gereinigtem Wasser zum Reinigen der Transferarme und der Chuck-Elemente umfasst, wobei die Transferarme und die Chuck-Elemente gereinigt werden, indem sie in gereinigtes Wasser in dem Reinwasser-Reinigungstank für Chuck-Elemente getaucht werden und dann herausgezogen werden und indem weiterhin die Transferarme und die Chuck-Elemente während des Herausziehens mit gereinigtem Wasser besprüht werden und wobei die Transferarme und die Chuck-Elemente, nachdem sie in den Reinwasser-Reinigungstank getaucht wurden, mit einer Rate von 300 mm/s oder weniger herausgezogen werden.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Reinigen eines Werkstücks wie eines Wafers. Die vorliegende Erfindung bezieht sich insbesondere auf ein Verfahren zum Transferieren einer Vielzahl von Werkstücken in einen Ozonreinigungstank, welcher mit einer Ozonreinigungslösung gefüllt ist, und einen Alkali-Reinigungstank, welcher mit einer eine alkalische Komponente enthaltenden Lösung gefüllt ist, unter Benutzung eines Transfermittels, womit die Werkstücke aufeinanderfolgend und getrennt gereinigt werden.
  • VERWANDTE TECHNIK
  • In den letzten Jahren wurden begleitend zu Verbesserungen im Grad der Integration von Halbleiterbauelementen strengere Reinheit für Halbleiterherstellungsprozesse gefordert. Kontaminierungen auf einer Waferoberfläche beeinflussen die Eigenschaften des Bauelements, und Partikeln auf einer Waferoberfläche wird nachgesagt, eine Beherrschung der Korngröße, von 1/10 der Designregelgröße allgemein zu erfordern. Weiterhin ist von Metallverunreini gungen von 1010 Atomen/cm2 oder mehr bekannt, dass sie die elektrischen Eigenschaften beeinflussen.
  • Um einen effizient organisierten Reinigungsprozess zu erhalten, ist es wichtig, Reinigungsverfahren auszuwählen, welche am geeignetsten für zu entfernende Objekte sind, und die Verfahren effizient zu kombinieren. Herkömmlicherweise wurde zur Reinigung von Waferoberflächen üblicherweise ein Reinigungsverfahren, welches als ein RCA-Reinigungsprozess bezeichnet wird, benutzt, bei welchem SC-1 (Standardreinigung-1) unter Benutzung einer gemischten Lösung aus Ammoniumhydroxid und einer Wasserstoffperoxidlösung und SC-2 (Standardreinigung-2) unter Benutzung einer gemischten Lösung aus Salzsäure und einer Wasserstoffperoxidlösung benutzt wird.
  • Dieses Verfahren weist jedoch Probleme vieler Reinigungsschritte, einer enormen Menge von Reinigungslösung und gereinigtem Wasser, welches erforderlich ist, um die Reinigungslösungen abzuwaschen, und hohe Kosten zur Verarbeitung von Abfallfluiden auf.
  • In der Zwischenzeit ist ein Ozonreinigungsprozess als Technik zur Lösung der obigen Probleme angegeben. Ein Ozonreinigungsprozess ist ein Verfahren zum Reinigen von Werkstücken unter einer Benutzung einer Ozonreinigungslösung, welche ultrareines Wasser mit hinzugefügtem Ozon ist. Dieses ultrareine Wasser mit Ozon ist bloßes ultrareines Wasser, in welchem mehrere ppm Ozon bei Raumtemperatur aufgelöst sind, es weist jedoch eine höhere Oxidierfähigkeit als ein herkömmlicher SC-1 auf, und in dem reinen Wasser aufgelöstes Ozon zerfällt durch Selbstzersetzung in bloßes hochreines Wasser. Daher wird ultrareines Wasser mit Ozon verbreitet als hochreine Reinigungslösung benutzt, von welcher Abfallfluide für den Zweck einer Zersetzung einer an einer Waferoberfläche haftenden organischen Substanz und zum Bilden einer Oxidschicht als eine Schutzschicht auf der Waferoberfläche einfach prozessiert werden. Das Patentdokument 1 offenbart eine Technik zum Erhalten eines hochreinen Wafers durch Reinigen eines Wafers unter Benutzung der obigen Ozonreinigungslösung vor dem SC-1-Reinigungsprozess.
  • Eine Waferreinigung wird allgemein durchgeführt, indem ein oder eine Vielzahl von Wafern aufeinanderfolgend in Reinigungslösungen in individuellen Prozesstanks eingetaucht werden. Ein derartiges Waferreinigungsverfahren umfasst zwei bekannte Arten von Verfahren: eines ist ein Kassettenreinigungsverfahren und das andere ist ein kassettenloses Reinigungsverfahren.
  • Ein Kassettenreinigungsverfahren ist beispielsweise eine Reinigung durch Eintauchen von in einer Kassette gelagerten Wafern zusammen mit der Kassette in eine Reinigungslösung in einem Reinigungstank, wie im Patentdokument 2 dargestellt. Insbesondere wird eine Kassette, welche eine Vielzahl von (beispielsweise 25) Wafern lagert, durch ein öffenbares und schließbares Paar von U-förmigen Chuck-Elementen gestützt, welche integriert auf einem Paar von Armen eines Transfermittels in hängender Weise bereitgestellt sind, wodurch die Wafer zusammen mit der Kassette bewegt und aufeinanderfolgend in die Reinigungslösungen in den Prozesstanks gemäß der Verarbeitungsprozesse eingetaucht werden.
  • Auf der anderen Seite ist bei einem kassettenlosen Reinigungsverfahren ein Haltemittel 102 zum Platzieren und Fixieren eines Wafers 101 in einem Reinigungstank 100 im Voraus bereitgestellt, und der durch Chuck-Elemente 104 von Transferarmen 103 eines Transfermittels gehaltene Wafer 101 wird auf das Haltemittel 102 in dem Reinigungstank 100 platziert, um den Wafer mit einer Reinigungslösung 105 in dem Reinigungstank 100 zu reinigen, wie als Beispiel in 1 dargestellt. Herkömmlicherweise wurde bewirkt, dass während des Reinigens des Wafers 101 das Transfermittel außerhalb des Reinigungstanks 100 wartet.
  • Bei einem derartigen Verfahren, bei welchem bewirkt wird, dass ein Transfermittel außerhalb eines Reinigungstanks 100 wartet, bis das Reinigen des Wafers 101 abgeschlossen ist, ist jedoch notwendigerweise ein Transfermittel für jeden entsprechenden Reinigungstank bereitgestellt. Somit ist ein Ansteigen der Anzahl von Transfermitteln ein weiteres Problem. Um dieses Problem zu adressieren, transferiert während dem Reinigen des Wafers 101 in dem Reinigungstank 100 das Transfermittel einen anderen Wafer in einen anderen Reinigungstank als den Reinigungstank 100 und verhindert somit das Ansteigen der Anzahl von Transfermitteln. 2 ist eine schematische Ansicht zum Veranschaulichen eines Beispiels der Anordnung von Reinigungstanks und dem Betrieb eines herkömmlichen Transfermittels zum Lösen des obigen Problems. Bei diesem Beispiel wird ein Verfahren zum aufeinanderfolgenden und getrennten Transferieren einer Vielzahl von Werkstücken unter Benutzung eines Transfermittels benutzt. Bei der Anordnung der Reinigungstanks in diesem Beispiel sind ein mit einer Ozonreinigungslösung gefüllter Ozonreinigungstank, zwei jeweils mit einer eine Alkalikomponente enthaltenden Lösung gefüllte Alkali-Reinigungstanks (erster SC-1-Tank und zweiter SC-1-Tank) und ein Reinwasser-Reinigungstank in dieser Reihenfolge bereitgestellt. Zwei Alkali-Reinigungstanks werden bereitgestellt, um die SC-1-Reinigungseffizienz zu vergrößern, die Anzahl von Alkali-Reinigungstanks ist jedoch nicht darauf beschränkt, und ein Tank oder drei oder mehrere Tanks können benutzt werden.
  • Ein Transfermittel I bewegt sich allgemein in der numerischen Reihenfolge wie mit den Pfeilen gezeigt. Das Transfermittel I ist hier für Schritte vom Halten eines Werkstücks in dem Ozonreinigungstank zum Eintauchen des Werkstücks in den Reinwasser-Reinigungstank benutzt. In der Zwischenzeit werden Transfermittel II und III benutzt, um das Werkstück in den Ozonreinigungstank zu transferieren bzw. das Werkstück aus dem Reinwasser-Reinigungstank herauszunehmen.
  • Das Transfermittel I transferiert ein Werkstück, welches vorher in die Ozonreinigungslösung des Ozonreinigungstanks eingetaucht wurde, beispielsweise zu dem ersten SC-1-Tank (Pfeil 1). Bei dieser Gelegenheit werden die Transferarme und die Chuck-Elemente des Transfermittels I zusammen mit dem Werkstück in den ersten SC-1-Tank eingetaucht, so dass eine alkalische Komponente an Teilen der Transferarme und an den Chuck-Elementen haftet. Nach dem Verstreichen einer bestimmten Zeit transferiert das Transfermittel I ein Werkstück in dem ersten SC-1-Tank zu dem zweiten SC-1-Tank (Teil 2). Auch in diesem Fall haftet eine alkalische Komponente der Reinigungslösung in dem zweiten SC-1-Tank an Teilen der Transferarme und an den Chuck-Elementen des Transfermittels I an. Das Transfermittel I transferiert dann ein anderes Werkstück, welches vorher in die Ozonreinigungslösung des Ozonreinigungstanks unter Benutzung des Transfermittels II eingetaucht wurde, in den ersten SC-1-Tank (Pfeil 3).
  • Bei dieser Gelegenheit, insbesondere wenn die Transferarme und die Chuck-Elemente in den Ozonreinigungstank bewegt werden, um das andere Werkstück herauszunehmen, wird die an einem Teil der Transferarme und den Chuck-Elementen haftende alkalische Komponente in die Ozonreinigungslösung gemischt. Wenn die alkalische Komponente auf diese Weise in die Ozonreinigungslösung gemischt wird, wird eine Zersetzung von in der Ozonreinigungslösung gelöstem Ozon gefördert, um die Konzentration von Ozon in der Ozonreinigungslösung zu verringern, was die Reinigungsfähigkeit des Ozons verschlechtert. Als Ergebnis verbleibt beispielsweise organische Materie auf der Waferoberfläche, und die Dicke einer Oxidschicht auf der Waferoberfläche wird ungleichmäßig, was Probleme sind.
  • Danach transferiert das Transfermittel I das eine Werkstück in dem zweiten SC-1-Tank in den Reinwasser-Reinigungstank (Pfeil 4), und dann transferiert das Transfermittel I das andere Werkstück in dem ersten SC-1-Tank in den zweiten SC-1-Tank (Pfeil 5). Auch in diesem Fall haftet die alkalische Komponente in der Reinigungslösung des zweiten SC-1-Tanks an einem Teil des Transferarms und den Chuck-Elementen des Transfermittels I. Dieses Transfermittel I transferiert dann noch ein anderes Werkstück, welches zuvor unter Benutzung des Transfermittels II in die Ozonreinigungslösung des Ozonreinigungstanks getaucht wurde, zu dem ersten SC-1-Tank (Pfeil 6).
  • In diesem Fall wird an dem gemäß dem Pfeil 6 transferierten Werkstück keine hinreichende Ozonreinigung durchgeführt. Dies liegt daran, dass, wie durch den Pfeil 3 in 2 gezeigt, wenn die Transferarme und die Chuck-Elemente in den Ozonreinigungstank bewegt werden, die an einem Teil der Transferarme und den Chuck-Elementen haftende alkalische Komponente in die Ozonreinigungslösung gemischt wird, um die Zersetzung von in der Ozonreinigungslösung gelöstem Ozon zu fördern, was zur Verringerung der Ozonkonzentration und dementsprechend zu unzureichender Reinigungsfähigkeit von Ozon führt.
  • Das Patentdokument 3 offenbart eine Technik zum Verhindern einer Verringerung der Ozonkonzentration in einer Ozonreinigungslösung durch Lösen von Kohlendioxidgas oder einer organischen Komponente in der Ozonreinigungslösung. In einem Fall, in welchem Kohlendioxidgas in einer Ozonreinigungslösung gelöst wird, kann eine Selbstzersetzung von Ozon unterdrückt werden, indem eine geringe Menge von Kohlendioxidgas in der Ozonreinigungslösung gelöst wird. Jedoch wird unabhängig von der Menge des in der Ozonreinigungslösung gelösten Kohlendioxidgases die Selbstzersetzung von Ozon gefördert, wenn eine alkalische Komponente in die Ozonreinigungslösung gemischt wird, was die Konzentration von Ozon in der Reinigungslösung verringert. Auf der anderen Seite verbleibt, wenn eine flüssige organische Komponente in der Ozonreinigungslösung gelöst wird, nach der Ozonreinigung organische Materie auf einer Oberfläche des Wafers, was die Waferoberflächenqualität verschlechtert, was anschließende Bauelementherstellungsprozesse negativ beeinflussen würde.
  • Aus der JP 09-17763 ist es bekannt, eine Kassette mit Wafern unter Benutzung von Chuck-Elementen in eine Lösung zu befördern und aus einer Lösung herauszuziehen. Aus der US 2008/0202260 A1 ist ein Abspülen und Trocknen eines Chucks zum Entfernen einer chemischen Lösung aus einem vorherigen Behandlungsschritt bekannt. Ferner beschreibt die Druckschrift KR 10 2006 076 813 A Werkzeuge zum Transport von Wafern. Die Druckschrift US 2002/0036002 A1 beschreibt einen Reinigungsprozess sowie ein Gerät zur Durchführung eines Reinigungsprozesses.
  • DOKUMENTE ZUM STAND DER TECHNIK
  • PATENTDOKUMENTE
    • [Patentdokument 1] JP 2007-48918 A entsprechend der US 2007/0034229 A1
    • [Patentdokument 2] JP 09-17763 A
    • [Patentdokument 3] JP 2000-37695 A
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • VON DER ERFINDUNG ZU LÖSENDE PROBLEME
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die obigen Probleme zu lösen und ein Reinigungsverfahren bereitzustellen, welches es ermöglicht, ein Mischen von einer alkalischen Komponente in eine Ozonreinigungslösung zu verringern, und dadurch eine Einschränkung der Reinigungsfähigkeit des Ozons zu verhindern.
  • MITTEL ZUR LÖSUNG DES PROBLEMS
  • Es wird ein Verfahren nach Anspruch 1 bereitgestellt. Die Unteransprüche definieren weitere Ausführungsbeispiele.
  • Um die obige Aufgabe zu lösen, enthält die vorliegende Erfindung hauptsächlich die folgenden konstituierenden Merkmale.
    • (1) Verfahren zum Reinigen einer Vielzahl von Werkstücken unter Benutzung einer Reinigungsvorrichtung mit einer Vielzahl von Reinigungstanks umfassend einen mit einer Ozonreinigungslösung gefüllten Ozonreinigungstank und einen mit einer eine alkalische Komponente enthaltenden Lösung gefüllten Alkali-Reinigungstank, und ein Transfermittel mit Transferarmen und auf den Transferarmen bereitgestellten Chuck-Elementen, welches zwischen der Vielzahl von Reinigungstanks bewegbar ist, umfassend: Eintauchen eines Werkstücks, wobei das Werkstück einer Vielzahl von Werkstücken von den Chuck-Elementen lösbar gehalten ist, in eine Reinigungslösung in einem der Vielzahl von Reinigungstanks zumindest zusammen mit den Chuck-Elementen und einem Teil der Transferarme, dann Lösen der Chuck-Elemente von dem Werkstück, um das Transfermittel während der Behandlung des Werkstücks in dem Reinigungstank zu bewegen, und lösbares Halten eines anderen Werkstücks, welches in eine Reinigungslösung eines anderen Reinigungstanks getaucht wurde, unter Benutzung der Chuck-Elemente, wobei, bevor die Chuck-Elemente das andere Werkstück halten, welches vorher in die Ozonreinigungslösung in dem Ozonreinigungstank getaucht wurde, eine alkalische Komponente, welche an einem Teil der Transferarme und den Chuck-Elementen haftet, durch Reinigung entfernt wird, womit verhindert wird, dass sich die alkalische Komponente in die Ozonreinigungslösung mischt wobei die Reinigungsvorrichtung weiter einen Reinwasser-Reinigungstank für Chuck-Elemente gefüllt mit dem gereinigtem Wasser zum Reinigen der Transferarme und der Chuck-Elemente umfasst, wobei die Transferelemente und die Chuck-Elemente gereinigt werden, indem sie in den Reinwasser-Reinigungstank für Chuck-Elemente getaucht werden und dann herausgezogen werden und weiterhin die Transferarme und die Chuck-Elemente während dem Herausziehen mit gereinigtem Wasser besprüht werden und wobei die Transferarme und die Chuck-Elemente mit einer Rate von 300 mm/s herausgezogen werden, nachdem sie in den Reinwasser-Reinigungstank getaucht wurden.
    • (2) Reinigungsverfahren gemäß dem obigen (1), wobei eine Konzentration von Ozon in der Ozonreinigungslösung, nachdem die Transferarme und die Chuck-Elemente, welche mindestens einmal in die eine alkalische Komponente enthaltende Lösung in dem Alkali-Reinigungstank getaucht wurden, in die Ozonreinigungslösung getaucht wurden, 3 ppm oder mehr ist.
    • (3) Reinigungsverfahren gemäß dem obigen (1), wobei das Werkstück ein oder eine Vielzahl von Wafern oder eine Vielzahl von in einer Aufnahmekassette gelagerten Wafern ist.
  • AUSWIRKUNG DER ERFINDUNG
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird, bevor Chuck-Elemente ein Werkstück halten, welches vorher in eine Ozonreinigungslösung eines Ozonreinigungstanks getaucht wurde, die alkalische Komponente, welche an einem Teil der Transferarme und an den Chuck-Elementen haftet, durch Reinigung entfernt, wodurch verhindert wird, dass sich die alkalische Komponente in die Ozonreinigungslösung mischt. Somit kann verhindert werden, dass die Ozonreinigungsfähigkeit eingeschränkt wird.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche eine kassettenlose Reinigungsvorrichtung darstellt.
  • 2 ist eine schematische Ansicht zur Veranschaulichung eines Beispiels der Anordnung von Reinigungstanks und einer herkömmlichen Reihenfolge zum Bewegen von Transfermitteln.
  • 3 ist eine schematische Ansicht eines Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
  • 4 ist eine schematische Ansicht eines Zustands, in dem eine Vielzahl von Wafern ohne Kassetten in einem Reinigungstank platziert wird.
  • 5 ist eine schematische Ansicht, welche einen Teil von Transferarmen und Chuck-Elementen von einem Transfermittel zeigt.
  • 6(a) ist eine vergrößerte Ansicht von Chuck-Elementen, und 6(b) ist eine schematische Ansicht eines Zustands, in welchem die Chuck-Elemente einen Wafer halten.
  • 7 ist eine schematische Ansicht eines Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
  • 8 ist eine schematische Ansicht eines Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
  • BESTE ART, DIE ERFINDUNG AUSZUFÜHREN
  • Ein Ausführungsbeispiel eines Reinigungsverfahrens der vorliegenden Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die Zeichnung beschrieben.
  • Bei einem Reinigungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung wie bei einem in 3 dargestellten Beispiel wird eine Reinigungsvorrichtung mit einer Vielzahl von Reinigungstanks umfassend einen mit einer Ozonreinigungslösung gefüllten Ozonreinigungstank und einen mit einer eine alkalische Komponente enthaltenden Lösung gefüllten Alkali-Reinigungstank und mit einem Transfermittel mit Transferarmen und an den Transferarmen bereitgestellten Chuck-Elemente, welches bereitgestellt ist, zwischen der Vielzahl von Reinigungstanks bewegbar zu sein, bereitgestellt. Das Transfermittel weist beispielsweise eine Struktur wie in 1 dargestellt auf zum vorherigen Bereitstellen eines Haltemittels 102 zum Platzieren und Fixieren eines Werkstücks 101 in einem Reinigungstank 100 und Platzieren des Werkstücks 101, welches durch Chuck-Elemente 104 von Transferarmen 103 des Transfermittels gehalten wird, auf das Haltemittel 102 in dem Reinigungstank 100, um das Werkstück mit einer Reinigungslösung 105 in dem Reinigungstank 100 zu reinigen.
  • Das Werkstück 101 kann ein oder eine Vielzahl von Wafern oder eine Vielzahl von in einer Aufnahmekassette gelagerten Wafern sein. 4 ist eine schematische Ansicht eines Zustands, in welchem eine Vielzahl von Wafern 101 auf das Haltemittel 102 in dem Reinigungstank ohne Kassetten platziert ist. 5 zeigt Transferarme 103 und Chuck-Elemente 104 zum Transferieren derartiger Wafer. Eine vergrößerte Ansicht der Chuck-Elemente 104 und ein Zustand, in dem die Chuck-Elemente 104 den oder die Wafer 101 halten, sind in 6(a) bzw. 6(b) gezeigt. Hier werden eine Vielzahl von Wafern, welche durch ein Transfermittel gehalten werden können, gemeinsam als ein Werkstück bezeichnet, und eine Vielzahl von Werkstücken bedeutet eine Vielzahl von Gruppen derartiger Wafer.
  • Wie in 3 gezeigt, bewegt sich ein Transfermittel I von einem Reinigungstank zu einem anderen Reinigungstank in der numerischen Reihenfolge wie durch die Pfeile gezeigt. Das Transfermittel I wird hier für Schritte von einem Halten eines Werkstücks in dem Ozonreinigungstank bis zum Tauchen des Werkstücks in den Reinwasser-Reinigungstank benutzt. In der Zwischenzeit werden Transfermittel II und III zum Eintauchen des Werkstücks in die Ozonreinigungslösung in dem Ozonreinigungstank bzw. das Herausnehmen des Werkstücks aus dem Reinwasser-Reinigungstank benutzt. Es ist zu bemerken, dass der Reinwasser-Reinigungstank ein Reinwasser-Reinigungstank für Werkstücke ist, welcher mit gereinigtem Wasser zum Reinigen des Werkstücks gefüllt ist.
  • Das Transfermittel I transferiert beispielsweise ein Werkstück, welches vorher in eine Ozonreinigungslösung des Ozonreinigungstanks getaucht wurde, zu dem Alkali-Reinigungstank (Pfeil 1). In diesem Fall werden die Transferarme und die Chuck-Elemente des Transfermittels I zusammen mit dem Werkstück in den Alkali-Reinigungstank getaucht, so dass eine alkalische Komponente an einem Teil der Transferarme und den Chuck-Elementen haftet. Nach dem Verstreichen einer gewissen Zeit transferiert das Transfermittel I das eine Werkstück in dem Alkali-Reinigungstank zu dem Reinwasser-Reinigungstank (Pfeil 2). Bei dieser Gelegenheit werden, nachdem sie sich von dem Werkstück in dem Reinwasser-Reinigungstank gelöst haben, die Transferarme und die Chuck-Elemente des Transfermittels I mit gereinigtem Wasser gereinigt, indem sie aus dem gereinigten Wasser herausgezogen werden. Dann transferiert dieses Transfermittel I ein anderes Werkstück, welches vorher durch das Transfermittel II in die Ozonreinigungslösung in dem Ozonreinigungstank getaucht wurde, zu dem Alkali-Reinigungstank (Pfeil 3).
  • Somit werden bei diesem Beispiel die Transferarme und die Chuck-Elemente in dem Reinwasser-Reinigungstank gereinigt, nachdem sie in die alkalische Reinigungslösung in dem Alkali-Reinigungstank getaucht wurden. Daher kann verhindert werden, dass sich die alkalische Komponente in die Ozonreinigungslösung mischt.
  • 7 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel eines Reinigungsverfahrens der vorliegenden Erfindung. Das Transfermittel I transferiert beispielsweise ein Werkstück, welches vorher in die Ozonreinigungslösung des Ozonreinigungstanks getaucht wurde, zu einem ersten Alkali-Reinigungstank (Pfeil 1). In diesem Fall werden die Transferarme und die Chuck-Elemente des Transfermittels I zusammen mit dem Werkstück in den ersten Alkali-Reinigungstank getaucht, so dass die alkalische Komponente an einem Teil der Transferarme und den Chuck-Elementen haftet. Nach dem Verstreichen einer gewissen Zeit transferiert das Transfermittel I das Werkstück in dem ersten Alkali-Reinigungstank zu einem zweiten Alkali-Reinigungstank (Pfeil 2). Auch in diesem Fall haftet eine alkalische Komponente in einer Reinigungslösung des zweiten Alkali-Reinigungstanks an einem Teil der Transferarme und den Chuck-Elementen des Transfermittels I. Da dies der Fall ist, wird ein Teil der Transferarme und die Chuck-Elemente dieses Transfermittels I in dem Reinwasser-Reinigungstank (Pfeil 3) gereinigt.
  • Eine Reinigungsvorrichtung, welche bei einem Reinigungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung benutzt wird, umfasst weiter einen Reinwasser-Reinigungstank für Werkstücke (entsprechend einem ersten Reinwasser-Reinigungstank in dem Diagramm), welcher mit gereinigtem Wasser zum Reinigen von Werkstücken gefüllt ist. Die Transferarme und die Chuck-Elemente können gereinigt werden, indem sie in das gereinigte Wasser des Reinwasser-Reinigungstanks für Werkstücke getaucht werden, und dann herausgezogen werden. Dieses Verfahren benötigt keine zusätzliche Ausrüstung, was kosteneffizient ist.
  • Die Transferarme und die Chuck-Elemente werden bevorzugt mit einer Rate von 300 mm/s oder weniger herausgezogen, nachdem sie in das gereinigte Wasser des Reinwasser-Reinigungstanks für Werkstücke getaucht wurde. Dies liegt daran, dass, wenn die Herausziehrate größer ist als 300 mm/s, die alkalische Komponente nicht ausreichend entfernt werden würde.
  • Erfindungsgemäß umfasst eine Reinigungsvorrichtung, welche bei einem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung benutzt wird, weiter einen Reinwasser-Reinigungstank für Chuck-Elemente (entsprechend einem zweiten Reinwasser-Reinigungstank in dem Diagramm), gefüllt mit gereinigtem Wasser zum Reinigen von Transferarmen und Chuck-Elementen. Die Transferarme und die Chuck-Elemente werden gereinigt, indem die Transferarme und Chuck-Elemente in das gereinigte Wasser des Reinwasser-Reinigungstanks für Chuck-Elemente getaucht werden und dann mit dem gereinigten Wasser besprüht werden, während sie aus dem Tank herausgezogen werden.
  • In diesem Fall kann beispielsweise ein Verfahren des Sprühens von gereinigtem Wasser 107 von Reinwasser-Sprühdüsen 106, welche an zwei Positionen in einem oberen Teil des Reinwasser-Reinigungstanks für Chuck-Elemente in 7 bereitgestellt sind, auf die Transferarme und die Chuck-Elemente, welche herausgezogen werden, nachdem sie in das gereinigte Wasser des Reinwasser-Reinigungstanks für Chuck-Elemente getaucht wurden, verwendet werden. Gemäß diesem Verfahren werden die Chuck-Elemente, an welchen leicht die alkalische Komponente verbleibt, mit gereinigtem Wasser besprüht, so dass die alkalische Komponente, welche auf den Chuck-Elementen geblieben ist, effizient entfernt werden kann. Daher kann, wie oben beschrieben, verglichen mit dem Fall des Reinigens der Transferarme und des Chuck-Elements ein größerer Reinigungseffekt erreicht werden, indem sie wie oben beschrieben in gereinigtes Wasser des Reinwasser-Reinigungstanks für Werkstücke getaucht werden und sie dann herausgezogen werden.
  • Andere Verfahren als die obigen können als das Verfahren zum Besprühen von Transferarmen und Chuck-Elementen mit gereinigtem Wasser angewendet werden, solange die Transferarme und die Chuck-Elemente, auf welchen die alkalische Komponente leicht verbleibt, direkt mit gereinigtem Wasser besprüht werden können. Weiterhin sind die festgelegten Positionen der Reinwasser-Sprühdüsen 106 nicht auf den oberen Teil des Reinwasser-Reinigungstanks für Chuck-Elemente begrenzt. Alternativ kann ein Verfahren, bei welchem die Transferarme und die Chuck-Elemente in einen oberen Teil des Reinwasser-Reinigungstanks für Werkstücke platziert werden und die Transferarme und die Chuck-Elemente mit dem gereinigten Wasser 107 besprüht werden, während sie herausgezogen werden, nachdem sie in das gereinigte Wasser des Reinwasser-Reinigungstanks für Werkstücke getaucht wurden, verwendet werden. Es ist zu bemerken, dass die festzulegende Anzahl der Reinwasser-Sprühdüsen 106 in Abhängigkeit von der Größe der Werkstücke, der Größe der Reinigungstanks und dergleichen bestimmt wird.
  • Dann transferiert dieses Transfermittel I ein anderes Werkstück, welches vorher in die Ozonreinigungslösung des Ozonreinigungstanks durch das Transfermittel II getaucht wurde, zu dem ersten Alkali-Reinigungstank (Pfeil 4). Anschließend transferiert dieses Transfermittel I das eine Werkstück in dem zweiten Alkali-Reinigungstank zu dem ersten Reinwasser-Reinigungstank (Pfeil 5). Bei dieser Gelegenheit werden, nachdem sie sich von dem Werkstück in dem Reinwasser-Reinigungstank für Werkstücke gelöst haben, die Transferarme und die Chuck-Elemente des Transfermittels I mit gereinigtem Wasser gereinigt, indem sie aus dem gereinigten Wasser herausgezogen werden. Als nächstes transferiert dieses Transfermittel I ein anderes Werkstück, welches in eine Alkali-Reinigungslösung in dem ersten Alkali-Reinigungstank getaucht ist, zu dem zweiten Alkali-Reinigungstank (Pfeil 6). Zu diesem Zeitpunkt haftet eine alkalische Komponente in dem zweiten Alkali-Reinigungstank an einem Teil der Transferarme und den Chuck-Elementen des Transfermittels I. Dementsprechend werden die Transferarme und die Chuck-Elemente dieses Transfermittels I wiederum mit dem gereinigten Wasser in dem Reinwasser-Reinigungstank gereinigt (Pfeil 7). Dann transferiert dieses Transfermittel I noch ein anderes Werkstück, welches vorher unter Benutzung des Transfermittels II in die Ozonreinigungslösung in dem Ozonreinigungstank getaucht wurde, zu dem ersten Alkali-Reinigungstank (Pfeil 8).
  • Somit werden bei diesem Beispiel die Transferarme und die Chuck-Elemente mit gereinigtem Wasser in dem Reinwasser-Reinigungstank gereinigt, nachdem sie in die Alkali-Reinigungslösung in dem Alkali-Reinigungstank getaucht wurden. Daher kann die alkalische Komponente daran gehindert werden, sich in die Ozonreinigungslösung zu mischen.
  • 8 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Reinigungsverfahrens der vorliegenden Erfindung. Das Transfermittel I transferiert beispielsweise ein Werkstück, welches vorher in die Ozonreinigungslösung des Ozonreinigungstanks getaucht wurde, zu einem ersten Alkali-Reinigungstank (Pfeil 1). In diesem Fall werden die Transferarme und die Chuck-Elemente des Transfermittels I zusammen mit dem Werkstück in den ersten Alkali-Reinigungstank getaucht, so dass die alkalische Komponente an einem Teil der Transferarme und den Chuck-Elementen haftet. Nach dem Verstreichen einer gewissen Zeit transferiert das Transfermittel I das Werkstück in dem ersten Alkali-Reinigungstank zu einem zweiten Alkali-Reinigungstank (Pfeil 2). Auch in diesem Fall haftet eine alkalische Komponente in einer Reinigungslösung des zweiten Alkali-Reinigungstanks an einem Teil der Transferarme und den Chuck-Elementen des Transfermittels I. Da dies der Fall ist, werden die Transferarme und die Chuck-Elemente dieses Transfermittels I in dem Reinwasser-Reinigungstank mit gereinigtem Wasser gereinigt (Pfeil 3).
  • Dann transferiert dieses Transfermittel I ein anderes Werkstück, welches durch das Transfermittel II vorher in die Ozonreinigungslösung in dem Ozonreinigungstank getaucht wurde, zu dem ersten Alkali-Reinigungstank (Pfeil 4). Anschließend transferiert dieses Transfermittel I das eine Werkstück in dem zweiten Alkali-Reinigungstank zu einem dritten Alkali-Reinigungstank (Pfeil 5). Danach transferiert das Transfermittel I das andere Werkstück in dem ersten Alkali-Reinigungstank zu dem zweiten Alkali-Reinigungstank (Pfeil 6). Auch in diesem Fall haftet eine alkalische Komponente der Reinigungslösung in dem zweiten Alkali-Reinigungstank an einem Teil der Transferarme und den Chuck-Elementen des Transfermittels I. Dementsprechend werden die Transferarme und die Chuck-Elemente dieses Transfermittels I wieder mit dem gereinigtem Wasser in dem Reinwasser-Reinigungstank (Pfeil 7) gereinigt. Dann transferiert dieses Transfermittel I noch ein anderes Werkstück, welches vorher unter Benutzung des Transfermittels II in die Ozonreinigungslösung in dem Ozonreinigungstank getaucht wurde, zu dem ersten Alkali-Reinigungstank (Pfeil 8).
  • Somit werden bei diesem Beispiel die Transferarme und die Chuck-Elemente mit gereinigtem Wasser in dem Reinwasser-Reinigungstank gereinigt, nachdem sie in die alkalische Reinigungslösung in dem Alkali-Reinigungstank getaucht wurden. Daher kann die alkalische Komponente daran gehindert werden, sich in die Ozonreinigungslösung zu mischen.
  • Die Konzentration von Ozon in der Ozonreinigungslösung, in welche die Transferarme und die Chuck-Elemente, welche mindestens einmal in die eine alkalische Komponente enthaltende Lösung in dem Alkali-Reinigungstank getaucht wurden, getaucht werden, ist bevorzugt 3 ppm oder mehr. Wenn die Ozonkonzentration geringer ist als 3 ppm, wäre die Ozonreinigungsfähigkeit unzureichend.
  • Es ist zu bemerken, dass die festgelegte Position des Reinwasser-Reinigungstanks für Chuck-Elemente entweder innerhalb oder außerhalb der Reihe der Vielzahl von Reinigungstanks sein kann. Wenn in Betracht gezogen wird, dass das Wafertransfermittel sich zwischen den Reinigungslösungstanks bewegt, ist es eher jedoch bevorzugt in der Reihe der Vielzahl von Reinigungstanks platziert. Weiterhin wird in dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel ein Transfermittel benutzt, alternativ kann jedoch eine Vielzahl von Transfermitteln benutzt werden.
  • Es ist zu bemerken, dass das Obige Beispiele von beispielhaften Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung zeigt, und die vorliegende Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt ist. Insbesondere zeigen die obigen Ausführungsbeispiele Beispiele eines Transferierens einer Vielzahl von Werkstücken ohne Intervalle, alternativ kann der Transfer mit einem Intervall eines Reinigungstanks oder mit einem Intervall zweier Reinigungstanks durchgeführt werden. Auch in diesem Fall werden die Transferarme mit gereinigtem Wasser in dem Reinwasser-Reinigungstank gereinigt, nachdem sie in die alkalische Reinigungslösung in dem Alkali-Reinigungstank getaucht wurden, was verhindern kann, dass sich die alkalische Komponente in die Ozonreinigungslösung mischt.
  • BEISPIELE
  • (Beispiel 1)
  • Unter Benutzung der Anordnung von Reinigungstanks und der Reihenfolge des Bewegens eines Transfermittels in 7 wurde eine Vielzahl von Werkstücken gereinigt. Jedes der Werkstücke ist eine Gruppe von 50 Wafern. Bei diesem Beispiel wurden Wafer zum Zweck des Beobachtens einer Trübung (Haze), welche auf der Waferoberfläche aufgrund des Eintauchens der Wafer in eine Ozonreinigungsoberfläche eines Ozonreinigungstanks erzeugt wurde, mit einer wasserabstoßenden Oberfläche, welche mit Flusssäure gereinigt wurden, gereinigt. Wenn die Zeit des Eintauchens in die Ozonreinigungslösung des Ozonreinigungstanks kurz ist, kann Trübung, welche auf der Waferoberfläche erzeugt wurde, nicht entfernt werden, andererseits führt eine lange Eintauchzeit zu einer verringerten Produktivität, obwohl die Trübung verschwindet. Somit wurde die Eintauchzeit auf 5 Minuten festgesetzt. Transferarme und Chuck-Elemente des Transfermittels wurden gereinigt, indem die Transferarme und die Chuck-Elemente in gereinigtes Wasser in einem Reinwasser-Reinigungstank für Werkstücke (erster Reinwasser-Reinigungstank) eingetaucht wurden und dann herausgezogen wurden. In diesem Fall wurden die Transferarme aus dem Reinwasser-Reinigungstank für Werkstücke mit einer Herausziehrate von 300 mm/s herausgezogen. Dem Ozonreinigungstank wurde 20 ppm Ozonwasser, welches ultrareines Wasser war, in welchem Ozongas gelöst wurde, kontinuierlich als die Ozonreinigungslösung bei einer Zuführrate von 10 L/min zugeführt. Die Konzentration von Ozon in dem Ozonreinigungstank, in welchem die Transferarme und die Chuck-Elemente nicht eingetaucht wurden (im Folgenden als „anfängliche Konzentration” bezeichnet) war 10 ppm.
  • Die Konzentration von Ozon in der Ozonreinigungslösung des Ozonreinigungstanks unmittelbar nachdem die Transferarme und die Chuck-Elemente in die Ozonreinigungslösung wie mit Pfeil 4 gezeigt getaucht wurden, wurde gemessen. Sie fiel von der anfänglichen Ozonkonzentration von 10 ppm auf 3 ppm. Wenn die Herausziehrate der Transferarme aus dem Reinwasser-Reinigungstank für Werkstücke 300 mm/s war, wird davon ausgegangen, dass die Konzentration von Ozon in der Ozonreinigungslösung des Ozonreinigungstanks gefallen ist, weil eine alkalische Komponente, welche an den Transferarmen und den Chuck-Elementen haftete, nicht vollständig entfernt wurde, und eine kleine Menge von alkalischer Komponenten, welche auf den Transferarmen und den Chuck-Elementen verblieb, in die Ozonreinigungslösung gemischt wurde, um die Zersetzung des Ozons zu fördern.
  • Die Kontaktwinkel des oberen Teils, zentralen Teils und unteren Teils des Wafers, welcher mit dieser Ozonreinigungslösung gereinigt wurde, wurden als 20°, 10° bzw. 10° gemessen. Die Messung der Kontaktwinkel wurde mit 5–6 Wafern, welche aus den 50 Wafern ausgewählt wurden, durchgeführt. Hier wurde die Auswahl der Wafer beispielsweise durch ein Verfahren des Auswählens des 1., 11., 21., 31., 41. und 50. Wafers aus den 50 Wafern durchgeführt. Weiterhin wurden die Oberflächen aller 50 Wafer visuell unter einer fokussierten Lampe inspiziert, und geringe Trübung auf den Waferoberflächen beobachtet. Weiterhin wurde die Trübungskarte (Index der Oberflächenrauhigkeit) aller 50 Wafer mittels eines Laseroberflächenuntersuchers (SP-1, hergestellt von der KLA-Tencor Corporation) gemessen, um geringfügige Muster nur auf den obersten Teilen der Wafer zu finden, welche so gering sind, dass sie in der Bauelementherstellung vernachlässigbar sind. Es ist zu bemerken, dass die visuelle Untersuchung der obigen Waferoberflächen und die Messung der Trübungskarte nach einer SC-1-Reinigung, welche der Ozonreinigung der Wafer folgte, durchgeführt wurden.
  • Die Ergebnisse des Beispiels 1 zeigen, dass, selbst wenn die Konzentration von Ozon in der Ozonreinigungslösung des Ozonreinigungstanks auf 3 ppm abfiel, eine Einschränkung der Ozonreinigungsfähigkeit verhindert wurde, und dementsprechend Wafer mit günstiger Oberflächenqualität erhalten werden können.
  • (Beispiel 2)
  • Wafer wurden mit einem ähnlichen Verfahren wie Beispiel 1 transferiert mit der Ausnahme, dass die Transferarme und Chuck-Elemente eines Transfermittels gereinigt wurden, indem die Transferarme und die Chuck-Elemente mit gereinigtem Wasser besprüht wurden, während die Transferarme und die Chuck-Elemente herausgezogen wurden; nachdem sie in das gereinigte Wasser eines Reinwasser-Reinigungstanks für Chuck-Elemente (zweiter Reinwasser-Reinigungstank) getaucht wurden. Die Rate des Herausziehens der Transferarme aus dem Reinwasser-Reinigungstank für Chuck-Elemente war 300 mm/s. Weiterhin wurden die Transferarme und die Chuck-Elemente mit gereinigtem Wasser besprüht, indem gereinigtes Wasser 107 auf die Transferarme und Chuck-Elemente von den Reinwasser-Sprühdüsen 106, welche an zwei Positionen in einem oberen Teil des Reinwasser-Reinigungstanks für Chuck-Elemente in 7 platziert waren, während sie herausgezogen wurden, gesprüht wurde.
  • Die Konzentration von Ozon in der Ozonreinigungslösung unmittelbar nachdem die Transferarme und die Chuckelemente in den Ozonreinigungstank wie mit Pfeil 4 gezeigt getaucht wurden war 10 ppm, die anfängliche Ozonkonzentration wurde beibehalten. Es wird davon ausgegangen, dass dies so ist, weil die Transferarme und die Chuck-Elemente mit gereinigtem Wasser besprüht wurden, wenn die Transferarme aus dem Reinwasser-Reinigungstank für Chuck-Elemente herausgezogen wurden, was dazu führte, dass die an den Transferarmen und den Chuckelementen haftende alkalische Komponente vollständig entfernt wurde.
  • Die Kontaktwinkel des oberen Teils, zentralen Teils und unteren Teils des Wafers, welche mit dieser Ozonreinigungslösung gereinigt wurden, wurden als 10°, 10° bzw. 10° gemessen. Weiterhin wurden die Oberflächen aller 50 Wafer visuell unter einer fokussierten Lampe inspiziert, und keine Trübung wurde auf den Waferoberflächen beobachtet. Weiterhin wurde die Trübungskarte (Index der Oberflächenrauhigkeit) aller 50 Wafer mittels des Laseroberflächenuntersuchers gemessen, um keine Ungewöhnlichkeiten zu finden.
  • Die Ergebnisse des Beispiels 2 zeigen, dass die Konzentration von Ozon in der Ozonreinigungslösung unmittelbar nach dem Eintauchen der Transferarme und der Chuck-Elemente in die Ozonreinigungslösung des Ozonreinigungstanks nicht abgefallen ist, und folglich wurde eine Einschränkung der Ozonreinigungsfähigkeit verhindert, um Wafer mit günstiger Oberflächenqualität bereitzustellen.
  • (Beispiel 3)
  • Wafer wurden mit einem ähnlichen Verfahren wie Beispiel 1 transferiert mit der Ausnahme, dass die Rate des Herausziehens der Transferarme aus dem Reinwasser-Reinigungstank für Werkstücke 100 mm/s war.
  • Die Konzentration von Ozon in der Ozonreinigungslösung unmittelbar nachdem die Transferarme und die Chuck-Elemente in den Ozonreinigungstank wie mit Pfeil 4 gezeigt getaucht wurden war 10 ppm, die anfängliche Ozonkonzentration wurde beibehalten. Es wird davon ausgegangen, dass dies so ist, weil die Transferarme aus dem Reinwasser-Reinigungstank für Werkstücke bei einer Rate so niedrig wie 100 mm/s herausgezogen wurden, was zur vollständigen Entfernung von an den Transferarmen und den Chuck-Elementen haftenden alkalischen Komponenten führte.
  • Die Kontaktwinkel des oberen Teils, zentralen Teils und unteren Teils des Wafers, welcher mit dieser Ozonreinigungslösung gereinigt wurde, wurden als 10°, 10° bzw. 10° gemessen. Zudem wurden die Oberflächen aller 50 Wafer visuell unter einer fokussierten Lampe inspiziert, und keine Trübung wurde auf den Waferoberflächen beobachtet. Weiter wurde die Trübungskarte (Index der Oberflächenrauhigkeit) aller 50 Wafer mittels des Laseroberflächeninspizierers gemessen, um keine Ungewöhnlichkeiten zu finden.
  • Die Ergebnisse des Beispiels 3 zeigen, dass die Konzentration von Ozon in der Ozonreinigungslösung unmittelbar nach dem Eintauchen der Transferarme und der Chuck-Elemente in die Ozonreinigungslösung des Ozonreinigungstanks nicht abfiel, und dementsprechend wurde eine Einschränkung der Ozonreinigungsfähigkeit verhindert, um Wafer mit günstiger Oberflächenqualität bereitzustellen.
  • (Beispiel 4)
  • Wafer wurden mit einem ähnlichen Verfahren wie Beispiel 2 transferiert mit der Ausnahme, dass die Rate des Herausziehens der Transferarme aus dem Reinwasser-Reinigungstank für Chuck-Elemente 100 mm/s war.
  • Die Konzentration von Ozon in der Ozonreinigungslösung unmittelbar nachdem die Transferarme und Chuck-Elemente in den Ozonreinigungstank wie mit Pfeil 4 gezeigt getaucht wurden war 10 ppm, die anfängliche Ozonkonzentration wurde beibehalten. Es wird davon ausgegangen, dass dies so ist, weil die Chuck-Elemente 104, auf welchen die alkalische Komponente leicht verbleibt, mit gereinigtem Wasser besprüht wurden, und die Transferarme aus dem Reinwasser-Reinigungstank für Chuck-Elemente bei der Rate so niedrig wie 100 mm/s herausgezogen wurden, was zur vollständigen Entfernung einer an den Transferarmen und den Chuck-Elementen haftenden alkalischen Komponente führte.
  • Die Kontaktwinkel des oberen Teils, zentralen Teils und unteren Teils des Wafers, welcher mit dieser Ozonreinigungslösung gereinigt wurde, wurden als 10°, 10° bzw. 10° gemessen. Weiterhin wurden die Oberflächen aller 50 Wafer visuell unter einer fokussierten Lampe inspiziert, und keine Trübung wurde auf den Waferoberflächen beobachtet. Weiterhin wurde die Trübungskarte (Index der Oberflächenrauhigkeit) aller 50 Wafer mittels des Laseroberflächeninspektors gemessen, um keine Ungewöhnlichkeiten zu finden.
  • Die Ergebnisse des Beispiels 4 zeigen, dass die Konzentration von Ozon in der Ozonreinigungslösung unmittelbar nach dem Eintauchen der Transferarme und der Chuck-Elemente in die Ozonreinigungslösung des Ozonreinigungstanks nicht abfiel, und folglich wurde eine Einschränkung der Ozonreinigungsfähigkeit verhindert, um Wafer mit günstiger Oberflächenqualität bereitzustellen.
  • (Vergleichsbeispiel 1)
  • Wafer wurden mit einem ähnlichen Verfahren wie Beispiel 1 transferiert mit der Ausnahme, dass die Transferarme und die Chuck-Elemente des Transfermittels nach der SC-1-Reinigung nicht mit gereinigtem Wasser gereinigt wurden.
  • Die Konzentration von Ozon in der Ozonreinigungslösung unmittelbar nachdem die Transferarme und die Chuck-Elemente in den Ozonreinigungstank wie mit Pfeil 4 gezeigt eingetaucht wurden war 0 ppm, Ozon in der Ozonreinigungslösung wurde zersetzt, um zu verschwinden. Dies liegt daran, dass eine an einem Teil der Transferarme und den Chuck-Elementen haftende alkalische Komponente in die Ozonreinigungslösung gemischt wurde, was die Zersetzung von Ozon in der Ozonreinigungslösung förderte, was zum Verschwinden von Ozon in der Reinigungslösung führte.
  • Die Kontaktwinkel des oberen Teils, zentralen Teils und unteren Teils des Wafers, welcher mit dieser Ozonreinigungslösung gereinigt wurde, wurden als 60°, 20° bzw. 10° gemessen. Weiterhin wurden die Oberflächen der 50 Wafer visuell unter einer fokussierten Lampe inspiziert, um teilweise Trübung auf jedem der 50 Wafer zu finden.
  • Bei dem Vergleichsbeispiel wurde die Reinigung in einem Zustand durchgeführt, in welchem kein Ozon in der Reinigungslösung vorlag (d. h. in gereinigtem Wasser). Daher wurde der Waferreinigungseffekt als ineffizient aufgrund des Verlusts der Ozonreinigungsfähigkeit gefunden.
  • Die Ergebnisse der Beispiele 1–4 und des Vergleichsbeispiels 1 zeigen, dass verglichen mit dem Vergleichsbeispiel Reinigungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung eine alkalische Komponente daran hindern können, sich in eine Ozonreinigungslösung zu mischen, und eine Beeinträchtigung der Ozonreinigungsfähigkeit verhindern können, was es folglich ermöglicht, Wafer mit einer günstigen Oberflächenqualität zu erhalten.
  • GEWERBLICHE ANWENDBARKEIT
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird vor dem Eintauchen eines Werkstücks in eine Ozonreinigungslösung eines Ozonreinigungstanks eine an einem Teil von Transferarmen und Chuck-Elementen eines Transfermittels haftende alkalische Komponente durch Reinigung entfernt, was dadurch die alkalische Komponente daran hindert, sich in die Ozonreinigungsmischung zu mischen. Somit kann verhindert werden, dass die Ozonreinigungsfähigkeit beeinträchtigt wird.
  • Bezugszeichenliste
    • 100
    Reinigungstank
    101
    Werkstück
    102
    Haltemittel
    103
    Transferarme
    104
    Chuck-Elemente
    105
    Reinigungslösung
    106
    Reinwasser-Sprühdüsen
    107
    gereinigtes Wasser

Claims (3)

  1. Verfahren zum Reinigen einer Vielzahl von Werkstücken unter Benutzung einer Reinigungsvorrichtung mit einer Vielzahl von Reinigungstanks umfassend einen mit einer Ozonreinigungslösung gefüllten Ozonreinigungstank und einen mit einer eine alkalische Komponente enthaltenden Lösung gefüllten Alkali-Reinigungstank, und ein Transfermittel mit Transferarmen und auf den Transferarmen bereitgestellten Chuck-Elementen, welches zwischen der Vielzahl von Reinigungstanks bewegbar ist, umfassend: Eintauchen eines Werkstücks, wobei das Werkstück einer Vielzahl von Werkstücken lösbar durch die Chuck-Elemente gehalten ist, in eine Reinigungslösung in einem der Vielzahl von Reinigungstanks zumindest zusammen mit den Chuck-Elementen und einem Teil der Transferarme, dann Lösen der Chuck-Elemente von dem Werkstück, um das Transfermittel während der Behandlung des Werkstücks in dem Reinigungstank zu bewegen, und lösbares Halten eines anderen Werkstücks, welches in eine Reinigungslösung eines anderen Reinigungstanks getaucht wurde, unter Benutzung der Chuck-Elemente, wobei, bevor die Chuck-Elemente das andere Werkstück halten, welches vorher in die Ozonreinigungslösung in dem Ozonreinigungstank getaucht wurde, eine an einem Teil der Transferarme und den Chuck-Elementen haftende alkalische Komponente durch Reinigung entfernt wird, wodurch die alkalische Komponente daran gehindert wird, sich in die Ozonreinigungslösung zu mischen, wobei die Reinigungsvorrichtung weiter einen Reinwasser-Reinigungstank für Chuck-Elemente gefüllt mit gereinigtem Wasser zum Reinigen der Transferarme und der Chuck-Elemente umfasst, wobei die Transferarme und die Chuck-Elemente gereinigt werden, indem sie in gereinigtes Wasser in dem Reinwasser-Reinigungstank für Chuck-Elemente getaucht werden und dann herausgezogen werden und indem weiterhin die Transferarme und die Chuck-Elemente während des Herausziehens mit gereinigtem Wasser besprüht werden und wobei die Transferarme und die Chuck-Elemente, nachdem sie in den Reinwasser-Reinigungstank getaucht wurden, mit einer Rate von 300 mm/s oder weniger herausgezogen werden.
  2. Reinigungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei eine Konzentration von Ozon in der Ozonreinigungslösung, nachdem die Transferarme und die Chuck-Elemente, welche mindestens einmal in die Lösung enthaltend eine alkalische Komponente in dem Alkali-Reinigungstank getaucht wurden, in die Ozonreinigungslösung getaucht wurden, 3 ppm oder mehr ist.
  3. Reinigungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Werkstück ein oder eine Vielzahl von Wafern oder eine Vielzahl von in einer Aufnahmekassette gelagerten Wafern ist.
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