DE69434678T2 - Poliergerät - Google Patents

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Riichirou Aoki
Hiromi Tsurumi-ku Yokohama-shi Yajima
Masako Kodera
Shirou ku Yokohama-shi Mishima
Atsushi Shigeta
Ebara Corporation Masayoshi Hirose
Ebara Corporation Norio Kimura
Ebara Corporation Seiji Ishikawa
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Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung:
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Poliervorrichtung und insbesondere auf eine Poliervorrichtung, die eine Poliereinheit zum Polieren eines Werkstücks, wie beispielsweise eines Halbleiterwafers, eine Wascheinheit zum Waschen des polierten Werkstücks, und einen universellen Übertragungsroboter zum Übertragen des Werkstücks aufweist.
  • Beschreibung der verwandten Technik:
  • Der schnelle Fortschritt in der Halbleiterbauteilintegration in letzter Zeit fordert immer kleinere Verdrahtungsmuster oder Verbindungen und auch engere (Zwischen-)Räume zwischen Verbindungen; die aktive Bereiche verbinden. Eines der verfügbaren Verfahren zum Bilden solcher Verbindungen ist die Photolithographie. Obwohl anhand des photolithographischen Verfahrens Verbindungen mit einer Breite von höchstens 0,5 μm gebildet werden können, erfordert es, daß die Oberflächen, auf die Musterbilder durch einen Stepper fokussiert werden, so flach bzw. eben wie möglich sind, weil die Tiefenschärfe des optischen Systems relativ gering ist.
  • Es ist daher notwendig, de Oberflächen von Halbleiterwafern für die Photolithographie eben zu machen. Eine übliche Art, die Oberflächen von Halbleiterwafern eben zu machen, besteht darin, sie mit einer Poliervorrichtung zu polieren.
  • Herkömmlicherweise hat eine solche Poliervorrichtung die einzige Funktion, einen Halbleiterwafer zu polieren. Daher muß der Halbleiterwafer nach dem Polieren von der Poliervorrichtung zu einer Waschvorrichtung übertragen oder transportiert werden. Ferner muß der Halbleiterwafer im Fall des erneuten Polierens eines Halbleiterwafers unter anderen Bedingungen nach dem Polieren von einer Poliervorrichtung zu einer anderen Poliervorrichtung übertragen oder transportiert werden. In diesen Fällen werden die Halbleiterwafer manuell übertragen oder transportiert, und zwar mit einem beweglichen Behälter, in dem sie in Wasser eingetaucht sind, damit sie während des Transports nicht trocknen. Da jedoch die verschiedenen Vorrichtungen bzw. Apparaturen einschließlich der Poliervorrichtung und der Waschvorrichtung unabhängig installiert sind und die Halbleiterwafer anhand des Wasser enthaltenden, beweglichen Behälters übertragen oder transportiert werden, ist es schwierig, die Poliervorrichtung, die Waschvorrichtung und ähnliches in einem Reinraum einer Halbleiterherstellungsanlage zu installieren und verschiedene Prozesse einschließlich des Polierprozesses und des Waschprozesses vollständig zu automatisieren.
  • Um die obigen Probleme zu lösen, wurde eine Vorrichtung vorgeschlagen, bei der eine Poliereinheit und eine Wascheinheit in einem gemeinsamen Gehäuse aufgenommen sind. Ferner gibt es bei Bedarf die Möglichkeit, daß eine Vielzahl von Poliereinheiten in einem gemeinsamen Gehäuse aufgenommen sind.
  • In der Poliervorrichtung, die eine Poliereinheit und eine Wascheinheit oder eine Vielzahl von Poliereinheiten in einem gemeinsamen Gehäuse aufweist, ist es denkbar, eine cluster- oder gruppen-artige Poliervorrichtung zu konstruieren, die eine Vielzahl von Einheiten einschließlich einer Poliereinheit und einer Wascheinheit integriert, wie sie in einem Halbleiterherstellungsprozeß verwendet werden, wie beispielsweise beim Ätzen oder bei chemischer Dampfabscheidung (CVD).
  • Jedoch ist es im Falle einer cluster-artigen Poliervorrichtung, die eine Vielzahl von Einheiten integriert und einen universellen Übertragungsroboter an einer zentralen Position der Einheiten umfaßt, notwendig, sowohl einen schmutzigen und nassen Halbleiterwafer zu handhaben, der mit einer Schleifaufschlämmung oder beim Poliervorgang erzeugten Partikeln ver schmutzt ist, als auch einen sauberen und trockenen Halbleiterwafer zu handhaben, der in einer Ladeeinheit oder einer Entladeeinheit plaziert ist. Daher kann ein herkömmlicher Roboter, der in einer cluster-artigen Verarbeitungsvorrichtung zur Halbleiterherstellung umfaßt ist, nicht in einer clusterartigen Poliervorrichtung verwendet werden, weil der Roboter nicht die Funktion vorsieht, daß er saubere Halbleiterwafer und schmutzige Halbleiterwafer getrennt handhaben kann. Wenn der herkömmliche Roboter in die Poliervorrichtung eingebaut wird, werden zusätzlich ein Waschprozeß und ein Trocknungsprozeß für den Roboter oder ein zusätzlicher Roboterarm benötigt, was den Durchsatz verringert.
  • Im Fall, daß der Roboter oder der Roboterarm für längere Zeit unverändert gelassen werden, haftet ferner Schleifmaterial oder durch den Poliervorgang erzeugte Partikel an dem Roboter oder dem Roboterarm, was eine Verschmutzung bzw. Kontamination nachfolgender Halbleiterwafer oder entsprechender Einheiten der Poliervorrichtung ergibt.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung eine Poliervorrichtung vorzusehen, die eine Vorrichtung des Gruppen- bzw. Cluster-Typs ist. Mit einer Vielzahl von Einheiten zur Durchführung unterschiedlicher Arbeitsvorgänge, wobei die Vorrichtung ferner exklusive Mittel aufweist zur Handhabung eines sauberen Halbleiterwafers sowie exklusive Mittel zur Handhabung eines verunreinigten Halbleiterwafers.
  • Die Erfindung ist in den Ansprüchen 1 bzw. 16 definiert.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine schematische Draufsicht einer Poliervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 2A ist eine schematische Draufsicht, die teilweise eine Poliervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2B ist eine schematische Draufsicht, die eine Wascheinheit in einer Poliervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 3 ist eine Schnittansicht entlang der Linie A1-A2 in 2A;
  • 4 ist eine Schnittansicht entlang der Linie B1-B2 in 2A;
  • 5 ist eine Schnittansicht entlang der Linie D1-C3-C2-C1 in 2A;
  • 6 ist eine Schnittansicht entlang der Linie D1-D2 in 2A;
  • 7 ist eine schematische Draufsicht einer Poliervorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 8 ist eine schematische Draufsicht einer Poliervorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 9 ist eine schematische Draufsicht einer Poliervorrichtung gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 10 ist eine schematische Draufsicht einer Poliervorrichtung gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 11 ist eine schematische Draufsicht einer Poliervorrichtung gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • GENAUE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Eine Poliervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend beschrieben mit Bezug auf 1. In den Ausführungsbeispielen wird beschrieben, daß ein Halbleiterwafer als zu polierendes Werkstück verwendet wird. Wie in 1 gezeigt ist, besitzt eine Poliervorrichtung einen zentralen Roboter 10 mit Armen 10-1 und 10-2 an einem mittigen Teil davon. Der zentrale Roboter 10 stellt einen universellen Übertragungsroboter dar. Um den zentralen Roboter 10 herum und in dem Bereich, den der Arm 10-1 erreichen kann, sind eine Ladeeinheit 11 zum Plazieren eines zu polierenden Halbleiterwafers S darauf, eine Entladeeinheit 12 zum Plazieren eines polierten Halbleiterwafers S darauf, Poliereinheiten 13 und 14, jeweils zum Polieren des Halbleiterwafers S, und eine Wascheinheit 15 zum Waschen des Halbleiterwafers S vorgesehen.
  • Die Poliereinheit 13 besitzt einen Polierkopftragarm 13-3, einen Drehtisch 13-4 und einen Oberring (top ring), welcher auf dem Polierkopftragarm 13-3 drehbar vorgesehen ist. Die Poliereinheit 14 besitzt einen Polierkopftragarm 14-3, einen Drehtisch 14-4 und einen Oberring (top ring), welcher auf dem Polierkopftragarm 14-3 drehbar vorgesehen ist. Ein Schleif- bzw. Poliertuch ist an jeweiligen Oberseiten der Drehtische 13-4 und 14-4 befestigt. Jeder der Polierkopftragarme 13-3 und 14-3 bildet eine exklusive bzw. separate Übertragungseinrichtung zum Übertragen des Halbleiterwafers S von einer Ladeposition 13-1, 14-1 der Poliereinheit zum Drehtisch 13-4, 14-4. Ferner bildet jeder der Polierkopftragarme 13-3 und 14-3 eine exklusive bzw. separate Übertragungseinrichtung zum Übertragen des Halbleiterwafers S von der Poliereinheit 13, 14 zur Wascheinheit 15. Die Poliervorrichtung besitzt einen Tisch 16 zum Plazieren eines Konditionierwerkzeugs zum Konditionieren des Schleiftuchs auf dem Drehtisch 13-4 und einen Tisch 17 zum Plazieren eines Konditionierwerkzeugs zum Konditionieren des Schleiftuchs auf dem Drehtisch 14-4.
  • In der Poliervorrichtung wird der zu polierende Halbleiterwafer S durch Vakuum vom Arm 10-1 des zentralen Roboters 10 aufgenommen, umgedreht, um die zu polierende Oberfläche nach unten zu richten, und zur Ladeposition 13-1 der Poliereinheit 13 übertragen. Der Oberring des Polierkopftragarms 13-3 hält den Halbleiterwafer S und drückt ihn gegen das an der Oberseite des Drehtischs 13-4 befestigte Schleiftuch. Zu diesem Zeitpunkt wird der Drehtisch 13-4 gedreht und der Oberring wird um seine eigene Achse gedreht und durch den Polierkopftragarm 13-3 auf den Drehtisch 13-4 geschwenkt, wodurch der Halbleiterwafer S poliert wird.
  • Nach einem Poliervorgang wird der Halbleiterwafer S durch den Polierkopftragarm 13-3 zur Ladeposition 15-1 der Wascheinheit 15 übertragen. Der Polierkopftragarm 13-3, der den Halbleiterwafer S an der Ladeposition 15-1 freigibt bzw. losläßt, greift ein Konditionierwerkzeug 16-1 auf dem Tisch 16 und drückt das Konditionierwerkzeug 16-1 gegen das Schleiftuch auf dem Drehtisch 13-4, um dadurch das Schleiftuch zu konditionieren. Diese Konditionierarbeit kann durch einen exklusiven bzw. separaten Konditioniermechanismus durchgeführt werden.
  • Der Halbleiterwafer S, der durch den Arm 10-1 des zentralen Roboters 10 zu der Ladeposition 14-1 der Poliereinheit 14 übertragen wurde, wird auch durch den Oberring des Polierkopftragarms 14-3 gehalten und gegen das auf der Oberseite des Drehtischs 14-4 befestigte Schleiftuch gedrückt. Nach einem Poliervorgang wird der Halbleiterwafer S durch den Polierkopftragarm 13-3 zur Ladeposition 15-2 der Wascheinheit 15 übertragen. Ferner greift der Polierkopftragarm 14-3, der den Halbleiterwafer S freigibt bzw. losläßt, ein Konditionierwerkzeug 17-1 auf dem Tisch 17 und drückt das Konditionierwerkzeug 17-1 gegen das Schleiftuch auf dem Drehtisch 14-4, um dadurch das Schleiftuch zu konditionieren.
  • Der Halbleiterwafer S, der zur Ladeposition 15-1 oder zur Ladeposition 15-2 übertragen wurde, wird in der Wascheinheit 15 gewaschen und dann zu einer Entladeposition 15-3 übertragen. Der gereinigte Halbleiterwafer S wird durch den Arm 10-2 des zentralen Roboters von der Entladeposition 15-3 zu der Entladeeinheit 12 übertragen. Alle oben genannten Vorgänge werden automatisch durchgeführt.
  • Als nächstes werden die Poliereinheit 14 und die Wascheinheit 15 in Einzelheiten beschrieben unter Bezugnahme auf die 2 bis 6. Die 2 bis 6 zeigen ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung genauso wie 1. Jedoch ist kein Konditionierwerkzeug und kein Tisch zum Plazieren des Konditionierwerkzeugs, sondern ein separater Konditioniermechanismus 15-11 vorgesehen.
  • Wie in 2 gezeigt ist, wird der auf der Ladeeinheit 11 plazierte Halbleiterwafer S von dem Arm 10-1 des zentralen Roboters 10 aufgenommen, durch einen Umdrehmechanismus 11-2 umgedreht, um die zu polierende Oberfläche nach unten zu drehen, und zur Ladeposition 14-1 der Poliereinheit 14 übertragen. Wie in 3 gezeigt ist, wird der Halbleiterwafer S durch Vakuum von dem am vorderen Ende des Polierkopftragarms 14-3 vorgesehenen Oberring 14-5 gehalten und über den Drehtisch 14-4 bewegt. Danach wird der Oberring 14-5 abgesenkt und der vom Oberring 14-5 gehaltene Halbleiterwafer S wird gegen das Schleiftuch auf dem Drehtisch 14-4 gedrückt, wodurch der Halbleiterwafer S poliert wird. Übrigens wird der Drehtisch 14-4 von einem Motor 14-6 über einen Steuerriemen 14-7 gedreht (siehe 4). Wie in 5 gezeigt ist, wird der Halbleiterwafer S nach einem Poliervorgang in eine Waschaufnahme bzw. ein Waschgefäß 15-4 gelegt, die bzw. das an einer Öffnung der Ladeposition 15-2 der Wascheinheit 15 bereitsteht, und durch ein Reinigungslösungsmittel gewaschen. Während des Waschprozesses ist die Öffnung der Ladeposition 15-2 durch einen Verschluß 15-5 verschlossen. Der Oberring 14-5, der den Halbleiterwafer S freigibt bzw. losläßt, wird in der Ladeposition durch einen Waschmechanismus der Wascheinheit 15 gewaschen.
  • Nach einem Waschprozeß wird der Halbleiterwafer S in eine Richtung (a) bewegt und zu einem Umdrehmechanismus 15-6 übertragen, durch den der Halbleiterwafer S umgedreht wird, so daß die polierte Oberfläche nach oben weist, und an eine erste bzw. primäre Waschstation 15-7 geliefert wird. Ein erster bzw. primärer Waschprozeß wird in der ersten bzw. primären Waschstation 15-7 durchgeführt unter Verwendung eines Reinigungslösungsmittels, wie beispielsweise reinem Wasser. Danach wird der Halbleiterwafer S von einem Übertragungsroboter 15-8 in der Waschstation 15 aufgenommen, in Richtung der Pfeile b und c bewegt und an eine zweite bzw. sekundäre Waschstation 15-9 weitergegeben. Ein zweiter bzw. sekundärer Waschprozeß wird in der zweiten bzw. sekundären Waschstation 15-9 durchgeführt unter Verwendung eines Reinigungslösungsmittels, wie beispielsweise reinem Wasser.
  • Nach dem zweiten bzw. sekundären Waschprozeß wird der Halbleiterwafer S von dem Arm 10-2 des zentralen Roboters 10 aufgenommen, in Richtung der Pfeile d und e bewegt, wie es in 6 gezeigt ist, und zur Entladestation 12 übertragen. Wie in 2 gezeigt ist, ist ein Konditioniermechanismus 15-11 zum Konditionieren des Schleiftuchs auf dem Drehtisch 14-4 vorgesehen. Der Konditioniermechanismus 15-11 besitzt eine sich drehende Bürste 15-12, wie in 3 gezeigt ist.
  • Gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel weist die Poliervorrichtung einen zentralen Roboter 10 mit Armen 10-1 und 10-2, der einen universellen Übertragungsroboter zum Übertragen des Halbleiterwafers S zu den jeweiligen Einheiten bildet, und eine Vielzahl von Einheiten auf, die um den zentralen Roboter 10 herum angeordnet sind und eine Ladeeinheit 11 zum Plazieren des zu polierenden Halbleiterwafers S darauf, eine Entladeeinheit 12 zum Plazieren des polierten Halbleiterwafers S darauf, Poliereinheiten 13 und 14, jeweils zum Polieren des Halbleiterwafers S, und eine Wascheinheit 15 zum Waschen des Halbleiterwafers S umfaßt. Die Poliervorrichtung weist ferner einen Polierkopftragarm 13-3 mit einem Oberring zum Übertragen des Halbleiterwafers S zwischen zwei benachbarten Einheiten und einen Polierkopftragarm 14-3 mit einem Oberring zum Übertragen des Halbleiterwafers S zwischen zwei benachbarten Einheiten auf. Der zentrale Roboter 10 handhabt einen sauberen und trockenen Halbleiterwafer S, und die Polierkopftragarme 13-4 und 14-4 handhaben einen schmutzigen und nassen Halbleiterwafer S.
  • Der zentrale Roboter 10 besitzt den Arm 10-1, der ausschließlich zum Laden des zu polierenden Halbleiterwafers verwendet wird, und den Arm 10-2, der ausschließlich zum Entladen des polierten Halbleiterwafers verwendet wird. Diese Anordnung wird bevorzugt für den Fall, in dem die Sauberkeit des von der Ladeeinheit 11 übertragenen Halbleiterwafers S unterschiedlich ist, von der des zu der Entladeeinheit 12 übertragenen Halbleiterwafers S.
  • Als nächstes wird nachfolgend eine Poliervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben mit Bezug auf 7. Die in 7 gezeigten Teile, die identisch sind mit denen von 1, sind durch identische Bezugszeichen bezeichnet. Eine Poliervorrichtung besitzt einen zentralen Roboter 10 mit Armen 10-1 und 10-2 an einem zentralen Teil davon. Um den zentralen Roboter 10 herum und in dem Bereich, auf den der Arm 10-1 zugreifen kann, sind eine Ladeeinheit 11, eine Entladeeinheit 12, Poliereinheiten 13 und 14, eine Wascheinheit 15 und Hilfsräume 18 und 19 zum Installieren zusätzlicher Einheiten in einer hexagonalen Anordnung vorgesehen.
  • In den Hilfsräumen 18 und 19 ist beispielsweise ein Dickenmesser zum Messen der Dicke eines Halbleiterwafers installiert. In diesem Fall wird der Halbleiterwafer S vom Arm 10-1 des zentralen Roboters 10 gehalten und an den Dickenmesser im Hilfsraum 18 gegeben. Vor einem Polierprozeß wird die Dicke des Halbleiterwafers S vom Dickenmesser gemessen, und der Halbleiterwafer S wird dann zur Ladeposition 13-1 der Poliereinheit 13 übertragen.
  • Nach einem Polierprozeß wird der Halbleiterwafer S in der gleichen Weise wie im ersten Ausführungsbeispiel zur Wascheinheit 15 übertragen und in der Wascheinheit 15 gewaschen. Nach einem Waschprozeß wird der Halbleiterwafer S durch den Arm 10-1 der zentralen Roboters an den Dickenmesser im Hilfsraum 18 gegeben. Nach dem Messen einer Dicke des polierten Halbleiterwafers S wird der Halbleiterwafer S durch den Arm 10-2 des zentralen Roboters 10 zur Entladeeinheit 12 übertragen.
  • 8 zeigt eine Poliervorrichtung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die in 8 gezeigten Teile, die identisch sind mit denen von 1, sind durch identische Bezugszeichen bezeichnet. Um den zentralen Roboter 10 mit Armen 10-1 und 10-2 herum und in dem Bereich, auf den der Arm 10-1 zugreifen kann, sind eine Ladeeinheit 11, eine Entladeeinheit 12, zwei Poliereinheiten 13 und 13, eine Poliereinheit 14, eine Wascheinheit 15 zwischen den Poliereinheiten 13 und 13 und eine Wascheinheit 15 zwischen der Poliereinheit 14 und den Entladeeinheit 12 in einer hexagonalen Anordnung vorgesehen. Diese Anordnung wird bevorzugt für den Fall, daß eine Polierzeit der Poliereinheit 13 zweimal so groß ist wie die der Poliereinheit 14.
  • In diesem Fall werden die Übertragung des Halbleiterwafers S von den Poliereinheiten 13 und 13 zur Wascheinheit 15 und die Übertragung des Halbleiterwafers S von der Poliereinheit 14 zur Wascheinheit 15 nicht durch den zentralen Roboter 10 durchgeführt, sondern durch andere Übertragungsmittel, wie beispielsweise durch die Polierkopftragarme 13-3 und 14-3. Jedoch werden das Laden des Halbleiterwafers in die Poliereinheiten 13, 13 und 14 und das Aufnehmen des Halbleiterwafers aus den Wascheinheiten 15 und 15 durch die Arme 10-1 und 10-2 des zentralen Roboters 10 durchgeführt. Das heißt, daß der zentrale Roboter 10 nicht den von den Polier einheften 13, 13 und 14 polierten Halbleiterwafer handhabt, so daß die Arme 10-1 und 10-2 des zentralen Roboters 10 nicht durch den polierten Halbleiterwafer, an dem Schleifaufschlämmung haftet, verschmutzt bzw. kontaminiert werden.
  • 9 zeigt eine Poliervorrichtung gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die in 9 gezeigten Teile, die identisch sind mit denen von 1, sind durch identische Bezugszeichen bezeichnet. Die Poliervorrichtung ist versehen mit einem zentralen Roboter 10 mit nur einem Arm 10-1. In dem Fall, wo nur der Arm 10-1 vorgesehen ist, sind exklusive bzw. separate Übertragungseinrichtungen vorgesehen, und zwar zwischen den Poliereinheiten 13 und 14 und zwischen den Poliereinheiten 13, 14 und der Wascheinheit 15. Dieses System ist anwendbar auf den Fall, wo die Sauberkeit bzw. Reinheit des von der Ladeeinheit 11 entnommenen Halbleiterwafers im wesentlichen gleich ist wie die des zur Entladeeinheit 12 übertragenen Halbleiterwafers.
  • 10 zeigt eine Poliervorrichtung gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die in 10 gezeigten Teile, die identisch sind mit denen von 1, sind durch identische Bezugszeichen bezeichnet. Um einen zentralen Roboter 10 mit Armen herum und in dem Bereich, auf den die Arme zugreifen können, sind eine Ladeeinheit 11, vier Poliereinheiten 13, 14, 21 und 22 und eine Wascheinheit 15 in einer hexagonalen Anordnung vorgesehen. Eine Entladeeinheit 12 ist am Ende der Wascheinheit 15 vorgesehen. Ferner ist ein Speicher 23 benachbart zu der Ladeeinheit 11 und zu der Entladeeinheit 12 angeordnet. Ein automatisch geführtes Fahrzeug 24 wird verwendet, um des polierten Halbleiterwafer S aus dem Speicher 23 zu entnehmen und den zu polierenden Halbleiterwafer in den Speicher 23 zu bringen.
  • Das Laden des Halbleiterwafers S in die Poliereinheiten 13, 14, 21 und 22 und die Wascheinheit 15 und das Herausnehmen des Halbleiterwafers S aus der Ladeeinheit 11 und den Poliereinheiten 13, 14, 21 und 22 wird vollständig durch den zentralen Roboter 10 ausgeführt. Ferner wird die Übertragung bzw. der Transfer des Halbleiterwafers von der Wascheinheit 15 zu der Entladeeinheit 12 durch den zentralen Roboter 10 durchgeführt. Der zentrale Roboter 10 ist mit einem Arm zum ausschließlichen Handhaben eines sauberen Halbleiterwafers (im weiteren als Handhabungsarm für sauberer Wafer bezeichnet) und mit einem Arm zum ausschließlichen Handhaben eines schmutzigen Halbleiterwafers (im weiteren als Handhabungsarm für schmutzige Wafer bezeichnet) versehen. Die Übertragung des Halbleiterwafers von der Ladeeinheit 11 zu einer der Poliereinheiten 13, 14, 21 und 22 und die Übertragung des Halbleiterwafers von der Wascheinheit 15 zur Entladeeinheit 12 werden durch den Handhabungsarm für saubere Wafer durchgeführt, und die Übertragung des Halbleiterwafers zwischen den Poliereinheiten 13, 14, 21 und 22 und die Übertragung des Halbleiterwafers zwischen einer der Poliereinheiten 13, 14, 21 und 22 und der Wascheinheit 15 werden durch den Handhabungsarm für schmutzige Wafer durchgeführt. Beispielsweise dient im Falle der Verwendung des zentralen Roboters gemäß 1 der Arm 10-1 als der Handhabungsarm für saubere Wafer und der Arm 10-2 dient als der Handhabungsarm für schmutzige Wafer. Diese Struktur verhindert soweit als möglich, daß der Halbleiterwafer verschmutzt bzw. kontaminiert wird.
  • Gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel weist die Poliervorrichtung einen zentralen Roboter 10 mit Armen 10-1 und 10-2, der einen universellen Übertragungsroboter zum Übertragen des Halbleiterwafers S zu den jeweiligen Einheiten bildet, und eine Vielzahl von Einheiten auf, die um den zentralen Roboter 10 herum angeordnet sind und eine Ladeeinheit 11 zum Plazieren des zu polierenden Halbleiterwafers S darauf, eine Entladeeinheit 12 zum Plazieren des polierten Halbleiterwafers S darauf, Poliereinheiten 13, 14, 21 und 22, jeweils zum Polieren des Halbleiterwafer S, und eine Wascheinheit 15 zum Waschen des Halbleiterwafers S umfaßt. Der zentrale Roboter 10 ist mit einem Arm zum ausschließlichen Handhaben eines sauberen Halbleiterwafers und mit einem Arm zum ausschließlichen Handhaben eines schmut zigen Halbleiterwafers versehen. Der Arm zum ausschließlichen Handhaben eines schmutzigen Halbleiterwafers wird nach dem Handhaben des schmutzigen Halbleiterwafers durch einen in der Wascheinheit 15 vorgesehenen Waschmechanismus gewaschen.
  • 11 zeigt eine Poliervorrichtung gemäß dem sechsten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Die in 11 gezeigten Teile, die identisch sind mit denen von 1, sind durch identische Bezugszeichen bezeichnet. Bei diesem Ausführungsbeispiel weist die Poliervorrichtung einen zentralen Roboter 10A zum ausschließlichen Handhaben eines sauberen Halbleiterwafers und einen zentralen Roboter 10B zum ausschließlichen Handhaben eines schmutzigen Halbleiterwafers auf. Ferner weist die Poliervorrichtung zwei Poliereinheiten 13, 14 und eine Wascheinheit 15 auf.
  • Mit der obigen Struktur wird ein Halbleiterwafer S durch den zentralen Roboter 10A von einer Ladeeinheit 11 aufgenommen und zu einer Ladeposition 13-1 der Poliereinheit 13 übertragen. Nach einem Polierprozeß wird der Halbleiterwafer S durch den zentralen Roboter 10B aus der Poliereinheit 13 aufgenommen und zu einer Ladeposition 15-1 der Wascheinheit 15 übertragen. Nach einem Waschprozeß wird der Halbleiterwafer S von dem zentralen Roboter 10A von einer Ladeposition 15-3 der Wascheinheit 15 aufgenommen und zu einer Entladeeinheit 12 übertragen. Auf die obige Weise werden ein Polierprozeß und ein Waschprozeß durchgeführt. Ein Polierprozeß durch die Poliereinheit 14 wird auf die gleiche Weise wie oben durchgeführt.
  • Gemäß der Poliervorrichtung dieses Ausführungsbeispiels werden die Halbleiterwafer S gleichzeitig oder mit einer gewissen Zeitverzögerung von den Poliereinheiten 13 und 14 poliert, und jeder der von den Poliereinheiten 13 und 14 polierten Halbleiterwafer S wird durch die Wascheinheit 15 gewaschen. Das heißt, es ist möglich, zwei Halbleiterwafer mit einer Wascheinheit und zwei Poliereinheiten zu behandeln. Insbesondere in dem Fall, wo der Bearbeitungszeitraum bzw. das Bearbeitungsintervall des Halbleiter wafers durch die Wascheinheit, d. h. das Zeitintervall von einem Waschprozeß des vorhergehenden Halbleiterwafers zu einem Waschprozeß des nachfolgenden Halbleiterwafers ausreichend kürzer ist als die Zeit, die zum Polieren der Halbleiterwafer erforderlich ist, gibt es keine Wartezeit beim Polierprozeß durch eine Einschränkung aufgrund des Waschprozesses; somit wird verhindert, daß die Bearbeitungs- bzw. Prozeßgeschwindigkeit verringert wird, und es wird ermöglicht, daß das Gesamtsystem kompakt wird.
  • Ferner können die Poliereinheiten 13 und 14 so eingestellt werden, daß sie den Halbleiterwafer unter verschiedenen Bedingungen polieren, und die Poliereinheiten 13 und 14 können entsprechend gewisser Eigenschaften des Halbleiterwafers ausgewählt werden. Ferner kann der Halbleiterwafer von der Poliereinheit 13 poliert, von der Wascheinheit 15 gewaschen und dann von der Poliereinheit 14 poliert werden. Danach kann der Halbleiterwafer S von der Wascheinheit 15 gewaschen werden. Dies bedeutet, daß der Halbleiterwafer zweimal poliert werden kann. Im übrigen besitzt die Poliervorrichtung die Hilfsräume 18 und 19, wie in 11 gezeigt ist.
  • Gemäß dem sechsten Ausführungsbeispiel weist die Poliervorrichtung zwei zentrale Roboter 10A, 10B, die jeweils einen universellen Übertragungsroboter darstellen zum Übertragen eines Halbleiterwafers S zu den jeweiligen Einheiten, und eine Vielzahl von Einheiten, die um die zentralen Roboter 10A und 10B herum angeordnet sind, und eine Ladeeinheit 11 zum Plazieren eines zu polierenden Halbleiterwafers S darauf, eine Entladeeinheit 12 zum Plazieren eines polierten Halbleiterwafers S darauf, Poliereinheiten 13 und 14, jeweils zum Polieren des Halbleiterwafers S, und eine Wascheinheit 15 zum Waschen des Halbleiterwafers S auf. Der zentrale Roboter 10A handhabt nur einen sauberen Halbleiterwafer, und der zentrale Roboter 10B handhabt nur einen schmutzigen Halbleiterwafer. Der zentrale Roboter 10B wird nach dem Handhaben des schmutzigen Halbleiterwafers von einem in der Wascheinheit 15 vorgesehenen Waschmechanismus gewaschen.
  • Gemäß der Poliervorrichtung der ersten bis sechsten Ausführungsbeispiele wird das Gesamtsystem kompakt, da mindestens eine Poliereinheit zum Durchführen chemisch-mechanischen Polierens und mindestens eine Wascheinheit um einen zentralen Roboter herum angeordnet sind. Daher kann durch Vorsehen eines Gehäuses zum Abdecken des gesamten Systems und einer Auslaßleitung die Poliervorrichtung im Reinraum installiert werden, ohne die Sauberkeit des Reinraums zu vermindern. Ferner kann eine Einsparung von Raum für die Poliervorrichtung im Reinraum erreicht werden.
  • In den obigen Ausführungsbeispielen können, obwohl die Ladeeinheit 11 und die Entladeeinheit 12 getrennt vorgesehen sind, die Ladeeinheit 11 und die Entladeeinheit 12 integral bzw. zusammen vorgesehen werden. Beispielsweise sind in dem Fall, wo ein Halbleiterwafer aus einem Halbleiterwafer enthaltenden Korb aufgenommen wird und nach einem Polierprozeß und einem Waschprozeß in den gleichen Korb gelegt wird, die Ladeeinheit und die Entladeeinheit integral ausgebildet.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung kann eine Poliervorrichtung des Cluster-Typs, die eine Vielzahl von Einheiten einschließlich einer Poliereinheit und einer Wascheinheit integriert, und einen universellen Übertragungsroboter verwendet, aufgebaut werden. Somit können in der Poliervorrichtung, die eine Reihe von Prozessen, einschließlich eines Polierprozesses und eines Waschprozesses, ausführt, Einsparungen beim Einbau- bzw. Installationsraum und eine Verbesserung der Prozeßgeschwindigkeit erreicht werden, und eine Vielzahl von Einheiten, einschließlich mindestens einer Poliereinheit und mindestens einer Wascheinheit, kann effizient kombiniert werden. Genauer gesagt ist es möglich, in dem Fall, in dem das Zeitintervall des Waschprozesses länger ist als die Polierdauer, eine Vielzahl von Halbleiterwafern mit einer Poliereinheit zu behandeln hinsichtlich einer Vielzahl von Wascheinheiten. Ferner, können gemäß der vorliegenden Erfindung ein oder meh rere Polierprozesse und ein oder mehrere Waschprozesse völlig automatisiert werden und eine Änderung der Prozesse kann leicht bewirkt werden.
  • Da ferner gemäß der vorliegenden Erfindung exklusive bzw. separate Mittel zum Handhaben eines sauberen Halbleiterwafers und exklusive bzw. separate Mittel zum Handhaben eines schmutzigen Halbleiterwafers separat vorgesehen sind, kann eine durch den schmutzigen Halbleiterwafer verursachte Verschmutzung bzw. Kontamination von nachfolgenden Halbleiterwafern oder jeweiliger Einheiten der Poliervorrichtung verhindert werden. (20644)

Claims (24)

  1. Vorrichtung zum Polieren und anschließenden Waschen eines Werkstücks, wobei die Vorrichtung folgendes aufweist: Eine Ladeeinheit (11) zum Empfangen eines zu polierenden Werkstücks; eine Poliereinheit (13) zum Polieren des Werkstücks; eine Wascheinheit (15) zum Waschen des Werkstücks; und Transfermittel (10) zum Übertragen des Werkstücks in einem gereinigten und trockenen Zustand zu einer Endladeeinheit (12), wobei die Transfermittel wenigstens einen ersten Transfermechanismus aufweisen zum Übertragen des zu polierenden Werkstücks und zum Übertragen des gereinigten und trockenen polierten Werkstücks und wenigstens einen zweiten Transfermechanismus zum Übertragen des polierten Werkstücks; dadurch gekennzeichnet, dass die Wascheinheit eine Primärwaschstation (15-7) und eine Sekundärwaschstation (15-9) aufweist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der erste Transfermechanismus oder der zweite Transfermechanismus wenigstens einen Roboter aufweist.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, die ferner eine weitere Poliereinheit (14) innerhalb der Vorrichtung zum Polieren eines Werkstücks aufweist.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei eine parallele Verarbeitung und eine serielle Verarbeitung durchgeführt werden können, wobei die parallele Verarbeitung in einer solchen Art und Weise durchgeführt wird, dass die Werkstücke parallel poliert werden in wenigstens zwei der Poliereinheiten, und wobei die serielle Verarbeitung in einer solchen Art und Weise durchgeführt wird, dass eine Primärpolitur des Werkstücks durch eine der Poliereinheiten und eine Sekundärpolitur des Werkstücks durch eine andere der Poliereinheiten durchgeführt wird.
  5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Poliereinheit (13, 14) eine Ladeposition (13-1, 14-1) besitzt, die separat ist von einer Position zu der das Werkstück nach dem Polieren übertragen wird.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei ein Werkstück in der Poliereinheit (13) poliert wird und ein weiteres Werkstück in der anderen Poliereinheit (14) poliert wird, wobei die Werkstücke zu derselben Wascheinheit (15) übertragen werden.
  7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Vorrichtung mit einer Waschaufnahme (15-4) versehen ist, in die das Werkstück platziert wird nach einem Poliervorgang und in der das Werkstück gewaschen wird.
  8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Transfermittel (10) in der Lage sind das Werkstück von der Ladeeinheit aufzunehmen.
  9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Vorrichtung ferner einen Abricht- bzw. Aufbereitungsmechanismus (15-11) aufweist, zum Abrichten bzw. Aufbereiten eines abrasiv wirkenden Tuchs bzw. Elements in der Poliereinheit (13).
  10. Vorrichtung nach Anspruch 3, die ferner Abricht- bzw. Aufbereitungsmechanismen (15-11) aufweist, die jeweils exklusiv zum Aufbereiten eines Drehtischs (13-4, 14-4) jeder der Poliereinheiten, die zum Polieren des Werkstücks verwendet werden, vorgesehen sind.
  11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, die ferner einen Umkehrmechanismus (11-2, 15-6) zum Umkehren bzw. Umdrehen des Werkstücks aufweist.
  12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, die ferner eine Auslassleitung aufweist.
  13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei die Vorrichtung in der Lage ist in einem Reinraum installiert zu werden.
  14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei die Poliereinheit (13, 14) einen Drehtisch (13-4, 14-4) aufweist mit einem Topring (14-5), der drehbar damit assoziiert ist.
  15. Vorrichtung nach Anspruch 7, wobei die Waschaufnahme (15-4) von der Primärwaschstation und der Sekundärwaschstation getrennt ist.
  16. Verfahren zum Polieren und anschließenden Waschen eines Werkstücks in einer Poliervorrichtung, wobei das Verfahren folgendes aufweist: Einführen eines Werkstücks in die Poliervorrichtung; Übertragen des zu polierenden Werkstücks zu einer Poliereinheit durch einen ersten Transfermechanismus; Polieren des Werkstücks in der Poliereinheit um ein poliertes Werkstück zu bilden; Übertragen des polierten Werkstücks von der Poliereinheit durch einen zweiten Transfermechanismus; Waschen des polierten Werkstücks innerhalb der Poliervorrichtung zum Bilden eines gereinigten, polierten Werkstücks; Trocknen des gereinigten, polierten Werkstücks innerhalb der Poliervorrichtung zum Bilden eines gereinigten und getrockneten, polierten Werkstücks; Übertragen des gereinigten und getrockneten, polierten Werkstücks an eine Endladeeinheit durch den ersten Transfermechanismus; und Entfernen des gereinigten und getrockneten, polierten Werkstücks aus der Poliervorrichtung heraus; dadurch gekennzeichnet, dass beim Waschen des polierten Werkstücks das Waschen in einer Primärwaschstation und einer Sekundärwaschstation durchgeführt wird.
  17. Verfahren nach Anspruch 16, wobei die Poliervorrichtung in einem Reinraum installiert ist.
  18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, wobei das Polieren folgendes aufweist: Polieren des Werkstücks durch eine Poliereinheit (13) und Polieren des polierten Werkstücks durch eine weitere Poliereinheit (14).
  19. Verfahren nach Anspruch 18, wobei das Verfahren ferner das Waschen des Werkstücks zwischen den Poliervorgängen aufweist.
  20. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 19, wobei die Reinheit des gereinigten und getrockneten, polierten Werkstücks im Wesentlichen dieselbe ist wie die des Werkstücks, das in die Poliervorrichtung eingeführt wurde.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 20, wobei das Polieren eines Werkstücks in einer Poliereinheit (13) und das Polieren eines weiteren Werkstücks in einer weiteren Poliereinheit (14) aufweist, wobei das Polieren simultan oder mit einer bestimmten Zeitverzögerung durchgeführt wird.
  22. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 21, wobei das Werkstück wenigstens vor oder nach dem Poliervorgang umgedreht wird.
  23. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 22, wobei das Werkstück aus einem Behälter oder Korb, der zu polierende Werkstücke enthält, entnommen wird und das gereinigte und getrocknete, polierte Werkstück in den Behälter oder Korb geladen wird.
  24. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 23, wobei das polierte Werkstück durch ein Fahrzeug (24) von der Poliervorrichtung abgeholt wird und ein zu polierendes Werkstück durch das Fahrzeug (24) zu der Poliervorrichtung befördert wird.
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Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5885138A (en) * 1993-09-21 1999-03-23 Ebara Corporation Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device
US5679060A (en) * 1994-07-14 1997-10-21 Silicon Technology Corporation Wafer grinding machine
IL113829A (en) * 1995-05-23 2000-12-06 Nova Measuring Instr Ltd Apparatus for optical inspection of wafers during polishing
US20070123151A1 (en) * 1995-05-23 2007-05-31 Nova Measuring Instruments Ltd Apparatus for optical inspection of wafers during polishing
KR100487590B1 (ko) * 1995-08-21 2005-08-04 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱장치
US7097544B1 (en) 1995-10-27 2006-08-29 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing system having multiple polishing stations and providing relative linear polishing motion
US5738574A (en) * 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
US5839947A (en) * 1996-02-05 1998-11-24 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP3580936B2 (ja) * 1996-02-26 2004-10-27 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置のプッシャー及びポリッシング装置
EP1498934A3 (de) * 1996-02-28 2005-12-21 Ebara Corporation Wafer-Transportroboter
US6050884A (en) * 1996-02-28 2000-04-18 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP3696690B2 (ja) * 1996-04-23 2005-09-21 不二越機械工業株式会社 ウェーハの研磨装置システム
EP0803326B1 (de) 1996-04-26 2002-10-02 Ebara Corporation Poliervorrichtung
US5904611A (en) * 1996-05-10 1999-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Precision polishing apparatus
US6413156B1 (en) 1996-05-16 2002-07-02 Ebara Corporation Method and apparatus for polishing workpiece
JP3679871B2 (ja) * 1996-09-04 2005-08-03 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置及び搬送ロボット
JP3788533B2 (ja) * 1996-09-30 2006-06-21 東京エレクトロン株式会社 研磨装置および研磨方法
US5702292A (en) * 1996-10-31 1997-12-30 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for loading and unloading substrates to a chemical-mechanical planarization machine
JPH10163138A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法および研磨装置
DE19719503C2 (de) * 1997-05-07 2002-05-02 Wolters Peter Werkzeugmasch Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren von Oberflächen von Halbleiterwafern und Verfahren zum Betrieb der Vorrichtung
US6033521A (en) * 1997-06-04 2000-03-07 Speedfam-Ipec Corporation Tilt mechanism for wafer cassette
US6139406A (en) 1997-06-24 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Combined slurry dispenser and rinse arm and method of operation
US6213853B1 (en) 1997-09-10 2001-04-10 Speedfam-Ipec Corporation Integral machine for polishing, cleaning, rinsing and drying workpieces
TW405158B (en) * 1997-09-17 2000-09-11 Ebara Corp Plating apparatus for semiconductor wafer processing
DE69825143T2 (de) * 1997-11-21 2005-08-11 Ebara Corp. Vorrichtung zum polieren
JPH11204468A (ja) * 1998-01-09 1999-07-30 Speedfam Co Ltd 半導体ウエハの表面平坦化装置
JPH11207606A (ja) * 1998-01-21 1999-08-03 Ebara Corp 研磨装置
EP0987084A4 (de) * 1998-03-09 2006-11-15 Ebara Corp Schleifmaschine
FR2776552B1 (fr) 1998-03-31 2000-06-16 Procedes & Equipement Pour Les Machine modulaire de polissage et de planarisation de substrats
US6132289A (en) * 1998-03-31 2000-10-17 Lam Research Corporation Apparatus and method for film thickness measurement integrated into a wafer load/unload unit
US6220941B1 (en) 1998-10-01 2001-04-24 Applied Materials, Inc. Method of post CMP defect stability improvement
US6271140B1 (en) 1998-10-01 2001-08-07 Vanguard International Semiconductor Corporation Coaxial dressing for chemical mechanical polishing
JP2000187832A (ja) * 1998-10-05 2000-07-04 Exclusive Design Co Inc 磁気ディスク及び他の基板を自動研磨する方法及び装置
JP3045233B2 (ja) * 1998-10-16 2000-05-29 株式会社東京精密 ウェーハ研磨装置
JP3979750B2 (ja) * 1998-11-06 2007-09-19 株式会社荏原製作所 基板の研磨装置
US6319098B1 (en) 1998-11-13 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Method of post CMP defect stability improvement
US7042580B1 (en) * 1999-02-01 2006-05-09 Tokyo Electron Limited Apparatus for imaging metrology
US7177019B2 (en) * 1999-02-01 2007-02-13 Tokyo Electron Limited Apparatus for imaging metrology
US6690473B1 (en) * 1999-02-01 2004-02-10 Sensys Instruments Corporation Integrated surface metrology
US6309279B1 (en) * 1999-02-19 2001-10-30 Speedfam-Ipec Corporation Arrangements for wafer polishing
US6354922B1 (en) 1999-08-20 2002-03-12 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6358128B1 (en) 1999-03-05 2002-03-19 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6328814B1 (en) 1999-03-26 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning and drying substrates
US6220942B1 (en) * 1999-04-02 2001-04-24 Applied Materials, Inc. CMP platen with patterned surface
US6217426B1 (en) 1999-04-06 2001-04-17 Applied Materials, Inc. CMP polishing pad
US6855030B2 (en) * 1999-10-27 2005-02-15 Strasbaugh Modular method for chemical mechanical planarization
JP2001274122A (ja) 2000-03-23 2001-10-05 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェハ研磨装置
JP3510177B2 (ja) * 2000-03-23 2004-03-22 株式会社東京精密 ウェハ研磨装置
JP3556148B2 (ja) * 2000-03-23 2004-08-18 株式会社東京精密 ウェハ研磨装置
JP2001326201A (ja) * 2000-05-16 2001-11-22 Ebara Corp ポリッシング装置
WO2002000112A2 (en) * 2000-06-26 2002-01-03 Boston Medical Technologies, Inc. Glucose metering system
AU2001279242A1 (en) * 2000-08-11 2002-02-25 Sensys Instruments Corporation Bathless wafer measurement apparatus and method
KR100877044B1 (ko) * 2000-10-02 2008-12-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 세정처리장치
WO2002088677A1 (en) * 2001-04-26 2002-11-07 Therma-Wave, Inc. Measurement system cluster
US7089075B2 (en) * 2001-05-04 2006-08-08 Tokyo Electron Limited Systems and methods for metrology recipe and model generation
EP1263022B1 (de) * 2001-05-31 2007-04-25 S.E.S. Company Limited Substratreinigungssystem
US7513062B2 (en) * 2001-11-02 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods
JP4296090B2 (ja) * 2001-11-02 2009-07-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 枚葉式のウエハ乾燥装置及び乾燥方法
JP3920720B2 (ja) * 2002-03-29 2007-05-30 株式会社荏原製作所 基板受渡し方法、基板受渡し機構及び基板研磨装置
US6875076B2 (en) 2002-06-17 2005-04-05 Accretech Usa, Inc. Polishing machine and method
DE10250856A1 (de) 2002-10-25 2004-05-13 Carl Zeiss Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von optischen Gläsern
WO2005044473A1 (de) * 2003-11-10 2005-05-19 Marlena Busarac Vorrichtung zum reinigen von stapelbaren erzeugnissen
KR20070058445A (ko) * 2004-07-02 2007-06-08 스트라스바흐, 인코포레이티드 웨이퍼 처리 방법 및 시스템
KR101165379B1 (ko) * 2004-07-15 2012-07-17 삼성전자주식회사 수신 성능이 향상된 지상파 디지털 방송 송수신 시스템 및그의 신호처리방법
JP2007111283A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Timothy Tamio Nemoto 歯冠研磨装置
US20070181442A1 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for foam removal in an electrochemical mechanical substrate polishing process
KR20110039308A (ko) * 2008-07-01 2011-04-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 모듈형 기부 플레이트 반도체 연마기 구조체
TWI550686B (zh) 2011-11-04 2016-09-21 東京威力科創股份有限公司 基板處理系統、基板運送方法及電腦記憶媒體
US9570311B2 (en) * 2012-02-10 2017-02-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Modular grinding apparatuses and methods for wafer thinning
CN103286676A (zh) * 2013-05-31 2013-09-11 上海华力微电子有限公司 研磨液整理器
CN112091809B (zh) * 2014-10-03 2022-11-29 株式会社荏原制作所 处理组件及处理方法
CN106541329B (zh) * 2015-09-16 2019-01-01 泰科电子(上海)有限公司 集成设备
KR101786485B1 (ko) * 2016-03-08 2017-10-18 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마시스템
JP6727044B2 (ja) * 2016-06-30 2020-07-22 株式会社荏原製作所 基板処理装置
CN107009216A (zh) * 2017-05-08 2017-08-04 重庆都英科技有限公司 一种毛刺打磨设备
CN107053001A (zh) * 2017-05-11 2017-08-18 芜湖市华峰砂轮有限公司 一种半自动砂轮磨床
CN107662156B (zh) * 2017-09-11 2019-02-26 山东时风（集团）有限责任公司 铸件后精整流水线及其精整方法
CN107598763A (zh) * 2017-10-24 2018-01-19 江门市奥伦德光电有限公司 一种多尺寸兼容的晶圆研磨设备及其研磨方法
KR102612416B1 (ko) 2018-12-24 2023-12-08 삼성전자주식회사 세정 장치 및 세정 장치의 구동 방법
CN109822419A (zh) * 2019-03-04 2019-05-31 天通日进精密技术有限公司 晶圆转移装置及晶圆转移方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4141180A (en) * 1977-09-21 1979-02-27 Kayex Corporation Polishing apparatus
US4193226A (en) * 1977-09-21 1980-03-18 Kayex Corporation Polishing apparatus
US4313266A (en) * 1980-05-01 1982-02-02 The Silicon Valley Group, Inc. Method and apparatus for drying wafers
JPS58223561A (ja) * 1982-06-16 1983-12-26 Disco Abrasive Sys Ltd ポリツシングマシン
US4680893A (en) * 1985-09-23 1987-07-21 Motorola, Inc. Apparatus for polishing semiconductor wafers
US4653231A (en) * 1985-11-01 1987-03-31 Motorola, Inc. Polishing system with underwater Bernoulli pickup
JPS63207559A (ja) * 1987-02-19 1988-08-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエ−ハ自動研削装置
US4956944A (en) * 1987-03-19 1990-09-18 Canon Kabushiki Kaisha Polishing apparatus
US4851101A (en) * 1987-09-18 1989-07-25 Varian Associates, Inc. Sputter module for modular wafer processing machine
US4905425A (en) * 1988-09-30 1990-03-06 Shin-Etsu Handotai Company Limited Method for chamfering the notch of a notch-cut semiconductor wafer
US4984392A (en) * 1988-09-29 1991-01-15 Shin-Etsu Handotai Company Limited Chamfering the notch of a semiconductor wafer
JPH0615565A (ja) * 1991-12-18 1994-01-25 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハ自動ラッピング装置
US5329732A (en) * 1992-06-15 1994-07-19 Speedfam Corporation Wafer polishing method and apparatus
JPH0663862A (ja) * 1992-08-22 1994-03-08 Fujikoshi Mach Corp 研磨装置
JP2622069B2 (ja) * 1993-06-30 1997-06-18 三菱マテリアル株式会社 研磨布のドレッシング装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE69433067D1 (de) 2003-09-25
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EP1338384B1 (de) 2006-03-29
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EP0648575A1 (de) 1995-04-19
EP0648575B9 (de) 2001-12-05
DE69424016D1 (de) 2000-05-25
KR100390299B1 (ko) 2003-07-04

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