JP2011526843A - モジュール式ベースプレート半導体研磨機アーキテクチャ - Google Patents
モジュール式ベースプレート半導体研磨機アーキテクチャ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011526843A JP2011526843A JP2011516456A JP2011516456A JP2011526843A JP 2011526843 A JP2011526843 A JP 2011526843A JP 2011516456 A JP2011516456 A JP 2011516456A JP 2011516456 A JP2011516456 A JP 2011516456A JP 2011526843 A JP2011526843 A JP 2011526843A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- heads
- station
- stand
- alone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 255
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
- B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
本発明は、一般に研磨システムに関する。本発明は、具体的には、1つまたは複数のモジュール式研磨ステーション、および移送システムに移動可能に接続される複数の研磨ヘッドを有する研磨装置に関する。
Description
本発明の実施形態は一般に、半導体基板を処理するための装置および方法に関する。具体的には、本発明の実施形態は、半導体基板を研磨するための装置および方法を提供する。
サブミクロンの多層金属化は、次世代の超大規模集積化(ULSI)のための主要技術の1つである。この技術の中心にある多層相互接続は、コンタクト、ビア、トレンチおよび他のフィーチャを含む高アスペクト比開口部に形成される相互接続フィーチャの平坦化を必要とする。これらの相互接続フィーチャの信頼できる形成は、ULSIの成功にとってならびに個別の基板およびダイについて回路密度および品質を向上させるための継続的な努力にとって非常に重要である。
集積回路および他の電子デバイスの製作では、導電性、半導電性、および誘電性材料の多層は、基板の表面に堆積されるまたは基板の表面から除去される。導電性、半導電性、および誘電性材料の薄層は、多数の堆積技術によって堆積されることもある。材料の層が連続して堆積され、除去されるとき、基板の最上面は、その表面を横切って非平面状になり、平坦化を必要とすることもある。
平坦化は一般に、化学機械研磨(CMP)および/または電気化学機械堆積(ECMP)を使用して行われる。平坦化方法は典型的には、研磨されるべき基板の表面が露出した状態で、基板がウェハーヘッドに取り付けられることを必要とする。ヘッドによって支持される基板は次いで、回転研磨パッドに接触して置かれる。基板をつかんでいるヘッドはまた、基板と研磨パッド表面との間に追加の運動を提供するために回転することもある。さらに、研磨スラリー(典型的には、基板の最上膜層の研磨を増進するように選択される研磨材および少なくとも1つの化学反応剤をその中に包含する)は、研磨化学溶液をパッドと基板との間の界面に提供するためにパッドに供給される。研磨パッド特性、特定のスラリー混合物、および他の研磨パラメータの組合せは、特定の研磨特性を提供することができる。
研磨は一般に、所望の結果を達成するために、各々が特定の研磨特性を有する3つ以下の研磨ステーションにおいて多重ステップで行われる。したがって、研磨システムは一般に、各々が特定の研磨ステップを行うように構成される2つまたは3つの研磨ステーションを有する。従来の研磨システムは一般に、2つまたは3つの研磨ステーションおよび少なくとも1つのロードカップがその上に配置される1つのメインフレームを有する。従来の研磨システムはまた、メインフレームに移動可能に位置決めされる多重研磨ヘッドも有する。従来の研磨システムでは、異なるプロセス要件を満たすため、または変化に順応するための研磨ステーション構成の柔軟性に限界がある。
したがって、さまざまなプロセス要件を満たすためのシステム構成の柔軟性を提供する研磨装置への必要性がある。
本発明は一般に、研磨システムに関する。具体的には、本発明は、1つまたは複数のモジュール式研磨ステーションを有する研磨装置に関する。
本発明の一実施形態は、処理容積部を規定するフレームと、処理容積部に移動可能に配置される複数の研磨ヘッドであって、各々が処理の間に基板を保持して移送する複数の研磨ヘッドと、フレームに結合される移送機構であって、複数の研磨ヘッドを処理容積部で移動させる移送機構と、処理容積部に配置される2つ以上の独立型研磨ステーションであって、各々が複数の研磨ヘッドの各々を受け取り、同研磨ヘッドの各々と相互作用する研磨パッドを含んでおり、移送機構および複数の研磨ヘッドに影響を及ぼすことなく再構成できる2つ以上の独立型研磨ステーションとを含む、半導体基板研磨システムを提供する。
本発明の別の実施形態は、支持フレームと、支持フレームに結合されるトラックアセンブリと、トラックアセンブリに移動可能に結合される1つまたは複数の研磨ヘッドであって、トラックアセンブリが経路を規定しており、この経路に沿って独立して移動可能な1つまたは複数の研磨ヘッドと、経路に沿って配置される第1および第2の独立型研磨ステーションであって、各々が1つまたは複数の研磨ヘッドを受け取って、同研磨ヘッドによって保持される基板を処理する第1および第2の独立型研磨ステーションとを含む、半導体基板研磨システムを提供する。
本発明の別の実施形態は、本体と、本体に配置されるプラテンアセンブリであって、研磨パッドがプラテンに配置されるプラテンアセンブリと、本体に配置されるインターフェースアセンブリであって、研磨ステーションを、研磨溶液源、電力源、およびコントローラに接続するインターフェースアセンブリと、研磨ステーションが容易に移動できるように構成される移動機構とを含む、独立型研磨ステーションを提供する。
本発明の上に列挙した特徴が詳細に理解されるように、実施形態を参照することにより、上に要約した本発明のさらに詳しい説明を行う。それら実施形態の一部は添付図面に示されている。しかしながら、本発明は、他の同等に効果的な実施形態を認めることができるため、添付図面はこの発明の典型的な実施形態を例示しているにすぎず、したがって、本発明の範囲を限定しないことに留意すべきである。
理解を容易にするために、可能であれば、複数の図に共通する同一の要素を指定するために同一の参照数字が使用されている。一実施形態で開示される要素は、明確に記載してなくとも他の実施形態で有益に利用することができると考えられる。
本発明の実施形態は一般に、化学機械研磨(CMP)システムまたは電気化学機械研磨(ECMP)システムで基板を移送し、支持するための装置および方法に関する。本発明の一実施形態では、2つ以上の独立型研磨ステーションが研磨プロセスを完了するために組み立てられ、複数の研磨ヘッドを2つ以上の独立型研磨ステーションの間で独立して移送するために移送機構が使用される。一実施形態では、2つ以上の独立型研磨ステーションの構成は、移送システムおよび複数の研磨ヘッドから分離される。一実施形態では、独立型研磨ステーションは、研磨ステーションの構成、再構成、または整備のための移動を容易にする移動機構を含む。一実施形態では、独立型研磨ステーションの移動機構は脚輪を含む。別の実施形態では、独立型研磨ステーションは研磨の間独立型研磨ステーションを適切な位置にロックする位置決め機構も含む。一実施形態では、トラックシステムは、1つまたは複数の研磨ヘッドが、2つ以上の独立型研磨ステーションの間で独立して移送するために使用される。一実施形態では、トラックは円形である。
図1Aは、本発明の一実施形態による研磨システム100の概略斜視図である。図1Bは、図1Aの研磨システム100の概略断面図である。
研磨システム100は、研磨プロセスで使用する装置を支持するシステムフレーム101を含む。移送機構102は、システムフレーム101に結合される。複数の研磨ヘッド103は、移送機構102に移動可能に結合される。複数の研磨ヘッド103の各々は、研磨の間基板を保持し、移送する。研磨システム100はさらに、2つ以上の独立型研磨ステーション105を含む。独立型研磨ステーション105の各々は、複数の研磨ヘッド103を受け取り、同ヘッド上に保持される基板を処理する。移送機構102は、複数の研磨ヘッド103の各々を独立して移動させ、処理の間に複数の研磨ヘッド103の各々を2つ以上の独立型研磨ステーション105と整列させる。一実施形態では、研磨システムはさらに、基板を複数の研磨ヘッド103の各々へロードし、および複数の研磨ヘッド103の各々からアンロードするローディングアセンブリ104を含む。
一実施形態では、独立型研磨ステーション105は、モジュール式処理ステーションであり、移送機構102および複数の研磨ヘッド103から構造的に分離される。したがって、独立型研磨ステーション105は、ローディングアセンブリ104と一緒に、互いに対して、または移送機構および複数の研磨ヘッド103に対して影響を及ぼすことなく、独立して構成、再構成、または整備することができる。
システムフレーム101は、移送機構102および複数の研磨ヘッド103に構造支持を提供する。一実施形態では、システムフレーム101は、上部フレーム111および上部フレーム111に結合される4つの支柱112を含む。システムフレーム101は、移送機構102、複数の研磨ヘッド103、独立型研磨ステーション105、およびローディングアセンブリ104を保持するための処理容積部113を規定する。一実施形態では、処理容積部113は、支柱112に移動可能に結合される扉を使用して周囲を囲み、外部から隔離することができる。
一実施形態では、移送機構102は、複数の研磨ヘッド103を処理容積部113の上方部分に位置決めするために上部フレーム111に結合される。一実施形態では、移送機構102は、接続部品114によって上部フレーム111からつるされる。
一実施形態では、移送機構102は、複数の研磨ヘッド103を経路に沿って移動させるトラックアセンブリ120を含む。トラックアセンブリ120は、研磨ヘッド103がそれに沿って移動できる経路を規定するトラック本体110を含む。トラックアセンブリ120はさらに、トラック本体110に移動可能に接続される1つまたは複数のキャリッジ109を含む。1つまたは複数のキャリッジ109の各々は、少なくとも1つの研磨ヘッド103を運ぶように構成される。
トラックアセンブリ120は、研磨ヘッドの各々が、研磨ステーション105、ローディングアセンブリ104、または洗浄ステーションなどの、処理レシピに必要とされる任意の他の処理ステーションにアクセスできるようにするための経路を規定する。トラックアセンブリ120によって規定される経路は、直線状、曲線状、閉ループ状、円形、またはそれらの組合せの形状であってもよい。
一実施形態では、トラックアセンブリ120は、経路を規定する固定子ストリップを含み、その経路に沿って複数の研磨ヘッド103が、研磨ヘッドの各々に結合される回転子と固定子ストリップとの間の相互作用によって移動できる。一実施形態では、固定子ストリップは複数の永久磁石を含み、回転子はセグメントモータであり、研磨ヘッド103の各々は永久磁石の磁場とセグメントモータに提供される電力からセグメントモータによって生成される磁場との間の相互作用によって動かされ、または止められる。一実施形態では、1つまたは複数のガイドレールは、固定子ストリップによって規定される経路に沿って配置され、1つまたは複数の研磨ヘッドの各々は、1つまたは複数の滑りブロックによって1つまたは複数のガイドレールに結合される。
トラックアセンブリ120の例となる実施形態は、2008年4月9日出願の表題「A Polishing System Having a Circular Track」の米国仮特許出願第61/043582号(代理人整理番号13036L)、および2008年4月25日出願の表題「High Throughput Chemical Mechanical Polishing System」の米国仮特許出願第61/047943号(代理人整理番号13228L)、および2009年4月9日出願の表題「Polishing System Having a Track」の米国特許出願第12/420996号(代理人整理番号13036)に見出すことができる。
一実施形態では、複数の研磨ヘッド103の各々は、キャリッジ109の1つに取り付けられる研磨モータ107、および研磨モータ107に接続される基板キャリア108を含む。基板キャリア108は研磨の間、基板を固定する。研磨モータ107は、基板キャリア108を、したがってその上に固定される基板を、研磨ステーション105の研磨面105aに接触して回転させる。研磨ヘッドの例は、表題「Carrier Head with a Flexible Membrane for a Chemical Mechanical Polishing」の米国特許第6183354号、および表題「Multi−chamber Carrier Head with a Flexible Membrane」の同時係属の米国特許第7001257号に見出すことができる。
図1Aおよび1Bに示されるように、2つ以上のモジュール式研磨ステーション105およびローディングアセンブリ104は、処理容積部113の下方部分に配置される。研磨ステーション105およびローディングアセンブリ104は、移送機構102および複数の研磨ヘッド103から構造的に分離される。独立型研磨ステーション105の各々は、独立して動作し、異なる処理レシピのための研磨ステーション、ローディングステーションまたは洗浄ステーションの柔軟な組合せを可能にする。
図2は、本発明の一実施形態による独立型研磨ステーション105の概略斜視図である。独立型研磨ステーション105は、処理プラットフォーム151を含む。処理プラットフォーム151は、支持フレーム155によって支持される。プラテン153は、処理プラットフォーム151に配置される。プラテン153は、その上に研磨パッド152を支持し、回転させるように構成される。研磨パッド152は、処理面を有し、機械的および/または化学的な力を使用して基板を研磨する。一実施形態では、プラテンモータ154は、プラテン153の下方に配置される。プラテンおよび研磨パッドの詳細な記述は、2004年6月30日に出願され、米国特許公開第2005/0000801号として公開された、表題「Method and Apparatus for Electrochemical Mechanical Processing」の同時係属の米国特許出願第10/880752号に見出すことができる。研磨パッドについての詳細な記述は、2003年6月6日に出願され、米国特許公開第2004/0020789号として公開された、表題「Conductive Polishing Article for Electrochemical Mechanical Polishing」の同時係属の米国特許出願第10/455895号に見出すことができる。
一実施形態では、1つまたは複数の調整ステーション158は、プラットフォーム151に配置され、研磨パッド152を調整する。調整ステーションの詳細な記述は、表題「Smart Conditioner Rinse Station」の米国特許第7210981号(代理人整理番号10057)に見出すことができる。
一実施形態では、独立型研磨ステーション105はさらに、支持フレーム155に結合されるインターフェースアセンブリ157を含む。インターフェースアセンブリ157は、研磨溶液、洗浄溶液、電力供給、制御信号のためのインターフェースを提供する。一実施形態では、インターフェースアセンブリ157は、迅速で容易なシステムアセンブリのための標準化インターフェースであってもよい。
一実施形態では、独立型研磨ステーション105は、研磨ステーション105が容易に移動できるように構成される移動機構156を含む。一実施形態では、移動機構156は、支持フレーム155に結合される脚輪であってもよい。一実施形態では、移動機構156は、構成が据え付けられた後、研磨ステーションを固定するためにロックすることができ、研磨ステーション105の調節、交換または整備のためにアンロックできる。
一実施形態では、研磨ステーション105は、処理の間に研磨ステーション105を固定するロッキング機構159を含む。一実施形態では、ロッキング機構159は、研磨システム100の支柱112と、または隣接する独立型研磨ステーション105、ローディングアセンブリ104、もしくは他のモジュール式デバイスと結合するためのクランプを含んでもよい。
図3は、本発明の一実施形態によるローディングアセンブリ104の概略斜視図である。ローディングアセンブリ104は、処理プラットフォーム141を含む。処理プラットフォーム141は、支持フレーム145によって支持される。2つのロードカップ142、143は、処理プラットフォーム141に配置される。ロードカップ142、143は、基板をロードおよびアンロードするために研磨ヘッド103と相互作用する。ロードカップ142、143は、研磨ヘッド103および同ヘッド上に保持される基板を洗浄する洗浄ステーションとしての役割を果たしてもよい。ロードカップの詳細な記述は、表題「Load Cup for Chemical Mechanical Polishing」の同時係属の米国特許第7044832号に見出すことができる。
一実施形態では、ローディングアセンブリ104はさらに、支持フレーム145に結合されるインターフェースアセンブリ144を含む。インターフェースアセンブリ144は、洗浄溶液、電力供給、および制御信号のためのインターフェースを提供する。一実施形態では、インターフェースアセンブリ144は、迅速で容易なシステムアセンブリのための標準化インターフェースであってもよい。
一実施形態では、ローディングアセンブリは、ローディングアセンブリ104が容易に移動できるように構成される移動機構146を含む。一実施形態では、移動機構146は、支持フレーム145に結合される脚輪であってもよい。一実施形態では、移動機構146は、いったん構成が据え付けられるとローディングアセンブリ104を固定するためにロックすることができ、ローディングアセンブリ104の調節、交換または整備のためにアンロックできる。
一実施形態では、ローディングアセンブリ104は、処理の間にローディングアセンブリ104を固定するロッキング機構147を含む。一実施形態では、ロッキング機構147は、研磨システム100の支柱112と、または隣接する独立型研磨ステーション105、ローディングアセンブリ104、もしくは他のモジュール式デバイスと結合するためのクランプを含んでもよい。
典型的な研磨プロセスの間、研磨ヘッド103の1つは、システムフレーム101内に位置決めされ、研磨ヘッド103の各々にアクセス可能なローディングアセンブリに移動されてもよい。基板は、研磨ヘッド103の基板キャリア108上にロードされてもよい。研磨ヘッド103は次いで、キャリッジ109によって移送機構102に沿って移動してもよい。基板キャリア108上にロードされた基板は次いで、1つまたは複数の研磨ステーション105の一番目に移動される。基板は次いで、研磨ステーション105のプラテン106と接触するように下げられる。研磨ヘッド103は次いで、基板を研磨パッドに押し付け、研磨のための相対運動を生成するために研磨モータ107を使用して基板を回転させる。プラテンは通常、研磨の間回転させる。一実施形態では、研磨ヘッド103は、トラックアセンブリ120内の一の位置の周りで振動させられてもよく、研磨均一性を改善するためにプラテンと基板との間で弧を描く運動を提供する。
第1の研磨ステーション105において研磨が完了した後、研磨ヘッド103は、基板を研磨ステーション105から上昇させて、トラックアセンブリ120に沿ってバフ研磨などの第2の研磨ステップのために構成される次の研磨ステーション105へ基板を移送してもよい。
研磨システム100は、研磨ステーション、ロードカップ、および洗浄ステーションの異なる構成を有するためにプロセスレシピに従って構成されてもよい。
図4A〜4Cは、本発明の実施形態による研磨システムの構成の概略上面図である。
図4Aは、本発明の一実施形態に従う研磨システム200aを概略的に例示する。研磨システム200aは、各々が円形トラック201に沿って独立して移動可能な複数の研磨ヘッド202を含む。研磨システム200aはまた、2つのロードカップ203aを有する1つの独立型ローディングアセンブリ203、および3つの独立型研磨ステーション204、205、206を含む。ローディングアセンブリ203、および研磨ステーション204、205、206は、研磨ステーション204、205、206の各研磨パッド204a、205a、206aが2つの研磨ヘッド202を同時に受け取ることができ、ロードカップ203aが1つの研磨ヘッド202と整列できる構成に配置される。
一実施形態では、研磨ヘッド202は、約12インチの直径を有する1つの基板を保持するように構成され、研磨パッド204a、205a、206aは約42インチの直径を有してもよい。
図4Bは、本発明の一実施形態による研磨システム200bを概略的に例示する。研磨システム200bは、各々が円形トラック201に沿って独立して移動可能な複数の研磨ヘッド202を含む。研磨システム200bはまた、1つのロードカップ211aを有する1つの独立型ローディングアセンブリ211、および2つの独立型研磨ステーション212、213を含む。ローディングアセンブリ211、および研磨ステーション212、213は、研磨ステーション212、213の各研磨パッド212a、213aが2つの研磨ヘッド202を同時に受け取ることができ、ロードカップ211aが1つの研磨ヘッド202と整列することができる構成に配置される。
一実施形態では、研磨ヘッド202は、約18インチの直径を有する1つの基板を保持するように構成され、研磨パッド212a、213aは約52インチの直径を有してもよい。
図4Cは、本発明の一実施形態による研磨システム200cを概略的に例示する。研磨システム200cは、各々が円形トラック201に沿って独立して移動可能な複数の研磨ヘッド202を含む。研磨システム200cはまた、4つの独立型研磨ステーション221、222、223、224を含む。研磨ステーション221、222、223、224は、研磨ステーション221、222、223、224の各研磨パッド221a、222a、223a、224aが2つの研磨ヘッド202を同時に受け取ることができる構成で配置される。
一実施形態では、研磨ヘッド202は、約12インチの直径を有する1つの基板を保持するように構成され、研磨パッド221a、222a、223a、224aは約30インチの直径を有してもよい。
本発明のモジュール式システムに関して研磨プロセスを説明したが、当業者であれば、異なるワークステーション間での基板の移動を必要とする任意の適切なプロセスにそのトラックを適用できる。
上述の説明は、本発明の実施形態を対象にしているが、本発明の他の実施形態およびさらなる実施形態を、本発明の基本的範囲から逸脱することなく考案することができ、本発明の範囲は特許請求の範囲によって決定される。
Claims (15)
- 処理容積部を規定するフレームと、
前記処理容積部に移動可能に配置される複数の研磨ヘッドであって、各々が、処理の間に基板を保持して移送する複数の研磨ヘッドと、
前記フレームに結合される移送機構であって、前記複数の研磨ヘッドを前記処理容積部内で移動させる移送機構と、
前記処理容積部に配置される2つ以上の独立型研磨ステーションであって、各々が、前記複数の研磨ヘッドの各々を受け取って前記研磨ヘッドの各々と相互作用する研磨パッドを含んでおり、前記移送機構および前記複数の研磨ヘッドに影響を及ぼすことなく再構成可能な2つ以上の独立型研磨ステーションと
を含んでいる、半導体基板研磨システム。 - 前記移送機構が、前記フレームに結合されたトラックを含み、このトラックに沿って、前記処理容積部の上方部分で前記複数の研磨ヘッドが独立して移動するように構成されている、請求項1に記載の半導体基板研磨システム。
- 前記トラックが円形である、請求項2に記載の半導体基板研磨システム。
- 前記処理容積部に配置された独立型ローディングステーションをさらに含み、この独立型ローディングステーションが、前記複数の研磨ヘッドの各々に基板をロードし、および前記複数の研磨ヘッドの各々から基板をアンロードするように構成されている、請求項2に記載の半導体基板研磨システム。
- 前記独立型ローディングステーションが2つのロードカップを含み、前記2つのロードカップの各々が、前記複数の研磨ヘッドの1つと相互作用するように構成されている、請求項4に記載の半導体基板研磨システム。
- 前記2つ以上の独立型研磨ステーションの各々が、
本体と、
前記本体に配置されるプラテンアセンブリであって、前記研磨パッドが前記プラテンに配置されるプラテンアセンブリと、
前記本体に配置されるインターフェースアセンブリであって、前記研磨ステーションを研磨溶液源、電力源、およびコントローラに接続するインターフェースアセンブリと、
前記本体に結合された脚輪であって、前記研磨ステーションが容易に移動できるように構成されている脚輪と
を含んでいる、請求項2に記載の半導体基板研磨システム。 - 前記2つ以上の独立型研磨ステーションの各々がさらに、前記独立型研磨ステーションを前記支持フレームに対して固定するラッチング機構を含んでいる、請求項6に記載の半導体基板研磨システム。
- 支持フレームと、
前記支持フレームに結合される円形トラックアセンブリと、
前記トラックアセンブリに移動可能に結合される1つまたは複数の研磨ヘッドであって、前記トラックアセンブリが経路を規定しており、この経路に沿って独立して移動可能な1つまたは複数の研磨ヘッドと、
前記経路に沿って配置される第1および第2の独立型研磨ステーションであって、各々が、前記1つまたは複数の研磨ヘッドを受け取り、かつ前記1つまたは複数の研磨ヘッドによって保持される基板を処理する第1および第2の独立型研磨ステーションと
を含んでいる、半導体基板研磨システム。 - 前記第1および第2の独立型研磨ステーションの各々が、
本体と、
前記本体に配置されるプラテンアセンブリであって、研磨パッドが前記プラテンに配置されるプラテンアセンブリと、
前記本体に結合された脚輪であって、前記独立型研磨ステーションが容易に移動できるように構成されている脚輪と
を含んでいる、請求項8に記載の半導体基板研磨システム。 - 前記研磨パッドが少なくとも2つ以上の研磨ヘッドを同時に受け取る、請求項9に記載の半導体基板研磨システム。
- 前記経路に沿って配置されたロードカップアセンブリをさらに含み、このロードカップアセンブリが、前記1つまたは複数の研磨ヘッドを受け取り、前記1つまたは複数の研磨ヘッドら基板をロードし、および前記1つまたは複数の研磨ヘッドから基板をアンロードするように構成されている、請求項8に記載の半導体基板研磨システム。
- 本体と、
前記本体に配置されるプラテンアセンブリであって、研磨パッドが前記プラテンに配置されるプラテンアセンブリと、
前記本体に配置されるインターフェースアセンブリであって、研磨ステーションを、研磨溶液源、電力源、およびコントローラに接続するインターフェースアセンブリと、
前記研磨ステーションが容易に移動できるように構成される移動機構と
を含んでいる、独立型研磨ステーション。 - 前記研磨パッドが前記複数の研磨ヘッドの2つを同時に受け取る、請求項12に記載の独立型研磨ステーション。
- 前記移動機構が、前記本体に結合される脚輪を含んでいる、請求項12に記載の独立型研磨ステーション。
- 前記独立型研磨ステーションを支持フレームに対して固定するラッチ機構をさらに含んでいる、請求項12に記載の独立型研磨ステーション。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US7730308P | 2008-07-01 | 2008-07-01 | |
US61/077,303 | 2008-07-01 | ||
PCT/US2009/047689 WO2010002595A2 (en) | 2008-07-01 | 2009-06-17 | Modular base-plate semiconductor polisher architecture |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011526843A true JP2011526843A (ja) | 2011-10-20 |
Family
ID=41464748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011516456A Pending JP2011526843A (ja) | 2008-07-01 | 2009-06-17 | モジュール式ベースプレート半導体研磨機アーキテクチャ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8398458B2 (ja) |
JP (1) | JP2011526843A (ja) |
KR (1) | KR20110039308A (ja) |
CN (1) | CN102084466B (ja) |
WO (1) | WO2010002595A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180124243A (ko) * | 2017-05-11 | 2018-11-21 | 주식회사 케이씨텍 | 캐리어 유닛 및 이를 구비한 기판 처리 시스템 |
KR20210062666A (ko) * | 2018-09-20 | 2021-05-31 | 항저우 중구이 일렉트로닉 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 일종 폴리싱 로딩 앤 언로딩 조립부품 모듈 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130115862A1 (en) * | 2011-11-09 | 2013-05-09 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing platform architecture |
US20140141696A1 (en) * | 2012-11-21 | 2014-05-22 | Applied Materials, Inc. | Polishing System with In-Sequence Sensor |
US10953513B2 (en) | 2015-08-14 | 2021-03-23 | M Cubed Technologies, Inc. | Method for deterministic finishing of a chuck surface |
KR102442212B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2022-09-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 연마 장치 |
KR101723848B1 (ko) * | 2015-12-30 | 2017-04-06 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마장치 및 그 제어방법 |
CN106737055A (zh) * | 2016-12-01 | 2017-05-31 | 天津华海清科机电科技有限公司 | 化学机械抛光机及用于其的抛光组件 |
KR102500577B1 (ko) * | 2018-02-12 | 2023-02-17 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 |
CN109304670A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-02-05 | 杭州众硅电子科技有限公司 | 一种柔性的抛光装卸部件模块 |
CN111805410A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-10-23 | 长江存储科技有限责任公司 | 研磨系统 |
CN111673605B (zh) * | 2020-06-15 | 2021-03-26 | 浙江水墨江南新材料科技有限公司 | 一种智能化的木地板生产装置 |
CN114683164A (zh) * | 2020-12-29 | 2022-07-01 | 广州集成电路技术研究院有限公司 | 一种线性抛光机 |
EP4377047A1 (en) * | 2021-07-28 | 2024-06-05 | Applied Materials, Inc. | High throughput polishing modules and modular polishing systems |
CN114700871B (zh) * | 2022-03-11 | 2023-11-24 | 上海致领半导体科技发展有限公司 | 一种第三代半导体化学机械抛光装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6309279B1 (en) * | 1999-02-19 | 2001-10-30 | Speedfam-Ipec Corporation | Arrangements for wafer polishing |
WO2007041020A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Applied Materials, Inc. | Polishing apparatus and method with direct load platen background |
JP2007335876A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Inopla Inc | 半導体ウェーハ研磨装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2142292A1 (en) | 1992-08-14 | 1994-03-03 | Phillip A. Fischer | Induction motor monorail system |
KR100390293B1 (ko) * | 1993-09-21 | 2003-09-02 | 가부시끼가이샤 도시바 | 폴리싱장치 |
US6162368A (en) * | 1998-06-13 | 2000-12-19 | Applied Materials, Inc. | Technique for chemical mechanical polishing silicon |
WO2000054325A1 (en) * | 1999-03-10 | 2000-09-14 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Method and apparatus for monitoring a chemical mechanical planarization process applied to metal-based patterned objects |
US6322312B1 (en) * | 1999-03-18 | 2001-11-27 | Applied Materials, Inc. | Mechanical gripper for wafer handling robots |
US6645550B1 (en) * | 2000-06-22 | 2003-11-11 | Applied Materials, Inc. | Method of treating a substrate |
US6872329B2 (en) * | 2000-07-28 | 2005-03-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and process |
US6440752B1 (en) * | 2001-03-26 | 2002-08-27 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Electrode materials with improved hydrogen degradation resistance and fabrication method |
WO2003071660A2 (en) | 2002-02-19 | 2003-08-28 | Parker-Hannifin Corporation | Linear motor with magnet rail support |
US6803682B1 (en) | 2002-02-21 | 2004-10-12 | Anorad Corporation | High performance linear motor and magnet assembly therefor |
ATE441954T1 (de) * | 2003-02-12 | 2009-09-15 | California Inst Of Techn | Ringresonator mit radialem bragg-reflektor |
KR100512179B1 (ko) * | 2003-06-19 | 2005-09-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자를 제조하기 위한 화학적 기계적 연마장치 |
JP4492118B2 (ja) | 2003-12-16 | 2010-06-30 | 株式会社安川電機 | リニアモータおよび吸引力相殺形リニアモータ |
JP2005184984A (ja) | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Yaskawa Electric Corp | ムービングマグネット形リニアアクチュエータ |
US7822500B2 (en) * | 2004-06-21 | 2010-10-26 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
KR20070077979A (ko) * | 2006-01-25 | 2007-07-30 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마 장치 및 이를 이용한 웨이퍼의 연마방법 |
JP4838614B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-12-14 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法 |
US7166016B1 (en) * | 2006-05-18 | 2007-01-23 | Applied Materials, Inc. | Six headed carousel |
CN101112749A (zh) * | 2006-06-14 | 2008-01-30 | 英诺普雷股份有限公司 | 可装配的抛光设备 |
US7952708B2 (en) * | 2007-04-02 | 2011-05-31 | Applied Materials, Inc. | High throughput measurement system |
US8337279B2 (en) * | 2008-06-23 | 2012-12-25 | Applied Materials, Inc. | Closed-loop control for effective pad conditioning |
-
2009
- 2009-06-17 CN CN2009801258978A patent/CN102084466B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-17 WO PCT/US2009/047689 patent/WO2010002595A2/en active Application Filing
- 2009-06-17 JP JP2011516456A patent/JP2011526843A/ja active Pending
- 2009-06-17 KR KR1020117002485A patent/KR20110039308A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-06-24 US US12/490,928 patent/US8398458B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6309279B1 (en) * | 1999-02-19 | 2001-10-30 | Speedfam-Ipec Corporation | Arrangements for wafer polishing |
WO2007041020A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Applied Materials, Inc. | Polishing apparatus and method with direct load platen background |
JP2007335876A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Inopla Inc | 半導体ウェーハ研磨装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180124243A (ko) * | 2017-05-11 | 2018-11-21 | 주식회사 케이씨텍 | 캐리어 유닛 및 이를 구비한 기판 처리 시스템 |
KR102368797B1 (ko) * | 2017-05-11 | 2022-03-02 | 주식회사 케이씨텍 | 캐리어 유닛을 구비한 기판 처리 시스템 |
KR20210062666A (ko) * | 2018-09-20 | 2021-05-31 | 항저우 중구이 일렉트로닉 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 일종 폴리싱 로딩 앤 언로딩 조립부품 모듈 |
KR102584030B1 (ko) | 2018-09-20 | 2023-09-27 | 항저우 중구이 일렉트로닉 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 일종 폴리싱 로딩 앤 언로딩 조립부품 모듈 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102084466A (zh) | 2011-06-01 |
CN102084466B (zh) | 2013-09-11 |
WO2010002595A2 (en) | 2010-01-07 |
WO2010002595A3 (en) | 2010-05-06 |
KR20110039308A (ko) | 2011-04-15 |
US8398458B2 (en) | 2013-03-19 |
US20100003902A1 (en) | 2010-01-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011526843A (ja) | モジュール式ベースプレート半導体研磨機アーキテクチャ | |
US7241203B1 (en) | Six headed carousel | |
KR100773165B1 (ko) | 반도체기판처리장치 및 처리방법 | |
US8172643B2 (en) | Polishing system having a track | |
US6802955B2 (en) | Method and apparatus for the electrochemical deposition and planarization of a material on a workpiece surface | |
KR100804715B1 (ko) | 반도체기판회전유지장치 및 반도체기판처리장치 | |
US6828225B2 (en) | Substrate processing method | |
US7210991B1 (en) | Detachable retaining ring | |
US7273408B2 (en) | Paired pivot arm | |
US6575818B2 (en) | Apparatus and method for polishing multiple semiconductor wafers in parallel | |
JP2004537842A (ja) | 導電材料の集積化多重ステップ・ギャップ充填および全形状の平坦化 | |
US6951597B2 (en) | Dynamic polishing fluid delivery system for a rotational polishing apparatus | |
US20090280727A1 (en) | Polishing system with three headed carousel | |
US7025860B2 (en) | Method and apparatus for the electrochemical deposition and removal of a material on a workpiece surface | |
US20030134576A1 (en) | Method for polishing copper on a workpiece surface | |
KR100512179B1 (ko) | 반도체 소자를 제조하기 위한 화학적 기계적 연마장치 | |
JP2000124172A (ja) | ウェーハ加工方法及びその装置 | |
JP2000127027A (ja) | ウェーハ加工装置 | |
KR101236806B1 (ko) | 기판 연마 장치 및 방법 | |
KR20070080345A (ko) | 반도체 소자 제조용 장비 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120615 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131015 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140401 |