KR100390299B1 - 폴리싱 장치 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 233
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 133
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 58
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 138
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 26
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 14
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 11
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 127
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 240000006829 Ficus sundaica Species 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
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- B08B1/32—
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B27/00—Other grinding machines or devices
- B24B27/0023—Other grinding machines or devices grinding machines with a plurality of working posts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
- B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B51/00—Arrangements for automatic control of a series of individual steps in grinding a workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
- B24B55/12—Devices for exhausting mist of oil or coolant; Devices for collecting or recovering materials resulting from grinding or polishing, e.g. of precious metals, precious stones, diamonds or the like
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
-
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
Abstract
폴리싱 장치는 여러가지 작업을 수행하기 위한 복수의 유닛을 갖는 클러스터형 장치이다. 상기 폴리싱 장치는 대상물을 이송하기 위한 적어도 하나의 아암을 갖는 유니버셜 이송로봇, 상기 유니버셜 이송로봇 주위에 배치되며 폴리싱되어질 대상물을 놓아주기 위한 로딩유닛, 상기 대상물을 폴리싱하기 위한 적어도 하나의 폴리싱 유닛, 폴리싱되어진 상기 대상물을 세정하기 위한 적어도 하나의 세정 유닛 및 세정된 대상물을 놓아주기 위한 언로딩 유닛을 포함한다. 상기 폴리싱 장치는 서로 인접된 복수의 유닛중의 두 유닛 사이에서 상기 대상물을 이송시켜주기 위한 전용이송 디바이스를 포함한다. 상기 유니버셜 이송로봇은 깨끗한 대상물을 이송하고 상기 전용이송 디바이스는 오염된 대상물을 이송한다.
Description
본 발명은 폴리싱 장치에 관한 것으로서, 특히 반도체 웨이퍼와 같은 대상물을 폴리싱 하기 위한 폴리싱 유닛, 폴리싱 되어진 대상물을 세정하기 위한 세정 유닛 및 대상물을 이송하기 위한 유니버셜 이송로봇을 구비한 폴리싱 장치에 관한 것이다.
최근 반도체 디바이스의 집적화에 있어서의 급격한 진보는 보다 작은 회로배선 패턴 또는 내부배선을 요구하며, 또한 활성 영역간을 연결하는 내부배선 사이의 보다 좁은 공간을 요구하고 있다. 그러한 내부배선을 형성하기 위한 유용한 프로세스중의 하나가 포토리소그라피이다. 포토리소그라피 공정이 최고 0.5㎛ 폭을 갖는 내부배선을 형성할 수 있지만, 그 광학시스템의 초점 깊이가 상대적으로 작기 때문에, 패턴 이미지가 스텝퍼에 의해 집중되는 표면이 가능한 한 평탄할 것이 요구되어 진다.
그러므로, 포토리소그라피를 위해서는 반도체 웨이퍼의 표면이 평탄할 필요가 있다. 반도체 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 상용적인 한 방법은 반도체 웨이퍼를 폴리싱 장치를 사용하여 폴리싱하는 것이다.
일반적으로, 이러한 폴리싱 장치는 반도체 웨이퍼를 폴리싱하는 단일 기능을 가진다. 그러므로, 폴리싱 후 반도체 웨이퍼를 세정하는 경우, 반도체 웨이퍼는 폴리싱 장치로부터 세정 장치로 이송되어져야 한다. 또한, 폴리싱 후 다른 조건하에서 다시 반도체 웨이퍼를 폴리싱하는 경우에는 반도체 웨이퍼는 하나의 폴리싱장치로부터 다른 폴리싱 장치로 이송되어져야 한다. 상기와 같은 경우들에 있어서, 반도체 웨이퍼는 이송 도중에 건조되지 않도록 물속에 넣어지도록 한 이동용 용기를 통하여 수동으로 이송된다. 그러나, 폴리싱 장치 및 세정 장치를 포함하는 여러 장치들이 독립적으로 설치되어져 있고, 상기 반도체 웨이퍼는 물이 담긴 이동용 용기에 의해 이송되기 때문에, 반도체 제조 공장의 크린룸에 폴리싱 장치 및 세정 장치 등을 설치하는 것이 매우 곤란할 뿐만 아니라, 폴리싱 공정 및 세정 공정을 포함한 다양한 공정들을 완전하게 자동화하는 것이 곤란하다. 또한, 폴리싱 장치를 설치하는 클린룸의 스페이스도 많이 필요로 하고, 클린룸의 청정도를 유지하기 위한 설비도 대규모로 되는 문제가 있었다.
또한, 복수대의 폴리싱 장치를 가로로 인접하여 설치하는 경우에도 폴리싱 장치로부터 폴리싱 장치로 폴리싱 대상물을 반송하는 주 반송장치가 폴리싱 슬러리가 부착된 폴리싱 대상물에 의하여 오염되고, 그 후 슬러리가 건조되고 분말형상으로 되어 클린룸을 오염시키는 문제가 있었다. 또, 이 주 반송장치는 중앙 로봇에 의한 것은 아니기 때문에 폴리싱 공정의 순서의 변경에 대응하는 것이 곤란하다는 문제가 있었다.
본 발명은 상술한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 중앙 로봇에 의해 폴리싱 장치 사이 또는 폴리싱 장치와 세정장치 사이에서 폴리싱 대상물의 반송이 가능하고, 설치 스페이스가 적어도 되고, 복수의 폴리싱 공정을 한곳에서 행할 수 있어 전자동화가 가능하고, 또 클린룸내에 설치하는데 적합한 폴리싱장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
제1도는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리싱 장치의 개략적 평면도이고,
제2a도는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리싱 장치를 부분적으로 보여주는 개략적 평면도이고,
제2b도는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리싱 장치에서 세정 유닛을 보여주는 개략적 평면도이고,
제3도는 제2a도의 A1-A2 선의 단면도이고,
제4도는 제2a도의 B1-B2 선의 단면도이고,
제5도는 제2a도의 D1-C3-C2-C1 선의 단면도이고,
제6도는 제2a도의 D1-D2 선의 단면도이고,
제7도는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 폴리싱 장치의 개략적 평면도이고,
제8도는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 폴리싱 장치의 개략적 평면도이고,
제9도는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 폴리싱 장치의 개략적 평면도이고,
제10도는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 폴리싱 장치의 개략적 평면도이고,
제11도는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 폴리싱 장치의 개략적 평면도이다.
본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 대상물의 표면을 폴리싱하고, 폴리싱 되어진 상기 대상물을 세정하기 위한 폴리싱 장치에 있어서, 상기 대상물을 이송하기 위한 적어도 하나의 아암을 갖는 유니버셜 이송로봇; 상기 유니버셜 이송로봇 주위에 배치되며, 폴리싱 되어질 대상물을 놓아두기 위한 로딩유닛, 상기 로딩유닛으로부터 이송된 상기 대상물을 폴리싱 하기 위한 적어도 하나의 폴리싱 유닛, 폴리싱된 상기 대상물을 세정하기 위한 적어도 하나의 세정 유닛 및 상기 세정된 대상물을 놓아두기 위한 언로딩 유닛을 포함하는 복수의 유닛; 및 서로 인접한 상기 복수의 유닛 중의 두 유닛 사이에서 상기 대상물을 이송하기 위한 전용이송 디바이스를 구비하며, 상기 유니버셜 이송로봇은 깨끗한 대상물을 이송하고, 상기 전용이송 디바이스는 오염된 대상물을 이송하도록 한 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치가 제공된다.
본 발명의 상기 제 1 실시예에 따르면, 상기 로딩유닛, 언로딩 유닛, 폴리싱 유닛 및 세정 유닛은 상기 유니버셜 이송로봇 주위에 배치된다. 깨끗한 대상물은 상기 유니버셜 이송로봇에 의해 상기 로딩부로부터 픽업되어, 상기 폴리싱 유닛으로 이송되고, 폴리싱 유닛에 의해 폴리싱 된다. 폴리싱 공정 후, 오염된 대상물은 상기 전용이송 디바이스에 의해 상기 폴리싱 유닛으로부터 세정 유닛으로 이송되어지고, 상기 세정 유닛에 의해 세정된다. 세정공정 후 깨끗한 대상물은 상기 유니버셜 이송로봇에 의해 상기 세정 유닛으로부터 언로딩 유닛으로 이송된다.
본 발명의 제 2 실시예에 따르면, 대상물의 표면을 폴리싱하고, 폴리싱 되어진 상기 대상물을 세정하기 위한 폴리싱 장치에 있어서, 상기 대상물을 이송하기 위한 적어도 두개의 아암을 갖는 유니버셜 이송로봇; 및 상기 유니버셜 이송로봇 주위에 배치되며, 폴리싱 되어질 대상물을 놓아두기 위한 로딩유닛, 상기 로딩유닛으로부터 이송된 상기 대상물을 폴리싱 하기 위한 적어도 하나의 폴리싱 유닛, 폴리싱된 상기 대상물을 세정하기 위한 적어도 하나의 세정 유닛 및 상기 세정 된 대상물을 놓아두기 위한 언로딩 유닛을 포함하는 복수의 유닛을 구비하며; 상기 유니버셜 이송로봇은 깨끗한 대상물을 전용적으로 취급하는 아암과 오염된 대상물을 전용적으로 취급하는 아암을 갖는 것을 특징으로 하는 장치가 제공된다.
본 발명에 상기 제 2 실시예에 따르면 상기 로딩유닛, 상기 언로딩 유닛, 상기 폴리싱 유닛 및 세정 유닛들은 상기 유니버셜 이송로봇 주위에 배치된다. 깨끗한 대상물은 상기 유니버셜 이송로봇의 깨끗한 대상물을 전용적으로 취급하는 아암에 의해 상기 로딩유닛으로부터 픽업되어지고 상기 폴리싱 유닛으로 이송되어, 상기 폴리싱 유닛에 의해 폴리싱 된다. 폴리싱 공정 후 오염된 대상물은 상기 유니버셜 이송로봇의 오염된 대상물을 전용적으로 취급하는 아암에 의해 상기 폴리싱 유닛으로부터 세정 유닛으로 이송되어지고 상기 세정 유닛에 의해 세정 된다. 세정공정 후 깨끗한 대상물은 상기 유니버셜 이송로봇의 깨끗한 대상물을 전용적으로 취급하는 아암에 의해 상기 세정 유닛으로부터 언로딩 유닛으로 이송되어 진다.
본 발명의 제 3 실시예에 따르면, 대상물의 표면을 폴리싱하고, 폴리싱 되어진 상기 대상물을 세정하기 위한 폴리싱 장치에 있어서, 상기 대상물을 이송하기 위한 각기 적어도 하나의 아암을 갖는 두개의 유니버셜 이송로봇; 및 상기 유니버셜 이송로봇들 주위에 배치되며, 폴리싱 되어질 대상물을 놓아두기 위한 로딩유닛, 상기 로딩유닛으로부터 이송된 상기 대상물을 폴리싱 하기 위한 적어도 하나의 폴리싱 유닛, 폴리싱된 상기 대상물을 세정하기 위한 적어도 하나의 세정 유닛 및 상기 세정 된 대상물을 놓아두기 위한 언로딩 유닛을 포함하는 복수의 유닛을 구비하며; 상기 유니버셜 이송로봇중의 하나는 깨끗한 대상물을 이송하고, 다른 하나는 오염된 대상물을 이송하는 것을 특징으로 하는 장치가 제공되어 진다.
본 발명에 상기 제 3 실시예에 따르면 상기 로딩유닛, 상기 언로딩 유닛, 상기 폴리싱 유닛 및 세정 유닛들은 상기 두개의 유니버셜 이송로봇 주위에 배치된다. 깨끗한 대상물은 깨끗한 대상물을 전용적으로 취급하는 상기 유니버셜 이송로봇에 의해 상기 로딩유닛으로부터 픽업되어지고 상기 폴리싱 유닛으로 이송되어, 상기 폴리싱 유닛에 의해 폴리싱된다. 폴리싱공정 후 오염된 대상물은 오염된 대상물을 전용적으로 취급하는 상기 유니버셜 이송로봇에 의해 상기 폴리싱 유닛으로부터 세정 유닛으로 이송되어지고 상기 세정 유닛에 의해 세정된다. 세정공정 후 깨끗한 대상물은 상기 유니버셜 이송로봇의 깨끗한 대상물을 전용적으로 취급하는 상기 유니버셜 이송로봇에 의해 상기 세정 유닛으로부터 언로딩 유닛으로 이송되어 진다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 폴리싱 장치를 제1도를 참조하여 이하 설명한다. 이 실시예에서는, 폴리싱될 대상물로 반도체 웨이퍼를 이용하여 설명할 것이다. 제1도에서 나타낸 바와 같이, 폴리싱 장치는 그 중심부에 아암(10-1) 및 (10-2)을 구비한 중앙 로봇(10)을 가진다. 중앙 로봇(10)은 유니버셜 이송로봇을 구성한다. 중앙 로봇(10) 주위와 아암(10-1)이 접근할 수 있는 영역에는, 폴리싱될 반도체 웨이퍼(S)가 위치하는 로딩유닛(loading unit)(11)과 폴리싱된 반도체 웨이퍼(S)가 위치하는 언로딩 유닛(unloading unit)(13) 및 반도체 웨이퍼(S)를 세정하는 세정 유닛(15)이 설치되어 있다.
폴리싱 유닛(13)은 폴리싱 헤드지지아암(13-3), 턴테이블(13-4) 및 폴리싱 헤드지지아암(13-3)에 회전가능하게 설치된 탑링을 구비한다. 폴리싱 유닛(14)은 폴리싱 헤드지지아암(14-3), 턴테이블(14-4) 및 폴리싱 헤드지지아암(14-3)에 회전가능하게 설치된 탑링을 구비한다. 각 폴리싱 헤드지지아암(13-3) 및 (14-3)은 폴리싱 유닛의 로딩부(13-1), (14-1)로부터 턴테이블(13-4), (14-4)로 반도체 웨이퍼(S)를 이송시키는 전용이송 디바이스를 구성한다. 더욱, 각 폴리싱 헤드지지아암(13-3) 및 (14-3)은 폴리싱 유닛(13), (14)로부터 세정 유닛(15)이 반도체 웨이퍼(S)를 이송시키는 전용이송 디바이스를 구성한다. 폴리싱 장치는 연마포를 드레싱하는 드레싱도구를 턴테이블(13-4)에 위치시키는 테이블(16)과 연마포를 드레싱하는 드레싱도구를 턴테이블(14-4)에 위치시키는 테이블(17)을 구비한다.
폴리싱 장치에서, 폴리싱될 반도체 웨이퍼(S)는 중앙 로봇(10)의 아암(10-1)에 의해 진공하에서 픽업되고, 연마면이 하향되도록 반전된 후에, 폴리싱 유닛(13)의 로딩부(13-1)로 이송된다. 폴리싱 헤드지지아암(13-3)의 탑링은 반도체 웨이퍼(S)를 고정시키고 이 반도체 웨이퍼(S)를 턴테이블(13-4)의 상측면에 부착된 연마포에 밀착시킨다. 이때에, 턴테이블(13-4)이 회전되어, 탑링은 그 자신의 축을 중심으로 회전되면서 폴리싱 헤드지지아암(13-3)에 의해 턴테이블(13-4)상에서회전되어, 반도체 웨이퍼(S)는 폴리싱된다.
폴리싱공정 후에, 반도체 웨이퍼(S)는 폴리싱 헤드지지아암(13-3)에 의해 세정 유닛(15)의 로딩부(15-1)로 이송된다. 반도체 웨이퍼(S)를 로딩부(15-1)에서 해방시키는 폴리싱 헤드지지아암(13-3)은 테이블(16)상에서 드레싱도구(16-1)를 쳐크(chuck)하고 이 드레싱도구(16-1)를 턴테이블(13-4)상의 연마포에 밀착시켜, 연마포를 드레싱한다. 이 드레싱작업은 전용 드레싱기구에 의해 행해진다.
중앙 로봇(10)의 아암(10-1)에 의해 폴리싱 유닛(14)의 로딩부(14-1)로 이송된 반도체 웨이퍼(S)는 또한 폴리싱 헤드지지아암(14-3)의 탑링에 의해 고정되어 턴테이블(14-4)의 상측면에 부착된 연마포에 밀착된다. 폴리싱공정 후에, 반도체 웨이퍼(S)는 세정 유닛(15)의 로딩부(15-2)에 이송된다. 또한, 반도체 웨이퍼(S)를 해방시키는 폴리싱 헤드지지아암(14-3)은 테이블(17)상의 드레싱도구(17-1)를 쳐크하고, 턴테이블(14-4)상의 연마포에 드레싱도구(17-1)를 밀착하여, 연마포를 드레싱한다.
로딩부(15-1) 또는 로딩부(15-2)로 이송된 반도체 웨이퍼(S)는 세정 유닛(15)에서 세정된 다음에, 언로딩부(15-3)로 이송된다. 세정된 반도체 웨이퍼(S)는 중앙 로봇(10)의 아암(10-2)에 의해서 언로딩부(15-3)에서 언로딩 유닛(12)으로 이송된다. 상기 전체동작은 자동적으로 행해진다.
다음에, 폴리싱 유닛(14) 및 세정 유닛(15)이 제2도 내지 제6도를 참조하여 이하 상세히 설명된다. 제2도 내지 제6도는 제1도와 함께 본 발명의 제 1 실시예를 나타낸다. 그러나, 드레싱도구 및 드레싱도구가 위치되는 테이블은 설치되지않고, 전용드레싱도구(15-11)가 설치되어 있다.
제2도에 나타낸 바와 같이, 로딩유닛(11)에 위치된 반도체 웨이퍼(S)는 중앙 로봇(10)의 아암(10-1)에 의해 픽업되고, 반전기구(11-2)에 의해 연마면이 하향으로 반전되어, 폴리싱 유닛(14)의 로딩부(14-1)로 이송된다. 제3도에서, 반도체 웨이퍼(S)는 폴리싱 헤드지지아암(14-3)의 전단부에 설치된 탑링(14-5)에 의해 진공 고정되고 턴테이블(14-4) 위로 이동된다. 그 후에, 탑링(14-5)은 하강하고, 탑링(14-5)에 의해 고정된 반도체 웨이퍼(S)는 턴테이블(14-4)상의 연마포에 밀착되어, 반도체 웨이퍼(S)가 폴리싱된다. 턴테이블(14-4)은 타이밍벨트(14-7)를 통해 모터(14-6)에 의해 회전된다(제4도 참조). 제5도에서 나타내는 바와 같이, 폴리싱공정 후에, 반도체 웨이퍼(S)는 세정 유닛(15)의 로딩부(15-2)의 개구에서, 대기하고 있는 세정 리셉터클(15-4)내로 수용되어, 세정용액으로 세정된다. 세정공정 동안, 로딩부(15-2)의 개구는 셔터(15-5)에 의해 폐쇄된다. 반도체 웨이퍼(S)를 해방시키는 탑링(14-5)은 세정 유닛(15)의 세정기구에 의해 로딩부에서 세정된다.
세정공정후에, 반도체 웨이퍼(S)는 (a)의 방향으로 이동되고 반전기구(15-6)로 이송되어, 이로인해 반도체 웨이퍼(S)는 폴리싱된 면이 상향되도록 반전되어 일차 세정스테이션(15-7)으로 공급된다. 일차세정공정은 일차 세정스테이션(15-7)에서 증류수와 같은 세정용액을 이용하여 실행된다. 그후에, 반도체 웨이퍼(S)는 세정 유닛(15)에서 이송로봇(15-8)에 의해 픽업되고 화살표(b) 및 (c)의 방향으로 이동되어 2차 세정 스테이션(15-9)으로 운반된다. 2차 세정공정은 2차세정스테이션(15-9)에서 순수등의 세정용액을 이용하여 실행된다.
2차 세정공정 후에, 반도체 웨이퍼(S)는 중앙 로봇(10)의 아암(10-2)에 의해 픽업되고, 제6도에서 나타낸 바와 같이, 화살표(d) 및 (e)의 방향으로 이동되어 언로딩 유닛(12)으로 이송된다. 제2도에서 나타낸 바와 같이, 연마포를 턴테이블(14-4)에 드레싱하는 드레싱기구(15-11)가 설치되어 있다. 드레싱기구(15-11)는 제3도에서와 같이 회전용 브러시(15-12)를 구비한다.
제 1 실시예에 따르면, 폴리싱 장치는 아암(10-1) 및 (10-2)을 구비하고 반도체 웨이퍼(S)를 각 유닛으로 이송시키는 유니버셜 이송로봇을 구성하는 중앙 로봇(10)과, 중앙 로봇(10) 주위에 배치되어 폴리싱될 반도체 웨이퍼(S)가 위치되어 있는 로딩유닛(11), 폴리싱된 반도체 웨이퍼(S)가 위치되는 언로딩 유닛(12), 각각 반도체 웨이퍼(S)를 폴리싱하는 폴리싱 유닛(13) 및 (14), 그리고 반도체 웨이퍼(S)를 세정하는 세정 유닛(15)를 포함하는 복수의 유닛으로 구성되어 있다. 폴리싱 장치는 또한 두 인접하는 유닛 사이에서 반도체 웨이퍼(S)를 이송시키는 탑링을 가지는 폴리싱 헤드지지아암(13-3)과, 두 인접하는 유닛 사이에서 반도체 웨이퍼(S)를 이송시키는 탑링을 가지는 폴리싱 헤드지지아암(14-3)를 더 포함한다. 중앙 로봇(10)은 깨끗하고 건조한 반도체 웨이퍼(S)를 취급하며, 폴리싱 헤드지지아암(13-3) 및 (14-3)은 오염되고 젖은 반도체 웨이퍼(S)를 취급한다.
중앙 로봇(10)은 폴리싱되는 반도체 웨이퍼의 로딩전용 아암(10-1)과 폴리싱된 반도체 웨이퍼의 언로딩전용 아암(10-2)을 구비한다. 이 구성은 로딩유닛(11)로부터 이송된 반도체 웨이퍼(S)의 청정도가 언로딩 유닛(12)로 이송된 반도체 웨이퍼(S)의 청정도와 다른 경우에 바람직하다.
다음에, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 폴리싱 장치를 제7도를 참조하여 이하 설명한다. 제1도의 부품과 동일한 제7도의 부품은 동일한 인용부호로 나타낸다. 폴리싱 장치는 그 중심부에 아암(10-1) 및 (10-2)을 가지는 중앙 로봇(10)를 구비한다. 중앙 로봇(10) 주위와 아암(10-1)이 접근할 수 있는 영역에는, 로딩유닛(11), 언로딩 유닛(12), 폴리싱 유닛(13) 및 (14), 세정 유닛(15), 그리고 부가되는 유닛을 설비하기 위한 보조공간(18) 및 (19)이 육각형 구조로 설치되어 있다.
보조공간(18) 및 (19)에는 예를 들어, 반도체 웨이퍼의 두께를 측정하는 두께계측기가 설비된다. 이 경우, 반도체 웨이퍼(S)는 중앙 로봇(10)의 아암(10-1)에 의해 고정되어 보조공간(18)에서 두께계측기로 이송된다. 폴리싱공정 후에, 반도체 웨이퍼(S)의 두께는 두께계측기로 측정된 다음에, 폴리싱 유닛(13)의 로딩부(13-1)로 이송된다.
폴리싱공정 후에, 반도체 웨이퍼(S)는 제 1 실시예와 동일하게 세정 유닛(15)으로 이송되어, 세정 유닛(15)에서 세정된다. 세정공정 후에, 반도체 웨이퍼(S)는 중앙 로봇의 아암(10-1)에 의해 보조공간(18)에서 두께계측기로 이송된다. 폴리싱된 반도체 웨이퍼(S)의 두께를 측정한 후에, 반도체 웨이퍼(S)는 중앙 로봇(10)의 아암(10-2)에 의해 언로딩 유닛(12)에 이송된다.
제8도는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 폴리싱 장치를 나타낸다. 제1도의 부품과 동일한 제8도의 부품은 동일한 인용부호로 나타냈다. 아암(10-1) 및 (10-2)을 가지는 중앙 로봇(10) 주위와 아암(10-1)이 접근할 수 있는 영역에는, 로딩유닛(11), 언로딩 유닛(12), 두개의 폴리싱 유닛(13) 및 (13), 폴리싱 유닛(14), 폴리싱 유닛(13)과 (13) 사이에 설치된 세정 유닛(15) 및 폴리싱 유닛(14)과 언로딩 유닛(12) 사이에 설치된 세정 유닛(15)이 육각형 구조로 제공되어 있다. 이 구성은 폴리싱 유닛(13)의 폴리싱 시간이 폴리싱 유닛(14)의 폴리싱 시간 보다 2배가 소요되는 경우에 바람직하다.
이 경우에, 폴리싱 유닛(13) 및 (13)으로부터 세정 유닛(15)으로의 반도체 웨이퍼(S) 이송과 폴리싱 유닛(14)으로부터 세정 유닛(15)으로의 반도체 웨이퍼(S) 이송은, 중앙 로봇(10)이 아니라 폴리싱 헤드지지아암(13-3) 및 (14-3)등의 다른 이송수단에 의해 실행된다. 그러나, 폴리싱 유닛(13), (13) 및 (14)에 반도체 웨이퍼를 로딩하고, 세정 유닛(15) 및 (15)으로부터 반도체 웨이퍼를 픽업하는 것은 중앙 로봇(10)의 아암(10-1) 및 (10-2)에 의해 실행된다. 즉, 중앙 로봇(10)은 폴리싱 유닛(13), (13) 및 (14)에 의해 폴리싱된 반도체 웨이퍼을 취급하지 않으므로 폴리싱되어 연마슬러리가 부착된 반도체 웨이퍼에 의해 중앙 로봇(10)의 아암(10-1) 및 (10-2)이 오염되지 않도록 한다.
제9도는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 폴리싱 장치를 나타낸다. 제1도의 부품과 동일한 제9도의 부품은 동일한 인용부호로 나타냈다. 폴리싱 장치에는 아암(10-1)만을 가지는 중앙 로봇(10)이 설치되어 있다. 이 경우, 전용 이송장치가 폴리싱 유닛(13)과 (14) 사이에, 폴리싱 유닛(13), (14)과 세정 유닛(15) 사이에 설치된다. 이 시스템은 로딩유닛(11)으로부터 픽업된 반도체 웨이퍼의 청정도가 언로딩 유닛(12)에 이송된 반도체 웨이퍼의 것과 실제적으로 동일한 경우에 적용될수 있다.
제10도는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 폴리싱 장치를 나타낸다. 제1도의 부품과 동일한 제10도의 부품은 동일한 인용부호로 나타낸다. 아암을 가지는 중앙 로봇(10) 주위와 아암이 접근할 수 있는 영역에는, 로딩유닛(11), 네 개의 폴리싱 유닛(13), (14), (21) 및 (22), 세정 유닛(15)이 육각형 구조로 설치되어 있다. 언로딩 유닛(12)은 세정 유닛(15)의 단부에 배치되어 있다. 또한, 저장소(23)는 로딩유닛(11)과 언로딩 유닛(12)에 인접하게 배치되어 있다. 자동반송차(24)는 폴리싱된 반도체 웨이퍼(S)를 저장소(23) 외부로 반출하고 폴리싱될 반도체 웨이퍼를 저장소(23)내로 운송하는데 이용된다.
반도체 웨이퍼(S)를 폴리싱 유닛(13), (14), (21) 및 (22)으로 로딩하고 로딩유닛(11) 및 폴리싱 유닛(13), (14), (21) 및 (22)으로부터 반도체 웨이퍼(S)를 픽업하는 것은, 중앙 로봇(10)에 의해 전체적으로 실행된다. 또한, 반도체 웨이퍼를 세정 유닛(15)으로부터 언로딩 유닛(12)으로 이송하는 것은 중앙 로봇(10)에 의해 실행된다. 중앙 로봇(10)에는 깨끗한 반도체 웨이퍼(S)를 전용 취급하는 아암(이하, 깨끗한 웨이퍼 취급아암으로 언급)과 오염된 반도체 웨이퍼를 전용 취급하는 아암(이하 오염된 웨이퍼 취급아암으로 언급)이 설치되어 있다. 반도체 웨이퍼를 로딩유닛(11)으로부터 폴리싱 유닛(13), (14), (21) 및 (22)중 하나에 이송하는 것과 반도체 웨이퍼를 세정 유닛(15)으로부터 언로딩 유닛(12)으로 이송하는 것은 깨끗한 웨이퍼 취급아암에 의해 실행된다. 그리고 폴리싱 유닛(13), (14), (21) 및 (22) 사이에서 반도체 웨이퍼를 이송하는 것과 폴리싱 유닛(13), (14), (21) 및(22)중 하나로부터 세정 유닛(15)으로 이송하는 것은 오염된 웨이퍼 취급아암에 의해 실행된다. 예를 들어, 제1도의 중앙 로봇(10)을 이용하는 경우, 아암(10-1)은 깨끗한 웨이퍼 취급아암으로 작용하고 아암(10-2)은 오염된 웨이퍼 취급아암으로 작용하게 된다. 이 구조는 반도체 웨이퍼가 가능한 한 오염되지 않도록 한다.
제 5 실시예에 따르면, 폴리싱 장치는 아암(10-1) 및 (10-2)를 가지고 각 유닛에 반도체 웨이퍼(S)를 이송시키는 유니버셜 이송로봇을 구성하는 중앙 로봇(10)과, 중앙 로봇(10) 주위에 배치되어 폴리싱될 반도체 웨이퍼(S)가 위치하는 로딩유닛(11), 폴리싱된 반도체 웨이퍼(S)가 위치하는 언로딩 유닛(12), 반도체 웨이퍼(S)를 각각 폴리싱하는 폴리싱 유닛(13), (14), (21) 및 (22) 및 반도체 웨이퍼(S)를 세정하는 세정 유닛(15)을 포함하는 복수의 유닛을 포함한다. 중앙 로봇(10)에는 깨끗한 반도체 웨이퍼를 전용 취급하는 아암과 오염된 반도체 웨이퍼를 전용 취급하는 아암이 설치되어 있다. 오염된 반도체 웨이퍼를 전용 취급하는 아암은 오염된 반도체 웨이퍼를 취급한 후에 세정 유닛(15)에 설치된 세정기구에 의해 세정된다.
제11도는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 폴리싱 장치를 나타낸다. 제1도의 부품과 동일한 제11도의 부품은 동일한 인용부호로 나타낸다. 이 실시예에서, 폴리싱 장치는 깨끗한 반도체 웨이퍼를 전용 취급하는 중앙 로봇(10A)와 오염된 반도체 웨이퍼를 전용 취급하는 중앙 로봇(10B)를 포함한다. 더욱, 폴리싱 장치는 두개의 폴리싱 유닛(13), (14)과 세정 유닛(15)을 포함한다.
상기 구조로, 반도체 웨이퍼(S)가 중앙 로봇(10A)에 의해 로딩유닛(11)으로부터 픽업되어, 폴리싱 유닛(13)의 로딩부(3-1)로 이송된다. 폴리싱공정 후,반도체 웨이퍼(S)는 중앙 로봇(10B)에 의해 폴리싱 유닛(13)으로부터 픽업되어 세정 유닛(15)의 로딩부(15-1)로 이송된다. 세정공정 후, 반도체 웨이퍼(S)는 중앙 로봇(10A)에 의해 세정 유닛(15)의 로딩부(15-3)로부터 픽업되어 언로딩 유닛(12)으로 이송된다. 폴리싱 유닛(14)에 의한 폴리싱공정은 상기의 동일한 방법으로 실행된다.
본 실시예의 폴리싱 장치에 의하면, 반도체 웨이퍼들(S)은 폴리싱 유닛에 의해 동시에 또는 일정한 시간 지연되어 폴리싱되고, 폴리싱 유닛(13) 및 (14)에 의해 폴리싱된 반도체 웨이퍼(S) 각각은 세정 유닛(15)에 의해 세정된다. 즉, 두개의 폴리싱 유닛에 관련하여 하나의 세정 유닛에 의해 두 반도체 웨이퍼를 다루는 것이 가능하다. 특히, 세정 유닛에 의한 반도체 웨이퍼의 처리간격, 즉 이전의 반도체 웨이퍼의 세정공정부터 뒤이은 반도체 웨이퍼의 세정공정까지의 시간간격은 반도체 웨이퍼를 폴리싱 하는데 소요되는 시간보다 충분히 짧아지는 경우에, 세정공정으로 인한 제약을 받아 폴리싱공정시 대기시간이 없으므로, 처리속도가 떨어지지 않고 전시스템의 규모가 소형화 될 수 있다.
또한, 폴리싱 유닛(13) 및 (14)는 다른 조건의 반도체 웨이퍼를 폴리싱 하도록 설정되어 있어, 반도체 웨이퍼의 특성에 따라 선택될 수 있다. 더욱, 반도체 웨이퍼는 폴리싱 유닛(13)에 의해 폴리싱 되고, 세정 유닛(15)에 의해 세정된 다음에, 폴리싱 유닛(14)에 의해 폴리싱될 수 있다. 그 후, 반도체 웨이퍼(S)는 세정 유닛(15)에 의해 세정된다. 즉, 반도체 웨이퍼는 두 번 폴리싱될 수 있다. 부수적으로, 폴리싱 장치는 제11도에서 나타낸 바와 같이 보조공간(18) 및 (19)을 가지고 있다.
제 6 실시예에 따르면, 폴리싱 장치는 각각 반도체 웨이퍼(S)를 각 유닛에 이송시키는 유니버셜 이송로봇을 구성하는 두 중앙 로봇(10A), (10B)와, 중앙 로봇(10A) 및 (10B)의 주위에 배치되어 폴리싱될 반도체 웨이퍼(S)가 위치되는 로딩유닛(11), 폴리싱된 반도체 웨이퍼(S)가 위치되는 언로딩 유닛(12), 반도체 웨이퍼(S)를 각각 폴리싱 하는 폴리싱 유닛(13) 및 (14) 및 폴리싱된 반도체 웨이퍼(S)를 세정하는 세정 유닛(15)을 포함하는 복수의 유닛을 포함한다. 중앙 로봇(10A)은 깨끗한 반도체 웨이퍼만을 취급하고, 중앙 로봇(10B)은 오염된 반도체 웨이퍼만을 취급한다. 중앙 로봇(10B)은 오염된 반도체 웨이퍼를 취급한 후에, 세정 유닛(15)에 설치된 세정기구에 의해 세정된다.
제 1 내지 제 6 실시예의 폴리싱 장치에 따르면, 화학적 기계적 폴리싱을 실행하는 적어도 하나의 폴리싱 유닛과 적어도 하나의 세정 유닛이 중앙 로봇 주위에 배치되어 있기 때문에, 전시스템은 규모가 소형화 될 수 있다. 따라서, 전시스템과 배기관을 덮는 하우징을 제공하여, 폴리싱 장치는 크린룸에 그 청정도를 떨어뜨리지 않고 설치될 수 있다. 또한, 크린룸에 폴리싱 장치를 설비하는 공간의 절약이 성취될 수 있다.
상기 실시예들에서 로딩유닛(11)과 언로딩 유닛(12)은 분리설치 되어있지만, 로딩유닛(11)과 언로딩 유닛(12)은 일체로 설치될 수도 있다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼가 반도체 웨이퍼를 수용하는 바스켓으로부터 픽업되고 폴리싱공정 및 세정공정 후에 동일한 바스켓내로 수납되는 경우에는, 로딩유닛과 언로딩 유닛이 일체로 형성되어 있다.
본 발명에 따르면, 폴리싱 유닛과 세정 유닛을 포함하는 복수의 유닛을 일체화하고 유니버셜 이송로봇을 이용하는 클러스터형 폴리싱 장치가 구성될 수 있다. 따라서, 폴리싱공정과 세정공정을 포함하는 일련의 공정을 실행하는 폴리싱 장치에서, 설비공간의 절약과 처리속도의 개선을 성취할 수 있으며, 적어도 하나의 폴리싱 유닛과 적어도 하나의 세정 유닛을 포함하는 복수의 유닛이 효과적으로 조합될 수 있다. 더욱, 상세하게는, 폴리싱 시간이 세정공정 시간보다 더 긴 경우에, 복수의 폴리싱 유닛에 관련하여 하나의 세정 유닛에 의해 복수의 반도체 웨이퍼를 다룰 수 있다. 반대로, 세정공정 시간이 폴리싱 시간 보다 더 긴 경우에, 복수의 세정 유닛에 관련하여 하나의 폴리싱 유닛에 의해 복수의 반도체 웨이퍼를 다룰 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 하나 이상의 폴리싱공정과 하나 이상의 세정공정이 완전히 자동화될 수 있으며 공정의 변경이 용이하게 행해질 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 깨끗한 반도체 웨이퍼를 취급하는 전용수단과 오염된 반도체 웨이퍼를 취급하는 전용수단이 개별적으로 설치되어 있어, 뒤이은 반도체 웨이퍼의 오염 및 오염된 반도체 웨이퍼에 의한 폴리싱 장치의 각 유닛의 오염을 방지할 수 있다.
Claims (39)
- 대상물의 폴리싱 및 세정 방법으로서, 상기 방법은:상기 폴리싱될 대상물을 제 1 이송 디바이스를 이용해 로딩 유닛에서 폴리싱 유닛으로 이송하고;상기 대상물은 적어도 하나의 폴리싱 유닛에서 폴리싱되며;폴리싱 후의 상기 폴리싱 된 대상물을 젖은 조건 하에서 폴리싱된 대상물의 이송에 사용되는 제 2 이송 디바이스를 이용해 적어도 하나의 세정 유닛으로 이송하고;상기 세정되고 폴리싱된 대상물을 세정 후에 제 1 이송 수단을 이용해 언로딩 유닛으로 이송하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 방법.
- 대상물의 폴리싱 및 세정 장치로서, 상기 장치는:공기를 갖는 수납구조체로서, 상기 공기가 상기 수납구조체 외부로 유출되는 것을 막는 수납구조체;폴리싱될 대상물을 받아들이는 로딩 유닛;상기 대상물을 폴리싱하여 폴리싱된 대상물로 만드는 상기 수납구조체 내의 폴리싱 시스템;상기 폴리싱된 대상물을 세정하여 깨끗한 폴리싱된 대상물로 만드는 상기수납구조체 내의 세정 시스템; 및건조되고 깨끗한 폴리싱된 대상물을 받아들이는 언로딩 유닛을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 2항에 있어서,상기 대상물은 그 위에 배선이 이루어진 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 대상물의 폴리싱 및 세정 장치로서, 상기 장치는:하우징 내의 대기를 포함하며, 상기 대기가 상기 하우징 외부로 유출되는 것을 막는 하우징;폴리싱될 대상물을 받아들이는 로딩 유닛;상기 대상물을 폴리싱하여 폴리싱된 대상물로 만드는 상기 하우징 내의 폴리싱 시스템;상기 폴리싱된 대상물을 세정하여 깨끗한 폴리싱된 대상물로 만드는 상기 하우징 내의 세정 시스템;건조되고 깨끗한 폴리싱된 대상물을 받아들이는 언로딩 유닛;상기 폴리싱 시스템에서 상기 세정 시스템으로 상기 폴리싱된 대상물의 이송을 위한 제 1 로봇; 및상기 언로딩 유닛으로 상기 건조되고 깨끗한 폴리싱된 대상물의 이송을 위한제 2 로봇을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 4항에 있어서,상기 대상물은 그 위에 배선이 이루어진 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 대상물의 폴리싱 및 세정 장치로서, 상기 장치는:상기 복수의 대상물을 포함할 수 있는 용기;공기를 갖는 수납구조체로서, 상기 공기가 상기 수납구조체 외부로 유출되는 것을 막는 수납구조체;상기 대상물을 폴리싱하여 폴리싱된 대상물로 만드는 상기 수납구조체 내의 폴리싱 시스템;상기 폴리싱된 대상물을 세정하여 깨끗한 폴리싱된 대상물로 만드는 상기 수납구조체 내의 세정 시스템;상기 폴리싱 시스템에서 상기 세정 시스템으로 상기 폴리싱된 대상물의 이송을 위한 제 1 로봇; 및상기 용기로 상기 건조되고 깨끗한 폴리싱된 대상물의 이송을 위한 제 2 로봇을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 6항에 있어서,상기 대상물은 배선이 그 위에 이루어진 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 대상물의 폴리싱 및 세정 장치로서, 상기 장치는:폴리싱될 대상물을 받아들이는 로딩 유닛;상기 대상물의 폴리싱을 위한 폴리싱 유닛;상기 대상물의 세정을 위한 세정 유닛;건조되고 깨끗한 상태의 상기 대상물을 언로딩 유닛으로 이송하기 위한 제 1 로봇을 포함하여 이루어지며,상기 폴리싱 유닛과 세정 유닛은 공통 하우징 내에 장착된 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 2항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 수납구조체 또는 상기 하우징은 크린룸 내에 설치된 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 2항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서상기 폴리싱 유닛에서 상기 세정 유닛으로 상기 대상물의 이송은 하나의 로봇 또는 다른 로봇에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정장치.
- 제 2항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하우징 또는 상기 수납구조체 내의 대상물의 다른 폴리싱 시스템을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 2항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 폴리싱 시스템은 대상물이 폴리싱된 후 이송되는 위치로부터 구별되는 로딩 포지션을 갖는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 11항에 있어서,하나의 대상물은 하나의 폴리싱 시스템에서 폴리싱되고, 다른 대상물은 다른 폴리싱 시스템에서 폴리싱되며, 상기 대상물은 동일한 세정 시스템으로 이송 되어지는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 2항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 세정 시스템은 1차 세정 스테이션과 2차 세정 스테이션을 포함하여 이루지는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 2항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 폴리싱 시스템은 상기 대상물이 폴리싱되는 동안 고정시키는 탑링을 포함하여 이루지는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 15항에 있어서,상기 탑링이 상기 대상물을 놓아 상기 대상물이 가볍게 씻겨지는 해방 포지션을 더 포함하고 있으며, 상기 해방 포지션은 상기 1차 세정 스테이션과 상기 2차 세정 스테이션으로부터 분리되어져 있는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치
- 제 14항에 있어서,상기 탑링은 상기 대상물을 해방시킨 후에 세정기에 의해 세정되는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 4항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 로봇 또는 제 2 로봇은 상기 로딩 유닛 또는 상기 용기로부터 상기 대상물을 픽업하도록 조정되는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 2항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,턴테이블 상의 연마포의 드레싱을 위한 드레싱기를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 2항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 대상물을 폴리싱 하기 위해서 사용되는 턴테이블을 독점적으로 드레싱하는 각각의 드레싱기를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 2항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 대상물을 반전시키기 위한 반전기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 4항 또는 제 6항에 있어서,상기 제 1 로봇을 세정하는 세정기를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 2항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,배기관을 더 포함 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 2항, 제 4항, 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 로딩 유닛과 상기 언로딩 유닛은 일체로 형성되어 있는 것을 특징으로하는 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 2항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 대상물을 측정하는 계측기를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 2항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하우징 또는 상기 수납구조체는 크린룸 내에 장착되도록 조정되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 2항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,각 폴리싱 시스템은 회전 가능하도록 결합된 하나의 탑링을 구비하는 턴테이블을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리싱 및 세정 장치.
- 대상물의 폴리싱 및 세정 장치로서, 상기 장치는:폴리싱될 대상물을 받아들이는 로딩 유닛;상기 대상물을 폴리싱하기 위한 폴리싱 유닛;상기 대상물을 세정하기 위한 세정 유닛;건조되고 깨끗한 상태의 폴리싱된 대상물을 받아들이는 언로딩 유닛; 및건조하고 깨끗한 조건 하에서 상기 대상물을 로딩 유닛으로부터 이송하고 상기 대상물을 상기 언로딩 유닛으로 이송하는 로봇을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 28항에 있어서,상기 로봇은:상기 폴리싱될 대상물을 상기 로딩 유닛으로부터 픽업하는 하나의 로봇아암과 폴리싱되고 세척되고 건조된 대상물을 상기 언로딩 유닛으로 이송하는 다른 로봇아암을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 대상물의 폴리싱 및 세정 장치로서, 상기 장치는:폴리싱될 대상물을 받아들이는 로딩 유닛;상기 대상물을 폴리싱하기 위한 폴리싱 유닛;상기 대상물을 세정하기 위한 세정 유닛;건조되고 깨끗한 상태의 폴리싱된 대상물을 받아들이는 언로딩 유닛; 및상기 대상물을 이송하는 로봇을 포함하여 이루어지고;상기 로딩 유닛과 언로딩 유닛은 일체로 제공되어지는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 30항에 있어서,상기 폴리싱될 대상물을 포함하고 폴리싱된 대상물을 회수하는 용기는 로딩유닛에 제공되어지는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 대상물을 폴리싱하기 위한 장치로서, 상기 장치는:폴리싱될 대상물을 받아들이는 로딩 유닛;상기 대상물을 폴리싱하기 위한 폴리싱 유닛; 및상기 대상물을 상기 폴리싱 유닛에서 또는 상기 폴리싱 유닛으로 이송하기 위한 이송로봇을 포함하여 이루어지며,상기 이송로봇은:상기 폴리싱될 대상물을 상기 폴리싱 유닛으로 이송시키는 제 1 이송아암과 상기 폴리싱된 대상물을 상기 폴리싱 유닛으로부터 이송시키는 제 2 이송아암을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대상물 폴리싱 장치.
- 제 32항에 있어서,상기 제 1 이송아암은 깨끗한 대상물을 다루고, 상기 제 2 이송아암은 오염된 대상물을 다루는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 장치.
- 대상물의 폴리싱 및 세정 장치로서, 상기 장치는:폴리싱될 대상물을 받아들이는 로딩 유닛;상기 대상물을 폴리싱하기 위한 폴리싱 유닛;상기 대상물을 세정하기 위한 세정 유닛;깨끗한 조건 하에서 상기 대상물을 이송하는 제 1 이송 디바이스; 및상기 제 1 이송 디바이스와 구별되는 오염된 조건 하에서 상기 대상물을 이송하는 제 2 이송 디바이스를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대상물 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 34항에 있어서,상기 제 1 이송 디바이스는 이송 로봇의 하나의 로봇아암이고, 상기 제 2 이송 디바이스는 이송로봇의 다른 로봇아암인 것을 특징으로 하는 대상물 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 34항에 있어서,상기 제 1 이송 디바이스는 하나의 로봇으로 구성되고, 상기 제 2 이송 디바이스는 다른 로봇으로 구성되는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 대상물의 폴리싱 및 세정 장치로서, 상기 장치는:각각 대상물을 폴리싱하기 위한 복수의 폴리싱 유닛을 포함하여 이루어지며,병행 공정과 일련 공정을 선택할 수 있으며, 상기 병행 공정은 적어도 두개의 폴리싱 유닛에 의해 대상물이 병행되어 폴리싱되는 방식으로 수행되고, 상기 일련 공정은 대상물의 주 폴리싱은 상기 폴리싱 유닛 중 하나에 의해 수행되고 대상물의 보조 폴리싱은 상기 폴리싱 유닛 중 다른 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 37항에 있어서,폴리싱된 대상물을 세정하는 세정 유닛을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
- 제 38항에 있어서,상기 일련 공정에서, 대상물이 주 폴리싱과 보조 폴리싱 사이의 상기 세정 유닛에서 세정되는 것을 특징으로 하는 대상물의 폴리싱 및 세정 장치.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-1993-00259396 | 1993-09-21 | ||
JP25939693 | 1993-09-21 | ||
KR1019940023793A KR100390293B1 (ko) | 1993-09-21 | 1994-09-17 | 폴리싱장치 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940023793A Division KR100390293B1 (ko) | 1993-09-21 | 1994-09-17 | 폴리싱장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100390299B1 true KR100390299B1 (ko) | 2003-07-04 |
Family
ID=17333556
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940023793A KR100390293B1 (ko) | 1993-09-21 | 1994-09-17 | 폴리싱장치 |
KR1020030020005A KR100390299B1 (ko) | 1993-09-21 | 2003-03-31 | 폴리싱 장치 |
KR1020030020006A KR100390300B1 (ko) | 1993-09-21 | 2003-03-31 | 폴리싱 장치와 폴리싱 방법 및 반도체장치 제조방법 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940023793A KR100390293B1 (ko) | 1993-09-21 | 1994-09-17 | 폴리싱장치 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030020006A KR100390300B1 (ko) | 1993-09-21 | 2003-03-31 | 폴리싱 장치와 폴리싱 방법 및 반도체장치 제조방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5616063A (ko) |
EP (4) | EP1642679B1 (ko) |
KR (3) | KR100390293B1 (ko) |
DE (4) | DE69435110D1 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE69433067T2 (de) | 2004-06-03 |
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KR100390300B1 (ko) | 2003-07-04 |
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KR100390293B1 (ko) | 2003-09-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
EXPY | Expiration of term |