CN115846267A - 半导体基底的清洗方法及半导体清洗装置 - Google Patents

Abstract

本公开实施例提供了一种半导体基底的清洗方法及半导体清洗装置。该半导体基底的清洗方法包括：提供半导体基底；在半导体基底表面喷洒第一碱性清洗液，利用清洗刷刷洗半导体基底的表面；将半导体基底置于第二碱性清洗液中，利用超声清洗工艺对半导体基底清洗；向半导体基底表面喷洒强酸溶液，对半导体基底冲洗。本公开实施例的清洗方法，能够避免特殊图案缺陷的形成，且对半导体基底的清洗更加彻底。

Description

半导体基底的清洗方法及半导体清洗装置

技术领域

本公开涉及半导体清洗的技术领域，尤其涉及一种半导体基底的清洗方法及半导体清洗装置。

背景技术

化学机械研磨(Chemical Mechanical Polish，简称CMP)是半导体制备过程中常用的工艺，用于对半导体的膜层进行研磨，来改善其粗糙度，使半导体膜层表面更加平滑。在化学机械研磨过程中，需要使用研磨液，研磨过后，研磨液中的研磨粒子以及在研磨过程中产生的其他副产物可能会残留在半导体基底的表面而形成污染物，因此，通常需要对该半导体基底的表面进行清洗。但目前，对半导体基底的清洗效果并不理想。

发明内容

本公开的一个目的在于提供一种半导体基底的清洗方法，能够避免在研磨后的半导体基底上形成特殊图案缺陷，且清洗更加彻底。

本公开的另一个目的在于提供一种半导体基底的清洗装置，能够彻底清洗研磨后的半导体基底表面上的残留物。

为了实现上述目的，根据本公开的一方面，提供一种半导体基底的清洗方法，包括：提供所述半导体基底；在所述半导体基底表面喷洒第一碱性清洗液，利用清洗刷刷洗所述半导体基底的表面；将所述半导体基底置于第二碱性清洗液中，利用超声清洗工艺对所述半导体基底清洗；向所述半导体基底表面喷洒强酸溶液，对所述半导体基底冲洗。

根据本公开的一示例性实施方式，所述向所述半导体基底表面喷洒强酸溶液，对所述半导体基底冲洗之后，所述方法还包括：利用去离子水冲洗所述半导体基底；利用第三碱性清洗液冲洗所述半导体基底。

根据本公开的一示例性实施方式，在所述利用第三碱性清洗液冲洗所述半导体基底表面之后，所述方法还包括：利用去离子水冲洗所述半导体基底；对所述半导体基底进行干燥。

根据本公开的一示例性实施方式，所述利用第三碱性清洗液冲洗所述半导体基底表面的时间为10～120s，冲洗温度为30℃～70℃，所述第三碱性清洗液的流量为300～1200mL/min。

根据本公开的一示例性实施方式，所述第一碱性清洗液、所述第二碱性清洗液和所述第三碱性清洗液分别为氨水与双氧水的混合溶液，其中，在所述氨水与双氧水的混合溶液中，所述氨水、所述双氧水和水的体积配比为1：(1～8)：(4～25)。

根据本公开的一示例性实施方式，所述第一碱性清洗液和所述第二碱性清洗液分别为四甲基氢氧化铵溶液。

根据本公开的一示例性实施方式，所述强酸溶液包括硫酸、硝酸和盐酸中的至少一种。

根据本公开的一示例性实施方式，所述强酸溶液为硫酸和双氧水的混合溶液，所述硫酸和所述双氧水的体积配比为(2～5)：1。

根据本公开的一示例性实施方式，向所述半导体基底表面喷洒强酸溶液的流量为300～1200mL/min，温度为70℃～140℃，对所述半导体基底冲洗的时间为10～120s。

根据本公开的一示例性实施方式，所述利用清洗刷刷洗所述半导体基底的表面的时间为10～120s，刷洗时所述第一碱性清洗液的温度为20～50℃，所述第一碱性清洗液的流量为300～1200mL/min。

根据本公开的一示例性实施方式，所述半导体基底包括半导体衬底和位于所述半导体衬底的氧化硅层。

根据本公开的一示例性实施方式，所述利用超声清洗工艺对所述半导体基底清洗的时间为10～120s，所述第二碱性清洗液的温度为20～50℃。

根据本公开的另一方面，提供一种半导体清洗装置，包括：第一碱性清洗装置、清洗刷、超声清洗装置和清洗刷和酸性清洗装置。所述第一碱性清洗装置用于采用第一碱性清洗液清洗所述半导体基底的表面，所述清洗刷用于刷洗所述半导体基底的表面；超声清洗装置用于采用第二碱性清洗液对所述半导体基底进行超声清洗；酸性清洗装置用于采用将强酸溶液清洗所述半导体基底。

根据本公开的一示例性实施方式，所述清洗装置还包括：去离子水清洗装置，用于采用去离子水清洗所述半导体基底；第二碱性清洗装置，用于采用第三碱性清洗液喷清洗所述半导体基底。

根据本公开的一示例性实施方式，所述清洗装置还包括：干燥设备，用于对所述半导体基底进行干燥。

由上述技术方案可知，本公开具备以下优点和积极效果中的至少之一：

本公开实施例的半导体基底的清洗方法，先利用清洗刷刷洗半导体基底的表面，以去除较大的残留颗粒，再利用超声工艺进行清洗，因此，即便是清洗刷刷洗后，在半导体基底表面形成了特殊图案缺陷，通过超声工艺，也能够去除该特殊图案缺陷；再利用强酸溶液分解研磨粒子，使研磨粒子发生反应生成溶于水的化合物，伴随冲洗液被最终被冲洗掉，因此，本公开实施例的清洗方法能够避免特殊图案缺陷的形成，且清洗更加彻底。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。

图1为本公开一示例性实施例的半导体基底的清洗方法的流程图；

图2为本公开一示例性实施例的研磨后的半导体基底的结构示意图；

图3为本公开一示例性实施例的利用清洗刷对半导体基底刷洗的示意图；

图4为本公开一示例性实施例的利用超声清洗工艺对半导体基底清洗的示意图；

图5为本公开一示例性实施例的利用强酸溶液对半导体基底冲洗的示意图；

图6为本公开一示例性实施例的利用去离子水对半导体基底冲洗的示意图；

图7为本公开一示例性实施例的利用第三碱性清洗液对半导体基底冲洗的示意图；

图8a和图8b分别为使用传统的清洗方法和使用本公开的清洗方法对半导体基底进行清洗的效果对比图。

附图标记说明：

1、半导体基底；11、半导体衬底；12、研磨层；2、污染物；3、第一碱性清洗装置；31、第一碱性清洗液；4、清洗刷；5、酸性清洗装置；51、强酸溶液；6、去离子水清洗装置；61、去离子水；7、第二碱性清洗装置；71、第三碱性清洗液；8、驱动轮。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

在对本公开的不同示例性实施方式的下面描述中，参照附图进行，附图形成本公开的一部分，并且其中以示例方式显示了可实现本公开的多个方面的不同示例性结构。应理解的是，可以使用部件、结构、示例性装置、系统和步骤的其他特定方案，并且可在不偏离本公开范围的情况下进行结构和功能性修改。而且，虽然本说明书中可使用术语“之上”、“之间”、“之内”等来描述本公开的不同示例性特征和元件，但是这些术语用于本文中仅出于方便，例如根据附图中的示例的方向。本说明书中的任何内容都不应理解为需要结构的特定三维方向才落入本公开的范围内。此外，权利要求书中的术语“第一”、“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数字限制。

附图中所示的流程图仅是示例性说明，不是必须包括所有的内容和操作/步骤，也不是必须按所描述的顺序执行。例如，有的操作/步骤还可以分解，而有的操作/步骤可以合并或部分合并，因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。

另外，在本公开的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。“上方”和“下方”是表示方位的技术术语，该技术术语仅仅是为了描述更加清楚，不具有限定作用。

在相关技术中，半导体基底被研磨后需要进行清洗。通常先采用氢氟酸对半导体基底表面清洗，再利用清洗刷清洗，但由于部分研磨粒子(如二氧化铈)与半导体基底表面结合牢固，传统的清洗方法很难将这部分研磨粒子清除掉，并且上述清洗刷完成清洗后，清洗刷在与半导体基底分离时，即清洗刷打开的瞬间，清洗刷上的残留物很容易回粘到半导体基底的表面，从而在半导体基底表面形成特殊图案缺陷，因此，相关技术中的清洗方法并不能完全清除半导体基底表面的污染物。

如图1至图8b所示，本公开实施例提供了一种半导体基底的清洗方法。其中，图1示出了本公开的清洗方法的流程图，图2至图7示出了半导体基底1处于不同清洗阶段的示意图；图8a和图8b示出了分别使用传统的清洗方法和使用本公开的清洗方法对半导体基底1进行清洗的效果对比图。如图1所示，本公开实施例的半导体基底的清洗方法包括：

步骤S200：提供半导体基底1。

步骤S400：在半导体基底1表面喷洒第一碱性清洗液31，利用清洗刷4刷洗半导体基底1的表面。

步骤S600：将半导体基底1置于第二碱性清洗液中，利用超声清洗工艺对半导体基底1清洗。

步骤S800：向半导体基底1表面喷洒强酸溶液51，对半导体基底1冲洗。

本公开实施例的半导体基底的清洗方法，先利用清洗刷4刷洗半导体基底1的表面，以去除较大的残留颗粒，再利用超声工艺进行清洗，而即便是清洗刷4刷洗，也容易在半导体基底1表面形成污染物2，再经过通过超声清洗工艺，能够去除部分污染物2；再利用强酸溶液51分解污染物2，使污染物2发生反应生成溶于水的化合物，伴随冲洗液被最终被冲洗掉，因此，本公开实施例的清洗方法能够避免特殊图案缺陷的形成，且清洗更加彻底。

下面对本公开实施例的半导体基底的清洗方法进行详细的描述。

步骤S200：提供半导体基底1。

如图2所示，半导体基底1可以包括半导体衬底11，在半导体衬底11上形成有浅沟槽隔离，浅沟槽隔离之间设有有源区。半导体衬底11中还设有字线结构和位线结构，字线结构和位线结构设于半导体衬底11的不同高度，且字线结构和位线结构均与有源区连接。字线结构可以包括高介电常数介电层、多晶硅层、功函数层以及字线金属层等，这些层均可以利用化学机械研磨工艺研磨。

本公开实施例的半导体衬底11的材料可以为硅、碳化硅、氮化硅、绝缘体上硅、绝缘体上层叠硅、绝缘体上层叠锗化硅、绝缘体上层锗化硅或绝缘体上层锗等。半导体衬底11还可以根据设计需求注入一定的掺杂粒子以改变电学参数。

如图2所示，半导体基底1表面具有污染物2，污染物2可以为经过化学机械研磨后残留的污染物2，如研磨粒子及其他副产物。

步骤S400：在半导体基底1表面喷洒第一碱性清洗液31，利用清洗刷4刷洗半导体基底1的表面。

如图3所示，将半导体基底1纵向设置，且半导体基底1位于至少两个第一碱性清洗装置3之间。第一碱性清洗装置3用于向半导体基底1的两侧喷洒第一碱性清洗液31，同时，半导体基底1夹设于两个清洗刷4之间，清洗刷4上下滚动，以对半导体基底1的两侧刷洗。利用第一碱性清洗液31，可以去除半导体基底1表面残留的有机污染物，同时搭配清洗刷4的物理刷洗，能够有效去除半导体基底1表面的较大颗粒的且附着能力强的污染物2。

在一些实施例中，第一碱性清洗液31为氨水与双氧水的混合溶液，在该混合溶液中，氨水、双氧水和水的体积配比为1：(1～8)：(4～25)。具体地，该体积配比可以为1:3:10，1:4:15，1:5:16或1:6:24，可以根据实际情况进行调整，此处不做特殊限定。

在另一些实施例中，第一碱性清洗液31可以为四甲基氢氧化钠氨溶液

(TMAH)，其质量浓度为0.04％～1％，例如其浓度为0.05％、0.06％或0.08％，此处不做特殊限定。

利用清洗刷4刷洗半导体基底1的表面的时间为10～120s，具体地，可以是20s、40s、50s、80s或100s，刷洗时第一碱性清洗液31的温度为20～50℃，具体地，可以是25℃、30℃、40℃或45℃，第一碱性清洗液31的流量为300～1200mL/min，具体地，可以是400mL/min、600mL/min、800mL/min、900mL/min或1000mL/min，关于上述参数，可以根据实际情况在此范围内进行选择，此处不做特殊限定。

在一些实施例中，可以将半导体基底1设置于至少两个对称的驱动轮8之间，驱动轮8用于驱动半导体基底1在清洗过程中转动，以使各个步骤的清洗液能够更加均匀地喷洒至半导体基底1的两侧，使半导体基底1的清洗更加彻底。

步骤S600：将半导体基底1置于第二碱性清洗液中，利用超声清洗工艺对半导体基底1清洗。

提供一超声清洗装置，超声清洗装置具有盛有第二碱性清洗液的清洗槽，如图4所示，将半导体基底1置于清洗槽中，具体地，可以纵向放置该半导体基底1，这样半导体基底1的两侧均可以受到超声清洗。可以采用兆频超声清洗。在一些实施例中，超声清洗半导体基底1的时间为10～120s，具体地，可以是20s、40s、50s、80s或100s，可以根据实际情况选择清洗时间，此处不做特殊限定。

在一些实施例中，第二碱性清洗液为氨水与双氧水的混合溶液，在该混合溶液中，氨水、双氧水和水的体积配比为1：(1～8)：(4～25)。氨水为普通的浓氨水。具体地，例如该配比可以为1:2:10，1:3:15，1:4:16或1:5:24，可以根据实际情况进行调整，此处不做特殊限定。

在另一些实施例中，第二碱性清洗液可以为四甲基氢氧化钠氨溶液

(TMAH)，其质量浓度为0.04％～1％，例如其浓度为0.06％、0.08％或0.09％，此处不做特殊限定。

在步骤S400中，半导体基底1经过清洗刷4刷洗后，已经去除了大部分的较大颗粒的残留物以及其他有机残留物，在清洗刷4打开的时候，清洗刷4上的残留物可能会回粘到半导体基底1的表面，形成特殊图案缺陷，在本步骤S600中，通过利用超声波清洗，能够去除该特殊图案缺陷，并进一步去除其他小颗粒残留物以及有机残留物。

步骤S800：向半导体基底1表面喷洒强酸溶液51，对半导体基底1冲洗。

如图5所示，将经过超声清洗的半导体基底1从清洗槽中取出，置于至少两个酸性清洗装置5之间。酸性清洗装置5向半导体基底1的两侧喷洒强酸溶液51，该强酸溶液51不仅能够中和残留的第一碱性清洗液31和第二碱性清洗液，而且能够分解残留在半导体基底1表面的研磨粒子。

在一些实施例中，强酸溶液51可以包括硫酸(H₂SO₄)、硝酸(HNO₃)和盐酸(HCl)中的至少一种，可以是盐酸(HCl)、硝酸(HNO₃)或硫酸(H₂SO₄)各自与双氧水(H₂O₂)的混合液。

在一些实施例中，研磨液中的研磨粒子包括二氧化铈(CeO₂)，二氧化铈极容易粘附在半导体基底1表面，用普通的弱酸(如氢氟酸)以及其他清洗液并不能将二氧化铈研磨粒子冲刷掉。在本公开的实施例中，上述强酸能够与二氧化铈发生化学反应，生成能够溶于水的含铈化合物，伴随着后续清洗液的冲刷，能够彻底去除二氧化铈残留物。

在一些实施例中，强酸溶液51可以为H₂SO₄与H₂O₂的混合溶液，与二氧化铈反应后，生成Ce₂(SO₄)₃,Ce₂(SO₄)₃能够溶于水，伴随着后续清洗液的冲刷，能够彻底去除二氧化铈残留物。

在一些实施例中，H₂SO₄和H₂O₂的体积配比为(2～5)：1。例如，该体积配比可以为3:1或4:1，此处不做特殊限定。使用的H₂SO₄的浓度为20％-50％，能够更快速的配置好所需要的清洗液。在本申请的其他实施例中，浓硫酸的浓度也可以高于50％。

当然，研磨液中也可以包含其他研磨粒子，只要该研磨粒子能够与上述至少一种强酸溶液51发生化学反应生成能够溶于水的化合物即可，便能够在后续清洗过程中比较彻底地去除研磨粒子残留物。

在利用强酸溶液51对半导体基底1进行冲洗时，强酸溶液51的流量为300～1200mL/min，例如400mL/min、500mL/min、600mL/min、800mL/min或1000mL/min，强酸溶液51的温度可以为70℃～140℃，例如80℃、90℃、100℃、120℃或130℃，冲洗时间为10～120s，例如冲洗时间为20s、40s、50s、60s、80s或100s，上述参数可以根据实际情况在上述范围内设置，此处不做特殊限定。

需要注意的是，在一些实施例中，采用强酸溶液51时，尽量避免对研磨后的金属层进行清洗，因为强酸可能会腐蚀部分金属层而影响半导体基底的电学性能。因此，在本公开的一些实施例中，待清洗的半导体基底1的研磨层12可以是非金属层，例如，经过CMP研磨后浅沟槽隔离、介电层或多晶硅层等。在一实施例中，半导体基底1包括半导体衬底11和位于半导体衬底11的氧化硅层，该氧化硅层可以为上述的研磨层12。

在喷洒强酸溶液51之前，也可以先向半导体基底1的表面喷洒去离子水61，以将残留的第二碱性清洗液冲洗掉，避免直接喷洒强酸时，强酸与碱性残留液发生中和反应产生过多的热量，影响清洗工艺的正常进行，同时也能够提高安全性。当然，该步骤也不是必须的，当第二碱性清洗液和/或强酸溶液51的浓度都较低时，二者不会产生因较剧烈的反应产生较多热量，也可以省却该步骤，可以根据实际情况选择，此处不做特殊限定。

本公开实施例的清洗方法，在步骤S600之后，还可以包括：

步骤S1000：利用去离子水61冲洗半导体基底1。

如图6所示，在半导体基底1经过强酸溶液51冲洗后，将半导体基底1置于至少两个去离子水清洗装置6之间，去离子水清洗装置6向半导体基底1的两侧喷洒去离子水61，以将残留的强酸溶液51去除。由于强酸溶液51具有一定的腐蚀性，因此，在利用强酸溶液51冲洗完成后，尽量能够先将强酸溶液51冲洗掉，避免对半导体基底1的其他器件产生腐蚀或造成其他影响。

步骤S1200，利用第三碱性清洗液71冲洗半导体基底1。

如图7所示，将半导体基底1置于至少两个第二碱性清洗装置7之间，第二碱性清洗装置7向半导体基底1的两侧喷洒第三碱性清洗液71，以进一步中和残留的酸性溶液以及进一步去除半导体基底1表面存在的有机残留物。由于酸碱发生中和反应会释放热量，因此，采用步骤S1000，能够避免强酸溶液51与第三碱性清洗液71发生较为剧烈的反应，进而保证后续清洗工艺的正常进行，同时也提高了安全性。

在一些实施例中，第三碱性清洗液71为氨水与双氧水的混合溶液，在该混合溶液中，氨水、双氧水和水的体积配比为1：(1～8)：(4～25)。具体地，该体积配比可以为1:3:10，1:4:15，1:5:16或1:6:24，可以根据实际情况进行调整，此处不做特殊限定。

在一些实施例中，利用第三碱性清洗液71冲洗半导体基底1的表面的时间为10～120s，具体地，可以是20s、50s、70s或100s，冲洗时第三碱性清洗液71的温度为30～70℃，具体地，可以是40℃、50℃、55℃或60℃，第三碱性清洗液71的流量为300～1200mL/min，具体地，可以是400mL/min、600mL/min、800mL/min、900mL/min或1000mL/min，关于上述参数，可以根据实际情况在此范围内进行选择，此处不做特殊限定。

步骤S1400：利用去离子水61冲洗半导体基底1。

利用第三碱性清洗液71对半导体基底1进行冲洗后，将半导体基底1再次置于至少两个去离子水清洗装置6之间，向半导体基底1的两侧喷洒去离子水61，以进一步去除第三碱性清洗液71的残留物。

步骤S1600：对半导体基底1进行干燥。

提供干燥设备，将清洗后的半导体基底1置于干燥设备中，对其进行干燥，最终得到清洗干净且干燥的半导体基底1，用于半导体基底的制备工艺。

参考图8a和图8b，图8a示出了利用传统的清洗方法清洗后的半导体基底1的效果示意图，其中虚线矩形框中显示的是由清洗刷4打开时回粘到半导体基底1的残留物形成的特殊图案缺陷，清洗效果并不是很理想。图8b示出了利用本公开实施例的清洗方法清洗后的半导体基底1的效果示意图，该半导体基底1的表面并未形成特殊图案缺陷，且清洗效果更佳。

综上所述，本公开实施例的半导体基底的清洗方法，先利用清洗刷4刷洗半导体基底1的表面，以去除较大的残留颗粒，再利用超声工艺进行清洗，而即便是清洗刷4刷洗，也容易在半导体基底1表面形成污染物2，再经过通过超声清洗工艺，能够去除部分污染物2；再利用强酸溶液51分解污染物2，使污染物2发生反应生成溶于水的化合物，伴随冲洗液被最终被冲洗掉，因此，本公开实施例的清洗方法能够避免特殊图案缺陷的形成，且清洗更加彻底。

根据本公开的另一方面，提供一种半导体清洗装置，包括：第一碱性清洗装置3、清洗刷4、超声清洗装置和酸性清洗装置5。其中，第一碱性清洗装置3用于采用第一碱性清洗液31清洗半导体基底1的表面。第一碱性清洗装置3的数量可以为至少两个，并且设置于半导体基底1的两侧，能够对半导体基底1的两侧同时进行冲洗。在一些实施例中，第一碱性清洗装置3对称地设置于半导体基底1的两侧。清洗刷4用于刷洗半导体基底1的表面，清洗刷4对称地夹设于半导体衬底11的两侧，能够对半导体基底1的两侧同步刷洗。

超声清洗装置设有清洗槽，用于容纳第二碱性清洗液，以对半导体基底1进行超声清洗。

酸性清洗装置5用于采用强酸溶液51清洗半导体基底1。酸性清洗装置5数量可以为至少两个，并且设置于半导体基底1的两侧，能够对半导体基底1的两侧同时进行冲洗。在一些实施例中，酸性清洗装置5对称地设置于半导体基底1的两侧。

在一些实施例中，清洗装置还包括去离子水清洗装置6和第二碱性清洗装置7。去离子水清洗装置6用于采用去离子水61清洗半导体基底1，以对半导体基底1冲洗。去离子水清洗装置6数量可以为至少两个，并且设置于半导体基底1的两侧，能够对半导体基底1的两侧同时进行冲洗。在一些实施例中，去离子水清洗装置6对称地设置于半导体基底1的两侧。第二碱性清洗装置7用于采用第三碱性清洗液71清洗半导体基底1。第二碱性清洗装置7数量可以为至少两个，并且设置于半导体基底1的两侧，能够对半导体基底1的两侧同时进行冲洗。在一些实施例中，第二碱性清洗装置7对称地设置于半导体基底1的两侧。

在一些实施例中，清洗装置还包括干燥设备，用于对半导体基底1进行干燥。干燥设备可以包括烘干仪、离心干燥器和IPA(异丙醇)干燥炉中的至少一种。

利用本公开实施例的半导体清洗装置，对研磨后的半导体基底1进行清洗，能够彻底清洗半导体基底1表面上的残留物，且操作简便。

应可理解的是，本公开不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本公开能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本公开的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本公开延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本公开的多个可替代方面。本说明书的实施方式说明了已知用于实现本公开的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本公开。

Claims (15)

1.一种半导体基底的清洗方法，其特征在于，包括：

提供所述半导体基底；

在所述半导体基底表面喷洒第一碱性清洗液，利用清洗刷刷洗所述半导体基底的表面；

将所述半导体基底置于第二碱性清洗液中，利用超声清洗工艺对所述半导体基底清洗；

向所述半导体基底表面喷洒强酸溶液，对所述半导体基底冲洗。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述半导体基底表面喷洒强酸溶液，对所述半导体基底冲洗之后，还包括：

利用去离子水冲洗所述半导体基底；

利用第三碱性清洗液冲洗所述半导体基底。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述利用第三碱性清洗液冲洗所述半导体基底表面之后，还包括：

利用去离子水冲洗所述半导体基底；

对所述半导体基底进行干燥。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用第三碱性清洗液冲洗所述半导体基底表面的时间为10～120s，冲洗温度为30℃～70℃，所述第三碱性清洗液的流量为300～1200mL/min。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一碱性清洗液、所述第二碱性清洗液和所述第三碱性清洗液分别为氨水与双氧水的混合溶液，其中，在所述氨水与双氧水的混合溶液中，所述氨水、所述双氧水和水的体积配比为1：(1～8)：(4～25)。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一碱性清洗液和所述第二碱性清洗液分别为四甲基氢氧化铵溶液。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述强酸溶液包括硫酸、硝酸和盐酸中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述强酸溶液为硫酸和双氧水的混合溶液，所述硫酸和所述双氧水的体积配比为(2～5)：1。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向所述半导体基底表面喷洒强酸溶液的流量为300～1200mL/min，温度为70℃～140℃，对所述半导体基底冲洗的时间为10～120s。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用清洗刷刷洗所述半导体基底的表面的时间为10～120s，刷洗时所述第一碱性清洗液的温度为20～50℃，所述第一碱性清洗液的流量为300～1200mL/min。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体基底包括半导体衬底和位于所述半导体衬底的氧化硅层。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用超声清洗工艺对所述半导体基底清洗的时间为10～120s，所述第二碱性清洗液的温度为20～50℃。

13.一种半导体清洗装置，其特征在于，包括：

第一碱性清洗装置和清洗刷，所述第一碱性清洗装置用于采用第一碱性清洗液清洗所述半导体基底的表面，所述清洗刷用于刷洗所述半导体基底的表面；

超声清洗装置，用于采用第二碱性清洗液对所述半导体基底进行超声清洗；

酸性清洗装置，用于采用强酸溶液清洗所述半导体基底。

14.根据权利要求13所述的半导体清洗装置，其特征在于，还包括：

去离子水清洗装置，用于采用去离子水清洗所述半导体基底；

第二碱性清洗装置，用于采用第三碱性清洗液清洗所述半导体基底。

15.根据权利要求14所述的半导体清洗装置，其特征在于，还包括：

干燥设备，用于对所述半导体基底进行干燥。

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