JPH11251275A

JPH11251275A - 研磨装置、研磨装置用の洗浄装置、研磨・洗浄方法並びに配線部の作製方法

Info

Publication number: JPH11251275A
Application number: JP32842998A
Authority: JP
Inventors: Matsuomi Nishimura; 松臣西村; Kazuo Takahashi; 一雄高橋; Minokichi Ban; 箕▲吉▼ 伴; Atsushi Ikeda; 敦池田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-11-20
Filing date: 1998-11-18
Publication date: 1999-09-17

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】Ｋに代表されるアルカリ金属を効率よく除去
できる研磨装置、被研磨体の洗浄方法、及び半導体や電
気光学デバイスの配線部の作製方法の提供。【解決手段】被研磨体を研磨する為の研磨ユニット２
と、研磨後の被研磨体を洗浄する為の洗浄ユニット３
と、を一体的に有する研磨装置１において、該研磨ユニ
ット及び該洗浄ユニットは外部雰囲気から内部雰囲気を
隔離する為の隔離手段４を有しており、前記洗浄ユニッ
トは、温純水を該被研磨体に接触させて洗浄する為の洗
浄手段５を有していることを特徴とする。洗浄方法は、
該研磨装置で研磨した被研磨体を乾燥させることなく、
温純水を該被研磨体に接触させて洗浄することを特徴と
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＤＲＡＭ等の半導
体メモリー、マイクロプロセッサーに代表される半導体
デバイスの配線部の作製工程、又は、液晶表示素子やプ
ラズマ表示素子に代表される電気光学デバイスの配線部
の作製工程に用いられる研磨装置及びそれに用いられる
研磨・洗浄方法並びに配線部の作製方法の技術分野に属
する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの配線部の作製工程を例
に挙げて説明する。

【０００３】フォトリソグラフィーの露光における焦点
深度の問題や、半導体デバイス用の被膜の段差被覆性を
改善するために、最近の半導体デバイス、電気光学デバ
イスの作製工程にＣＭＰ（化学機械研磨法）が採用され
始めている。

【０００４】図１４は、半導体装置の作製法を示す模式
図である。

【０００５】ゲート電極等を構成する多結晶シリコンや
シリサイドの下層配線１０１が形成された半導体ウエハ
１００上にプラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜１０
２を形成する。形成された酸化シリコン膜は下地の配線
に応じてその表面に凹凸がみられる。（工程ＰＡＳ１）
ポリウレタン製の研磨パッドと、ＫＯＨ水溶液に酸化シ
リコンの微粒子を分散させた研磨剤で、ウエハの表面の
酸化シリコン膜を研磨して凹凸を平坦化する。（工程Ｐ
ＡＳ２）その後、酸やアルカリの薬液洗浄やブラシ洗浄
を行う。

【０００６】こうして、平坦化された酸化シリコン膜上
にホトレジストを塗布し、ＫｒＦエキシマレーザーを用
いてホトレジストを露光しホトレジストにコンタクトホ
ール形成用のパターン像を形成し、現像してホトレジス
トパターンを形成する。

【０００７】このホトレジストパターンをマスクにして
ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を行い、コンタクト
ホール１０３を形成する。（工程ＰＡＳ３）その後、ホ
トレジストを剥離して、コンタクトホール内及び酸化シ
リコン膜上にシリコンを含むアルミニウム膜１０５を形
成する。（工程ＰＡＳ４）この工程を繰返すことで多層
配線が得られる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近の
半導体デバイスの製造工程で付着した物質のうちあるも
のは上述した洗浄方法では除去できないことが判明し
た。

【０００９】例えば、上記ＣＭＰ工程では、水酸化カリ
ウム（ＫＯＨ）水溶液のようなカリウム（Ｋ）を含む処
理剤に酸化シリコン等の研磨粒子を分散させた研磨液を
用いる。そして、この研磨液中のＫが被研磨面となる層
間絶縁膜に付着すると、硫酸を含む過酸化水素水やアン
モニアを含む過酸化水素水を用いての薬液洗浄では除去
できない。勿論ブラシ洗浄でも無理であった。

【００１０】本発明の目的は、Ｋに代表されるアルカリ
金属を効率よく除去できる研磨装置及び研磨方法並びに
配線部の作製方法を提供することにある。

【００１１】本発明の別の目的は、硫酸等の高濃度の薬
液を用いることなく、Ｋに代表されるアルカリ金属の除
去が可能な簡単な研磨装置及び研磨方法並びに配線部の
作製方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の研磨装置は、被
研磨体を研磨剤を用いて研磨する為の研磨ユニットと、
研磨後の被研磨体を洗浄する為の洗浄ユニットと、を一
体的に有する研磨装置において、該研磨ユニット及び該
洗浄ユニットは外部雰囲気から内部雰囲気を隔離する為
の隔離手段を有しており、前記洗浄ユニットは、温純水
を該被研磨体に接触させて洗浄する為の洗浄手段を有し
ていることを特徴とする。

【００１３】該洗浄ユニットは、温純水洗浄後、被研磨
体を乾燥させる乾燥手段を有することができる。

【００１４】該研磨ユニット及び該洗浄ユニットには排
気口が設けられ、内部雰囲気を外部雰囲気より負圧に維
持する為の手段を有することができる。

【００１５】該研磨ユニットでは、Ｋを含む研磨剤を用
いて研磨を行うことができる。

【００１６】洗浄ユニットの有する該洗浄手段は、純水
を８０℃以上に加熱する加熱手段を有することができ
る。

【００１７】該洗浄手段で使用する温純水に、０．８Ｍ
Ｈｚ以上１０ＭＨｚ以下の超音波を付与する為の超音波
付与手段を、該洗浄ユニットは有することができる。

【００１８】該温純水は、更にオゾンを含むようにする
ことができる。

【００１９】該洗浄ユニットは、該被研磨体に接触させ
て物理的に異物を除去する洗浄部材を有することができ
る。

【００２０】また、本発明の被研磨体の研磨・洗浄方法
は、被研磨体を研磨する為の研磨ユニットと、研磨後の
被研磨体を洗浄する為の洗浄ユニットと、を一体的に有
する研磨装置を用いて、被研磨体を研磨剤を用いて研磨
した後、該被研磨体を乾燥させることなく、温純水又は
水蒸気を該被研磨体に接触させて洗浄する工程を含むこ
とを特徴とする。

【００２１】該洗浄方法に於いて、該研磨剤はカリウム
を含むことができる。

【００２２】該洗浄方法に於ける該被研磨体はプラズマ
処理された表面を有するものであることができる。

【００２３】該洗浄方法で使用する該温純水を、８０℃
以上に加熱して該被研磨体に接触させて洗浄することが
できる。

【００２４】該洗浄方法で使用する該温純水には０．８
ＭＨｚ以上１０ＭＨｚ以下の超音波を付与することがで
きる。

【００２５】該洗浄方法に於ける該被研磨体は、配線部
が形成されつつある電子デバイス作製用基板であること
ができる。

【００２６】また、上記本発明の被研磨体の洗浄方法に
よる洗浄を行なったのち、本発明の洗浄方法は、更に前
記研磨装置の外部で、オゾンを含む超純水を用いた第１
の洗浄工程と、フッ酸と過酸化水素と界面活性剤を含む
液体を用い１００ＫＨｚ以上の超音波を付与して洗浄を
行う第２の洗浄工程と、オゾンを含む超純水を用い１０
０ＫＨｚ以上の超音波を付与して洗浄を行う第３の洗浄
工程と、フッ酸を含む液体を用いて洗浄を行う第４の洗
浄工程と、超純水と１００ＫＨｚ以上の超音波を付与し
て洗浄を行う第５の洗浄工程と、を行うことができる。

【００２７】更に、本発明の配線部の作製方法は、絶縁
膜の形成工程、該絶縁膜の平坦化工程、該絶縁膜への開
孔形成工程、該開孔への導電体の充填工程、該絶縁膜上
への導電膜の形成工程とを含む配線部の作製方法におい
て、該絶縁膜の形成工程はプラズマ処理法又はＣＶＤ法
による絶縁体の堆積工程を含み、該平坦化工程はカリウ
ムを含む研磨剤を用いた研磨工程と、研磨後の被研磨面
を乾燥させることなく温純水を該被研磨面に接触させて
洗浄する洗浄工程とを含むことを特徴とする。

【００２８】更に、本発明は絶縁膜の形成工程、該絶縁
膜に溝を形成する溝形成工程、少なくとも該溝内に導電
体を形成する導電体形成工程、該導電体の一部を除去す
る除去工程、を含む配線部の作製方法において、該絶縁
膜の形成工程は、プラズマ処理法又はＣＶＤ法による絶
縁体の形成工程を含み、該除去工程は、カリウムを含む
研磨剤を用いた研磨工程と、研磨後の被研磨面を乾燥さ
せることなく温純水を該被研磨面に接触させて洗浄する
洗浄工程とを含むことを特徴とする。

【００２９】更に本発明は、基体上に、プラズマ処理法
又はＣＶＤ法により絶縁膜を形成する工程、該絶縁膜又
は該絶縁膜上に形成された導電体或いは該絶縁膜の溝に
形成された導電体を研磨剤を用いて研磨する工程、該研
磨の後、該絶縁膜の表面を乾燥させることなく、温純水
を該表面に接触させて洗浄する工程、を含む。

【００３０】そして、前記温純水は、前記研磨装置外か
ら供給されてもよい。

【００３１】又、前記温純水は、前記研磨装置が設置さ
れた工場の配管より供給されてもよい。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しながら説明する。

【００３３】図１は本発明の好適な実施の形態による研
磨装置を示す模式図である。この研磨装置１は、被研磨
体Ｗを研磨剤ＳＬＹを用いて研磨する為の研磨ユニット
２と、研磨後の被研磨体Ｗを洗浄する為の洗浄ユニット
３と、を一体的に有している。そして、該研磨ユニット
２及び該洗浄ユニット３は低湿度でクリーン度の高い外
部雰囲気から高湿度でクリーン度の低い内部雰囲気を隔
離する為の隔壁からなる隔離手段４を有しており、前記
洗浄ユニット３は、温純水ＨＰＷを該被研磨体Ｗに供給
し接触させて洗浄する為の洗浄手段５を有していること
を特徴とする。

【００３４】６はポリウレタンや不織布等の研磨パッド
８を保持し自転する研磨プラテン、７は被研磨体Ｗとし
ての半導体ウエハ等を保持し回転するホルダー、９は研
磨剤ＳＬＹを研磨パッド８上に供給するノズルを有する
研磨剤供給手段である。研磨ユニット２内部は隔壁４に
より外部雰囲気とは隔離されており、排気口１０によっ
て大気圧より若干負圧になるように排気されている。１
１は研磨剤の廃液回収口であり、１１ａは研磨剤の廃液
受けである。

【００３５】１２は洗浄廃液の回収口、１３は研磨後の
ウエハＷを保持し回転するホルダーである。洗浄液はノ
ズル１４と加熱手段としての発熱体１５を有する洗浄手
段５から、昇温されて供給される。洗浄液の廃液は回収
口１２より回収される。洗浄ユニット３内部も隔壁４に
よって外部雰囲気と隔離されている。研磨ユニット２の
排気口１１からの減圧により、開口１６を介して洗浄ユ
ニット内も若干負圧になる。１７は装置外部のクリーン
ルーム側におかれたウエハＷを出し入れする搬入搬出口
に設けられたシャッターである。装置１内では不図示の
ウエハ搬送アームによりウエハを搬送する。

【００３６】研磨動作について説明する。搬入搬出口付
近に研磨すべきウエハＷを置いてシャッター１７を開け
る。不図示の搬送アームがウエハＷを装置１内に搬入
し、研磨ユニット２内に移送しホルダー７の下面に被研
磨面を下に向けて取り付ける。研磨パッド８が貼り付け
られたプラテン６を１０〜１００ｒｐｍで自転させなが
ら、供給手段９よりＫ（カリウム）等のアルカリ金属を
含む水溶液に酸化シリコンの微粒子を分散させた研磨剤
を供給する。自転可能なホルダー７を下方に移動させて
研磨パッド８の表面にウエハの被研磨面を押し付ける。
この時プラテンは自転しているので、研磨パッドの微細
な気泡に保持された研磨粒子によりウエハが研磨され
る。研磨の実行時間やプラテンの駆動トルクを検出する
などして所定の時間が経過するとホルダー７を上昇させ
てウエハＷとパッド８とを離間させて研磨を終了させ
る。

【００３７】次に、本発明の洗浄方法について、再び図
１を参照して述べる。

【００３８】本発明の実施形態による研磨・洗浄方法
は、上述したとおり研磨剤ＳＬＹを用いて研磨した後、
該被研磨体Ｗを乾燥させることなく、即ち、被研磨体が
研磨剤でぬれたまま温純水ＨＰＷを該被研磨体Ｗに接触
させて洗浄する工程を含むことを特徴とする。

【００３９】不図示のアームにより研磨後のウエハはホ
ルダー７より取り外され、高湿雰囲気下を開口１６を介
して洗浄ユニット３内に移送されホルダー１３上に上下
を反転させて載置される。ホルダー１３は湿潤している
ウエハＷを固定したまま自転する。この時、発熱体１５
に通電がなされて洗浄液が８０℃以上に加熱昇温されノ
ズル１４からウエハの被研磨面上に吹き付けられる。こ
のようにして被研磨面に付着ないし吸着したＫが除去さ
れる。図１の装置のように隔離手段により比較的低湿度
の外部雰囲気より内部雰囲気が隔離され研磨ユニットと
洗浄ユニットが一体的に集積されている為、ウエハを乾
燥させずに温純水で洗浄できる。

【００４０】以下、温純水によるＫの除去作用について
述べる。

【００４１】（Ｋ含有被研磨剤による被研磨体へのＫ付
着）図２は、Ｋ含有液への浸漬時間と物品へのＫ付着濃
度との関係を示すグラフである。

【００４２】試料としてシリコンの有機化合物であるテ
トラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）をもちいたプラズマＣ
ＶＤによりノンドープの酸化シリコン膜を、シリコンウ
エハ上に被膜した試料を用意した。一方、ＫＯＨを５．
６×１０^−３重量％含む水溶液を用意した。その水溶液
に試料を浸して所定時間経た時のＫ濃度を測定した結果
が図２に示されている。

【００４３】試料をこれらの水溶液に浸した瞬間にＫは
１×１０^１２ａｔｍ／ｃｍ^２の濃度で試料に吸着し、そ
の後徐々に濃度が高くなり、１０^１２から１０^１３ａｔ
ｍ／ｃｍ^２の濃度の範囲内で飽和する傾向がわかる。

【００４４】Ｋ含有液のＫＯＨ濃度を５６ｐｐｍ、５６
０ｐｐｍ、５６００ｐｐｍ、５％と変えた水溶液を用い
て同様の実験を行った結果、何れの濃度でも１０の１２
乗オーダーのＫ付着が見られた。

【００４５】また、シリコンウエハ（ベアウエハ）と、
シリコンウエハの表面を熱酸化させたものの２種の試料
を用意して同じＫ含有水溶液に浸した場合には、１０分
経てもＫ付着は認められなかった。

【００４６】ここで、Ｋの付着反応について考察する。
カチオン交換樹脂の反応を考えてみると、図３に示すと
おり、中和反応がある。これにならって、酸化シリコン
が化学量論比を満足していないとすると、図３に示すと
おりの予想される反応により非化学量論的な酸化シリコ
ンにＫが付着するものと考えられる。

【００４７】（温水洗浄によるＫ除去処理）次に、物品
に付着したＫの除去方法について述べる。

【００４８】図４は、各種溶液による物品洗浄後のＫ付
着濃度を棒グラフで示している。洗浄液として、０．５
重量％のＨＦと０．５重量％の過酸化水素とを含む８０
℃の水溶液（ＦＰＭ）と、硫酸と過酸化水素とを含む８
０℃の水溶液（ＳＰＭ）と、８０℃の超純水（ＨＰＷ）
と、８０℃のアンモニアと過酸化水素とを含む水溶液
（ＡＰＭ）と、の４つを用意した。また試料としてプラ
ズマＣＶＤにより形成した酸化シリコン膜を有するシリ
コンウエハを１．０ｍｏｌ／ｌのＫＯＨ水溶液に１０分
浸したものを用意した。洗浄前の試料のＫ付着濃度を測
定した後、それぞれの洗浄液中に１０分間（ＦＰＭのみ
３分間）浸した。こうして各種の洗浄液による洗浄後の
Ｋ付着濃度を図４に示す。ＨＰＷのみが検出限界ＤＬ以
下にＫを除去できていることがわかる。

【００４９】比較例としてＨＰＷ以外の洗浄液によるＫ
除去の様子を図５に棒グラフで示す。用いた試料は上述
した実験と同様の工程で作製したプラズマＣＶＤによる
酸化シリコンを有するシリコンウエハである。用いた洗
浄液は硫酸、塩酸、アンモニア水、オゾン含有水、硫酸
ナトリウム水溶液である。液温はいずれも室温である。
図５から明らかなように、これらの洗浄液ではＫは十分
に除去できなかった。

【００５０】図６は、プラズマＣＶＤによる酸化シリコ
ン膜を形成したシリコンウエハをＫＦ水溶液に１０分間
浸してＫを付着させた試料を、クリーニング液としての
０．０５％のＨＦ水溶液に浸したときのＫ付着濃度（線
グラフ）と酸化シリコン膜のエッチング量（棒グラフ）
とを示している。ＨＦ溶液に浸す時間が増すにつれてエ
ッチング量が増え、Ｋが付着した酸化シリコンがエッチ
ング除去されているにもかかわらず、Ｋ付着濃度がほと
んど低下していない。これは、広義の洗浄方法の一種で
あるエッチングではＫを充分に除去できない、というこ
とを示す結果となっている。

【００５１】図７は残留Ｋ濃度の洗浄液温依存性を棒グ
ラフで示している。試料として、プラズマＣＶＤにより
形成した酸化シリコン膜を有するシリコンウエハを１０
分間、１ｍｏｌ／ｌのＫＯＨ水溶液に浸したものを用意
した。洗浄液として、液温がそれぞれ３０℃、４０℃、
６０℃、８０℃、９０℃の超純水を用意した。これら５
種の洗浄液に試料を浸した結果８０℃及び９０℃の超純
水の場合のみＫ含有量は１０^９以下となった。図７には
示していないが、７０℃でも１０^９以下にはならない。

【００５２】以上図２乃至７に示した実験結果から、物
品に付着したＫの除去には８０℃以上の液温の純水を用
いて洗浄することが望ましい。本発明では、８０℃から
９９℃、最適には８０℃から９５℃の液温の温純水を図
１に示すような装置をもちいて研磨後の被研磨体に接触
させることによりＫを除去できる。

【００５３】又、温純水を上記温度に加熱するとともに
０．８ＭＨｚから１０ＭＨｚの超音波を付与したり、オ
ゾンを含有させることも好ましいものである。又、被研
磨体を自転させながら洗浄液を供給すること以外に、温
純水をためた液槽に被研磨体を浸す方法であってもよ
い。更に、温純水を供給しながら、ブラシや多孔質体で
被研磨面を物理的に洗浄してもよい。

【００５４】（被研磨体）Ｋが付着し易い材料として
は、プラズマＣＶＤ法により８００℃以下の温度で堆積
し、必要に応じて１００℃〜４５０℃にて熱処理した化
合物絶縁体、或いはスパッタリング法により堆積し、必
要に応じて熱処理された化合物絶縁体が挙げられる。又
は酸素プラズマに基板の表面を晒すプラズマ処理により
形成し、必要に応じて熱処理された酸化物絶縁体等にも
Ｋは付着しやすい。或いは、熱酸化により形成された酸
化シリコンであっても、その後のプラズマエッチング等
により表面の少なくとも一部がプラズマ処理された絶縁
体にもＫは付着しやすい。このような絶縁体は、多層配
線部の層間絶縁膜として使用されるために研磨が必須と
なる。具体的には、酸化シリコン、窒化シリコン、窒化
酸化シリコン等の非単結晶化合物であり、それらは必要
に応じて硼素や燐やフッ素がドープされたものであって
もよい。そしてこのようなプラズマ処理法により形成さ
れた化合物膜は化学量論的原子組成比を満足しない非化
学量論的な非単結晶化合物となっているものが多い。
又、熱ＣＶＤや光ＣＶＤ等により堆積した膜もＫを吸着
し易い。

【００５５】上述した化合物絶縁体の膜が形成される基
板としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の単結晶
半導体ウエハ、石英基板、ガラス基板等である。

【００５６】本発明に用いられる研磨剤としては、シリ
カ（ＳｉＯ_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化セリウ
ム（ＣｅＯ）等の、一次粒子径が１〜３００ｎｍ程度、
二次粒子径が３〜１０００ｎｍ程度の研磨粒子を分散媒
中に分散させたものが望ましい。分散媒としては、ＫＯ
ＨやＫ_３Ｆｅ（ＣＮ）_６、酢酸カリウム等の、カリウム
を含む水溶液である。

【００５７】図８は本発明に用いられる別の洗浄ユニッ
トを備えた研磨装置を示す図である。

【００５８】この研磨装置１は２つの洗浄室３１、３２
と一つの乾燥室３３とを有している。

【００５９】搬入搬出口の近くのカセット２１に置かれ
たウエハＷは可動アーム２０により隔壁４で隔離された
研磨装置内に搬入される。アーム２０が移動してウエハ
Ｗをホルダー７の下面に取り付け、そして前述の図１の
装置と同様に研磨が行われる。この装置には、研磨パッ
ドのドレッシングないしコンディショニングの為の研磨
能力回復部材１８とその支持アーム１９が設けられてお
り、ウエハＷの研磨と同時にパッド８のドレッシングな
いしコンディショニングがなされる。回復部材はナイロ
ンブラシや金属ブラシやダイヤモンドペレット等で構成
される。

【００６０】研磨終了後は、可動アーム２０によりホル
ダー７からウエハＷを取り外し、第１の洗浄室３１内の
ホルダー上にウエハを置く。図９に示すように第１の洗
浄室３１は隔壁４により隔離された部屋の中にホルダー
２２と物理洗浄部材としてのナイロン製のブラシ２３が
配置されている。ホルダー２２上に被研磨面を上に向け
て置かれたウエハＷは、ブラシ２３を回転させながらウ
エハ表面を移動させることにより洗浄され、ウエハ上の
研磨粒子が除去される。このときノズル２７からは純水
が供給される。物理的洗浄部材はナイロン製のブラシの
他に、ポリビニルアルコール製のブラシやスポンジ等で
あってもよい。

【００６１】洗浄室３１にて洗浄されたウエハＷはアー
ム２０により取り出され次の洗浄室３２内のホルダー１
３上に載置される。この洗浄室３２は図１の洗浄ユニッ
ト３とほぼ同じ構成であり、発熱体１５により８０℃以
上に加熱された温純水からなる洗浄液がノズル１４から
自転するウエハＷに向けて吹きつけられる。この時メガ
ソニックと呼ばれる０．８ＭＨｚから１０ＭＨｚの超音
波を付与してもよい。

【００６２】洗浄室３２での洗浄が終了したウエハは乾
燥室３３に移送される。乾燥室３３は加熱されたドライ
エアを吹き付けるノズル２４と、発熱体２６を有し自転
可能なテーブル２５とを含む。ウエハは先に温純水で洗
浄されている為に昇温しているので、ここでの乾燥時間
は少なくてすむ。こうして複数回の洗浄工程と一回の乾
燥工程を経たウエハはアーム２０により装置１外に搬出
され、もとのカセットに収容される。

【００６３】この図９では、洗浄排液の回収口の図示は
省略されている。

【００６４】より好ましくは、次にエッチング又は堆積
が行われる前に、研磨装置外で以下に述べる方法により
再度洗浄を行うことが望ましい。その洗浄方法のフロー
チャートを図１０に示す。

【００６５】先ず、有機物や金属からなる付着物を除去
すべく、ウエハを５ｐｐｍのオゾンを含有する超純水
（室温）で洗浄する（工程ＳＳ１）。

【００６６】その後、自然酸化膜、パーチクル、金属を
除去する為に、０．５％のＨＦと０．１〜１．０％のＨ
_２Ｏ_２とを含む水溶液に界面活性剤を添加した洗浄液に
０．９５ＭＨｚの超音波を付与して室温でウエハを洗浄
する（工程ＳＳ２）。

【００６７】更に、オゾン含有超純水に０．９５ＭＨｚ
の超音波を付与した室温の洗浄液で洗浄を行う（工程Ｓ
Ｓ３）。

【００６８】次に、自然酸化膜の除去と水素によるシリ
コン表面のターミネーションを目的として、０．１％の
希ふっ酸（ＤＨＦ）を用いて室温でウエハを洗浄する
（工程ＳＳ４）。

【００６９】最後に、ウエハを超純水中に浸し、０．９
５ＭＨｚの超音波を与えて洗浄する（工程ＳＳ５）。こ
の工程では超純水を８０℃以上に加熱してもよい。

【００７０】図１１は本発明の別の研磨装置を示す。図
１と同符号の個所は、図１の装置と同じ構成である。図
１１の装置では、温純水は装置１の外で作られる。

【００７１】４４は研磨装置１が設置される工場或いは
工場内のクリーンルームに設けられた温水器であり、ヒ
ーター１５によって８０℃を越える温純水が作られる。

【００７２】補給管４５の先には不図示の純水を溜める
液槽がある。

【００７３】研磨装置外の温純水供給用の配管４３を通
して、温純水が研磨装置１に供給される為、工場やクリ
ーンルーム内に複数の研磨装置１を設置して研磨・洗浄
を行う場合に、この方法は特に有効である。

【００７４】４２は継ぎ手、４１はバルブである。

【００７５】又、図１１に示したような温純水供給系
（４３、４４、４５）は、図８、図９に示す装置に採用
することもできる。

【００７６】以上、説明した本発明の装置では、温純水
に代えて水蒸気を用いることもできる。

【００７７】即ち、洗浄手段として、８０℃〜１００℃
に加熱された液槽内の水の水面の上方に研磨後の被研磨
体を配して水蒸気により被研磨面を洗浄してもよい。
又、別の洗浄手段としては、ノズルより８０℃以上に加
熱された水蒸気を被研磨面に吹き付けてもよい。

【００７８】ここで水蒸気とは、気体状のＨ_２Ｏ及び／
又は１００℃以下８０℃以上のＨ_２Ｏのミストをも含む
ものとして定義される。

【００７９】次に、図１２を参照して半導体デバイス等
の多層配線部の製造方法について説明する。

【００８０】被研磨体となるシリコンウエハ１００を用
意して、多結晶シリコンやシリサイド等からなる厚さ
０．５〜１．５ミクロン程の下層配線１０１を形成する
（工程Ｓ１）。

【００８１】テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を用い
たプラズマＣＶＤ法により下層配線１０１を有するシリ
コンウエハ１００上に非化学量論比の組成をもつ酸化シ
リコン膜１０２を１．５〜２．５ミクロン程形成する
（工程Ｓ２）。

【００８２】図８及び９に示したような研磨装置を用い
てＫＯＨを含有する水溶液に粒径３０ミクロン乃至２５
０ミクロンのシリカの微粒子を分散させた研磨剤とポリ
ウレタン研磨パッドとを用いて酸化シリコン膜を約５０
０ｎｍ〜１．２μｍ程研磨する。その後、研磨装置内で
純水を供給しながらブラシ洗浄を行う。その後、Ｋを除
去するために、超純水を８０℃に加熱して０．９５ＭＨ
ｚの超音波振動を与えた超純水からなる洗浄液を回転す
るウエハの被研磨面に付与してスピン洗浄を行う。そし
て、乾燥室でウエハを乾燥させて研磨装置外に搬出する
（工程Ｓ３）。

【００８３】このウエハにヘキサメチルジシラザン（Ｈ
ＭＤＳ）を塗布し、更にホトレジストを膜厚１．０〜
１．３ミクロンになるように塗布した後、ベーキングす
る。このウエハを露光装置に投入し、多数のコンタクト
ホールのパターンの潜像が形成できるようにＫｒＦエキ
シマレーザーにより露光する。ウエハを露光装置から取
り出してホトレジストを現像する。その後、反応性イオ
ンエッチング装置にウエハを投入して、現像されたホト
レジストパターンをマスクにしてマスクより露出した酸
化シリコンを異方性エッチングし、コンタクトホールパ
ターンを形成し、ウエハ上のレジストを剥離する（工程
Ｓ４）。

【００８４】このコンタクトホールが形成されたウエハ
を５つの洗浄工程により洗浄する。

【００８５】有機物や金属からなる付着物を除去すべ
く、レジスト剥離したウエハを５ｐｐｍのオゾンを含有
する超純水（室温）で洗浄する。その後、自然酸化膜、
パーチクル、金属を除去する為に、０．５％のＨＦと
０．１〜１．０％のＨ_２Ｏ_２とを含む水溶液に界面活性
剤を添加した洗浄液に０．９５ＭＨｚの超音波を付与し
て室温でウエハを洗浄する。更に、オゾン含有超純水に
０．９５ＭＨｚの超音波を付与した室温の洗浄液で洗浄
を行う。次に、自然酸化膜の除去と水素によるシリコン
表面のターミネーションを目的として、０．１％の希ふ
っ酸（ＤＨＦ）を用いて室温でウエハを洗浄する。最後
に、ウエハを８０℃の高温超純水（ＨＰＷ）中に浸し、
０．９５ＭＨｚの超音波を与えて洗浄する。

【００８６】次に、クラスター式マルチチャンバ装置の
プラズマクリーニングチャンバ内でウエハのプラズマク
リーニングを行い、次にスパッタリングチャンバ内でス
パッタリングによりＴｉ／ＴｉＮ（Ｔｉ層とＴｉＮ層と
の積層体）からなるバリア層１０４を２０〜６０ｎｍ程
形成し、次にアルミニウムのスパッタリングチャンバ内
でＴｉ／ＴｉＮのバリア層１０４上にアルミニウム膜又
は銅を含むアルミニウム膜１０５をスパッタリングによ
り形成する。次に４００〜５００℃でリフローする（工
程Ｓ５）。

【００８７】その後、研磨剤として、シリカの微粒子を
水に分散させ硫酸アンモニウム鉄を０．０１ｍｏｌ／ｌ
〜０．５ｍｏｌ／ｌ添加したスラリーを用いてＣＭＰに
より酸化シリコン膜１０２上のバリア層１０４とアルミ
ニウム膜１０５を除去し、コンタクトホール内のバリア
層１０４とアルミニウム１０５のみ残す（工程Ｓ６）。
次いで表面を洗浄した後、ＴｉＮからなる層１０６をス
パッタリングにより２０〜６０ｎｍ形成し、次いでアル
ミニウムシリコン膜１０７をスパッタリングにより１〜
２ミクロン形成し、配線パターン状にエッチングする。
更にプラズマＣＶＤにより酸化シリコン膜１０８を２ミ
クロン程形成すると凹凸面を有する酸化シリコン膜が得
られる（工程Ｓ７）。更に配線を積層する場合には上記
工程を繰返し行う。

【００８８】次に、図１３を参照して半導体デバイス等
の多層配線部の製造方法について説明する。

【００８９】被研磨体となるシリコンウエハ１００を用
意して、多結晶シリコンやシリサイド等からなる厚さ
０．５〜１．５ミクロン程の下層配線１０１を形成する
（工程Ｓ１）。

【００９０】テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を用い
たプラズマＣＶＤ法等により下層配線１０１を有するシ
リコンウエハ１００上に非化学量論比の組成をもつ酸化
シリコン膜１０２を１．５〜２．５ミクロン程形成する
（工程Ｓ２）。

【００９１】図８及び９に示したような研磨装置を用い
てＫＯＨを含有する水溶液に粒径３０ミクロン乃至２５
０ミクロンのシリカの微粒子を分散させた研磨剤とポリ
ウレタン研磨パッドとを用いて酸化シリコン膜を約５０
０ｎｍ〜１．２μｍ程研磨する。その後、研磨装置内で
純水を供給しながらブラシ洗浄を行う。その後、Ｋを除
去すべく、超純水を８０℃に加熱して０．９５ＭＨｚの
超音波振動を与えた超純水からなる洗浄液を回転するウ
エハの被研磨面に付与してスピン洗浄を行う。そして、
乾燥室でウエハを乾燥させて研磨装置外に搬出する。プ
ラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜を成膜し、続いて
プラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜１０２を再び成
膜する（工程Ｓ３）。

【００９２】このウエハにヘキサメチルジシラザン（Ｈ
ＭＤＳ）を塗布し、更にホトレジストを膜厚１．０〜
１．３ミクロンになるように塗布した後、ベーキングす
る。このウエハを露光装置に投入し、配線用溝１１３の
パターンの潜像が形成できるように露光する。ウエハを
露光装置から取り出してホトレジストを現像する。その
後、反応性イオンエッチング装置にウエハを投入して、
現像されたホトレジストパターンをマスクにしてマスク
より露出した酸化シリコンを窒化シリコン膜が露出する
まで異方性エッチングし、配線用溝１１３を形成する。

【００９３】再びこのウエハにヘキサメチルジシラザン
（ＨＭＤＳ）を塗布し、更にホトレジストを膜厚１．０
〜１．３ミクロンになるように塗布した後、ベーキング
する。このウエハを露光装置に投入し、コンタクトホー
ルのパターンの潜像が形成できるように露光する。ウエ
ハを露光装置から取り出してホトレジストを現像する。
その後、反応性イオンエッチング装置にウエハを投入し
て、現像されたホトレジストパターンをマスクにしてマ
スクより露出した窒化シリコン膜をエッチングし、更に
酸化シリコンを異方性エッチングして、コンタクトホー
ルパターンを形成する（工程Ｓ４）。ＣＦ_４とＣＨＦ_３
の流量比等を変えれば、酸化シリコンと窒化シリコンの
エッチング選択比を変えられる。

【００９４】このコンタクトホールが形成されたウエハ
を５つの洗浄工程により洗浄する。

【００９５】有機物や金属からなる付着物を除去すべ
く、レジスト剥離したウエハを５ｐｐｍのオゾンを含有
する超純水（室温）で洗浄する。その後、自然酸化膜、
パーチクル、金属を除去する為に、０．５％のＨＦと
０．１〜１．０％のＨ_２Ｏ_２とを含む水溶液に界面活性
剤を添加した洗浄液に０．９５ＭＨｚの超音波を付与し
て室温でウエハを洗浄する。更に、オゾン含有超純水に
０．９５ＭＨｚの超音波を付与した室温の洗浄液で洗浄
を行う。次に、自然酸化膜の除去と水素によるシリコン
表面のターミネーションを目的として、０．１％の希ふ
っ酸（ＤＨＦ）を用いて室温でウエハを洗浄する。最後
に、ウエハを８０℃の高温超純水（ＨＰＷ）中に浸し、
０．９５ＭＨｚの超音波を与えて洗浄する。

【００９６】次に、クラスター式マルチチャンバ装置の
プラズマクリーニングチャンバ内でウエハのプラズマク
リーニングを行い、次にスパッタリングチャンバ内でス
パッタリングによりＴｉ／ＴｉＮ（Ｔｉ層とＴｉＮ層と
の積層体）からなるバリア層１０４を２０〜６０ｎｍ程
形成し、次にアルミニウムのスパッタリングチャンバ内
でＴｉ／ＴｉＮのバリア層１０４上にアルミニウム膜又
は銅を含むアルミニウム膜１０５をスパッタリングによ
り形成する。次に４００〜５００℃でリフローする（工
程Ｓ５）。アルミニウム膜に代えて、銅や銅を主成分と
する金属をＣＶＤ法、スパッタリング、メッキ法等によ
り形成してもよい。

【００９７】その後、研磨剤として、シリカの微粒子を
水に分散させ、添加剤として酢酸カリウムを添加したス
ラリーを用いてＣＭＰにより酸化シリコン膜１０２上の
バリア層１０４とアルミニウム膜１０５を除去し、溝１
１３内及びコンタクトホール内のバリア層１０４とアル
ミニウム１０５のみ残す（工程Ｓ６）。続いて、ブラシ
洗浄及び温純水による洗浄を行いシリカ粒子やＫを除去
する。次いでＴｉＮからなる層１０６をスパッタリング
により２０〜６０ｎｍ形成し、次いで、熱処理後、配線
パターン状にエッチングする。更にプラズマＣＶＤによ
り酸化シリコン膜１０８を２ミクロン程形成すると酸化
シリコン膜が得られる（工程Ｓ７）。更に配線を積層す
る場合には上記工程Ｓ２〜Ｓ７を繰返し行う。

【００９８】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明するが、本発明
はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲内で
あれば適宜変更できるものである。

【００９９】物品として単結晶シリコンウエハを４枚用
意して、それらの表面にＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶ
Ｄ法により非化学量論比の組成をもつ酸化シリコン膜を
形成した。

【０１００】酸化シリコン膜が形成された４枚のウエハ
を本発明の化学機械研磨装置に搭載し、ＫＯＨの水溶液
にシリカ微粒子を分散させた研磨液と、ポリウレタン製
の研磨パッドとを用いて、研磨を行い酸化シリコン膜を
研磨し薄くした。

【０１０１】そのうち一枚を室温の超純水で洗浄後、こ
のウエハに付着しているカリウム（Ｋ）の濃度を測定し
たところ８×１０^１２ａｔｍ／ｃｍ^２であった。

【０１０２】Ｋが付着した研磨後の酸化シリコン膜を有
する別の一枚のシリコンウエハを、乾燥させることなく
研磨装置に付設している恒温槽内で８０℃に保温された
超純水中に１０分間浸した。

【０１０３】その後、恒温槽よりウエハを取り出して、
乾燥させた後、Ｋの付着濃度を測定してみると、Ｋの付
着濃度は測定限界以下を示し、ウエハ表面の酸化シリコ
ン膜へのＫの付着は確認できなかった。

【０１０４】Ｋが付着した研磨後の酸化シリコン膜を有
する更に別の一枚のシリコンウエハを、乾燥させること
なく研磨装置に付設している図９のようなスピン洗浄装
置により８０℃に保温された超純水によりスピン洗浄し
た。

【０１０５】その後、乾燥させた後、Ｋの付着濃度を測
定してみると、Ｋの付着濃度は測定限界以下を示し、ウ
エハ表面の酸化シリコン膜へのＫの付着は確認できなか
った。

【０１０６】最後に、研磨後、一旦乾燥させたウエハを
温純水でスピン洗浄した。カリウムの濃度は８×１０
^１２ａｔｍ／ｃｍ^２より大幅に低下したが、シリカ微粒
子とともにＫの付着が確認された。

【０１０７】

【発明の効果】本発明によれば、ＣＭＰにより層間絶縁
膜に付着するＫに代表されるアルカリ金属を許容できる
濃度にまで充分に除去できる。これにより、Ｋによる多
層配線部のショートや腐蝕等の欠陥の発生を予防でき
る。この洗浄方法は、硫酸、硝酸といった高濃度の薬液
を使う必要がない簡単な方法であり、研磨装置にＫ除去
の為の洗浄ユニットを一体的に設けても研磨ユニットの
構成部品の薬液による腐蝕を予防できる。又、隔壁に囲
まれた装置内の高湿雰囲気中を搬送し、被研磨体を乾燥
させることなく温純水洗浄するので、Ｋとともに研磨粒
子や研磨くずも容易に除去できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の研磨装置の一例を示す模式図。

【図２】Ｋ含有液への浸漬時間と物品へのＫ付着濃度と
の関係を示すグラフ。

【図３】イオン交換反応を説明する為の図。

【図４】各種洗浄液と、それによる洗浄後の物品へのＫ
付着濃度との関係を示すグラフ。

【図５】比較例による各種洗浄液と、それによる洗浄後
の物品へのＫ付着濃度との関係を示すグラフ。

【図６】比較例によるＨＦ洗浄液と、それによる洗浄後
の物品へのＫ付着濃度及びエッチング量との関係を示す
グラフ。

【図７】純水の温度と、純水洗浄後の物品へのＫ付着濃
度との関係を示すグラフ。

【図８】本発明の研磨装置の別の例を示す模式図。

【図９】図８に示す研磨装置に用いられる洗浄ユニット
を示す模式図。

【図１０】本発明に用いられる洗浄工程を説明するため
のフローチャート。

【図１１】本発明の別の研磨装置を示す模式図。

【図１２】本発明の配線部の作製方法を説明するための
模式工程図で、（ａ）→（ｇ）の順に工程Ｓ１→Ｓ７を
示している。

【図１３】本発明の別の配線部の作製方法を説明するた
めの模式工程図。

【図１４】従来の技術における半導体装置の作製方法を
示す模式工程図で、（ａ）→（ｄ）の順にＰＡＳ１→Ｐ
ＡＳ４を示している。

【符号の説明】

１研磨装置２研磨ユニット３洗浄ユニット４隔離手段または隔壁５洗浄手段６研磨プラテン７，１３，２２ホルダー８研磨パッド９研磨剤供給手段１０排気口１１，１２廃液回収口１４，２４，２７ノズル１５，２６発熱体１６開口１７シャッター１８研磨能力回復部材１９支持アーム２０可動アーム２１カセット２３ブラシ２５テーブル３１，３２洗浄室３３乾燥室１００半導体ウエハ１０１下層配線１０２，１０８酸化シリコン膜１０３コンタクトホール１０４バリア層１０５アルミニウム膜１０６ＴｉＮ層１０７アルミニウムシリコン膜

フロントページの続き (72)発明者池田敦東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被研磨体を研磨剤を用いて研磨する為の
研磨ユニットと、研磨後の被研磨体を洗浄する為の洗浄
ユニットと、を一体的に有する研磨装置において、該研磨ユニット及び該洗浄ユニットは外部雰囲気から内
部雰囲気を隔離する為の隔離手段を有しており、前記洗浄ユニットは、温純水又は水蒸気を該被研磨体に
接触させて洗浄する為の洗浄手段を有していることを特
徴とする研磨装置。
【請求項２】前記洗浄ユニットが温純水洗浄後、被研
磨体を乾燥させる乾燥手段を更に有する、請求項１に記
載の研磨装置。
【請求項３】前記研磨ユニット及び前記洗浄ユニット
には排気口が設けられていて、各ユニットの内部雰囲気
を外部雰囲気より負圧に維持する為の手段を有する、請
求項２に記載の研磨装置。
【請求項４】前記研磨ユニットでは、カリウムを含む
研磨剤を用いて研磨を行う、請求項１に記載の研磨装
置。
【請求項５】前記洗浄手段が純水を８０℃以上に加熱
する加熱手段を有する、請求項１に記載の研磨装置。
【請求項６】前記洗浄手段で使用する温純水に０．８
ＭＨｚ以上１０ＭＨｚ以下の超音波を付与する為の超音
波付与手段を、前記洗浄ユニットが有する、請求項１に
記載の研磨装置。
【請求項７】前記洗浄手段で使用する温純水が更にオ
ゾンを含有する、請求項１に記載の研磨装置。
【請求項８】前記洗浄ユニットが、前記被研磨体に接
触させて物理的に異物を除去する洗浄部材を有する、請
求項１に記載の研磨装置。
【請求項９】前記温純水は、前記研磨装置外から供給
される、請求項１に記載の研磨装置。
【請求項１０】前記温純水は、前記研磨装置が設置さ
れた工場の配管より供給される、請求項１に記載の研磨
装置。
【請求項１１】隔離手段によって外部雰囲気から内部
雰囲気が隔離された、被研磨体を研磨する為の研磨ユニ
ット及び研磨後の被研磨体を洗浄する為の洗浄ユニット
を一体的に有する研磨装置用の洗浄装置において、被研
磨体を研磨剤を用いて研磨した後、該被研磨体を乾燥さ
せることなく、温純水又は水蒸気を該被研磨体に接触さ
せて洗浄する手段を有することを特徴とする研磨装置用
の洗浄装置。
【請求項１２】前記温純水を８０℃以上に加熱して前
記被研磨体に接触させて洗浄する、請求項１１に記載の
研磨装置用の洗浄装置。
【請求項１３】前記温純水に０．８ＭＨｚ以上１０Ｍ
Ｈｚ以下の超音波を付与する、請求項１１に記載の研磨
装置用の洗浄装置。
【請求項１４】請求項１記載の研磨装置を用いて被研
磨体を研磨後、乾燥させることなく、温純水を該被研磨
体に接触させて洗浄を行うことを特徴とする研磨・洗浄
方法。
【請求項１５】被研磨体を研磨する為の研磨ユニット
と、研磨後の被研磨体を洗浄する為の洗浄ユニットと、
を一体的に有する研磨装置を用いて、被研磨体を研磨剤
を用いて研磨した後、該被研磨体を乾燥させることな
く、温純水又は水蒸気を該被研磨体に接触させて洗浄す
る工程を含むことを特徴とする研磨・洗浄方法。
【請求項１６】前記研磨剤がカリウムを含むものであ
る、請求項１５に記載の研磨・洗浄方法。
【請求項１７】前記被研磨体がプラズマ処理された表
面を有するものである、請求項１５に記載の研磨・洗浄
方法。
【請求項１８】前記温純水を８０℃以上に加熱して前
記被研磨体に接触させて洗浄する、請求項１５に記載の
研磨・洗浄方法。
【請求項１９】前記温純水に０．８ＭＨｚ以上１０Ｍ
Ｈｚ以下の超音波が付与されている、請求項１５に記載
の研磨・洗浄方法。
【請求項２０】前記被研磨体が配線部が形成されつつ
ある電子デバイス作製用基板である、請求項１５に記載
の研磨・洗浄方法。
【請求項２１】前記洗浄後、更に前記研磨装置の外部
で、オゾンを含む超純水を用いた第１の洗浄工程と、フ
ッ酸と過酸化水素と界面活性剤を含む液体を用い１００
ＫＨｚ以上の超音波を付与して洗浄を行う第２の洗浄工
程と、オゾンを含む超純水を用い１００ＫＨｚ以上の超
音波を付与して洗浄を行う第３の洗浄工程と、フッ酸を
含む液体を用いて洗浄を行う第４の洗浄工程と、超純水
と１００ＫＨｚ以上の超音波を付与して洗浄を行う第５
の洗浄工程と、を行う、請求項１５に記載の研磨・洗浄
方法。
【請求項２２】前記温純水は、前記研磨装置外から供
給される、請求項１５に記載の研磨・洗浄方法。
【請求項２３】前記温純水は、前記研磨装置が設置さ
れた工場の配管より供給される、請求項１５に記載の研
磨・洗浄方法。
【請求項２４】請求項１５に記載の研磨・洗浄方法に
より研磨・洗浄する工程を含む配線部の形成方法。
【請求項２５】絶縁膜の形成工程、該絶縁膜の平坦化
工程、該絶縁膜への開孔形成工程、該開孔への導電体の
充填工程、該絶縁膜上への導電膜の形成工程とを含む配
線部の作製方法において、該絶縁膜の形成工程はプラズマ処理法又はＣＶＤ法によ
る絶縁体の形成工程を含み、該平坦化工程はカリウムを含む研磨剤を用いた研磨工程
と、研磨後の被研磨面を乾燥させることなく温純水又は
水蒸気を該被研磨面に接触させて洗浄する洗浄工程とを
含むことを特徴とする配線部の作製方法。
【請求項２６】絶縁膜の形成工程、該絶縁膜に溝を形
成する溝形成工程、少なくとも該溝内に導電体を形成す
る導電体形成工程、該導電体の一部を除去する除去工
程、を含む配線部の作製方法において、該絶縁膜の形成工程は、プラズマ処理法又はＣＶＤ法に
よる絶縁体の形成工程を含み、該除去工程は、カリウムを含む研磨剤を用いた研磨工程
と、研磨後の被研磨面を乾燥させることなく温純水又は
水蒸気を該被研磨面に接触させて洗浄する洗浄工程とを
含むことを特徴とする配線部の作製方法。
【請求項２７】基体上に、プラズマ処理法又はＣＶＤ
法により絶縁膜を形成する工程、該絶縁膜又は該絶縁膜上に形成された導電体或いは該絶
縁膜の溝に形成された導電体を研磨剤を用いて研磨する
工程、該研磨の後、該絶縁膜の表面を乾燥させることなく、温
純水又は水蒸気を該表面に接触させて洗浄する工程、を含む配線部の作製方法。
【請求項２８】前記温純水は８０℃以上の温水であ
る、請求項２５〜２７のいずれか１項に記載の配線部の
作製方法。
【請求項２９】前記温純水又は水蒸気は、気体状のＨ
_２Ｏ及び／又は８０℃以上のＨ_２Ｏのミストを含む、請
求項２５〜２７のいずれか１項に記載の配線部の作製方
法。