JP2007335876A - 半導体ウェーハ研磨装置 - Google Patents

半導体ウェーハ研磨装置 Download PDF

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Abstract

【課題】異なった数の多段階CMP工程を行える研磨装置を提供する。
【解決手段】主フレーム構造物3に結合されて動作する複数の研磨テーブル30a〜30c複数の研磨ヘッド51a〜51c,51a´〜51c´及び複数のロード/アンロードステーション40a〜40d,40a´〜40d´を備え、研磨ヘッドそれぞれが研磨テーブルの一つとロード/アンロードステーションのうち少なくとも一つとの間で動けるように、研磨ヘッドが主フレーム構造物3に動作できるように結合される主研磨構造物1と、付加フレーム構造物7に結合されて動作する付加研磨テーブル30c及び付加研磨ヘッド51cを備える付加研磨構造物5と、を備え、付加研磨構造物5が付加研磨テーブル30cと付加研磨ヘッド51cとを備えるさらに大きい研磨構造物を形成するために、付加研磨構造物5が主研磨構造物1に付着されるように構成される半導体ウェーハ研磨装置。
【選択図】図2

Description

本発明は、一般的に半導体工程装置、さらに具体的には、研磨装置に関する。本出願は、2006年6月14日に出願された米国仮出現番号60/813,498号、2006年7月13日に出願された米国仮出現番号60/830,472号、2006年9月13日に出願された米国仮出願番号60/844,578号の利益を享有する権利を有しており、これらは、参照としてここに統合される。
化学機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing:CMP)工程は、半導体素子の製造過程で平坦化のために広く使われる。一般的に、CMP工程は、ウェーハの表面と研磨面との間に供給される研磨溶液のような溶液を使用して、研磨パッドのような研磨面上で半導体ウェーハの表面を研磨することを含む。CMP工程によっては、半導体ウェーハ上に一層の平坦化された層を作るために複数のCMP工程が行われる。例えば、複数のCMP工程は、銅ダマシーン構造を有する半導体の製造過程中に行われることもある。
多段階CMP工程を適用するために、複数の研磨ステーションを有するCMP装置が開発されてきた。このような伝統的なCMP装置は、それぞれのCMP装置が単に特定の多段階CMP工程のみを行い、これは、そのCMP装置の研磨ステーションの数に依存する。例えば、2段階直列CMP工程のために考案された2個の直列に配列された研磨装置を有するCMP装置は、3段階直列CMP工程を行えない。
このような観点で、異なった数の多段階CMP工程を行える研磨装置が要求される。
本発明が解決しようとする技術的課題は、異なった数の多段階CMP工程を行える研磨装置を提供することである。
本発明の実施形態による半導体ウェーハを研磨するための研磨装置は、主研磨構造物と付加研磨構造物とを含むが、主研磨構造物は、複数の研磨テーブル、複数の研磨ヘッド及び複数のロード/アンロードステーションを備え、付加研磨構造物は、付加的な研磨テーブルと付加的な研磨ヘッドとを備える。付加研磨構造物は、付加研磨テーブルと付加研磨ヘッドとを有するさらに大きい研磨構造物を形成するために主研磨構造物に付着されうる。
本発明の他の実施形態による半導体ウェーハを研磨するための研磨装置は、主研磨構造物と付加研磨構造物とを含む。主研磨構造物は、複数の研磨テーブル、主フレーム構造物に結合されて動作できる複数の研磨ヘッド及び複数のロード/アンロードステーションを備える。研磨ヘッドは、それぞれの研磨ヘッドが研磨テーブルの一つとロード/アンロードステーションの少なくとも一つとの間で動けるように主フレーム構造物に結合される。付加研磨構造物は、付加フレーム構造物に結合された付加研磨テーブルと付加研磨ヘッドとを備える。付加研磨構造物は、付加研磨テーブルと付加研磨ヘッドとを有するさらに大きい研磨構造物を形成するために、主研磨構造物に付着されるように構成される。
本発明のさらに他の実施形態による半導体ウェーハを研磨するための研磨装置は、主研磨構造物と付加研磨構造物とを含む。主研磨構造物は、複数の研磨テーブル、主フレーム構造物に結合されて動作できる複数の研磨ヘッド、及び複数のロード/アンロードステーションを備える。研磨テーブルとロード/アンロードステーションとは、各研磨テーブルがロード/アンロードステーションの間に位置するように配置される。研磨ヘッドは、それぞれの研磨ヘッドが研磨テーブルの一つとロード/アンロードステーションのうち二つとの間で直線的に動けるように主フレーム構造物に結合される。研磨テーブルの一つは、ロード/アンロードステーションのうち二つの間に配置される。付加研磨構造物は、付加フレーム構造物に結合された付加研磨テーブル、付加研磨ヘッド、及び複数の付加ロード/アンロードステーションを備える。
本発明の実施形態による半導体ウェーハを研磨するための研磨装置は、主研磨構造物と付加研磨構造物とを含む。主研磨構造物は、第1研磨テーブル、主フレーム構造物に結合されて動作できる第1研磨ヘッド及び、第1ロード/アンロードステーションを備える。第1研磨ヘッドは、第1直線レールを使用して第1研磨ヘッドが半導体ウェーハを第1研磨テーブルから第1ロード/アンロードステーションに直線的に移送できるように、主フレーム構造物に動作できるように結合される。付加研磨構造物は、付加フレーム構造物に結合されて動作できる第2研磨テーブルと第2研磨ヘッドとを備える。第2研磨ヘッドが半導体ウェーハを第1ロード/アンロードステーションから受けて第2研磨テーブルで研磨できるように、第2研磨ヘッドは、少なくとも第2直線レールを使用して第1ロード/アンロードステーションから第2研磨テーブルに半導体ウェーハを直線的に移送できるように、付加フレーム構造物に動作できるように結合される。付加研磨構造物は、第1直線レールと第2直線レールとが一つの直線的に連結された直線レールを形成するように整列されるように、主研磨構造物に装着されるように構成される。
本発明によれば、多段階CMP工程を容易に実施しうる。
本発明のさらに他の観点及び長所は、本発明の原理の例を使用して示された図面と共に、次の詳細な説明から明確になる。
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
図1を参照として、本発明の実施形態による研磨装置1について記述する。研磨装置1は、研磨テーブル30a,30b、ロード/アンロードステーション40a,40a’,40b,40b’,40c,40c’、研磨ヘッド51a,51a’,51b,51b’、そして、図1に四角形として一般的に表示されたフレーム構造物3を備える。研磨テーブル30a,30b、ロード/アンロードステーション40a,40a’,40b,40b’,40c,40c’、そして研磨またはキャリアヘッド51a,51a’,51b,51b’は、直接または間接的にフレーム構造物3に付着される。フレーム構造物3は、図3及び図4を参照して、以下にさらに詳細に説明される。
図1に示したように、研磨テーブル30a,30b、そしてロード/アンロードステーション40a,40a’,40b,40b’,40c,40c’は、第1研磨テーブル30aが第1及び第2ロード/アンロードステーション40a,40a’と第3及び第4ロード/アンロードステーション40b,40b’との間に位置し、第2研磨テーブル30bが第3及び第4ロード/アンロードステーション40b,40b’と第5及び第6ロード/アンロードステーション40c,40c’との間に位置するようにフレーム構造物3に付着される。第1研磨ヘッド51aは、研磨ヘッド51aが第1ロード/アンロードステーション40a、第1研磨テーブル30a、そして第3ロード/アンロードステーション40bの間で直線的に動けるようにフレーム構造物3に付着される。第2研磨ヘッド51a’は、研磨ヘッド51a’が第2ロード/アンロードステーション40a’、第1研磨テーブル30a、及び第4ロード/アンロードステーション40b’の間で直線的に動けるようにフレーム構造物3に付着される。
同様に、第3研磨ヘッド51bは、研磨ヘッド51bが第3ロード/アンロードステーション40b、第2研磨テーブル30b、及び第5ロード/アンロードステーション40cの間で直線的に動けるように、そして第4研磨ヘッド51b’は、研磨ヘッド51b’が第4ロード/アンロードステーション40b’、第2研磨テーブル30b、及び第6ロード/アンロードステーション40c’の間で直線的に動けるようにフレーム構造物3に付着される。
本発明の実施形態による研磨装置1の作動が記述される。研磨される二つの半導体ウェーハがウェーハ移送ロボットのような一つまたはそれ以上の外部装置(図示せず)によって第1及び第2ロード/アンロードステーション40a,40a’に移される。研磨ヘッド51a,51a’がそれぞれ第1及び第2ロード/アンロードステーション40a,40a’から第1研磨テーブル30aにウェーハを移し、ウェーハは、第1及び第2研磨ヘッド51a,51a’によって第1研磨テーブル30a上で研磨される。
第1研磨テーブル30a上でウェーハが研磨された後に、ウェーハは、それぞれ第1及び第2研磨ヘッド51a,51a’によって第3及び第4ロード/アンロードステーション40b,40b’に移される。第1及び第2研磨ヘッド51a,51a’は、次の二つのウェーハを処理するために、第1及び第2ロード/アンロードステーション40a,40a’に戻る。第3及び第4研磨ヘッド51b,51b’がそれぞれ第3及び第4ロード/アンロードステーション40b,40b’から第2研磨テーブル30bにウェーハを移し、ウェーハは、第3及び第4研磨ヘッド51b,51b’によって第2研磨テーブル30b上でさらに研磨される。
第2研磨テーブル30b上でウェーハが研磨された後に、ウェーハは、それぞれ第3及び第4研磨ヘッド51b,51b’によって第5及び第6ロード/アンロードステーション40c,40c’に移される。第5及び第6ロード/アンロードステーション40c,40c’上の研磨されたウェーハは、ウェーハ移送ロボットのような一つまたはそれ以上の外部装置(図示せず)によって次の目的地に移送されうる。第3及び第4研磨ヘッド51b,51b’は、次の二つのウェーハを処理し続けるために第3及び第4ロード/アンロードステーション40b,40b’に戻る。
研磨テーブル30a,30b上でウェーハを研磨するために、溶液が研磨テーブル上に噴射される。一実施形態によれば、研磨粒子を含む研磨剤が研磨パッド上に噴射されるが、研磨パッドは、研磨テーブル30a,30b上に付着される。研磨テーブル30a,30b上の研磨パッドは、パッドコンディショナー91a,91bによってコンディションされるが、パッドコンディショナーは、各パッドコンディショナーがそのパッドコンディショナーによってコンディションされる研磨パッドの他の部位に接近するように、直線的に動けるようにフレーム構造物3に付着される。
研磨装置1は、二つの研磨テーブルを有しているので、研磨装置1は、半導体ウェーハ上で二つのCMP工程を順次に行える。したがって、研磨装置1は、二つの直列CMP工程を必要とする製造方法を実行するために使われうる。しかし、伝統的な研磨装置とは異なり、研磨装置1は、二つ以上の順次的なCMP工程を行うように修正または構成されうる。
一実施形態によって、研磨装置1は、研磨装置1に付加研磨構造物5を付着することによって、図2に示したさらに大きくて拡張された研磨装置10に変換されうる。したがって、研磨装置1は、付加研磨構造物5が付着されて拡張された研磨装置10を形成しうる主研磨構造物である。
図2に示したように、付加研磨構造物5は、研磨テーブル30c、ロード/アンロードステーション40d,40d’、研磨ヘッド51c,51c’、パッドコンディショナー91c、そして図2に四角形で表した付加フレーム構造物7を備える。研磨テーブル30c、ロード/アンロードステーション40d,40d’、そして研磨ヘッド51c,51c’は、直接または間接的に付加フレーム構造物7に付着される。付加フレーム構造物7は、図8を参照して下記にさらに詳細に説明される。
図2に示したように、第3研磨テーブル30c、そして第7及び第8ロード/アンロードステーション40d,40d’は、付加研磨構造物5が研磨装置1に付着される時に、第3研磨テーブル30cが第5及び第6ロード/アンロードステーション40c,40c’と第7及び第8ロード/アンロードステーション40d,40d’との間に位置するように付加フレーム構造物7に付着される。
第5研磨ヘッド51cは、第5研磨ヘッド51cが第5ロード/アンロードステーション40c、第3研磨テーブル30c、そして第7ロード/アンロードステーション40dの間で直線的に動けるように付加フレーム構造物7に付着される。第6研磨ヘッド51c’は、第6研磨ヘッド51c’が第6ロード/アンロードステーション40c’、第3研磨テーブル30c、そして第8ロード/アンロードステーション40d’の間で直線的に動けるように付加フレーム構造物7に付着される。
本発明の実施形態による拡張された研磨装置10の作動が説明される。元来の研磨装置1に該当する部分については、拡張された研磨装置1の作動が図1の研磨装置1の作動と類似しているので、ここでは反復説明しないであろう。
ウェーハがそれぞれ第3及び第4研磨ヘッド51b,51b’によって第5及び第6ロード/アンロードステーション40c,40c’に移された後に、第5及び第6研磨ヘッド51c,51c’は、ウェーハをそれぞれ第5及び第6ロード/アンロードステーション40c,40c’から第3研磨テーブル30cに移し、ウェーハは、第5及び第6研磨ヘッド51c,51c’によって第3研磨テーブル30c上で研磨される。
ウェーハが第3研磨テーブル30c上で研磨された後に、ウェーハは、それぞれ第5及び第6研磨ヘッド51c,51c’によって第7及び第8ロード/アンロードステーション40d,40d’に移される。第7及び第8ロード/アンロードステーション40d,40d’上のウェーハは、ウェーハ移送ロボットのような一つまたはそれ以上の外部装置によって次の目的地に移される。第5及び第6研磨ヘッド51c,51c’は、次の二つのウェーハを処理し続けるために、第5及び第6ロード/アンロードステーション40c,40c’に戻る。
第3研磨テーブル30c上でウェーハを研磨するために、溶液が第3研磨テーブル30c上に噴射される。一実施形態によれば、研磨粒子を含む研磨剤が第3研磨パッド上に噴射されるが、第3研磨パッドは、第3研磨テーブル30c上に付着される。第3研磨テーブル30c上の研磨パッドは、第3パッドコンディショナー91cによってコンディションされるが、第3パッドコンディショナーは、第3パッドコンディショナーが第3研磨テーブル30c上の研磨パッドの他の部位に接近するように直線的に動けるように付加フレーム構造物7に付着される。
拡張された研磨装置10が3つの研磨テーブルを有しているので、拡張された研磨装置は、半導体ウェーハ上で3つのCMP工程を順次に行える。したがって、研磨装置1は、2つのCMP工程を順次に行うために使われるか、または3つのCMP工程を順次に行えるように研磨装置10に変換されうる。
しかし、さらに他の実施形態において、研磨装置1と拡張された研磨装置10とは、研磨装置1が2つ以上のCMP工程を順次に行えるように、そして拡張された研磨装置10が3つ以上のCMP工程を順次に行えるように記述された数字よりさらに多くの研磨テーブルを備えるように改造されることもある。さらに他の実施形態において、さらに多くの研磨テーブルを有するさらに大きい研磨構造物を形成するために、一つ以上の付加研磨構造物が研磨装置1に付着されることもある。
図3及び図4にて、本発明の実施形態によるフレーム構造物3が示される。図3は、研磨装置1のフレーム構造物3の正面図を示す。図4は、研磨装置1のフレーム構造物3の側面図を示す。
図3に示したように、フレーム構造物3は、下部支持構造物21a,21b,21cを備える。第1下部支持構造物21aは、図4に示したように、垂直部26aと傾斜部26a’とを備える。垂直部26aの一側端部は、第1ベースフレーム23aの第1端部の付近で第1ベースフレーム23aに連結され、第1ベースフレーム23aは、脚24a上に装着される。垂直部26aの他の端部は、傾斜部26a’の一側端部に連結される。傾斜部26a’の他の端部は、第1中間マウンティングプレート25aの下面の中心部に連結される。
第2下部支持構造物21bも、垂直部26bと傾斜部26b’とを備える。垂直部26bの一側端部は、第2ベースフレーム23bの第1端部の付近で第2ベースフレーム23bに連結され、第2ベースフレーム23bは、脚24b上に装着される。垂直部26bの他の端部は、傾斜部26b’の一側端部に連結される。傾斜部26b’の他の端部は、第2中間マウンティングプレート25bの下面の中心部に連結される。
第3下部支持構造物21cも、垂直部26cと傾斜部26c’とを備える。垂直部26cの一側端部は、第3ベースフレーム23cの第1端部の付近で第3ベースフレーム23cに連結され、第3ベースフレーム23cは、脚24c上に装着される。垂直部26cの他の端部は、傾斜部26c’の一側端部に連結される。傾斜部26c’の他の端部は、第3中間マウンティングプレート25cの下面の中心部に連結される。
フレーム構造物3は、下部マウンティングプレート22aをさらに備えるが、下部マウンティングプレート22aは、第1、第2及び第3下部支持構造物21a〜21cの垂直部21a〜21cに装着される。フレーム構造物3は、上部支持構造物11a,11b,11cも備える。第1上部支持構造物11aは、第1中間マウンティングプレート25aの上面に装着される。第2上部支持構造物11bは、第2中間マウンティングプレート25bの上面に装着される。第3上部支持構造物11cは、第3中間マウンティングプレート25cの上面に装着される。
フレーム構造物3は、上部マウンティングプレート12aをさらに備えるが、フレーム構造物3は、上部マウンティングプレート12aの第1側面端部が第1上部支持構造物11aに連結され、上部マウンティングプレート12aの下面が第2上部支持構造物11b上に装着されるように上部支持構造物11a,11bに接合される。上部マウンティングプレート12aは、上部マウンティングプレート12aの第2側面端部が第3上部支持構造物11cに結合されるように第3上部支持構造物11cに結合される。上部支持構造物11cは、突出部位18を含み、突出部位18は、上部マウンティングプレート12aの第2側面端部の陥没部位に結合される。
フレーム構造物3は、上部フレーム17aを含むが、上部フレームは、第1及び第3上部支持構造物11a,11cにそれらの上部で装着される。下部直線レール13a,13a’、上部直線レール14a,14a’、そしてコンディショナー直線レール15a,15bは、上部マウンティングプレート12aに装着される。第1下部直線レール13aと第1上部直線レール14aとは、レール13a,14aが上部マウンティングプレート12aの正面の横軸面に平行に上部マウンティングプレート12aの正面垂直面上に装着される。したがって、レール13a,14aは、相互に平行である。
第2下部直線レール13a’と第2上部直線レール14a’とは、レール13a’,14a’が上部マウンティングプレート12aの裏面の横軸面に平行に上部マウンティングプレート12aの裏面の垂直面上に装着される。したがって、レール13a’,14a’は、相互に平行である。第1コンディショナー直線レール15aと第2コンディショナー直線レール15bとは、上部マウンティングプレート12aの底面に装着されてレール13a,13a’,14a,14a’にも平行である。上部マウンティングプレート12aの下面は、上部マウンティングプレート12aの前裏面と垂直である。コンディショナーレール15a,15bは、第2上部支持構造物11bによって分離され、第2上部支持構造物11bは、上部マウンティングプレート12aの下面に連結される。
図5にて、研磨装置1の正面図が示される。図5には、図3のフレーム構造物3が研磨テーブル30a,30b、ロード/アンロードステーション40a,40b,40c、そして研磨ヘッド51a,51bと共に示される。しかし、図5には、ロード/アンロードステーション40a’,40b’,40c’、そして研磨ヘッド51a’,51b’は、隠されて見えない。
図5に示したように、研磨装置1は、研磨ヘッド51a,51a’,51b,51b’のそれぞれに対する研磨ヘッド組立体、そしてパッドコンディショナー91a,91bのそれぞれに対するパッドコンディショナー組立体をさらに含む。図5には、研磨ヘッド51a,51bのそれぞれに対する研磨ヘッド組立体50a,50bのみが見られる。研磨ヘッド51a’,51b’のそれぞれについての他の2つの研磨ヘッド組立体50a’,50b’は、隠されて見えない。しかし、このような隠された研磨ヘッド組立体は、見られる研磨ヘッド組立体50a,50bと類似している。研磨テーブル30a,30bを回転させる研磨テーブル駆動機構32a,32bも、図5に示されている。
研磨テーブル駆動機構32a,32bは、フレーム構造物3の第1下部マウンティングプレート22aに装着される。研磨テーブル30a,30bは、それぞれ回転シャフト31a,31bを通じて研磨テーブル駆動機構32a,32bに連結される。研磨テーブル30aは、回転シャフト31aを通じて研磨テーブル駆動機構32aによって回転される。同様に、研磨テーブル30bは、回転シャフト31bを通じて研磨テーブル駆動機構32bによって回転される。第1及び第2ロード/アンロードステーション40a,40a’は、第1中間マウンティングプレート25aの上面に装着される。第3及び第4ロード/アンロードステーション40b,40b’は、第2中間マウンティングプレート25bの上面に装着される。第5及び第6ロード/アンロードステーション40c,40c’は、第3中間マウンティングプレート25cの上面に装着される。
第1及び第3研磨ヘッド組立体50a,50bは、それぞれ研磨ヘッド51a,51bを備える研磨ヘッド組立体50a,50bがレール13a,14aに沿って直線的に動けるように第1下部及び上部直線レール13a,14aに装着される。
同様に、第2及び第3研磨ヘッド組立体50a’,50b’(図示せず)は、それぞれ研磨ヘッド51a’,51b’を備える研磨ヘッド組立体50a’,50b’がレール13a’,14a’に沿って直線的に動けるように第1下部及び上部直線レール13a’,14a’に装着される。
第1及び第2パッドコンディショナー組立体90a,90bは、それぞれパッドコンディショナー91a,91bを備えるパッドコンディショナー組立体90a,90bがそれぞれのレール15a,15bに沿って直線的に動けるように第1及び第2コンディショナー直線レール15a,15bに装着される。研磨テーブル30a,30bのそれぞれからの研磨過程の終点検出のために、その研磨テーブルの研磨テーブル駆動機構32aまたは32bに結合された電流センサー34が使われうる。電流センサー34は、研磨テーブル駆動機構のモータを回転させるために使われる電流を検出する。
研磨テーブル30a,30b上の研磨パッドとその研磨パッド上で研磨される2つのウェーハとの間の摩擦力が変われば、摩擦力の変化によって影響を受けずに回転速度を一定に維持するために電流が変化する。電流センサー34は、かかる電流変化を検出して終点を決定するのに使われうる。
しかし、電流センサー34は、同じ研磨テーブル30a,30b上で同時に研磨される2つのウェーハのうち何れかが終点に到達したか、または接近して行くかを区分するのには使われない。このような問題を解決するために、同じ研磨テーブル30aまたは30b上で研磨される2つのウェーハそれぞれに対する研磨終点を決定するために、電流センサー34がロードセルまたは他の電流センサーと結合して使われうる。
図6及び図7を参照して、研磨ヘッド組立体50a、これと結合される直線駆動機構、そしてこれと結合される終点検出機構が記述される。研磨ヘッド組立体50a,50a’,50b,50b’は、相互類似しているので、研磨ヘッド組立体50a及びこれと結合される機構についての説明は、他の研磨ヘッド組立体、それらの直線駆動機構及び終点検出機構についての説明にも使われる。
図6は、研磨ヘッド組立体50a、これと結合された直線駆動機構、そしてこれと結合された終点検出機構の正面図である。図7は、図6の断面Aからの側面図である。
研磨ヘッド51aは、ヘッド回転シャフト52aを通じてヘッド回転機構53aに連結される。ヘッド回転機構53aは、支持プレート54aに連結され、支持プレート54aは、シャフト55aを通じてヘッド垂直駆動機構56aに連結される。
ヘッド垂直駆動機構56aは、ヘッド組立体プレート45aに装着される。支持プレート54aは、研磨ヘッド51aがヘッド垂直駆動機構56aによってガイドレールプレート46aのガイドレールに沿って垂直に動けるように、ガイドレールプレート46aに装着される。ヘッド組立体プレート45aは、下部レールグリッパ47a及び上部レールグリッパ48bを通じて、第1下部及び上部直線レール13a,13bに滑って動けるように結合される。下部及び上部レールグリッパ47a,48bは、それぞれ上部及び下部直線レール13a,14aに滑って動けるように結合される。
リードナット61aは、ヘッド組立体プレート45aに結合される。リードナット61aは、リードスクリュー71aにも結合される。リードスクリュー71aの一側端部は、ヘッド移動モータ70aに連結され、ヘッド移動モータ70aは、少なくとも一つの弾性金属または高分子プレート72aによって上部フレーム17aから懸架される。リードスクリュー71aは、軸受70bに連結され、軸受70bは、少なくとも一つの弾性金属または高分子プレート72bによって上部フレーム17aから懸架される。
第1及び第2位置センサー73a,73bは、この位置センサーが、研磨ヘッド組立体50aが位置センサーを通過する瞬間を検出できるように、第1上部フレーム17aに装着される。基準ピン62aは、基準ピンが、研磨ヘッド組立体50aが位置センサーを通過する時に位置センサー73a,73bの一つを作動できるように、ヘッド組立体プレート45aに装着される。第1位置センサー73aの位置は、第1位置センサー73aが基準ピン62aを感知する時に、第1研磨ヘッド51aが第1ロード/アンロードステーション40aと整列されるように、上部フレーム17aに沿って設定される。
一実施形態において、第1研磨テーブル30a上で第1研磨ヘッド51aによって研磨される半導体ウェーハに対して研磨工程の終点を検出するために、ロードセル74aが電流センサー34と共に使われる。
研磨工程中に第1研磨ヘッド51aは、周期的にリードスクリュー71aに沿って前後方向に直線的に動く。第1研磨ヘッド組立体50aを動かすためのトルクは、ロードセル74aによって検出される。第1研磨テーブル30a上の研磨パッドと第1研磨ヘッド51aによって研磨されるウェーハとの間の摩擦力が変わるにつれてトルクが変わる。
ウェーハ上に蒸着された上部層が平坦化されるか、または上部層が研磨工程によって除去された後に、ウェーハ上に蒸着された下部層が露出される時に摩擦力が変わる。ロードセル74aを使用してトルク変化を検出し、電流センサー34を利用して研磨テーブル駆動機構32aのモータ電流変化を検出することによって、研磨工程の終点が検出される。
第2研磨ヘッドによって研磨されるウェーハに対して研磨工程の終点を検出するために、第2研磨ヘッド51a’に対して類似したロードセルが使われうる。したがって、第1研磨テーブル30a上で同時に研磨される2つのウェーハそれぞれに対する終点が個別的に検出されうる。
具体的に、2つの研磨ヘッドと結合されたロードセルを使用して同じ研磨テーブル上で2つの研磨ヘッドによって研磨される2つのウェーハのトルク変化をモニタリングすることによって、終点に到達するか、または接近して行くウェーハが識別される。終点に到達するか、または接近して行くウェーハが識別された後に、研磨テーブルに対する研磨テーブル回転機構に結合された電流センサー34がウェーハの終点を検出し、かつ決定するために使われる。2つのウェーハのうち一つが終点に到達した後に、このウェーハの研磨工程が中断されるが、他のウェーハの研磨工程は、電流センサー34が他のウェーハの終点を検出しかつ決定するまで続けられる。ロードセルの助けを受けて電流センサー34を使用して終点検出しかつ決定するかかるアルゴリズムは、電流センサー34から得られる信号が、ロードセルから得られる信号より良質である時(さらに小さいノイズ)によく動作する。
一実施形態において、第1研磨テーブル30a上で第1研磨ヘッドによって研磨される半導体ウェーハに対して研磨過程の終点を検出するために、ロードセルよりは、ヘッド回転機構53aに結合された電流センサー36aが、電流センサー34と共に使われる。電流センサー36aは、ヘッド回転機構53aによって研磨ヘッド51aを回転させるために使われる電流の変化を検出する。
研磨テーブル30a上の研磨パッドと、第1研磨ヘッド51aによって研磨されるウェーハとの間の摩擦力が変化する時に、ヘッド回転機構53aのモータ電流は、その回転速度を維持するために変化する。電流センサー36は、かかる電流変化を検出する。電流センサー36aを使用してヘッド回転機構53aのモータ電流変化を検出し、電流センサー34を使用して研磨テーブルのモータ電流変化を検出することによって、研磨工程の終点が検出される。
第2研磨ヘッド51a’によって研磨されるウェーハに対して、研磨工程の終点を検出するために、第2研磨ヘッド51a’に対して類似した電流センサーが使われうる。したがって、第1研磨テーブル30a上で同時に研磨される2枚のウェーハそれぞれに対する終点が個別的に検出されうる。
具体的に、2つの研磨ヘッドと結合された電流センサーを使用して2つのウェーハを回転させるための電流の変化をモニタリングすることによって、終点に到達するか、または接近して行くウェーハが識別される。終点に到達するか、または接近して行くウェーハが識別された後に、研磨テーブルの研磨テーブル回転機構に結合された電流センサー34がウェーハの終点を検出しかつ決定するために使われる。
2枚のウェーハのうち一枚が終点に到達した後に、このウェーハの研磨工程が中断されるが、他のウェーハの研磨工程は、電流センサー34が他のウェーハの終点を検出しかつ決定するまで続けられる。複数の電流センサー34を使用して終点検出しかつ決定するかかるアルゴリズムは、研磨テーブルに対する電流センサー34から得られる信号が、研磨ヘッドに対する電流センサーから得られる信号より良質である時(さらに小さいノイズ)によく動作する。
図6及び図7を参照して、パッドコンディショナー組立体90aが説明される。パッドコンディショナーヘッド91aは、コンディショナー回転及び垂直駆動機構92aに連結され、コンディショナー回転及び垂直駆動機構は、リードナット93aに連結される。リードナット93aは、コンディショナー直線レール15aとリードスクリュー94aとに滑って動けるように結合される。リードスクリュー94aの一側端部がコンディショナー直線移動モータ(図示せず)に連結される。リードスクリュー94aがコンディショナー直線移動モータによって回転するにつれて、リードナット93aは、リードスクリュー94aに沿って動く。
図8にて、図2の拡張された研磨装置10の正面図が示される。研磨装置1を拡張された研磨装置10に変換するために、研磨装置1の第3上部支持構造物11cが付加研磨構造物5の一部である付加フレーム構造物7の上部フレーム組立体と代替される。付加フレーム構造物7は、第2上部フレーム17b、第4下部支持構造物21d、第2下部マウンティングプレート22b、第4ベースフレーム23d、そして第4中間マウンティングプレート25dも備える。上部フレーム組立体は、第4上部支持構造物33、第5上部支持構造物33’、そして第2上部マウンティングプレート12bを備え、これらは、相互接合される。
第4上部支持構造物33は、突出部18’を備え、突出部は、第1上部マウンティングプレート12aの陥没部に堅固に結合される。第4上部支持構造物33は、第3中間マウンティングプレート25cの上面に装着される。第5上部支持構造物33’は、第4中間マウンティングプレート25dの上面に装着される。第2上部フレーム17bは、第4及び第5支持構造物33,33’にそれらの上部に装着される。第4中間マウンティングプレート25dは、第4下部支持構造物21dに装着され、第4下部支持構造物21dは、垂直部26dと傾斜部26d’とを備える。
垂直部26dの一側端部は、ベースフレーム23dの第1端部の付近で第4ベースフレーム23dに連結され、第4ベースフレームは、脚24dに装着される。垂直部26dの他側端部は、傾斜部26d’の一側端部に連結される。傾斜部26d’の他側端部は、第4中間マウンティングプレート25dの下面の中心部に連結される。第7及び第8ロード/アンロードステーション40d,40d’は、第4中間マウンティングプレート25dに装着される。第2下部マウンティングプレート22bは、第3及び第4下部支持構造物21c,21dの垂直部位26c,26dに装着される。
付加研磨構造物5は、第2下部マウンティングプレート22bに装着される第3研磨テーブル駆動機構32cをさらに備える。第3研磨テーブル30cは、回転シャフト31cを通じて研磨テーブル駆動機構32cによって回転される。付加研磨構造物5は、下部直線レール13b,13b’、上部直線レール14b,14b’、そしてコンディショナー直線レール15cをさらに備え、これらは、第2上部マウンティングプレート12bに装着される。下部直線レール13b’と上部直線レール14b’とは、図8に示されていない。
第3下部直線レール13bと第3上部直線レール14bとは、レール13b,14bが第2マウンティングプレート12aの正面の横軸面に平行に第2マウンティングプレート12bの正面垂直面上に装着される。したがって、レール13b,14bは、相互に平行である。第3下部直線レール13bの一側端部は、第3下部直線レール13bと第1下部直線レール13aとが一つの直線的に連結された下部直線レールを形成するように、第1下部直線レール13aの一側端部と整列される。同様に、第3上部直線レール14bの一側端部は、第3上部直線レール14bと第1下部直線レール13aとが一つの下部に直線的に連結される直線レールを形成するように、第1上部直線レール14aの一側端部と整列される。
第3下部直線レール13b及び第3上部直線レール14bと類似するように、第4下部直線レール13b’と第4下部直線レール14b’とは、レール13b’,14b’が第2マウンティングプレート12bの裏面の横軸面に平行に第2マウンティングプレート12b’の裏面垂直面上に装着される。
したがって、レール13b’,14b’は、相互に平行であり、レール13b,14b’にも平行である。第4下部直線レール13b’の一側端部は、第4下部直線レール13b’と第2下部直線レール13a’とが一つの下部に直線的に連結された直線レールを形成するように、第2下部直線レール13a’の一側端部に整列される。同様に、第4上部直線レール14b’の一側端部は、第4上部直線レール14b’と第2上部直線レール14a’とが一つの直線的に連結された下部直線レールを形成するように、第2上部直線レール14a’の一側端部に整列される。
第5研磨ヘッド組立体50cは、第3下部及び上部直線レール13b,14bに装着される。第5研磨ヘッド組立体50cは、第1及び第3下部直線レール13a,13bによって形成された直線的に連結された下部直線レールと、第1及び第3上部直線レール14a,14bによって形成された直線的に連結された上部直線レールとに沿って、第5ロード/アンロードステーション40c、第3研磨テーブル30c、そして第7研磨ロード/アンロードステーション40dの間で動く。
第5研磨ヘッド組立体50cは、図6及び図7を参照して前述したように、リードスクリュー71aとヘッド移動モータ70aとを使用する第1研磨ヘッド組立体50aと類似した方式でヘッド駆動モータ70a’に連結されるリードスクリュー71cを使用して直線的に動ける。図示していないが、第6研磨ヘッド組立体50c’は、第4下部及び上部直線レール13b’,14b’に装着される。第6研磨ヘッド組立体50c’は、第2及び第4下部直線レール13a’,13b’によって形成された下部直線レールと第2及び第4上部直線レール14a’,14b’によって形成された上部直線レールとに沿って第6ロード/アンロードステーション40c’、第3研磨テーブル30c、そして第8研磨ロード/アンロードステーション40d’の間で動く。
第6研磨ヘッド組立体50c’は、図6及び図7を参照して前述したように、リードスクリュー71aとヘッド移動モータ70aとを使用する第1研磨ヘッド組立体50aと類似した方式でヘッド駆動モータに連結されるリードスクリューを使用して直線的に動ける。 一実施形態において、第5及び第6研磨ヘッド組立体50c,50c’に対してトルクの変化を検出するために、ロードセル(図示せず)が使われる。研磨ヘッド51c,51c’によって研磨される各ウェーハに対する研磨過程の終点を検出するために、第5及び第6研磨ヘッド組立体50c,50c’それぞれに対するロードセルが研磨テーブル駆動機構32cのモータに結合される電流センサー34と共に使われる。一代替実施形態において、第5及び第6研磨ヘッド組立体50c,50c’で付加電流センサー36c,36c’が研磨ヘッド51c,51c’を回転させるために使われる電流の変化を検出するために使われる。
研磨ヘッド51c,51c’によって研磨される各ウェーハに対する研磨過程の終点を検出するために、第5及び第6研磨ヘッド組立体50c,50c’に対する付加電流センサー36c,36c’が研磨テーブル駆動機構32cのモータに結合された電流センサー34と共に使われる。第3コンディショナー直線レール15cは、第2マウンティングプレート12bの底面に装着され、レール13b,13b’,14b,14b’にも平行である。第2マウンティングプレート12bの下面は、マウンティングプレート12bの前裏面と垂直である。第3パッドコンディショナー組立体90cは、第3コンディショナー直線レール15cに滑って動けるように結合される。
図9を参照して、本発明の実施形態による研磨装置1に対するパッドコンディショナー組立体が説明される。図9の研磨装置1において、コンディショナーの回転及び垂直駆動機構92aは、マウンティングプレート77に連結される。マウンティングプレート77は、上部水平部77a、下部水平部77b、そして垂直部77cを備える“逆コ”字状を有する。マウンティングプレート77の上部水平部77aは、薄いネック部位81を備えるが、これは、後述する下部及び上部レールグリッパ47a,48a,47a’,48a’の薄いネック部位と類似している。
マウンティングプレート77の上部水平部77aは、リードナット93aに結合される。マウンティングプレート77の下部水平部77bは、コンディショナーの回転及び垂直駆動機構92aに連結される。上部水平部77aと下部水平部77bとは、垂直部77cを通じて相互連結される。リードナット93aは、コンディショナー直線レール15a及びリードスクリュー94aと滑って動けるように結合される。リードスクリュー94aは、コンディショナー回転モータ(図示せず)に連結される。コンディショナー直線移動モータは、第1上部マウンティングプレート12aに装着される。リードナット93aは、リードスクリュー94aがコンディショナー直線移動モータによって回転されるにつれて、リードスクリュー94aに沿って動く。
図9を参照して、本発明の実施形態による研磨装置1が説明される。図9は、エンクロージング構造物78と研磨装置1との断面を示す。図9の研磨装置で、下部及び上部レールグリッパ47a,48a,47a’,48a’は、それぞれの薄いネック部位81を通じてそれぞれの研磨ヘッド組立体プレート45a,45a’に連結される。
図9に示したように、エンクロージング構造物78は、第1上部マウンティングプレート12a、下部直線レール13a,13a’、上部直線レール14a,14a’、コンディショナー直線レール15a、ほとんどの下部直線グリッパ47a,47a’、ほとんどの上部直線グリッパ48a,48a’、リードナット93a、リードスクリュー94a、そして研磨装置1の全ての他の類似した構成物を覆い込む。
エンクロージング構造物78は、マウンティングプレート77の上部水平部77aの一部も覆い込む。エンクロージング構造物78は、マウンティングプレート77の下部水平部77bは、覆い込んでいない。したがって、研磨ヘッド51a,51a’,51b,51b’,51c,51c’とパッドコンディショナー91a,91bとは、エンクロージング構造物78の外側にある。
研磨装置1を参照してエンクロージング構造物78が説明されたが、エンクロージング構造物78は、拡張された研磨装置10の類似した構成物を覆い込むために拡張された研磨装置10に使われるように改造されることもある。エンクロージング構造物78は、下部及び上部レールグリッパ47a,48a,47a’,48a’の薄いネック部位81とマウンティングプレート77の薄いネック部位81とに対する直線方向に延びている開口部を備える。ネック部位81は、エンクロージング構造物78の開口部に沿って動く。開口部は、ネック部位81と遮蔽物質との摩擦がパーティクルを生じさせ、それを研磨パッドに落としてウェーハに害を与えないように、テフロン(登録商標)、ポリウレタン、シリコンゴムのような軟らかいポリマー材料79で遮蔽される。下部及び上部レールグリッパ47a,48a,47a’,48a’のネック部位81は、これと結合されたヘッド組立体が直線レール13a,14aまたは直線レール13a’,14a’に沿って動く時に、遮蔽材を通じて動く。
図10に示したように、それぞれのネック部位81の両端部は、鋭い形態にすることができる。すなわち、ネック部位81の各端部は、鋭い点に傾斜する面が加工されうる。このような構成は、エンクロージング構造物78の開口部が、図10に示したように、遮蔽剤によってネック部位81の端部83で堅固に遮蔽されることを確実にする。
本発明の実施形態及び作動方法が記述されたが、本発明は、前述した特定の実施形態や作動方法によって限定されるものではない。本発明の実施に不要な多くの細部事項が記述されたが、このような細部事項は、本発明を作って使用するための最適の作動、方式、工程を十分に公開するために含まれた。本発明の実施形態で表現される思想及び観点から逸脱せずに本発明の特定の形態及びデザインが修正されうる。
本発明は、半導体研磨関連の技術分野に好適に適用可能である。
本発明の実施形態による研磨装置を示す図面である。 本発明の実施形態による図1の研磨装置を使用して拡張された研磨装置を示す図面である。 本発明の実施形態による図1の研磨装置のフレーム構造物を示す正面図である。 図3のフレーム構造物を示す側面図である。 本発明の代替実施形態による図1の研磨装置の正面図である。 図5の研磨装置の一部を示す拡大図面であり、研磨ヘッド組立体、これと結合された直線駆動機構、及びそれと結合された終点検出機構を示す図面である。 図6に示した部位の断面図である。 本発明による図2の拡張された研磨装置を示す正面図である。 図5の研磨装置の一部を示す断面図であり、本発明の実施形態によるエンクロージング構造物を示す図面である。 本発明の実施形態によるエンクロージング構造物の開口部と開口部における薄いネック部位とを示す図面である。
符号の説明
1 研磨装置
3 フレーム構造物
5 付加研磨構造物
7 付加フレーム構造
10 拡張された研磨装置
30a,30b,30c 第1及び第2研磨テーブル
40a,40a’,40b,40b’,40c,40c’,40d,40d’ ロード/アンロードステーション
51a,51a’、51b,51b’,51c,51c’ 研磨ヘッド
91a,91b,91c パッドコンディショナー

Claims (29)

  1. 主フレーム構造物に結合されて動作する複数の研磨テーブル、複数の研磨ヘッド及び複数のロード/アンロードステーションを備え、前記研磨ヘッドのそれぞれが前記研磨テーブルの一つと前記ロード/アンロードステーションのうち少なくとも一つとの間で動けるように、前記研磨ヘッドが前記主フレーム構造物に動作できるように結合される主研磨構造物と、
    付加フレーム構造物に結合されて動作する付加研磨テーブル及び付加研磨ヘッドを備える付加研磨構造物と、を備え、
    前記付加研磨構造物が前記付加研磨テーブルと前記付加研磨ヘッドとを備えるさらに大きい研磨構造物を形成するために、前記付加研磨構造物が前記主研磨構造物に付着されるように構成されることを特徴とする半導体ウェーハ研磨装置。
  2. 前記研磨ヘッドのそれぞれが前記研磨テーブルの一つと前記ロード/アンロードステーションのうち少なくとも一つとの間で直線的に動くように、前記研磨ヘッドが前記主フレーム構造物に付着されることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  3. 前記付加研磨構造物が少なくとも一つの付加ロード/アンロードステーションをさらに備え、前記付加研磨ヘッドが前記付加研磨テーブル、前記少なくとも一つの付加ロード/アンロードステーション及び前記主研磨構造物の前記ロード/アンロードステーションの一つの間で直線的に動けるように、前記付加研磨構造物が前記付加フレーム構造物に付着されることを特徴とする請求項2に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  4. 前記研磨ヘッドのそれぞれが前記ロード/アンロードステーションのうち2個と前記ロード/アンロードステーションの前記2個の間に位置した前記研磨テーブルの一つとの間で直線的に動けるように、前記研磨テーブルが前記主フレーム構造物に結合することを特徴とする請求項2に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  5. 前記研磨テーブル上でウェーハを同時に研磨するために、前記研磨ヘッドのそれぞれの対が前記研磨テーブルの一つに直線的に動けるように、前記研磨ヘッドのそれぞれの対が前記主フレーム構造物に付着されることを特徴とする請求項4に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  6. 前記主フレーム構造物は、上部マウンティングプレートの垂直面上に装着された少なくとも一つの直線レールを有する前記上部マウンティングプレートを備え、前記少なくとも一つの直線レールは、前記研磨ヘッドの少なくとも一つを直線的に動かすために使われることを特徴とする請求項2に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  7. 少なくとも一つの付加直線レールが前記上部マウンティングプレートの他の垂直面上に装着され、前記少なくとも一つの付加直線レールは、前記研磨ヘッドの少なくとも他の一つを直線的に動かすために使われることを特徴とする請求項6に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  8. 前記主研磨構造物は、前記研磨ヘッドのそれぞれに対するヘッド移動モータに連結されるリードスクリューを備え、前記リードスクリューと前記ヘッド移動モータとは、前記研磨ヘッドを直線的に動かすために使われることを特徴とする請求項6に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  9. 前記主研磨構造物は、研磨終点検出のために、トルクの変化を検出するために前記研磨ヘッドの少なくとも一つに対するヘッド移動モータに連結されるロードセルを備え、前記主研磨構造物は、研磨テーブル駆動機構によって使われる電流の変化を検出するために、前記研磨テーブルの少なくとも一つに対する研磨テーブル駆動機構に連結される電流センサーを備え、前記ロードセルは、前記研磨終点検出のための前記電流センサーと共に使われることを特徴とする請求項6に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  10. 前記主研磨構造物は、ヘッド回転機構によって使われる電流の変化を検出するために、前記研磨ヘッドの少なくとも一つに対するヘッド回転機構に連結される電流センサーを備え、前記主研磨構造物は、前記研磨テーブルによって使われる電流の変化を検出するために前記研磨テーブルの少なくとも一つに対する研磨テーブル回転機構に連結される他の電流センサーを備え、前記電流センサーが前記研磨終点検出のために前記他の電流センサーと共に使われることを特徴とする請求項6に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  11. 前記付加フレーム構造物が付加上部マウンティングプレートの垂直面上に装着された少なくとも一つの付加直線レールを有する前記付加上部マウンティングプレートを備え、前記少なくとも一つの付加直線レールは、前記付加研磨構造物が前記主研磨構造物に付着される時に、前記主フレーム構造物の少なくとも一つの直線レールと整列され、前記少なくとも一つの付加直線レールは、前記付加研磨ヘッドを直線的に案内するように使われることを特徴とする請求項6に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  12. 前記主研磨構造物が前記研磨テーブルのそれぞれに対するパッドコンディショナーを備え、コンディショナー直線レールが前記上部マウンティングプレートの下面に装着され、前記コンディショナー直線レールは、前記パッドコンディショナーを直線的に動かすために使われることを特徴とする請求項6に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  13. 前記パッドコンディショナーが“逆コ”字状を有するマウンティングプレートに付着され、前記マウンティングプレートは、上部水平部、下部水平部及び前記上部及び下部水平部を連結する垂直部を有し、前記マウンティングプレートは、前記パッドコンディショナーを前記パッドコンディショナー直線レールに連結するために使われることを特徴とする請求項12に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  14. 前記研磨ヘッドと前記パッドコンディショナーとがエンクロージング構造物の外部に位置するように前記上部マウンティングプレートを覆い込むエンクロージング構造物をさらに含み、前記エンクロージング構造物は、前記研磨ヘッド及び前記マウンティングプレートの前記上部水平部に対するレールグリッパのネック部位を収容するための開口部を備え、前記レールグリッパが前記研磨ヘッドを前記少なくとも一つの直線レールに連結するために使われることを特徴とする請求項13に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  15. 前記エンクロージング構造物の少なくとも幾つかの開口部が遮蔽材で遮蔽され、前記ネック部位は、前記エンクロージング構造物の前記開口部が前記ネック部位の両側端部で前記遮蔽材によって遮蔽されるように、それぞれのネック部位が点に傾いて構成されることを特徴とする請求項14に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  16. 主フレーム構造物に結合されて動作する複数の研磨テーブル、複数の研磨ヘッド及び複数のロード/アンロードステーションを備え、前記研磨テーブルのそれぞれが前記ロード/アンロードステーションの間に位置するように前記研磨テーブルと前記ロード/アンロードステーションとが配置され、前記研磨ヘッドのそれぞれが前記研磨テーブルの一つと、前記ロード/アンロードステーションのうち二つとの間で直線的に動けるように前記研磨ヘッドが前記主フレーム構造物に結合され、前記研磨テーブルの前記一つが前記ロード/アンロードステーションの前記2つの間に位置する主研磨構造物と、
    付加フレーム構造物に結合されて動作する付加研磨テーブル、付加研磨ヘッド及び複数の付加ロード/アンロードステーションを備える付加研磨構造物と、を含み、
    前記付加研磨構造物が前記付加研磨テーブル、前記付加研磨ヘッド及び前記付加ロード/アンロードステーションを備えるさらに大きい研磨構造物を形成するために、前記付加研磨構造物が前記主研磨構造物に付着されるように構成されることを特徴とする半導体ウェーハ研磨装置。
  17. 前記付加研磨ヘッドが前記付加研磨テーブル、前記付加ロード/アンロードステーションの一つ、そして、前記主研磨構造物の前記ロード/アンロードステーションの一つの間で直線的に動くように、前記付加研磨ヘッドが前記付加フレーム構造物に付着され、前記付加研磨構造物が前記主研磨構造物に付着されることを特徴とする請求項16に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  18. 前記研磨ヘッドの対のそれぞれが前記研磨テーブル上でウェーハを同時に研磨するために前記研磨テーブルの一つに直線的に動けるように、前記研磨ヘッドの対が前記主フレーム構造物に動けるように付着されることを特徴とする請求項16に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  19. 前記主フレーム構造物は、上部マウンティングプレートの垂直面上に装着された少なくとも一つの直線レールを有する前記上部マウンティングプレートを備え、前記少なくとも一つの直線レールは、前記研磨ヘッドの少なくとも一つを直線的に動かすために使われることを特徴とする請求項16に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  20. 少なくとも一つの付加直線レールが前記上部マウンティングプレートの他の垂直面上に装着され、前記少なくとも一つの付加直線レールは、前記研磨ヘッドの少なくとも他の一つを直線的に動かすために使われることを特徴とする請求項19に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  21. 前記主研磨構造物は、前記研磨ヘッドのそれぞれに対するヘッド移動モータに連結するリードスクリューを含んで、前記リードスクリューと前記ヘッド移動モータは、前記研磨ヘッドを直線的に動かすために使われることを特徴とする請求項19に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  22. 前記主研磨構造物は、研磨終点検出のために、トルクの変化を検出するために前記研磨ヘッドの少なくとも一つに対するヘッド移動モータに連結されるロードセルを備え、前記主研磨構造物は、研磨テーブル駆動機構によって使われる電流の変化を検出するために、前記研磨テーブルの少なくとも一つに対する研磨テーブル駆動機構に連結される電流センサーを備え、前記ロードセルは、前記研磨終点検出のための前記電流センサーと共に使われることを特徴とする請求項19に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  23. 前記主研磨構造物は、ヘッド回転機構によって使われる電流の変化を検出するために、前記研磨ヘッドの少なくとも一つに対するヘッド回転機構に連結される電流センサーを備え、前記主研磨構造物は、研磨テーブル駆動機構によって使われる電流変化を検出するために、前記研磨テーブルの少なくとも一つに対する研磨テーブル駆動機構に連結される他の電流センサーを備え、研磨終点検出のために、前記電流センサーは、前記他の電流センサーと共に使われることを特徴とする請求項19に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  24. 付加されたフレーム構造物は、付加された上部マウンティングプレートの垂直面上に装着された少なくとも一つの付加直線レールを有する付加上部マウンティングプレートを備え、前記付加研磨装置が前記主研磨構造物に付着される時に、前記少なくとも一つの付加直線レールが前記主研磨構造物の前記少なくとも一つの直線レールと整列され、前記少なくとも一つの付加直線レールが前記付加研磨ヘッドを直線的に移動するために使われることを特徴とする請求項19に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  25. 前記主研磨構造物が前記研磨テーブルそれぞれに対するパッドコンディショナーを備え、コンディショナー直線レールが前記上部マウンティングプレートの下面に装着され、前記コンディショナー直線レールは、前記パッドコンディショナーを直線的に動かすために使われることを特徴とする請求項19に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  26. 前記パッドコンディショナーが“逆コ”字状を有するマウンティングプレートに付着され、前記マウンティングプレートは、上部水平部、下部水平部及び前記上部水平部と下部水平部とを連結する垂直部を有し、前記マウンティングプレートは、前記パッドコンディショナーを前記パッドコンディショナー直線レールに連結するために使われることを特徴とする請求項25に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  27. 前記研磨ヘッドと前記パッドコンディショナーとがエンクロージング構造物の外部に位置するように前記上部マウンティングプレートを覆い込むエンクロージング構造物をさらに備え、前記エンクロージング構造物は、前記研磨ヘッド及び前記マウンティングプレートの前記上部水平部に対するレールグリッパのネック部位を収容するための開口部を備え、前記レールグリッパが前記研磨ヘッドを前記少なくとも一つの直線レールに連結するために使われることを特徴とする請求項26に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  28. 前記エンクロージング構造物の少なくとも幾つかの開口部が遮蔽材で遮蔽され、前記ネック部位は、前記エンクロージング構造物の前記開口部が前記ネック部位の両側端部で前記遮蔽材によって遮蔽されるように、それぞれのネック部位が点に傾いて構成されることを特徴とする請求項27に記載の半導体ウェーハ研磨装置。
  29. 主フレーム構造物に動作できるように結合された第1研磨テーブル、第1研磨ヘッド及び第1ロード/アンロードステーションを備える主研磨構造物を含み、前記第1研磨ヘッドは、前記第1研磨ヘッドが第1直線レールを使用して半導体ウェーハを前記第1研磨テーブルから前記第1ロード/アンロードステーションに直線的に移送できるように、前記主フレーム構造物に動作できるように結合される主研磨構造物と、
    付加フレーム構造物に動作できるように結合された第2研磨テーブルと第2研磨ヘッドとを備え、前記第2研磨ヘッドが前記半導体ウェーハを第1ロード/アンロードステーションから受けて第2研磨テーブルで研磨できるように、第2研磨ヘッドが少なくとも第2直線レールを使用して第1ロード/アンロードステーションから第2研磨テーブルに半導体ウェーハを直線的に移送できるように、付加フレーム構造物に動作できるように結合される付加研磨構造物と、を含み、
    前記付加研磨構造物が、第1直線レールと第2直線レールとが一つの直線的に連結された直線レールを形成するように整列されるように、主研磨構造物に装着されるように構成されることを特徴とする半導体ウェーハ研磨装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011526843A (ja) * 2008-07-01 2011-10-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド モジュール式ベースプレート半導体研磨機アーキテクチャ
JP6227821B1 (ja) * 2016-09-30 2017-11-08 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び研磨方法
KR20180064516A (ko) 2015-11-13 2018-06-14 가부시키가이샤 사무코 웨이퍼 연마 방법 및 장치

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101539335B1 (ko) * 2015-03-18 2015-07-28 주식회사 티에스시 씨엠피장치용 패드컨디셔너
KR102570115B1 (ko) * 2016-10-20 2023-08-23 삼성디스플레이 주식회사 기판 연마 시스템
DE102019208704A1 (de) * 2019-06-14 2020-12-17 Siltronic Ag Einrichtung und Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62102973A (ja) * 1985-10-28 1987-05-13 Toshiba Corp 全自動ポリシング装置
JPS63207559A (ja) * 1987-02-19 1988-08-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエ−ハ自動研削装置
JPH0453674A (ja) * 1990-06-20 1992-02-21 Fujikoshi Kikai Kogyo Kk ポリシング仕上げ装置
JPH0663862A (ja) * 1992-08-22 1994-03-08 Fujikoshi Mach Corp 研磨装置
JPH10337659A (ja) * 1997-05-07 1998-12-22 Peter Wolters Werkzeugmas Gmbh 研磨装置
JPH11226867A (ja) * 1998-02-16 1999-08-24 Speedfam Co Ltd 多連式研磨装置
JPH11274119A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Speedfam Co Ltd ウェーハポリッシング自動化ライン装置及びウェーハポリッシング加工方法
JPH11277423A (ja) * 1998-03-26 1999-10-12 Fujikoshi Mach Corp ウェーハの研磨装置及びそのシステム
JP2000084843A (ja) * 1998-09-14 2000-03-28 Speedfam-Ipec Co Ltd 片面ポリッシング装置及び片面ポリッシング方法
JP2001274119A (ja) * 2000-03-23 2001-10-05 Tokyo Seimitsu Co Ltd ユニット分離型研磨装置
US6309279B1 (en) * 1999-02-19 2001-10-30 Speedfam-Ipec Corporation Arrangements for wafer polishing
JP2002509812A (ja) * 1998-03-31 2002-04-02 ステアグ、エレクトロニック、ジステムス、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング 基板の研磨平削りモジューラ機
JP2003309089A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Ebara Corp ポリッシング装置及び基板処理装置
WO2004095516A2 (en) * 2003-04-21 2004-11-04 Inopla Inc. Apparatus and method for polishing semiconductor wafers using one or more polishing surfaces
JP2004337987A (ja) * 2003-05-12 2004-12-02 Ebara Corp ポリッシング装置及び基板処理装置
JP2005131772A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Ebara Corp ポリッシング装置
JP2007067179A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウエーハの鏡面研磨方法及び鏡面研磨システム

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010010201A (ko) * 1999-07-16 2001-02-05 윤종용 웨이퍼 연마 장치 및 방법
JP2003332282A (ja) 2002-05-17 2003-11-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd マルチヘッド研磨装置
US7238614B2 (en) 2004-11-10 2007-07-03 Inopla Inc. Methods for fabricating one or more metal damascene structures in a semiconductor wafer

Patent Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62102973A (ja) * 1985-10-28 1987-05-13 Toshiba Corp 全自動ポリシング装置
JPS63207559A (ja) * 1987-02-19 1988-08-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエ−ハ自動研削装置
JPH0453674A (ja) * 1990-06-20 1992-02-21 Fujikoshi Kikai Kogyo Kk ポリシング仕上げ装置
JPH0663862A (ja) * 1992-08-22 1994-03-08 Fujikoshi Mach Corp 研磨装置
JPH10337659A (ja) * 1997-05-07 1998-12-22 Peter Wolters Werkzeugmas Gmbh 研磨装置
JPH11226867A (ja) * 1998-02-16 1999-08-24 Speedfam Co Ltd 多連式研磨装置
JPH11274119A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Speedfam Co Ltd ウェーハポリッシング自動化ライン装置及びウェーハポリッシング加工方法
JPH11277423A (ja) * 1998-03-26 1999-10-12 Fujikoshi Mach Corp ウェーハの研磨装置及びそのシステム
JP2002509812A (ja) * 1998-03-31 2002-04-02 ステアグ、エレクトロニック、ジステムス、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング 基板の研磨平削りモジューラ機
JP2000084843A (ja) * 1998-09-14 2000-03-28 Speedfam-Ipec Co Ltd 片面ポリッシング装置及び片面ポリッシング方法
US6309279B1 (en) * 1999-02-19 2001-10-30 Speedfam-Ipec Corporation Arrangements for wafer polishing
JP2001274119A (ja) * 2000-03-23 2001-10-05 Tokyo Seimitsu Co Ltd ユニット分離型研磨装置
JP2003309089A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Ebara Corp ポリッシング装置及び基板処理装置
WO2004095516A2 (en) * 2003-04-21 2004-11-04 Inopla Inc. Apparatus and method for polishing semiconductor wafers using one or more polishing surfaces
JP2004337987A (ja) * 2003-05-12 2004-12-02 Ebara Corp ポリッシング装置及び基板処理装置
JP2005131772A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Ebara Corp ポリッシング装置
JP2007067179A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウエーハの鏡面研磨方法及び鏡面研磨システム

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011526843A (ja) * 2008-07-01 2011-10-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド モジュール式ベースプレート半導体研磨機アーキテクチャ
KR20180064516A (ko) 2015-11-13 2018-06-14 가부시키가이샤 사무코 웨이퍼 연마 방법 및 장치
DE112016005222T5 (de) 2015-11-13 2018-08-02 Sumco Corporation Waferpolierverfahren und -Vorrichtung
JP6227821B1 (ja) * 2016-09-30 2017-11-08 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び研磨方法
KR20180036545A (ko) * 2016-09-30 2018-04-09 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마 장치 및 연마 방법
JP2018061002A (ja) * 2016-09-30 2018-04-12 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び研磨方法
KR102399251B1 (ko) 2016-09-30 2022-05-19 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마 장치 및 연마 방법

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