DE102010063178B4

DE102010063178B4 - Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe aus Silizium unmittelbar nach einer Politur der Halbleiterscheibe

Info

Publication number: DE102010063178B4
Application number: DE102010063178.7A
Authority: DE
Inventors: Reinhold Lanz
Original assignee: Siltronic AG
Current assignee: Siltronic AG
Priority date: 2010-12-15
Filing date: 2010-12-15
Publication date: 2014-05-22
Anticipated expiration: 2030-12-16
Also published as: TWI438038B; DE102010063178A1; JP5427876B2; MY150799A; US20120152278A1; SG182072A1; TW201236771A; JP2012129525A; US8377219B2; CN102543679B; KR20120067284A; CN102543679A; KR101312784B1

Abstract

Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe aus Silizium unmittelbar nach einer chemisch mechanischen Politur der Halbleiterscheibe, umfassend die folgenden Schritte in der angegebenen Reihenfolge: a) den Transfer der Halbleiterscheibe von einem Polierteller zu einem ersten Reinigungs-Modul, wobei beide Seitenflächen der Halbleiterscheibe im Verlauf des Transfers mindestens einmal mit Wasser mit einem Druck von nicht mehr als 1000 Pa besprüht werden; b) das Reinigen der Halbleiterscheibe zwischen rotierenden Walzen unter Zuführen von Wasser; c) das Besprühen der Seitenflächen der Halbleiterscheibe mit einer wässerigen Lösung, die Fluorwasserstoff und ein Tensid enthält, mit einem Druck von nicht mehr als 70000 Pa und nicht weniger als 40000 Pa; d) das Besprühen der Seitenflächen der Halbleiterscheibe mit Wasser mit einem Druck von nicht mehr als 20000 Pa; e) das Tauchen der Halbleiterscheibe in eine wässerige alkalische Reinigungslösung; f) das Reinigen der Halbleiterscheibe zwischen rotierenden Walzen unter Zuführen von Wasser; g) das Besprühen der Halbleiterscheibe mit Wasser; und h) das Trocknen der Halbleiterscheibe, wobei vom Transfer der Halbleiterscheibe vom Polierteller gemäß Schritt a) bis zur Vollendung des Trocknens der Halbleiterscheibe gemäß Schritt h) nicht mehr als 360 s vergehen und Zeiten eingerechnet sind, während derer die Halbleiterscheibe durch Roboter transferiert wird.

Description

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe aus Silizium von Poliermittelrückständen unmittelbar nach einer chemisch mechanischen Politur der Halbleiterscheibe.
Halbleiterscheiben aus Silizium werden in der Regel einer chemisch mechanischen Politur (CMP) zur Glättung einer oder beider Seiten der Halbleiterscheibe unterzogen. Nach der Politur sind die Halbleiterscheiben mit Rückständen des Poliermittels verunreinigt und müssen gereinigt werden. Die Rückstände müssen möglichst schnell entfernt werden, da sie die empfindliche Oberfläche der Halbleiterscheibe angreifen können und sie müssen möglichst vollständig entfernt werden, da auf der gereinigten Oberfläche zurückbleibende Partikel Oberflächendefekte hervorrufen können, die später durch Reinigen nicht mehr entfernt werden können. Die Reinigung muss darüber hinaus auch aus wirtschaftlichen Gründen in möglichst kurzer Zeit vollendet sein.
US 5 954888 A beschreibt ein Reinigungsverfahren, bei dem ein Werkstück wie beispielsweise eine Halbleiterscheibe aus Silizium nach einer CMP abgebürstet, für eine bestimmte Zeit einer wässerigen HF-Lösung ausgesetzt und anschließend gespült und getrocknet wird.
WO 2006/109 899 A1 beansprucht ein Reinigungssystem zum Reinigen von Halbleiterscheiben, umfassend eine Vorreinigungsstation, in der eine Halbleiterscheibe mit DI Wasser besprüht wird, eine erste Reinigungsstation, in der die Halbleiterscheibe abgebürstet und gleichzeitig mit einer Chemikalie besprüht wird, eine erste Spülstation, in der die Halbleiterscheibe mit einem Reinigungsmittel besprüht wird, eine zweite Reinigungsstation, in der die Halbleiterscheibe mit einer Chemikalie besprüht wird, eine zweite Spülstation, in der die Halbleiterscheibe mit dem Reinigungsmittel besprüht wird und eine Trocknungsstation.
WO 2005/006 409 A1 beschreibt eine Vorrichtung zum Reinigen einer Halbleiterscheibe nach CMP. Die Halbeiterscheibe wird in einer Hauptreinigungsstation unter Zufuhr eines Reinigungsmittels mittels Reinigungswalzen gereinigt.
US 2006/0 272 677 A beschreibt ein Reinigungsverfahren zum Entfernen von Partikeln von Halbleiterscheiben, wobei unter anderem eine wässerige HF-Lösung und später eine Lösung zum Reinigen verwendet wird, die Ammoniumhydroxid enthält.
In der DE 10 2007 032 385 A1 ist ein Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe nach CMP in einer modular strukturierten Reinigungsanlage beschrieben. Das Verfahren sieht vor, Halbleiterscheiben jeweils einzeln in mindestens zwei Reinigungs-Modulen zu reinigen und in einem Trocknungs-Modul zu trocknen. Eine drei Teilschritte umfassende Reinigungssequenz, die darauf abzielt, metallische Verunreinigungen zu entfernen, wird im selben Reinigungs-Modul durchgeführt.
In der EP 0 708 480 A1 wird als vorteilhafte Alternative zu einer Reinigung mit einer Reinigungslösung, die Ammoniumhydroxid, Wasserstoffperoxid und Wasser enthält, vorgeschlagen, eine Halbleiterscheibe nach einer Politur zunächst mit wässeriger Fluorwasserstoffsäure-Lösung zu reinigen, sie anschließend mit Ozon enthaltendem Wasser zu spülen und sie schließlich mit Bürsten in Gegenwart von Wasser zu reinigen.
In der US 5,944,906 ist ein Verfahren beschrieben, mit dem Halbleiterscheiben, deren Oberflächen von mindestens zwei unterschiedliche Materialien gebildet werden, nach einer Politur gereinigt werden. Bei Anwendung dieses Verfahrens wird die Halbleiterscheibe nacheinander mit einer Reihe von wässerigen Reinigungslösungen behandelt. Die Reihe umfasst Fluorwasserstoffsäure, eine Tensid-Lösung mit einem pH im Bereich von 1 bis 4, eine wässerige Ammoniumhydroxid-Lösung, eine Tensid-Lösung mit einem pH im Bereich von 8 bis 10 und entionisiertes Wasser.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Reinigungsverfahren bereitzustellen, mit dem Halbleiterscheiben aus Silizium einzeln und mit hohem Durchsatz effektiv nach einer chemisch-mechanischen Politur von Rückständen der Politur auf der polierten Vorderseite und der Rückseite befreit werden können.
Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe aus Silizium unmittelbar nach einer chemisch mechanischen Politur der Halbleiterscheibe, umfassend die folgenden Schritte in der angegebenen Reihenfolge:

a) den Transfer der Halbleiterscheibe von einem Polierteller zu einem ersten Reinigungs-Modul, wobei beide Seitenflächen der Halbleiterscheibe im Verlauf des Transfers mindestens einmal mit Wasser mit einem Druck von nicht mehr als 1000 Pa besprüht werden;
b) das Reinigen der Halbleiterscheibe zwischen rotierenden Walzen unter Zuführen von Wasser;
c) das Besprühen der Seitenflächen der Halbleiterscheibe mit einer wässerigen Lösung, die Fluorwasserstoff und ein Tensid enthält, mit einem Druck von nicht mehr als 70000 Pa und nicht weniger als 40000 Pa;
d) das Besprühen der Seitenflächen der Halbleiterscheibe mit Wasser mit einem Druck von nicht mehr als 20000 Pa;
e) das Tauchen der Halbleiterscheibe in eine wässerige alkalische Reinigungslösung;
f) das Reinigen der Halbleiterscheibe zwischen rotierenden Walzen unter Zuführen von Wasser;
g) das Besprühen der Halbleiterscheibe mit Wasser; und
h) das Trocknen der Halbleiterscheibe, wobei vom Transfer der Halbleiterscheibe vom Polierteller gemäß Schritt a) bis zur Vollendung des Trocknens der Halbleiterscheibe gemäß Schritt h) nicht mehr als 360 s vergehen und Zeiten eingerechnet sind, während derer die Halbleiterscheibe durch Roboter transferiert wird.

Dieses Verfahren ermöglicht die schnelle und effiziente Reinigung der polierten Vorderseite wie auch der Rückseite einer Halbleiterscheibe aus Silizium unmittelbar nach einer chemisch mechanischen Politur der Halbleiterscheibe.
Die Halbleiterscheibe wird während des Verfahrens in verschiedenen Reinigungs-Modulen behandelt. Ein Reinigungs-Modul ist eine funktionale Einheit, in der die Reinigung der Halbleiterscheibe erfolgt, entweder durch Besprühen der Seitenflächen der Halbleiterscheibe mit einer Flüssigkeit, durch Tauchen der Halbleiterscheibe in ein Bad oder durch Reinigen der Halbleiterscheibe zwischen rotierenden Walzen unter Zuführen von Wasser oder unter Zuführen einer Reinigungslösung. Es ist bevorzugt, die Halbleiterscheibe während der genannten Behandlungen in einem Reinigungs-Modul um ihr Zentrum zu drehen, vorzugsweise in einer vertikalen Ebene.
Das Verfahren umfasst eine bestimmte Reihenfolge von Operationen, die in der Summe die Aufgabe der vorliegenden Erfindung lösen. Eine gemäß dem Verfahren gereinigte Halbleiterscheibe aus Silizium besitzt im Hinblick auf die Verunreinigung durch Partikel einen Reinheitsgrad, der bereits im Bereich dessen liegt, was von polierten Halbleiterscheiben aus Silizium erwartet wird, die vor der Verpackung und der Versendung an den Kunden stehen. Gleichzeitig dauert das Verfahren nicht länger als 360 s, vorzugsweise nicht länger als 300 s, berechnet vom Transfer vom Polierteller gemäß Schritt a) bis zur Vollendung der Trocknung in Schritt h) des Verfahrens, wobei Zeiten eingerechnet sind, während derer die Halbleiterscheibe durch Roboter transferiert werden.
Der Ausstoß an getrockneten Halbleiterscheiben pro Zeiteinheit (Taktzeit) beträgt bei Anwendung des Verfahrens mindestens eine Halbleiterscheibe pro 75 s, vorzugsweise mindestens eine Halbleiterscheibe pro 66 s.
Das Verfahren umfasst den Transfer vom Polierteller zu einem ersten Reinigungs-Modul, die Reinigungsschritte b) bis g) und abschließend das Trocknen der Halbleiterscheibe in einem Trocknungs-Modul. Zur Durchführung der Reinigungsschritte b) bis g) des Verfahrens werden vorzugsweise nicht mehr als drei Reinigungs-Module eingesetzt, was zu einem hohen Durchsatz beiträgt.
Bei dem zum Reinigen der Halbleiterscheibe verwendeten Wasser handelt es sich vorzugsweise um entionisiertes Wasser.
Zu Beginn des Verfahrens wird die Halbleiterscheibe, an deren polierter Vorderseite und an deren Rückseite Rückstände von Poliermittel haften, möglichst schnell vom Polierteller zu einem ersten Reinigungs-Modul transportiert. Im Verlauf dieses Transfers werden beide Seiten der Halbleiterscheibe mindestens einmal mit Wasser besprüht, wobei die Halbleiterscheibe vorzugsweise horizontal liegend oder vertikal stehend gehalten wird. Besonders bevorzugt ist es, die Halbleiterscheibe mit Hilfe eines sie am Rand greifenden Robotersystems zu einer Übernahme-Station zu transportieren und abzulegen, sie dort gemäß Schritt a) des Verfahrens mit Wasser zu besprühen, und sie anschließend mit Hilfe des Robotersystems weiter zum ersten Reinigungs-Modul zu transportieren. Das Besprühen der Seitenflächen mit Wasser dauert vorzugsweise nicht weniger als 1 s und nicht mehr als 10 s. Ist der Zeitraum kürzer als 1 s, so leidet darunter die Effizienz des Verfahrens, ist er länger als 10 s, so geht dies zu Lasten der Produktivität des Verfahrens.
Der Druck, mit dem Wasser im Verlauf von Schritt a) des Verfahrens auf die Seitenflächen der Halbleiterscheibe gesprüht wird, beträgt nicht mehr als 1000 Pa (10 mbar). Ist der Druck an dieser Stelle des Verfahrens höher, besteht die Gefahr, dass beim Besprühen der frisch polierten und deshalb empfindlichen Halbleiterscheibe mit Wasser durch den höheren Druck Oberflächendefekte verursacht werden, die später durch Reinigen nicht mehr entfernt werden können.
Die Schritte b) bis d) des Verfahrens werden vorzugsweise im ersten Reinigungs-Modul durchgeführt.
Schritt b) des Verfahrens umfasst das Reinigen der Halbleiterscheibe zwischen rotierenden Walzen unter Zuführen von Wasser. Die Walzen verfügen vorzugsweise über einen schwammartigen Belag aus einem Kunststoff wie Polyvinylalkohol, mit dem die Halbleiterscheibe beim Reinigen in Kontakt kommt. Rotierende Bürsten sind auch geeignet. Die Halbleiterscheibe wird während dieser Behandlung vorzugsweise vertikal stehend gehalten und um ihr Zentrum gedreht. Schritt b) des Verfahrens dauert vorzugsweise nicht weniger als 10 s und nicht mehr als 30 s. Ist der Zeitraum kürzer als 10 s, so leidet darunter die Effizienz des Verfahrens, ist er länger als 30 s, so geht dies zu Lasten der Produktivität des Verfahrens.
Schritt c) des Verfahrens umfasst das Besprühen der Seitenflächen der Halbleiterscheibe mit einer wässerigen Lösung, die Fluorwasserstoff und mindestens ein Tensid enthält. Die Halbleiterscheibe wird während dieser Behandlung vorzugsweise vertikal stehend gehalten und um ihr Zentrum gedreht. Schritt c) des Verfahrens dauert vorzugsweise nicht weniger als 20 s und nicht mehr als 30 s. Ist der Zeitraum kürzer als 20 s, so leidet darunter die Effizienz des Verfahrens, ist er länger als 30 s, so geht dies zu Lasten der Produktivität des Verfahrens.
Die Konzentration an Fluorwasserstoff (HF) beträgt vorzugsweise 0,5 bis 1,5 Gew.-%, die des Tensids vorzugsweise 0,015 bis 0,03 Gew.-%. Es kommen vorzugsweise Tenside in Betracht, die eine oder mehrere Säuregruppen enthalten und dementsprechend eine wässerige Lösung mit einem pH unter 7 bilden.
Der Druck, mit dem die wässerige Lösung im Verlauf von Schritt c) des Verfahrens auf die Seitenflächen der Halbleiterscheibe gesprüht wird, beträgt nicht mehr als 70000 Pa (0,7 bar) und nicht weniger als 40000 Pa (0,4 bar). Ist der Druck an dieser Stelle des Verfahrens höher, besteht die Gefahr, dass beim Besprühen der Halbleiterscheibe mit der wässerigen Lösung Oberflächendefekte verursacht werden, die später durch Reinigen nicht mehr entfernt werden können. Ist der Druck zu niedrig, bleibt die Reinigung unvollständig.
Der Schritt d) des Verfahrens umfasst das Besprühen der Seitenflächen der Halbleiterscheibe mit Wasser. Die Halbleiterscheibe wird während dieser Behandlung vorzugsweise vertikal stehend gehalten und um ihr Zentrum gedreht. Der Schritt d) des Verfahrens dauert vorzugsweise nicht weniger als 1 s und nicht mehr als 10 s. Ist der Zeitraum länger als 10 s, so geht dies zu Lasten der Produktivität des Verfahrens.
Der Druck, mit dem Wasser im Verlauf von Schritt d) auf die Seitenflächen der Halbleiterscheibe gesprüht wird, beträgt nicht mehr als 20000 Pa (0,2 bar). Ist der Druck an dieser Stelle des Verfahrens höher, besteht die Gefahr, dass beim Besprühen der Halbleiterscheibe mit Wasser Oberflächendefekte verursacht werden, die später durch Reinigen nicht mehr entfernt werden können.
Der Schritt e) des Verfahrens wird vorzugsweise in einem zweiten Reinigungs-Modul durchgeführt. Er umfasst das Tauchen der Halbleiterscheibe in eine wässerige alkalische Reinigungslösung. Die Halbleiterscheibe wird während dieser Behandlung vorzugsweise vertikal stehend gehalten und um ihr Zentrum gedreht. Die Reinigungslösung hat vorzugsweise eine Temperatur von nicht weniger als 50°C und nicht mehr als 60°C. Sie enthält eine alkalische Verbindung, vorzugsweise Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) und gegebenenfalls Wasserstoffperoxid (H₂O₂). Die Konzentration der alkalischen Verbindung liegt vorzugsweise im Bereich von 0,1 bis 0,4 Gew.-%, die von Wasserstoffperoxid vorzugsweise im Bereich von 0,7 bis 1,5 Gew.-%.
Schritt e) des Verfahrens dauert vorzugsweise nicht weniger als 40 s und nicht mehr als 60 s. Ist der Zeitraum kürzer als 40 s, so leidet darunter die Effizienz des Verfahrens, ist er länger als 60 s, so geht dies zu Lasten der Produktivität des Verfahrens.
Die Schritte f) und g) des Verfahrens werden vorzugsweise in einem dritten Reinigungs-Modul durchgeführt.
Schritt f) des Verfahrens umfasst das Reinigen der Halbleiterscheibe zwischen rotierenden Walzen unter Zuführen von Wasser. Die Walzen verfügen vorzugsweise über einen schwammartigen Belag aus einem Kunststoff wie Polyvinylalkohol, mit dem die Halbleiterscheibe beim Reinigen in Kontakt kommt. Rotierende Bürsten sind ebenfalls geeignet. Die Halbleiterscheibe wird während dieser Behandlung vorzugsweise vertikal stehend gehalten und um ihr Zentrum gedreht. Schritt f) des Verfahrens dauert vorzugsweise nicht weniger als 10 s und nicht mehr als 30 s. Ist der Zeitraum kürzer als 10 s, so leidet darunter die Effizienz des Verfahrens, ist er länger als 30 s, so geht dies zu Lasten der Produktivität des Verfahrens.
Schritt g) des Verfahrens umfasst das Besprühen der Seitenflächen der Halbleiterscheibe mit Wasser. Die Halbleiterscheibe wird während dieser Behandlung vorzugsweise vertikal stehend gehalten und um ihr Zentrum gedreht. Schritt g) dauert vorzugsweise nicht weniger als 5 s und nicht mehr als 10 s. Ist der Zeitraum kürzer als 5 s, so leidet darunter die Effizienz des Verfahrens, ist er länger als 10 s, so geht dies zu Lasten der Produktivität des Verfahrens.
Schritt h) des Verfahrens umfasst das Trocknen der Halbleiterscheibe in einem Trocknungs-Modul. Besonders bevorzugt ist ein Trocknungsmodul, in dem in Gegenwart von Isopropanol-Dampf getrocknet wird. Die Trocknung dauert vorzugsweise nicht weniger als 45 s und vorzugsweise nicht mehr als 65 s.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich zum Reinigen von Halbleiterscheiben aus Silizium, insbesondere solchen mit Durchmessern im Bereich von 200 bis 450 mm.
Beispiel 1:
Halbleiterscheiben aus Silizium wurden chemisch-mechanisch poliert und auf die erfindungsgemäße Weise nach der Politur gereinigt. Die Effizienz des Verfahrens zeigte sich an der Partikelzahl, die auf den Halbleiterscheiben vor dem Verpacken und Versenden an den Kunden gemessen wurde. Bei der Hälfte der untersuchten Halbleiterscheiben wurden nicht mehr als 5 Partikel mit einer maximalen Längenausdehnung von mehr als 37 nm gefunden. Vergleichsweise wurden auch Halbleiterscheiben nach einem Standard-Verfahren gereinigt. Die entsprechende Partikelanzahl lag bei diesen Halbleiterscheiben im Bereich von 15 bis 20.
Beispiel 2:
Um die Bedeutung des Tensids während Schritt c) zu zeigen, wurden eine erste und eine zweite Gruppe von Halbleiterscheiben chemisch mechanisch poliert und gereinigt. Jede Gruppe umfasste 40 Halbleiterscheiben aus Silizium. Die Reinigung der zweiten Gruppe unmittelbar nach der Politur erfolgte erfindungsgemäß. Die Reinigung der ersten Gruppe unterschied sich davon nur dadurch, dass während des Schritts c) auf das Tensid verzichtet wurde. Die gereinigten Halbleiterscheiben wurden einer dem Stand der Technik entsprechenden Endreinigung unterzogen und auf das Vorhandensein von Partikeln mit einer Größe von 40 nm oder größer untersucht. Die 1 und 2 zeigen Karten der auf der Vorderseite gefundenen Partikel, wobei jede Karte die Summe der Partikel anzeigt, die auf den polierten Vorderseiten der Halbleiterscheiben der jeweiligen Gruppe von Halbleiterscheiben gefunden wurde. Der Vergleich von 1 und 2 zeigt, dass die Anzahl von Partikeln, die auf der Vorderseite erfindungsgemäß gereinigter Halbleiterscheiben (zweite Gruppe, 2) gefunden wurde, signifikant niedriger war, als die Anzahl, die bei den nicht erfindungsgemäß gereinigten Halbleiterscheiben (erste Gruppe, 1) gefunden wurde.
Beispiel 3:
Um die Bedeutung des Drucks während Schritt c) zu zeigen, wurden eine dritte und eine vierte Gruppe von Halbleiterscheiben chemisch mechanisch poliert und gereinigt. Jede Gruppe umfasste 10 Halbleiterscheiben aus Silizium. Die Reinigung der vierten Gruppe unmittelbar nach der Politur erfolgte erfindungsgemäß. Die Reinigung der dritten Gruppe unterschied sich davon nur dadurch, dass die wässerige Lösung während des Schritts c) mit einem Druck von 100000 Pa auf die Seitenflächen der Halbleiterscheiben gesprüht wurde. Zur Reinigung der Halbleiterscheiben der vierten Gruppe wurde ein entsprechender Druck von 60000 Pa eingestellt. Die gereinigten Halbleiterscheiben wurden einer dem Stand der Technik entsprechenden Endreinigung unterzogen und auf das Vorhandensein von Partikeln mit einer Größe von 40 nm oder größer untersucht. Die 3 und 4 zeigen Karten der auf der Vorderseite gefundenen Partikel, wobei jede Karte die Summe der Partikel anzeigt, die auf den Vorderseiten der Halbleiterscheiben der jeweiligen Gruppe von Halbleiterscheiben gefunden wurde. Der Vergleich von 3 und 4 zeigt, dass die Anzahl von Partikeln, die auf der Vorderseite erfindungsgemäß gereinigter Halbleiterscheiben (vierte Gruppe, 4) gefunden wurde, signifikant niedriger war, als die Anzahl, die bei den nicht erfindungsgemäß gereinigten Halbleiterscheiben (dritte Gruppe, 3) gefunden wurde.

Claims

Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe aus Silizium unmittelbar nach einer chemisch mechanischen Politur der Halbleiterscheibe, umfassend die folgenden Schritte in der angegebenen Reihenfolge: a) den Transfer der Halbleiterscheibe von einem Polierteller zu einem ersten Reinigungs-Modul, wobei beide Seitenflächen der Halbleiterscheibe im Verlauf des Transfers mindestens einmal mit Wasser mit einem Druck von nicht mehr als 1000 Pa besprüht werden; b) das Reinigen der Halbleiterscheibe zwischen rotierenden Walzen unter Zuführen von Wasser; c) das Besprühen der Seitenflächen der Halbleiterscheibe mit einer wässerigen Lösung, die Fluorwasserstoff und ein Tensid enthält, mit einem Druck von nicht mehr als 70000 Pa und nicht weniger als 40000 Pa; d) das Besprühen der Seitenflächen der Halbleiterscheibe mit Wasser mit einem Druck von nicht mehr als 20000 Pa; e) das Tauchen der Halbleiterscheibe in eine wässerige alkalische Reinigungslösung; f) das Reinigen der Halbleiterscheibe zwischen rotierenden Walzen unter Zuführen von Wasser; g) das Besprühen der Halbleiterscheibe mit Wasser; und h) das Trocknen der Halbleiterscheibe, wobei vom Transfer der Halbleiterscheibe vom Polierteller gemäß Schritt a) bis zur Vollendung des Trocknens der Halbleiterscheibe gemäß Schritt h) nicht mehr als 360 s vergehen und Zeiten eingerechnet sind, während derer die Halbleiterscheibe durch Roboter transferiert wird.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Schritte b) bis d) im ersten Reinigungs-Modul, der Schritt e) in einem zweiten Reinigungs-Modul, und die Schritte f) und g) in einem dritten Reinigungs-Modul durchgeführt werden.
Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei die Halbleiterscheibe während der Schritte b) bis g) vertikal stehend gehalten und um ihr Zentrum gedreht wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Schritte b) bis g) innerhalb eines Zeitraums durchgeführt werden, der für Schritt b) nicht weniger als 10 s und nicht mehr als 30 s, für Schritt c) weniger als 20 s und nicht mehr als 30 s, für Schritt d) nicht weniger als 1 s und nicht mehr als 10 s, für Schritt e) nicht weniger als 40 s und nicht mehr als 60 s, für Schritt f) nicht weniger als 10 s und nicht mehr als 30 s, und für Schritt g) nicht weniger als 5 s und nicht mehr als 10 s lang ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Ausstoß an getrockneten Halbleiterscheiben pro Zeiteinheit (Taktzeit) bei Anwendung des Verfahrens mindestens eine Halbleiterscheibe pro 75 s beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die gereinigte Halbleiterscheibe einen Durchmesser im Bereich von 200 mm bis 450 mm hat.