JP2000127027A - ウェーハ加工装置 - Google Patents

ウェーハ加工装置

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JP2000127027A
JP2000127027A JP29694798A JP29694798A JP2000127027A JP 2000127027 A JP2000127027 A JP 2000127027A JP 29694798 A JP29694798 A JP 29694798A JP 29694798 A JP29694798 A JP 29694798A JP 2000127027 A JP2000127027 A JP 2000127027A
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JP
Japan
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wafer
polishing
stage
unload
processing apparatus
Prior art date
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JP29694798A
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English (en)
Inventor
Takao Inaba
高男 稲葉
Minoru Numamoto
実 沼本
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Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Publication date
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】ウェーハの研磨ステージと、研磨終了したウェ
ーハを位置決めする位置決め手段を有するアンロードス
テージとを備えたウェーハ加工装置において、加工装置
の小型化を図ると共にスループットの向上を図る。 【解決手段】本発明によれば、アンロードステージ22
に、ウェーハ28を仕上げ研磨する研磨布158、16
0を組み込んだので、その組み込んだ分だけウェーハ2
8の搬送経路を短縮することができる。これにより、本
発明によれば、加工装置の小型化を図ることができ、ス
ループットも向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はウェーハ研磨装置に
係り、特に半導体ウェーハを化学的機械研磨法(CM
P:Chemical Mechanical Polishing )によって加工す
るウェーハ加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の半導体ウェーハ加工装置
は、研磨ステージ、仕上げステージ、アンロードステー
ジ、及び洗浄乾燥ステージ等から構成されている。この
ように構成されたウェーハ加工装置によれば、まず、研
磨ステージの研磨定盤でウェーハを研磨する。次に、ウ
ェーハを研磨ステージから仕上げステージに搬送し、こ
の仕上げステージの研磨布にウェーハを押し付け、ここ
で仕上げ研磨する。これにより、ウェーハの研磨面が鏡
面加工される。次いで、仕上げ研磨されたウェーハをア
ンロードステージに搬送し、ここでウェーハを中心出し
(位置決め)した後、このウェーハを洗浄乾燥ステージ
に搬送し、洗浄後、乾燥する。これにより、1枚のウェ
ーハの加工が終了する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のウェーハ加工装置は、ステージの数が多いため、ウ
ェーハの搬送経路が長くなり、これによって装置が大型
化すると共にスループットを向上させることができない
という欠点があった。このような不具合は、不要なステ
ージを削減することで解消できるが、前述したステージ
には不要なステージがないため、ステージを削減するこ
とはできない。
【0004】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、ステージを削減することなく装置の小型化と
スループットの向上とを図ることができるウェーハ加工
装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
するために、ウェーハを研磨する研磨ステージと、前記
研磨ステージに隣接して配置されると共に、該研磨ステ
ージで研磨終了したウェーハを位置決めする位置決め手
段が設けられ、該位置決め手段で位置決めされたウェー
ハを次工程に受け渡すアンロードステージとを備えたウ
ェーハ加工装置において、前記アンロードステージに前
記ウェーハを仕上げ研磨する研磨布が設けられ、該研磨
布の表面にウェーハが押し付けられて仕上げ研磨される
ことを特徴としている。
【0006】請求項1記載の発明によれば、ウェーハを
仕上げ研磨する研磨布をアンロードステージに設けたの
で、即ち、アンロードステージに仕上げステージを組み
込んだので、その組み込んだ分だけウェーハの搬送経路
を短縮することができる。これにより、本発明によれ
ば、加工装置の小型化を図ることができると共に、スル
ープットも向上する。
【0007】請求項2記載の発明によれば、アンロード
ステージに液体噴射手段を設け、この液体噴射手段から
研磨布の裏面に液体を噴射し、この液体を研磨布の表面
から滲み出させることにより、ウェーハを研磨布から剥
離させるようにした。これにより、本発明によれば、研
磨布に密着されたウェーハを研磨布から容易に剥離させ
ることができる。
【0008】請求項3記載の発明によれば、ウェーハに
洗浄水を供給する洗浄水供給手段をアンロードステージ
に設けたので、ウェーハの上面に付着した埃や付着しよ
うとする埃を洗い流すことができる。これにより、本発
明によれば、クリーンな状態のウェーハを次工程に受け
渡すことができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
るウェーハ加工装置の好ましい実施の形態について詳説
する。図1は、本発明の実施の形態のウェーハ加工装置
10の平面図である。同図に示すウェーハ加工装置10
の装置本体12には、カセット設置部14、アライナ1
6、ロードステージ18、研磨ステージ20、アンロー
ドステージ22、及び洗浄乾燥ステージ24等が設置さ
れている。
【0010】前記カセット設置部14には、4台のカセ
ット26A、26B、26C、26Dが着脱自在にセッ
トされ、これらのカセット26A〜26Dには図1上二
点鎖線で示す加工前のウェーハ28が多数枚収納されて
いる。なお、本実施の形態では、カセット26Aに酸化
膜(SiO2 膜)が形成されたダミーウェーハが収納さ
れ、カセット26Bにはメタル膜(金属膜)が形成され
たダミーウェーハが収納され、カセット26Cには酸化
膜(SiO2 膜)が形成されたウェーハが収納され、カ
セット26Dにはメタル膜(金属膜)が形成されたウェ
ーハがそれぞれ収納されている。前記カセット26Aに
収納されたダミーウェーハは、カセット26Cに収納さ
れているウェーハの研磨量を予め確認するために研磨さ
れるダミーウェーハである。また、前記カセット26B
に収納されたダミーウェーハは、カセット26Dに収納
されているウェーハの研磨量を予め確認するために研磨
されるダミーウェーハである。
【0011】これらのカセット26A〜26Dに収納さ
れたウェーハ28は、カセット26A〜26Dの近傍に
設置された搬送用ロボット30によって1枚ずつ取り出
された後、仮置台32上に載置される。そして、仮置台
32上に載置されたウェーハ28は、搬送用ロボット3
4によって前記アライナ16に搬送され、ここでウェー
ハ28の中心出し(位置決め)が行われると共に、ウェ
ーハ28の厚みが測定される。そして、アライナ部16
で中心出しと厚み測定が終了したウェーハ28は、搬送
用ロボット36に吸着保持されて、ロードステージ18
に1枚ずつ搬送される。
【0012】前記カセット26A〜26Dは、図示しな
いエレベータ装置の昇降台上に載置されている。このエ
レベータ装置を駆動してカセット26A〜26Dの高さ
位置を調整することにより、搬送用ロボット30を昇降
させることなく、カセット26A〜26Dの所定の棚に
収納されたウェーハ28を搬送用ロボット30で取り出
すことができる。なお、搬送用ロボット30側に昇降機
構をもたせれば、前記エレベータ装置が不要になる。
【0013】ここで、前記搬送用ロボット30について
説明すると、この搬送用ロボット30はテーブル40上
に設置されている。前記テーブル40は、カセット26
A〜26Dの設置方向(図1中上下方向)に対して平行
に敷設された一対のレール42、42上に移動自在に設
けられると共に、図示しない駆動部からの駆動力によっ
てレール42、42に沿って往復移動される。これによ
り、前記搬送用ロボット30は、レール42、42に沿
って図1中上下方向に移動され、前記カセット26A〜
26Dのうち選択された1つのカセットに収納されたウ
ェーハ28を取り出すことができる位置に移動すること
ができる。そして、搬送用ロボット30は、取り出した
ウェーハ28を前記仮置台32上に載置する。
【0014】前記搬送用ロボット30は、汎用のロボッ
トであり、ウェーハ28を吸着保持する馬蹄形のアーム
44、及び3本のリンク46、48、50等から構成さ
れている。前記アーム44は、リンク46に回転自在に
支持され、図示しないモータからの駆動力で回転するこ
とができる。前記リンク46は、リンク48に軸52を
介して回動自在に連結され、図示しないモータからの駆
動力で軸52を中心に回転することができる。また、リ
ンク48は、軸54を介してリンク50に回動自在に連
結され、図示しないモータからの駆動力で軸54を中心
に回転することができる。さらに、リンク50は、軸5
6を介してモータ58の図示しない出力軸に連結されて
いるので、モータ58を駆動することにより軸56を中
心に回転することができる。したがって、前記ロボット
30によれば、アーム44及び3本のリンク46、4
8、50の各動作を各々のモータで制御することによ
り、前記カセット26A〜26Dに収納されたウェーハ
28を取り出して仮置台32に搬送することができる。
【0015】なお、前記搬送用ロボット34、36、そ
して、後述する2台の搬送用ロボット60、62は、前
記搬送用ロボット30と同一構成なので、ここではその
説明を省略する。前記ロードステージ18は、アライナ
16で中心出しされた研磨直前のウェーハ28を中心出
しした状態で一時ストックするステージである。このロ
ードステージ18を構成するステージ本体19の上面に
は図2、図3に示すように、ウェーハ28が載置される
円形状の凹部64、64が所定の間隔をもって形成され
ている。この凹部64、64に、前記搬送用ロボット3
6で搬送されてきた円形のウェーハ28が載置される。
前記凹部64の径は、ウェーハ28の径よりも若干量大
きめに形成され、また、凹部64の深さはウェーハ28
の厚みよりも若干量深く形成されている。したがって、
前記凹部64に載置されたウェーハは、凹部64に位置
ズレすることなく、その全体が収納されるので、ロード
ステージ18において、中心出しされた状態で保持され
る。このように、研磨ステージ20の直前に設置されて
いる前記ロードステージ18によって、ウェーハ28を
中心出しした状態で保持することにより、ウェーハ28
の研磨面が研磨ステージ20で均等に研磨される。
【0016】また、前記ロードステージ18には、ウェ
ーハ28をフローティング支持するフローティング機構
が設けられている。このフローティング機構によって、
ウェーハ28は、その上面がステージ本体19の上面か
ら若干量突出するようにフローティングされる。これに
より、本実施の形態のロードステージ18によれば、ウ
ェーハ28の位置ズレを防止しつつウェーハ28をチャ
ックで保持させることができる。
【0017】前記フローティング機構として本実施の形
態では、凹部64の底面から凹部64に純水を噴射して
ウェーハ28をフローティングさせる機構が採用されて
いる。即ち、前記凹部64の底面には、その中央部に噴
射口66が形成され、この噴射口66は図3に示すよう
に、ステージ本体19に形成された分岐水路68、及び
主幹水路70を介して図示しない給水ポンプにレギュレ
ータを介して接続されている。このレギュレータで給水
量を制御することにより、ウェーハ28が好適にフロー
ティング支持される。また、前記主幹水路70には、上
方に延出された水路80、80…が形成され、これらの
水路80の噴射口82は、ステージ本体19の上面に開
口されている。また、前記噴射口82の上方には整流板
84が設けられている。これによって、噴射口82から
噴射された純水は、整流板84によって凹部64に向け
て導かれる。したがって、噴射口82から噴射された純
水は、フローティング支持されているウェーハ28の上
面に沿って流れるので、ウェーハ28の上面に付着して
いる埃や付着しようとする埃を洗い流すことができる。
よって、ウェーハ28はクリーンな状態でチャックに吸
着保持される。
【0018】前記噴射口66から噴射された純水は図4
上矢印で示すように、排水溝72を通過して排水口74
に流れる。前記排水溝72及び排水口74は図2に示す
ように、凹部64の周囲に90度間隔で形成されてい
る。前記排水口74に流れた純水は図3に示すように、
ステージ本体19に形成された分岐水路76、及び主幹
水路78を介してロードステージ18の外部に排水され
る。なお、前記噴射口82から噴射された純水も、同様
の経路で排水される。以上がロードステージ18の構成
である。
【0019】図1に示す研磨ステージ20は、4台のチ
ャック90、92、94、96、及び2台の研磨装置9
8、100等から構成される。前記チャック90、92
は支持部材104に所定の間隔をもって並設され、ま
た、前記チャック94、96は支持部材106に所定の
間隔をもって並設されている。このチャック94、96
の支持構造は、前記チャック90、92の支持構造と同
一なので、ここでは、チャック90、92の支持構造を
説明し、チャック94、96の支持構造についてはその
説明を省略する。
【0020】前記支持部材104は扇形状に形成され、
その基部104Aが図5に示す軸受108を介して軸1
10に回転自在に支持されている。また、図1に示すよ
うに前記軸110を中心とする円周上に、前記ロードス
テージ18、研磨装置98、100、及びアンロードス
テージ22が所定の間隔で配置されている。したがっ
て、前記支持部材104を前記軸110周りに回転する
ことにより、前記チャック90、92をロードステージ
18、研磨装置98、100、及びアンロードステージ
22に位置させることができる。
【0021】前記軸110にはギア112が設けられ、
このギア112は軸110と同軸上に固定されている。
前記ギア112にはギア114が噛合されており、この
ギア114は支持部材104に固定されたモータ116
の出力軸に取り付けられている。したがって、前記モー
タ116でギヤ114を回転させると、ギア114がギ
ア112の周りを回転しながら公転するので、その公転
力が支持部材104に伝達し、前記支持部材104が軸
110を中心に水平面内で回動する。
【0022】図5に示すように前記チャック90は、モ
ータ118の出力軸に取り付けられ、モータ118から
の駆動力によって回転される。前記モータ118は、支
持部材104に設けられたケーシング120内に複数の
直動ガイド122、122…を介して上下移動自在に支
持されている。また、前記モータ118の上部には、ね
じ棒124が上下方向に取り付けられ、このねじ棒12
4にはナット部材126が螺合されている。前記ナット
部材126は、ケーシング120の上部開口部に軸受1
28を介して回転自在に設けられると共に、その外周面
に無端状ベルト130が巻き掛けられている。前記ベル
ト130は図示しないプーリに巻き掛けられ、このプー
リは、ケーシング120上に設置されたモータ132の
出力軸134に取り付けられている。したがって、モー
タ132からの駆動力をベルト130を介してナット部
材126に伝達し、ナット部材126を回転させると、
ナット部材126とねじ棒124とによる送り作用、及
び直動ガイド122による直動作用によって、チャック
90がモータ118と一緒に上下移動する。これによ
り、チャック90を下降移動すれば、チャック90で保
持したウェーハ28を研磨定盤136A、研磨定盤13
6Bに押し付けて研磨することができる。
【0023】前記研磨定盤136Aは、回転板138
と、この回転板138上に設けられた研磨布140とか
ら構成される。また、回転板138の下面中央部には、
軸142が突設され、この軸142にモータ144の出
力軸146が連結されている。したがって、研磨定盤1
36Aは、前記モータ144の駆動力によって回転され
る。これにより、ウェーハ28は、研磨定盤136Aの
回転運動とチャック90の回転運動とが合成された回転
運動によって研磨される。なお、ウェーハ28の研磨中
には、図示しないノズルからスラリが研磨布140に供
給される。
【0024】前記研磨定盤136Aの研磨布140は、
酸化膜を研磨する研磨布であってメタル膜を1次研磨す
る研磨布である。また、研磨定盤136Bの研磨布14
0は、メタル膜を2次研磨する研磨布である。したがっ
て、酸化膜を研磨するウェーハ28は、研磨定盤136
A側でのみ研磨される。また、メタル膜を研磨するウェ
ーハ28は、研磨定盤136A側で1次研磨された後、
研磨定盤136B側で2次研磨される。
【0025】前記チャック90の下面には、多孔質材で
形成されたウェーハ吸着部材91が設けられており、ウ
ェーハ28はこの吸着部材91で吸着保持されてロード
ステージ18から研磨装置98、100に搬送され、ま
た、研磨装置98、100からアンロードステージ20
に搬送される。なお、前記ウェーハ28の研磨方法は、
ウェーハ28をチャック90の吸着部材91で吸着した
状態で研磨布140に押し付けて研磨する方法でも良
く、また、チャック90の下面からウェーハ28に向け
てエアを吹き出し、チャック90とウェーハ28との間
に圧力流体層を形成し、この圧力流体層を介してウェー
ハ28を研磨布140に押し付けて研磨する方法でも良
い。後者の研磨方法による加工圧の設定は、圧力流体層
の圧力で設定するものではなく、前者の研磨方法と同様
にチャック90の下降移動量で設定する。なお、本実施
の形態では、一つの支持部材104に2台のチャック9
0、92を取り付けたが、3枚以上のウェーハ28を同
時に研磨することができれば、3台以上のチャックを支
持部材104に取り付けても良い。また、研磨定盤13
6や支持部材104、106も3台以上設置しても良
い。
【0026】一方、図1に示す研磨ステージ20には、
環状のガイドレール148が軸110を中心に水平方向
に配設されている。このガイドレール148は、各ステ
ージ18、22、及び研磨装置98、100を囲むよう
に各ステージ18、22、及び研磨装置98、100の
外側に配設されている。前記ガイドレール148には、
支持部材104の先端部に設けられた一対の摺動用ガイ
ドブロック150、150が摺動自在に係合されてい
る。これにより、支持部材104は、軸110とガイド
レール148とによって両持ち支持された状態で軸11
0を中心に回転することができる。
【0027】また、図6に示すように、前記ガイドレー
ル148の両側面には凹条部149、149がガイドレ
ール148に沿って形成されており、この凹条部14
9、149に前記ガイドブロック150の凸部151が
噛み合った状態で係合されている。この係合によって、
支持部材104の上下移動が規制され、支持部材104
の反りが防止されている。
【0028】次に、本実施の形態のアンロードステージ
22について説明する。図7は、前記アンロードステー
ジ22の平面図であり、図8はアンロードステージ22
の断面図である。このアンロードステージ22は、チャ
ック90〜96から排出された研磨後のウェーハ28を
一時受け取り、そして、ウェーハ28が洗浄乾燥ステー
ジ24に搬送される前に、ウェーハ28をタッチアップ
研磨(仕上げ)した後、再度中心出しするステージであ
る。
【0029】即ち、前記アンロードステージ22は、ウ
ェーハ28を位置決めする手段の他に、ウェーハ28を
仕上げ研磨する仕上げステージを併せ持っている。した
がって、本実施の形態のウェーハ加工装置10は、アン
ロードステージ22に仕上げステージが組み込まれてい
るので、その分だけウェーハ28の搬送経路が短くな
り、また、スループットが向上する。
【0030】アンロードステージ22を構成するステー
ジ本体23の上面には、タッチアップ研磨用の研磨布1
58、160が着脱自在に設けられている。なお、タッ
チアップ研磨を必要とするウェーハ28は、メタル膜が
形成されたウェーハ28であり、酸化膜が形成されたウ
ェーハ28はタッチアップ研磨を必要としない。このた
め、酸化膜が形成されたウェーハ28を加工する場合に
は、前記研磨布158、160に代えてスポンジ(スク
ラブ洗浄装置で使用されるスポンジ等)が設けられる。
【0031】ところで、前記研磨布158、160にウ
ェーハ28を押し付けると、ウェーハ28は研磨布15
8、160に密着してしまうので、ウェーハ28を研磨
布158、160から容易に取り外すことができなくな
るという不具合が生じる。そこで、本実施の形態のアン
ロードステージ22には、前記不具合を解消するため
に、ウェーハ剥離機構が設けられている。この剥離機構
として本実施の形態では、研磨布158、160の裏面
から純水(液体)を供給し、この純水を研磨布158、
160の表面から滲み出させることにより、ウェーハ2
8を研磨布158、160から剥離させる機構が採用さ
れている。即ち、研磨布158、160が設けられるス
テージ本体23の表面には水噴射口162、162…が
形成され、この水噴射口162、162…は図8に示す
ように、ステージ本体23に形成された分岐水路16
4、164、及び主幹水路166を介して図示しない給
水ポンプに接続されている。なお、本実施の形態では、
ウェーハ剥離用の液体として純水を使用したが、これに
限られるものではなく、ウェーハ28に悪影響を与えな
い液体であればその種類は問わない。
【0032】前記研磨布158、160の側方には、純
水(洗浄水)を噴射する複数本の噴射口174、174
…が図7の如く形成され、これらの噴射口174、17
4…は研磨布158、160に向けて形成されている。
これによって、噴射口174、174…から噴射された
純水は、研磨布158、160上に載置されているウェ
ーハ28の上面に沿って流れるので、ウェーハ28の上
面に埃等が付着するのを防止することができる。よっ
て、ウェーハ28はクリーンな状態で搬送用ロボット6
0に吸着保持される。なお、本実施の形態では、ウェー
ハの洗浄水として純水を使用したが、これに限られるも
のではなく、ウェーハ28に悪影響を与えない洗浄水で
あればその種類は問わない。
【0033】前記研磨布158、160から滲み出た前
記純水、及び前記噴射口174、174…から噴射され
た純水は、ステージ本体23に形成された排水口168
に流れる。前記排水口168に流れた純水は、ステージ
本体23に形成された分岐水路170、170及び主幹
水路172を介してアンロードステージ22の外部に排
水される。
【0034】また、前記アンロードステージ22には、
ウェーハ28を中心出しするための位置決め機構が設け
られている。この位置決め機構は図7に示すように、研
磨布158、160の外周部に等間隔で配設された3本
の位置決め用ピン176、176、176等から構成さ
れている。この位置決め用ピン176、176、176
にウェーハ28の外周縁が接触することにより、ウェー
ハ28の位置が修正されてウェーハ28の中心出しが行
われる。
【0035】前記位置決め用ピン176、176、17
6は図8に示すように、ステージ本体23内に貫通配置
され、その下端部が支持板178に固定されている。前
記支持板178の下面中央部には、シリンダ装置180
のロッド182が固定されている。したがって、前記シ
リンダ装置180でロッド182を伸縮させると、前記
位置決め用ピン176、176、176がステージ本体
23に没入した位置と図8上実線で示す突出した位置と
の範囲で上下移動される。
【0036】前記シリンダ装置180は、チャック9
0、92の上下移動の動作に連動して動作するように図
示しない制御装置によって制御されている。即ち、制御
装置は、チャック90、92が下降移動してウェーハ2
8を研磨布158、160に押し付ける時には、ロッド
182を収縮するようにシリンダ装置180を制御す
る。これにより、位置決め用ピン176、176、17
6で邪魔されることなく、ウェーハ28のタッチアップ
研磨が実施される。また、制御装置は、研磨が終了し
て、チャック90、92が上昇移動する時に、ロッド1
82を伸長するようにシリンダ装置180を制御する。
これにより、研磨布158、160上のウェーハ28が
位置決め用ピン176、176、176によって中心出
しされる。なお、ロッド182の伸長時に連動して、噴
射口162、162…及び噴射口174、174…から
純水を噴射するように制御することが好ましい。以上が
アンロードステージ22の構造である。
【0037】前記アンロードステージ22で中心出しさ
れ、研磨布158、160から剥離されたウェーハ28
は、搬送用ロボット60によって1枚ずつ洗浄乾燥ステ
ージ24に搬送される。前記洗浄乾燥ステージ24は、
スクラブ洗浄装置184、スピン洗浄装置186、及び
スピン乾燥装置188から構成されている。前記搬送用
ロボット60に吸着保持されたウェーハ28は、まず、
スクラブ洗浄装置184に搬送され、ここで洗浄され
る。そして、ウェーハ28は、搬送用ロボット62でス
クラブ洗浄装置184からスピン洗浄装置186に搬送
されてスピン洗浄された後、前記搬送用ロボット62で
スピン乾燥装置188に搬送され、ここでスピン乾燥さ
れる。そして、乾燥されたウェーハ28は、搬送用ロボ
ット62でアライナ190に搬送された後、このアライ
ナ190で再度の中心出しと厚み測定が実施される。そ
して、ウェーハ28は、搬送用ロボット30で保持され
て、アライナ190から元のカセット26A〜26Dの
所定の棚に収納される。なお、前記アライナ190で測
定された厚み情報は、研磨ステージ20をフィードバッ
クするための情報として利用される。例えば、前記厚み
情報に基づいて、研磨時間がフィードバック制御され
る。また、前記厚み情報に基づいて、研磨布ドレッシン
グ時期、研磨布交換時期等も判断される。
【0038】次に、前記の如く構成されたウェーハ加工
装置10の作用について説明する。まず、搬送用ロボッ
ト30によって所定のカセット26C、26Dからウェ
ーハ28が1枚ずつ取り出され、そのウェーハ28は仮
置台32上に載置される。そして、前記ウェーハ28
は、搬送用ロボット34によって仮置台32からアライ
ナ16に搬送され、このアライナ16で厚み測定と中心
出しが実施される。
【0039】次に、中心出しされたウェーハ28は、搬
送用ロボット36によってロードステージ18の凹部6
4、64に1枚ずつ搬送される。次いで、2枚のウェー
ハ28、28が前記凹部64、64に載置されると、ロ
ードステージ18のフローティング機構が駆動される。
これによって、前記ウェーハ28は凹部64においてフ
ローティング支持される。即ち、ウェーハ28がロード
ステージ18の凹部64に収納されて位置決めされた状
態で、且つウェーハ28の上面が、ロードステージ18
のステージ本体19の上面から突出した状態で支持され
る。そして、フローティング機構の駆動に連動させてロ
ードステージ18の噴射口82、82…から純水が噴射
される。これによって、ウェーハ28の上面に埃等が付
着するのが防止される。
【0040】この状態を維持しつつ、モータ116が駆
動されて支持部材104がアンロードステージ22の位
置から時計周り方向に回動され、ロードステージ18の
上方に位置される。次に、チャック90、92が下降移
動されて、1枚目のウェーハ28がチャック90に吸着
保持され、2枚目のウェーハ28がチャック92で吸着
保持される。
【0041】この時、2枚のウェーハ28は、ロードス
テージ18のフローティング機構によって中心出しされ
た状態で、且つウェーハ28の上面が、ロードステージ
18のステージ本体19の上面から突出した状態で支持
されているので、チャック90、92に中心出しされた
状態で、且つチャック90、92で確実に吸着保持され
る。また、ウェーハ28は、フローティング機構の純水
によって上方に押圧力が作用され、この押圧力でチャッ
ク90、92に押し付けられるので、チャック90、9
2によるウェーハ28の保持性が高められている。更
に、前記純水によってウェーハ28の保水性も高められ
ている。
【0042】チャック90、92で2枚のウェーハ2
8、28が保持されると、モータ116が駆動されて支
持部材104がロードステージ18の位置から時計周り
方向に回動され、研磨装置98の上方に位置される。こ
の研磨装置98の研磨定盤136Aで、前記ウェーハ2
8、28の研磨が開始される。なお、研磨対象のウェー
ハ28が酸化膜を研磨するウェーハ28の場合には、こ
の研磨装置98で研磨が終了する。また、研磨対象のウ
ェーハ28がメタル膜を研磨するウェーハ28の場合に
は、この研磨装置98で1次研磨が行われる。
【0043】次に、メタル膜を研磨するウェーハ28に
ついて説明すると、前記研磨装置98で1次研磨が終了
すると、モータ116が駆動されて支持部材104が研
磨装置98の位置から時計周り方向に回動され、研磨装
置100の上方に位置される。この研磨装置100の研
磨定盤136Bで、前記ウェーハ28、28の2次研磨
が開始される。また、この時、3枚目及び4枚目のウェ
ーハ28、28がチャック94、96に保持され、研磨
装置98の研磨定盤136Aで1次研磨される。
【0044】次いで、2次研磨が終了すると、モータ1
16が駆動されて支持部材104が研磨装置100の位
置から時計周り方向に回動され、アンロードステージ2
2の上方に位置される。そして、2次研磨終了したウェ
ーハ28、28がアンロードステージ22に受け渡さ
れ、アンロードステージ22の研磨布158、160に
よってタッチアップ研磨される。また、この時、3枚目
及び4枚目のウェーハ28、28が研磨装置100の研
磨定盤136Bで2次研磨される。
【0045】前記タッチアップ研磨が終了すると、チャ
ック90、92の吸着が解除される。そして、チャック
90、92が研磨布158、160から上昇移動される
と共に、位置決め用ピン176、176、176が突出
され、そして、噴射口162、162…から純水が研磨
布158、160に噴射される。これによって、研磨布
158、160上のウェーハ28が、研磨布158、1
60から剥離されながら中心出しされる。
【0046】前記ウェーハ28を離した前記チャック9
0、92は、次の加工前のウェーハ(5枚目と6枚目の
ウェーハ)28、28を受け取るためにロードステージ
18に向けて移動される。そして、前記ウェーハ28、
28がチャック90、92で保持されると、前述した動
作が繰り返し実施される。一方、アンロードステージ2
2で剥離され、中心出しされたウェーハ28は、搬送用
ロボット60によってスクラブ洗浄装置184に搬送さ
れる。ここでウェーハ28は、スクラブ洗浄装置184
のスポンジで洗浄される。そして、洗浄されたウェーハ
28は、搬送用ロボット62でスクラブ洗浄装置184
からスピン洗浄装置186に搬送され、ここでスピン洗
浄される。これにより、研磨後のウェーハ28が確実に
洗浄される。そして、スピン洗浄されたウェーハ28
は、搬送用ロボット62でスピン乾燥装置188に搬送
され、ここで乾燥される。そして、乾燥されたウェーハ
28は、搬送用ロボット62でアライナ190に搬送さ
れる。そして、アライナ190で再度の中心出しと厚み
測定が実施された後、搬送用ロボット30で保持され、
元のカセット26A〜26Dの所定の棚に収納される。
以上が、メタル膜が形成されたウェーハ28の加工工程
である。
【0047】次に、酸化膜が形成されているウェーハ2
8について説明すると、このウェーハ28は、研磨装置
98で研磨が終了すると、アンロードステージ22に向
けて移動される。即ち、駆動モータ116が駆動され、
支持部材104が研磨装置98の位置から時計周り方向
に回動され、アンロードステージ22の上方に位置され
た後、アンロードステージ22に受け渡される。なお、
前記ウェーハ28は、酸化膜が形成されたウェーハ28
でありタッチアップ研磨をする必要がないため、アンロ
ードステージ22では、研磨布158、160に代えて
設けられたスポンジで洗浄される。
【0048】スポンジによる洗浄が終了すると、チャッ
ク90、92の吸着が解除される。そして、チャック9
0、92が研磨布158、160から上昇移動されると
共に、位置決め用ピン176、176、176が突出さ
れる。これによって、ウェーハ28がスポンジ上で中心
出しされる。そして、このウェーハ28は、搬送用ロボ
ット60によってスクラブ洗浄装置184に搬送され
る。これ以降の工程は、前記メタル膜が形成されたウェ
ーハ28と同一の工程なので、ここではその説明を省略
する。以上が、酸化膜が形成されたウェーハ28の加工
工程である。
【0049】したがって、本実施の形態のウェーハ加工
装置10によれば、アンロードステージ22に仕上げス
テージを組み込み、その分だけウェーハ28の搬送経路
を短縮したので、加工装置の小型化を図ることができる
と共に、スループットを向上させることができる。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るウェー
ハ加工装置によれば、ウェーハを仕上げ研磨する研磨布
をアンロードステージに組み込んだので、その組み込ん
だ分だけウェーハの搬送経路を短縮することができる。
これにより、本発明によれば、加工装置の小型化を図る
ことができると共に、スループットも向上させることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態が適用されたウェーハ加工
装置の平面図
【図2】図1のウェーハ加工装置に適用されたロードス
テージの平面図
【図3】図2に示したロードステージの断面図
【図4】図2に示したロードステージの要部拡大断面図
【図5】図1に示したウェーハ加工装置の研磨ステージ
の要部断面図
【図6】図1のウェーハ加工装置に適用されたガイドレ
ールの拡大断面図
【図7】図1のウェーハ加工装置に適用されたアンロー
ドステージの平面図
【図8】図7に示したアンロードステージの断面図
【符号の説明】
10…ウェーハ加工装置 14…カセット設置部 18…ロードステージ 20…研磨ステージ 22…アンロードステージ 24…洗浄乾燥ステージ 28…ウェーハ 90、92、94、96…チャック 98、100…研磨装置 158、160…研磨布

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ウェーハを研磨する研磨ステージと、 前記研磨ステージに隣接して配置されると共に、該研磨
    ステージで研磨終了したウェーハを位置決めする位置決
    め手段が設けられ、該位置決め手段で位置決めされたウ
    ェーハを次工程に受け渡すアンロードステージとを備え
    たウェーハ加工装置において、 前記アンロードステージに前記ウェーハを仕上げ研磨す
    る研磨布が設けられ、該研磨布の表面にウェーハが押し
    付けられて仕上げ研磨されることを特徴とするウェーハ
    加工装置。
  2. 【請求項2】前記アンロードステージには、前記研磨布
    の裏面に液体を噴射する液体噴射手段が設けられ、該液
    体供給手段から噴射された液体を研磨布の表面から滲み
    出させることにより、該滲み出させた前記液体で前記ウ
    ェーハを研磨布から剥離させることを特徴とする請求項
    1記載のウェーハ加工装置。
  3. 【請求項3】前記アンロードステージには、ウェーハに
    洗浄水を供給する洗浄水供給手段が設けられていること
    を特徴とする請求項1、又は2記載のウェーハ加工装
    置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007313627A (ja) * 2006-05-29 2007-12-06 Fujikoshi Mach Corp ワークセンタリング装置およびワークセンタリング方法
JP2009255248A (ja) * 2008-04-18 2009-11-05 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨装置
JP2016197690A (ja) * 2015-04-06 2016-11-24 信越半導体株式会社 研磨装置

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