DE102007032385B4 - Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe nach CMP - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/08—Acids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Verfahren zur Reinigung einer Halbeiterscheibe nach CMP in einer Einzelscheiben-Reinigungsanlage, wobei die Halbleiterscheibe in mindestens zwei Reinigungsmodulen gereinigt und in mindestens einem Trocknungsmodul getrocknet wird, umfassend eine Reinigungssequenz, während der die Halbleiterscheibe in einem ersten Teilschritt mit Wasser, in einem zweiten Teilschritt mit HCl enthaltendem Wasser und in einem dritten Teilschritt mit Wasser gespült wird, wobei die Reinigungssequenz 10 bis 60 s dauert und im selben Reinigungsmodul durchgeführt wird, das als Sprühreiniger ausgeführt ist.
Description
- Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Reinigung einer Halbeiterscheibe nach CMP („chemical-mechanical polishing”) in einer Einzelscheiben-Reinigungsanlage, wobei die Halbleiterscheibe in mindestens zwei Reinigungsmodulen gereinigt und in mindestens einem Trocknungsmodul getrocknet wird.
- Die CMP ist ein sehr häufig durchgeführter Bearbeitungsschritt, um Halbleiterscheiben zu glätten. Bei den Halbleiterscheiben handelt es sich beispielsweise um solche mit einer Seitenfläche, die mit Strukturen von elektronischen Bauelementen versehen ist (Bauelementscheiben) oder um Substratscheiben mit strukturlosen Seitenflächen, die in der Regel die Vorstufe von Bauelementscheiben bilden. Moderne CMP-Anlagen, wie die in der
WO99/17342 A1 - Aus Gründen der Wirtschaftlichkeit ist man bestrebt, mit einer möglichst geringen Anzahl an Modulen auszukommen und mit möglichst kurzen Taktzeiten zu operieren. Diesem Streben steht entgegen, dass die Halbleiterscheiben sorgfältig von Spuren der Politur gereinigt werden müssen. Im Fall von Substratscheiben ist besonders darauf zu achten, dass nach dem Trocknen die Anzahl der nachweisbaren Partikel und die Konzentrationen der nachweisbaren metallischen Verunreinigungen so gering wie möglich sind. Um sämtlichen Vorgaben gerecht zu werden und das Verschleppen von Partikeln und Verunreinigungen zu unterbinden, wird der Verfahrensablauf so organisiert, dass jeder Reinigungs- oder Spülschritt in einem eigenen Reinigungsmodul erfolgt. Dieses Vorgehen ist aufwändig und teuer, weil eine entsprechende Zahl von Reinigungsmodulen und Vorrichtungen zum Scheibentransfer benötigt wird, und mit jedem Umsetzen einer Halbleiterscheibe von einem Reinigungsmodul ins nächste zusätzliche Prozesszeit investiert werden muss.
- In der
DE 100 64 081 A1 ist ein Verfahren zum Reinigen von Halbleiterscheiben nach CMP beschrieben. Die Reinigung wird demzufolge als Batchprozeß unter gleichzeitiger Reinigung einer Vielzahl von Scheiben in Bädern oder mit einem Sprühverfahren oder als Einzelscheibenprozeß ausgeführt. - Gemäß einem in der
US 5,908,509 und derUS 5,656,097 beschriebenen Reinigungsverfahren wird eine Halbleiterscheibe nach CMP in einem Bad gereinigt. - Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Weg aufzuzeigen, wie dieser Aufwand verringert werden kann, ohne dass deshalb die Qualität des Reinigungsergebnisses abnimmt.
- Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1.
- Die Reinigung von Halbleiterscheiben nach CMP ist ein komplexes Verfahren mit einer Vielzahl von möglichen Kombinationen unterschiedlicher Reinigungsschritte. Die vorliegende Erfindung identifiziert aus dieser Vielzahl eine Kombination von Schritten, die ohne Nachteil im Hinblick auf das Reinigungsergebnis in Form von Teilschritten einer Reinigungssequenz im selben Reinigungsmodul durchgeführt werden können. Bei den Teilschritten der Rei nigungssequenz handelt es sich um einen ersten Teilschritt, mit dem die Halbleiterscheibe mit Wasser gespült wird, einen zweiten Teilschritt, bei dem die Halbleiterscheibe kurzzeitig mit verdünnter Salzsäure gespült wird und um einen dritten Teilschritt, bei dem die Halbleiterscheibe mit Wasser gespült wird. Die Reinigungssequenz wird im selben Reinigungsmodul durchgeführt, wobei das Reinigungsmodul als Sprühreiniger ausgeführt ist. Die dreiteilige Reinigungssequenz wird vorzugsweise unmittelbar vor dem Trocknen der Halbleiterscheibe durchgeführt. Mit der Reinigungssequenz wird die vorzugsweise zuvor von Poliermittelresten befreite Halbleiterscheibe von metalli schen Verunreinigungen gesäubert. Das Verfahren ist nicht nur besonders wirtschaftlich, sondern auch besonders effektiv, was die Beseitigung metallischer Verunreinigungen betrifft. Letzteres war nicht zu erwarten, weil durch die von der Poliermaschine vorgegebene Taktzeit im Mittel nur ein Drittel des Taktes an Prozesszeit für jeden Teilschritt der Reinigungssequenz bleibt.
- Es ist zweckmäßig, die Halbleiterscheibe stehend oder liegend zu drehen, während die Reinigungssequenz durchgeführt wird. Während der Reinigung in einem Reinigungsmodul, das als Sprühreiniger ausgebildet ist, wird das Reinigungsmittel vorzugsweise auf beide Seiten der rotierenden Halbleiterscheibe gesprüht. Zur Verstärkung der Reinigungswirkung ist es weiterhin zweckmäßig, die Seiten der Halbleiterscheibe vorzugsweise am Anfang des ersten Teilschrittes der Reinigungssequenz mit Unterstützung von Walzen zu reinigen.
- Die Dauer des zweiten Teilschrittes wird sehr kurz gewählt. Besonders bevorzugt eine Dauer von 3 bis 5 s. Diese Zeitspanne reicht überraschenderweise aus, um Verunreinigungen durch Metalle wie Na, Mg, Al, K, Ca, Fe und Zn unter die jeweilige Nachweisgrenze zu reduzieren. Sie liegt derzeit im Fall von Fe und Zn bei 1E8 Atome/cm2 und bei anderen der genannten Metalle bei 5E8 Atome/cm2. Um diese Reinigungswirkung zu erzielen, wird Salzsäure mit einer Konzentration von vorzugsweise 0,5 bis 2 Gew.-%, besonders bevorzugt von 1 bis 1,5 Gew.-%, verwendet. Der Bedarf an Säure ist entsprechend gering.
- Weil das Reinigungsmodul als Sprühreiniger ausgebildet ist, ist bevorzugt, durch eine geeignete Ventilsteuerung die Zufuhr des Reinigungsmittels zu steuern, wobei beim Übergang vom ersten zum zweiten Teilschritt von Reinstwasser zu verdünnter Salzsäure und beim Übergang zum dritten Teilschritt der Reinigungssequenz zu Reinstwasser gewechselt wird.
- Der dritte Teilschritt dient im Wesentlichen zur Entfernung der verdünnten Salzsäure und dauert daher ebenfalls nur eine vergleichsweise kurze Zeit. Bevorzugt ist eine Dauer von 5 bis 20 s, besonders bevorzugt eine Dauer von 10 bis 15 s.
- Die Gesamtdauer der Reinigungssequenz, also die Dauer vom Anfang des ersten Teilschrittes bis zum Ende des dritten Teilschrittes beträgt 10 bis 60 s, besonders bevorzugt 15 bis 40 s.
Claims (6)
- Verfahren zur Reinigung einer Halbeiterscheibe nach CMP in einer Einzelscheiben-Reinigungsanlage, wobei die Halbleiterscheibe in mindestens zwei Reinigungsmodulen gereinigt und in mindestens einem Trocknungsmodul getrocknet wird, umfassend eine Reinigungssequenz, während der die Halbleiterscheibe in einem ersten Teilschritt mit Wasser, in einem zweiten Teilschritt mit HCl enthaltendem Wasser und in einem dritten Teilschritt mit Wasser gespült wird, wobei die Reinigungssequenz 10 bis 60 s dauert und im selben Reinigungsmodul durchgeführt wird, das als Sprühreiniger ausgeführt ist.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Teilschritt 3 bis 5 s dauert.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass während der Reinigungssequenz im Sprühreiniger eine Vorder- und eine Rückseite der Halbleiterscheibe gleichzeitig besprüht werden und die Halbleiterscheibe dabei rotiert.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterscheibe am Anfang des ersten Teilschrittes der Reinigungssequenz mit Unterstützung von Walzen gereinigt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterscheibe unmittelbar nach der Reinigungssequenz im Trocknungsmodul getrocknet wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Reinigungssequenz unmittelbar nach dem Entfernen von Poliermittelresten durchgeführt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007032385A DE102007032385B4 (de) | 2007-07-11 | 2007-07-11 | Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe nach CMP |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007032385A DE102007032385B4 (de) | 2007-07-11 | 2007-07-11 | Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe nach CMP |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102007032385A1 DE102007032385A1 (de) | 2009-01-22 |
DE102007032385B4 true DE102007032385B4 (de) | 2010-04-01 |
Family
ID=40148811
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102007032385A Expired - Fee Related DE102007032385B4 (de) | 2007-07-11 | 2007-07-11 | Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe nach CMP |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102007032385B4 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010063178B4 (de) | 2010-12-15 | 2014-05-22 | Siltronic Ag | Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe aus Silizium unmittelbar nach einer Politur der Halbleiterscheibe |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5656097A (en) * | 1993-10-20 | 1997-08-12 | Verteq, Inc. | Semiconductor wafer cleaning system |
DE10064081A1 (de) * | 2000-12-21 | 2001-10-18 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW402756B (en) | 1997-09-29 | 2000-08-21 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for polishing and cleaning semiconductor wafers |
-
2007
- 2007-07-11 DE DE102007032385A patent/DE102007032385B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5656097A (en) * | 1993-10-20 | 1997-08-12 | Verteq, Inc. | Semiconductor wafer cleaning system |
US5908509A (en) * | 1993-10-20 | 1999-06-01 | Verteq, Inc. | Semiconductor wafer cleaning system |
DE10064081A1 (de) * | 2000-12-21 | 2001-10-18 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102007032385A1 (de) | 2009-01-22 |
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