DE19540471A1

DE19540471A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von elektronischen Teilen

Info

Publication number: DE19540471A1
Application number: DE19540471A
Authority: DE
Inventors: Hidemitsu Aoki; Masaharu Nakamori; Koji Yamanaka; Tahashi Imoaka; Takashi Futatsuki; Yukinari Yamashita
Original assignee: Organo Corp; NEC Corp
Current assignee: NEC Electronics Corp; Organo Corp
Priority date: 1994-10-28
Filing date: 1995-10-30
Publication date: 1996-05-02
Also published as: TW326549B; CN1130689A; US5635053A; CN1059878C; JPH08126873A; KR960014415A; GB2294590A; GB9522047D0; GB2294590B; KR100223695B1

Description

Anwendungsgebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Reinigung von elektronischen Tei len (Bauteilen) oder dgl., beispielsweise Halbleiter-Sub straten, die extrem saubere Oberflächen aufweisen müssen.

Beschreibung des Standes der Technik

Ein konventionelles Verfahren zur Reinigung von elektroni schen Teilen (Bauteilen) oder dgl., die extrem saubere Oberflächen aufweisen müssen, wird nachstehend unter Be zugnahme auf das Verfahren zur Reinigung einer Silicium-Wafer(-Plättchens), wie sie beispielsweise zur Herstel lung eines LSI angewendet wird, beschrieben.

Bei dem Verfahren zur Herstellung von LSI-Chips wird auf der Oberfläche der Silicium-Wafer ein Isolatorfilm aus ei nem Material wie SiO₂ erzeugt, in einem vorgegebenen Mu ster geätzt, um das unter dem Isolatorfilm liegende Si licium freizulegen, gereinigt, und es werden Elemente vom p-Typ oder n-Typ eingeführt unter Bildung eines eingebetteten Metalls, wie Al-Mustern. Diese Stufen werden wiederholt, um die Herstellung der LSI-Chips zu vervollständigen.

Zum Zeitpunkt der Einführung von Elementen vom p-Typ oder n-Typ oder in dem Verfahren zur Erzeugung von eingebette ten Metallmustern auf den Chips kann die Haftung von Verunreinigungen, z. B. von teilchenförmigen Fremdmateria lien, Metallen, organischem Material und natürlichen Oxid filmen, an der freiliegenden Oberfläche des Siliciums zu einer Verschlechterung der Chip-Eigenschaften führen, beispielsweise zu einer mangelhaften elektrischen Verbin dung zwischen dem Metall und dem Silicium und zu einem An stieg des Kontaktwiderstands.

Deshalb ist bei dem Verfahren zur Herstellung von LSI-Chips die Oberflächenreinigungsstufe sehr wichtig für die Herstellung von Hochleistungs-Chips, wobei so viel wie möglich der an der Wafer-Oberfläche anhaftenden Verunrei nigungen entfernt werden müssen.

Üblicherweise werden bisher beispielsweise die folgenden Methoden zur Reinigung von Halbleiter-Wafern angewendet. Das heißt, ein Schwefelsäure-Wasserstoffperoxidlösungs-Ge misch, ein Chlorwasserstoffsäure-Wasserstoffperoxidlö sungs-Gemisch, ein Ammoniumhydroxid-Wasserstoffperoxidlö sungs-Gemisch, eine Fluorwasserstoffsäurelösung, eine Ammoniumfluoridlösung, hochreines Wasser und eine belie bige Kombination davon werden in dem Verfahren zur Entfer nung von organischem Material, Teilchen, Metall oder eines natürlichen Oxidfilms, das (der) an den Oberflächen von Halbleitern haftet, angewendet, ohne daß die Ebenheit der Oberfläche des Halbleiters im atomaren Bereich beeinträch tigt wird. Ein Beispiel für ein solches Verfahren wird nachstehend beschrieben:

(1) Reinigen mit Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid (Volumenverhältnis Schwefelsäure:Wasserstoffperoxidlösung = 4 : 1)\|10 min
(2) Spülen mit hochreinem Wasser	10 min
(3) Reinigen mit Fluorwasserstoffsäure (0,5%ige Fluorwasserstoffsäure)	1 min
(4) Spülen mit hochreinem Wasser	10 min
(5) Reinigen mit Ammoniak-Wasserstoffperoxid (Volumenverhältnis Ammoniakwasser: Wasserstoffperoxidlösung: hochreines Wasser = 0,05 : 1:5)	10 min
(6) Spülen mit hochreinem Wasser	10 min
(7) Reinigen mit Fluorwasserstoffsäure (0,5%ige Fluorwasserstoffsäure)	1 min
(8) Spülen mit hochreinem Wasser	10 min
(9) Reinigen mit Chlorwasserstoffsäure-Wasserstoffperoxid (Volumenverhältnis Chlorwasserstoffsäure: Wasserstoffperoxid-Lösung: hochreines Wasser = 1 : 1 : 6)	10 min
(10) Spülen mit hochreinem Wasser	10 min
(11) Reinigen mit Fluorwasserstoffsäure (0,5%ige Fluorwasserstoffsäure)	1 min
(12) Spülen mit hochreinem Wasser	10 min
(13) Schleudertrocknung oder IPA-Wasserdampftrocknung	10 min

Obgleich unter dem obengenannten hochreinen Wasser im all gemeinen ein sekundäres reines (entionisiertes) Wasser zu verstehen ist, das unter Anwendung eines hochreines Wasser liefernden Systems erzeugt wird, das zusätzlich zu einem primären Reinigungsabschnitt, der primäres entionisiertes Wasser liefert, mit einem sekundären Reinigungsabschnitt ausgestattet ist, ist es nicht notwendigerweise definiert unter Bezugnahme auf das Reinigungsverfahren. Zum Reinigen von elektronischen Teilen (Bauteilen) oder dgl., die ex trem saubere Oberflächen aufweisen müssen, ist jedes ge eignete hochgereinigte Wasser ausreichend. Erfindungsgemäß umfaßt der Ausdruck "reines Wasser" sowohl "entionisiertes Wasser" als auch "hochreines Wasser".

In dem Verfahren zur Reinigung von Wafern wird häufig ein diskontinuierliches Reinigungsverfahren angewendet, bei dem eine Vielzahl von Wafern chargenweise in ein Reini gungsbad, das Reinigungsmittel (oder hochreines Wasser) enthält, gelegt werden, um Reinigungsmittel oder hoch reines Wasser mit ihrer Oberfläche in Kontakt zu bringen. Außerdem sind die folgenden System bekannt: die Zirkula tion und Filtration von Reagentien in dem Reinigungsbad, um eine Kontamination desselben während des Reinigungsver fahrens zu verhindern, ein Überlauf-Spülsystem, bei dem hochreines Wasser durch den Boden des Reinigungsbades zu geführt wird und über die Oberkante überläuft, und ein Schnellentleerungs-Spülsystem, bei dem hochreines Wasser das Reinigungsbad ausreichend füllt, um die gesamte Ober fläche der Wafer zu bedecken, und dann auf einen Schlag aus dem Boden abgezogen wird. Neuerdings wird zusätzlich zu dem vorgenannten Reinigungsverfahren vom diskontinuier lichen Typ ein Verfahren zum Besprühen der Wafer-Oberflä che mit Reagentien und hochreinem Wasser und zum Aufsprü hen von Reagentien und hochreinem Wasser auf das Zentrum von sich mit hoher Geschwindigkeit drehenden Wafern ange wendet.

Nachstehend wird die Rolle jeder Stufe des Reinigungsver fahrens, das in eine Vielzahl der vorstehend beschriebenen Stufen unterteilt ist, als Ganzes erläutert. Das Reinigen mit Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid-Lösung (1) dient hauptsächlich der Entfernung des an der Oberfläche anhaf tenden organischen Materials. Das Reinigen mit Ammoniumhy droxid-Wasserstoffperoxid-Lösung (5) dient hauptsächlich der Entfernung der an der Oberfläche anhaftenden Teilchen, das Reinigen mit Chlorwasserstoffsäure-Wasserstoffperoxid-Lösung (9) dient hauptsächlich der Entfernung von an der Oberfläche anhaftenden Metallverunreinigungen und das Rei nigen mit Fluorwasserstoffsäure (3), (7) und (11) dient der Entfernung des natürlichen Oxidfilms auf der Oberflä che.

Obgleich der Hauptzweck jeder Reinigungsstufe vorstehend angegeben wurde, ist außerdem jede Reinigungslösung häufig in der Lage, auch andere Verunreinigungen als die Haupt verunreinigungen zu entfernen. Da beispielsweise die Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid-Lösung (1) auch eine aus geprägte Fähigkeit hat, zusätzlich zu anhaftendem organi schem Material anhaftende Metallverunreinigungen zu ent fernen, steht auch ein Verfahren zur Entfernung einer Vielzahl von Verunreinigungs-Objekten mit einer einzigen Reinigungslösung zusätzlich zu dem Verfahren zur Entfer nung einer Kategorie von Verunreinigung mit einer Reini gungslösung, wie vorstehend beschrieben, zur Verfügung. Das Reinigen (oder Spülen) mit hochreinem Wasser, das nach der Stufe der Entfernung von anhaftenden Verunreinigungen mit Reinigungsmitteln in dem vorstehend beschriebenen Rei nigungsverfahren durchgeführt wird, dient dazu, die ver bliebenen Reagentien von den Oberflächen abzuspülen, und in der Regel wird als Spülwasser hochreines Wasser verwen det, das in einem System zur Erzeugung von hochreinem Was ser hergestellt worden ist. Dies ist deshalb so, weil die Reinigung bedeutungslos wird, wenn die verunreinigenden Materialien erneut an der Oberfläche der Wafer haften, die bereits ohne anhaftende Verunreinigungen gereinigt worden ist. Deshalb wird zur Entfernung von Reinigungsmitteln als Spülwasser hochreines Wasser verwendet, aus dem Teilchen, kolloidale Substanzen, organisches Material, Metalle, Anio nen, gelöster Sauerstoff oder dgl. weitgehend entfernt worden sind.

Dieses hochreine Wasser wird üblicherweise in einer Vor richtung zur Erzeugung von hochreinem Wasser nach dem fol genden Verfahren hergestellt.

Das heißt, der Wasser-Zulauf wird in einem Abschnitt zur Bildung von primärem entionisiertem Wasser behandelt, der umfaßt eine Koagulations- und Sedimentations-Einheit, eine Sandfiltrationseinheit, eine Aktivkohle-Adsorptions-Ein heit, eine Umkehrosmose-Einheit, eine Zwei-Bett-Ionenaus tausch-Einheit, eine Ionenaustauscher-Einheit vom Mi schungsbett-Typ und eine Mikrofilter-Einheit und dgl., wo bei man primäres ionisiertes Wasser erhält, das in einem Abschnitt zur Bildung von sekundärem ionisiertem Wasser unmittelbar vor den Verwendungsorten weiterbehandelt wird.

In einer solchen Vorrichtung zur Erzeugung von hochreinem Wasser wird das primäre entionisierte Wasser in einem Vor ratsbehälter für primäres entionisiertes Wasser aufbe wahrt, dann unter Verwendung einer Ultraviolett-Bestrah lungsvorrichtung, einer Ionenaustauscher-Polier-Vor richtung vom Mischbett-Typ und einer Membrantrennungsein heit, beispielsweise einer Ultrafiltrationseineit und ei ner Umkehrosmose-Einheit, einer sekundären Behandlung un terzogen, um nacheinander Teilchen, kolloidale Materia lien, organisches Material, Metalle und Anionen so weit wie möglich zu entfernen, wobei man ein für die Spülung geeignetes hochreines Wasser (sekundäres entionisiertes Wasser) erhält. Bei einem üblicherweise angewendeten Auf bau wird hochreines Wasser, das ein Permeat aus der Membran-Trennungseinheit des Abschnitts zur Herstellung von sekundärem entionisiertem Wasser ist, im allgemeinen durch eine Nebenleitungs-Abzweigung, die von der Zirkula tionsleitung abzweigt, den Verwendungsorten zugeführt und das übrige hochreine Wasser wird durch eine Rückführungs-Leitung der genannten Zirkulationsleitung in den Vorrats behälter für primäres entionisiertes Wasser zurückgeführt. Die Wassermenge, die durch die Rückführungsleitung in den Vorratsbehälter für primäres entionisiertes Wasser zurück geführt wird, beträgt häufig etwa 10 bis etwa 30% derje nigen des Permeats der Membrantrennungseinheit.

So hat beispielsweise ein hochreines Wasser, das nach Ver fahren des Standes der Technik für die Herstellung von LSI nach der Submikron-Aufbauregel hergestellt worden ist, die in der Tabelle I angegebene Wasserqualität. Es wird ange nommen, daß bei Verwendung eines solchen Wassers mit ul trareiner Qualität während der Spülstufe mit hochreinem Wasser keine kontaminierenden Verunreinigungen, die aus dem hochreinen Wasser stammen, an der Oberfläche haften.

Tabelle I

Wenn jedoch elektronische Teile (Bauteile) eine noch sau berere Oberfläche aufweisen müssen, treten viele Probleme auf, beispielsweise diejenigen, wie sie nachstehend in be zug auf den Stand der Technik beschrieben werden.

Das heißt, bei dem Stand der Technik verbleiben kontami nierende Verunreinigungen, die während des Reini gungsverfahrens unter Verwendung von Reinigungsmitteln (in Form ihrer Lösungen) von der Oberfläche der elektronischen Teile (Bauteile) abgelöst worden sind, in der Nähe der Oberfläche der elektronischen Teile (Bauteile) in Lösung oder in Suspension. Da jedoch die genannten Reinigungsmit tel in der Lage sind, verunreinigende Materialien von der Oberfläche der elektronischen Teile abzulösen, haften die kontaminierenden Materialien, wenn sie einmal von der Oberfläche abgelöst worden sind, niemals mehr an der ge nannten Oberfläche, soweit sie in der genannten Agenslö sung verbleiben.

In dem nachfolgenden Spülverfahren mit hochreinem Wasser, wird jedoch zusammen mit den genannten Reagentien der größte Teil der kontaminierenden Materialien, die in den genannten Agenslösungen in der Nähe der Oberfläche der elektronischen Teile (Bauteile) verbleiben, entfernt, da die Reinigungsagentien in der Nähe der Oberfläche der zu reinigenden elektronischen Komponenten (Bauteile) mit hochreinem Wasser verdünnt und entfernt werden, wobei ein Teil der verunreinigenden Materialien unvermeidlich in der Nähe der genannten Oberfläche verbleibt. Da das als Spül wasser verwendete hochreine Wasser nicht die Fähigkeit hat, kontaminierende Materialien an dem Haften an der Oberfläche der zu reinigenden elektronischen Teile (Bauteile) zu hindern, kann es nicht verhindern, daß die meisten der kontaminierenden Materialien, die in der Nähe der Oberfläche verbleiben, wieder an der Oberfläche der zu reinigenden elektronischen Teile (Bauteile) haften.

Außerdem werden in einer diskontinuierlichen Mehrfachbad-Reinigungsvorrichtung, da eine Vielzahl von Wafern, die auf einen Wafer-Träger oder dgl. gelegt worden sind, für die Reinigung nacheinander von einem Reinigungsbad zur Entfernung der anhaftenden Materialien mit Reinigungsmit teln in ein hochreines Wasserbad und dann in ein Reini gungsbad mit Reinigungsmitteln überführt werden, die Wafer in jedem Reinigungsbad in Reagenslösungen oder hochreines Wasser eingetaucht. Deshalb werden die kontaminierenden Materialien, die von der Oberfläche der Wafer abgelöst worden sind und in die Reagens-Lösung in dem Reinigungsbad diffundiert sind, zusammen mit der Flüssigkeit, die an den Wafern oder Waferträgern haftet, in das nächste hochreine Wasser-Reinigungsbad überführt, wodurch das hochreine Was ser in dem Bad verunreinigt wird. Da das hochreine Wasser nicht in der Lage ist, das Haften der verunreinigenden Ma terialien an der Oberfläche zu verhindern, haften auch in diesem Fall die genannten kontaminierenden Materialien wieder an der Wafer-Oberfläche.

So haften beispielsweise in dem Reinigungsverfahren mit dem Ammoniak-Wasserstoffperoxid (5) die Teilchen, die nach der Ablösung von der Wafer-Oberfläche in der Reagenslösung vorhanden sind, wahrscheinlich wieder an der Oberfläche während des Spülens in der nachfolgenden Stufe (6) mit hochreinem Wasser.

Außerdem haften in dem Reinigungsverfahren mit Chlorwas serstoffsäure-Wasserstoffperoxid (9) die metallischen Ver unreinigungen, die nach der Ablösung von der Wafer-Ober fläche in der Reagenslösung vorhanden sind, wahrscheinlich wieder an der Oberfläche während des Spülens mit hochrei nem Wasser in der nachfolgenden Stufe (10).

Das heißt, bei dem Stand der Technik tritt das Problem auf, daß kontaminierende Materialien, die einmal von der Oberfläche der elektronischen Teile (Bauteile) während des Verfahrens zur Entfernung derselben mit Reinigungsmitteln entfernt worden sind, während der Spülung mit hochreinem Wasser, erneut an der Oberfläche der zu reinigenden Teile (Bauteile) haften. Dieses Problem kann auch nicht gelöst werden durch weitere Herabsetzung der Konzentration an Verunreinigungen in dem hochreinen Wasser während der Her stellung des hochreinen Wassers.

Außerdem ist es neben dem genannten Problem beim Spülen mit hochreinem Wasser, das auf die Reinigung mit Schwe felsäure-Wasserstoffperoxid (1) folgt, wegen der hohen Viskosität der Schwefelsäureionen nicht leicht, diese Io nen von der Oberfläche der Silicium-Wafer zu entfernen. Deshalb wurde eine Modifikation, beispielsweise das Spülen mit warmem hochreinem Wasser (mit einer Temperatur von über 80°C) vorgeschlagen. Dieses Problem kann dadurch je doch nicht gelöst werden, weil darüber berichtet wurde, daß die Schwefelsäureionen, die auf der Wafer-Oberfläche zurückbleiben, diese Oberfläche empfänglich für eine Kon tamination durch Metall und Teilchen in den nachfolgenden Stufen machen. Die Verwendung eines solchen warmen hoch reinen Wassers führt außerdem zu einem Anstieg der Wär meenergiekosten.

Zusammenfassung der Erfindung

Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Reinigung von elektronischen Teilen (Bauteilen) oder dgl., z. B. Halbleiter-Substraten, anzuge ben, die extrem saubere Oberflächen aufweisen müssen, wo bei das Verfahren und die Vorrichtung so konzipiert sind, daß kontaminierende Materialien, die einmal von der Ober fläche der elektronischen Teile (Bauteilen) oder dgl., die gereinigt werden sollen, in dem Reinigungsverfahren mit Reinigungsmitteln entfernt worden sind, an dem erneuten Haften an der genannten Oberfläche in der nachfolgenden Reinigungsmittel-Abspül-Stufe gehindert werden.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Spülen von elektroni schen Teilen (Bauteilen) oder dgl. umfaßt eine Spül behandlung von Halbleiter-Substraten, Glassubstraten, elektronischen Teilen (Bauteilen) und Teilen der Vorrich tung zu ihrer Herstellung, die mit verschiedenen Reini gungslösungen unter Verwendung von elektrolytisch entioni siertem Anolyten-Wasser (Anolyt-EIW) oder elektrolytisch entionisiertem Katolyten-Wasser (Katolyt-EIW) hergestellt aus entionisiertem Wasser, einmal gewaschen worden sind.

Unter dem genannten Anolyt-EIW oder Katolyt-EIW ist Wasser zu verstehen, das erhalten wurde durch Elektrolyse von entionisiertem Wasser oder hochreinem Wasser in einer Elektrolysevorrichtung. Es besteht keine Beschränkung in bezug auf den Typ der Elektrolysevorrichtung, die eine solche vom Zwei-Kammer-Typ oder vom Drei-Kammer-Typ sein kann. So ist beispielsweise in einer Drei-Kammer-Vorrich tung, die besteht aus einer Anodenkammer, die mit einer Anode ausgestattet ist, einer Kathodenkammer, die mit ei ner Kathode ausgestattet ist, und einer Zwischenkammer, die durch ein Paar Ionenaustauschmembranen oder dgl., die zwischen den genannten beiden Kammern angeordnet sind, da von getrennt ist, und bei der reines Wasser oder hochrei nes Wasser jeder Kammer zugeführt wird, Anolyt-EIW er hältlich in Form eines Anolyten aus der genannten Anoden kammer und Katolyt-EIW ist erhältlich in Form eines Ka tolyten aus der genannten Kathodenkammer. Vorzugsweise ist die genannte Zwischenkammer mit einem festen Elektrolyten, beispielsweise einem Ionenaustauscherharz oder einer Ionenaustauscherfaser, gefüllt.

Die Gegenstände, die erfindungsgemäß gereinigt werden sol len, können beispielsweise sein verschiedene Materialien und Teile, die auf dem Gebiet der Herstellung von elektro nischen Teilen (Bauteilen) verwendet werden, die konkret umfassen Substratmaterialien, z. B. Halbleitersubstrate wie Silicium-Wafer und Wafer aus Elementen der Gruppen III-V des PSE und Glassubstrate, die für Flüssigkristalle ver wendet werden, Speicherelemente, CPU und Sensorelemente in Form entweder von Fertigprodukten oder Halbfertigprodukten oder Komponenten (Bauteile) der Herstellungsvorrichtung, beispielsweise ein Quarzreaktionsrohr, ein Spülbad und ein Wafer-Träger.

Es besteht keine Beschränkung in bezug auf das Spülverfah ren und es kann irgendein beliebiges Verfahren angewendet werden, beispielsweise diskontinuierliche Verfahren, wie werden, beispielsweise diskontinuierliche Verfahren, wie das Überlauf-Spülverfahren, das Schnellentleerungs-Spül verfahren, das Aufsprüh-Spülverfahren oder das Folien-Spülverfahren.

In dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Abspülen der Reini gungsmittel mit EIW wird die Art des zu verwendenden Spül wassers vorzugsweise ausgewählt in Abhängigkeit von der Art des Reinigungsmittels und dem Typ der Kontaminante, die durch Spülen entfernt werden soll.

Wenn beispielsweise eine Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid-Reinigungslösung zur Entfernung von organischem Material verwendet wird, kann zum Spülen entweder ein Anolyt- oder ein Katolyt-EIW verwendet werden. Wenn eine Ammoniak- Wasserstoffperoxid-Reinigungslösung zur Entfernung von Teilchen verwendet wird, kann mit Vorteil ein Katolyt-EIW zum Spülen verwendet werden. In entsprechender Weise wird dann, wenn eine Chlorwasserstoffsäure-Wasserstoffperoxid-Lösung zur Entfernung von anhaftenden metallischen Mate rialien verwendet wird, mit Vorteil ein Anolyt-EIW zum Spülen verwendet. Wenn eine Fluorwasserstoffsäurelösung zur Entfernung von Oxidfilmen verwendet wird, kann ein Ka tolyt-EIW mit Vorteil zum Spülen verwendet werden.

Außerdem kann anstelle des Anolyt- oder Katolyt-EIW, der aus entionisiertem Wasser hergestellt worden ist, das Anolyt- oder Katolyt-EIW einer Elektrolytlösung, die durch Elektrolyse von entionisiertem Wasser mit zugesetztem Elektrolyt(en) erhalten wurde, verwendet werden. Es kann auch ein Anolyt- oder Katolyt-EIW hergestellt aus entioni siertem Wasser und dann versetzt mit Säure oder Alkali, zum Spülen verwendet werden.

Durch Zugabe von Elektrolyten, wie Säuren oder Alkalien, können der pH-Wert und das Redox-Potential des Spülwassers auf die Werte eingestellt werden, die am besten geeignet sind, um die abgelösten Verunreinigungen an dem erneuten Anhaften an der Oberfläche zu hindern.

Vorzugsweise sind die Säuren und die Alkalien, die entionisiertem Wasser hergestellten EIW zugesetzt werden, solche, die flüchtig sind und niedrige Siedepunkte haben, die auf der Oberfläche nach dem Spülen und dem anschlie ßenden Trocknen der zu reinigenden Teile kaum zurückblei ben. Bevorzugte Säuren sind beispielsweise Kohlensäure und organische Säuren wie Essigsäure, Ameisensäure und Chloressigsäure, und ein bevorzugtes Alkali ist Ammoniak. Für die Zugabe einer Säure oder eines Alkali zur Herstel lung einer elektrolytischen Lösung aus einer Elektrolytlö sung kann eine geringe Menge Säure bzw. Alkali dem Wasser zugesetzt werden, das der Anodenkammer bzw. der Kathoden kammer der Elektrolysevorrichtung zugeführt wird. Statt dessen kann eine Säure, ein Alkali oder eine Salzlösung der Zwischenkammer der Drei-Kammer-Elektrolysevorrichtung zugeführt werden. Nach diesen Verfahren kann aus der Anodenkammer ein saures Elektrolyt-EIW mit einer oxidie renden Aktivität erhalten werden und aus der Kathodenkam mer kann ein alkalisches Katolyt-EIW mit einer reduzieren den Aktivität erhalten werden. Außerdem kann durch Zugabe von Alkali zu der Anodenkammer auch ein alkalisches Anolyt-EIW mit einer oxidierenden Aktivität erhalten wer den und durch Zugabe von Säure zu der Kathodenkammer kann ein saures Katolyt-EIW mit reduzierender Aktivität erhal ten werden.

Da die Konzentration und Menge der zuzugebenden Säure und des zuzugebenden Alkali in Abhängigkeit von dem Umfang ih rer Effekte auf die erneute Anhaftung von Verunreinigun gen, die während des Reinigungsverfahrens bereits abgelöst worden sind, an der Oberfläche der zu reinigenden Teile, von der zurückbleibenden Menge nach dem Trocknen, dem Grad der Substratschädigung, der Zusammensetzung der zu verwen denden Säure oder des zu verwendenden Alkali, dem Typ der Substrate und dgl. variieren kann, können ihre Konzentra tionen nicht einheitlich festgelegt werden. Im allgemeinen ist die Konzentration der zuzugebenden Säure jedoch so, daß ein pH-Wert von 2 bis 6, vorzugsweise von 3 bis 5, er zielt wird, und diejenige des zuzugebenden Alkali ist 50, daß ein pH-Wert von 8 bis 12, vorzugsweise von 9 bis 11, erzielt wird. Für die Auswahl geeignete Werte können expe rimentell ermittelt werden.

Abgesehen von der vorstehenden Beschreibung wird in dem konventionellen Reinigungsverfahren mit Schwefelsäure-Was serstoffperoxid und dem anschließenden Spülen mit einem Anolyt- oder Katolyt-EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser, bisher erwärmtes hochreines Wasser (<80°C) zum Spülen verwendet, da es nicht leicht ist, Sulfationen von der Oberfläche von Silicium-Wafern zu entfernen wegen der hohen Viskosität dieser Ionen. Im Gegensatz dazu wurde eine bemerkenswerte Wirkung der EIW bestätigt, d. h. eine Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid-Reinigungslösung kann durch Spülen mit EIW bei Raumtemperatur leicht entfernt werden.

Ein weiteres Merkmal der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Vorrichtung zur Herstellung von EIW aus reinem Wasser bereitzustellen, die in dem genannten Spülverfahren verwendet werden soll. Konkret umfaßt eine Vorrichtung zur Reinigung von elektronischen Teilen (Bauteilen) oder dgl., eine entionisiertes Wasser bildende Vorrichtung, die ver sehen ist mit mindestens einem der Vertreter Ionenaustau scher, Membrantrennungseinheit und Destillationsvorrich tung, eine Vorrichtung zur Reinigung von Halbleiter-Sub straten, Glassubstraten, elektronischen Teilen (Bauteilen) und Teilen der Vorrichtung zu ihrer Herstellung, die mit verschiedenen Reinigungslösungen gereinigt und danach ei ner Spülbehandlung unterworfen werden sollen, sowie eine Wasserleitung zur Zuführung von entionisiertem Wasser, das in einer entionisiertes Wasser bildenden Vorrichtung her gestellt worden ist, zu der Vorrichtung zur Reinigung von Halbleiter-Substraten und dgl., die außerdem ausgestattet ist mit einer Vorrichtung zur Elektrolyse von entionisier tem Wasser zur Herstellung eines Anolyt- und/oder Katolyt-EIW aus entionisiertem Wasser aus einer Neben-Wasser leitung, die von der Haupt-Wasserleitung abzweigt, zur Einführung von entionisiertem Wasser als Spülwasser.

In der genannten Reinigungsvorrichtung kann die Elektro lyse-Vorrichtung, die entlang der Wasserleitung zur Ein führung von Spülwasser angeordnet ist, als Elektrolytlö sungs-Elektrolysevorrichtung zur Herstellung des Anolyt- und/oder Katolyt-EIW einer elektrolytischen Lösung aus der Elektrolytlösung durch Elektrolyse des zugeführten Wassers mit zugesetztem Elektrolyt verwendet werden. Es ist auch möglich, außerdem Einrichtungen zur Zugabe von Säure oder Alkali zu dem Anolyt- und/oder Katolyt-EIW, das aus entio nisiertem Wasser gebildet worden ist, vorzusehen.

Durch Verwendung einer Vorrichtung mit einem solchen Auf bau können der pH-Wert und das Redox-Potential des Spül wassers leichter eingestellt werden im Vergleich zur Ver wendung von EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser, wobei man eine Verbesserung in bezug auf die Fähigkeit des Spülwassers erhält, kontaminierende Verunreinigungen an dem erneuten Anhaften an der Oberfläche während des Spül verfahrens zu hindern.

Ein Beispiel für die genannte Vorrichtung zur Herstellung von entionisiertem Wasser, die in der erfindungsgemäßen Reinigungsvorrichtung verwendet wird, kann beispielsweise eine Vorrichtung sein, in der das Beschickungswasser be handelt wird zur Herstellung von entionisiertem Wasser durch Koagulation und Sedimentation, Sandfiltration, Ak tivkohle-Adsorption, Umkehrosmose, eines Zwei-Bett-Ionenaustauschsystems, eines Mischbett-Ionenaustauschers und einer Membrantrennung unter Verwendung eines Präzisi onsfilters, oder das Beschickungswasser wird behandelt durch Koagulation und Sedimentation, Sandfiltration und Destillation. Ein Beispiel für diese Vorrichtung ist au ßerdem insbesondere eine hochreines Wasser bildende Vor richtung, in der zur Reinigung einer Silicium-Wafer oder dgl., die extrem saubere Oberflächen aufweisen muß, das wie vorstehend beschrieben hergestellte entionisierte Was ser weiter behandelt wird nacheinander durch Ultraviolett-Bestrahlung, durch eine Mischbett-Poliervorrichtung und durch Ultrafiltration, um restliche Teilchen, kolloidale Materialien, organisches Material, Metalle, Anionen und dgl. soweit wie möglich zu entfernen unter Bildung von hochgereinigtem Wasser oder sogenanntem hochreinem Wasser. Die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Erzeugung von entio nisiertem Wasser, welche die genannte Vorrichtung zur Er zeugung von hochreinem Wasser umfaßt, ist jedoch nicht be schränkt in bezug auf Typ und Aufbau der Behandlungsvor richtung jeder Stufe, die eine entionisiertes Wasser bil dende Vorrichtung aufbaut. Es gibt auch Variationen in be zug auf den Aufbau einer entionisiertes Wasser bildenden Vorrichtung, bei der das entionisierte Wasser nicht nur der Schlußbehandlungsstufe der Vorrichtung (häufig mittels ei ner Membrantrennungseinheit), sondern auch mindestens ei nem Vertreter aus der Gruppe Ionenaustauscher, Membran trennungseinheit und Destillationseinheit unterworfen wird (in dieser Stufe auch als entionisiertes Wasser bezeich net) unter Weglassung der nachfolgenden Behandlungsstufe als Spülwasser der Verzweigungs-Wasserleitung zugeführt wird.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren und der erfindungsge mäßen Vorrichtung, die bestimmt sind zur Reinigung von elektronischen Teilen (Bauteilen) oder dgl. werden die Teile mit verschiedenen Reagenslösungen weiter gespült mit einem Anolyt- oder Katolyt-EIW, hergestellt aus entioni siertem Wasser, welches die Fähigkeit hat, das erneute An haften von kontaminierenden Verunreinigungen zu verhin dern. Deshalb ist der Benutzer (Verbraucher) mit dem er findungsgemäßen Verfahren und der erfindungsgemäßen Vor richtung in der Lage, die von diesen Teilen durch Reini gungsbehandlung mit verschiedenen Reinigungslösungen abge lösten kontaminierenden Verunreinigungen an dem erneuten Anhaften an den zu reinigenden Teilen während des Spülver fahrens zu hindern und die die Oberfläche verunreinigenden Materialien wirksam zu entfernen. Da das ursprüngliche Wasser hochreines Wasser ist, das keine Verunreinigungen enthält, bleiben außerdem auch dann keine Verunreinigungen auf den zu reinigenden Teilen zurück, wenn diese nach dem Spülvorgang mit EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser (hochreinem Wasser), direkt getrocknet werden.

Die am meisten bevorzugten Ausführungsformen der Spülbe handlung mit EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser, und ihre Funktionen werden nachstehend für die jeweilige Reinigungsstufe mit Agentien beschrieben.

Spülbehandlung mit EIW, hergestellt aus entionisiertem Wassern nach der Reinigung mit Reagentien zur Entfernung von Teilchen

Im allgemeinen werden Teilchen, z. B. Siliciumdioxid-Teil chen, die in Lösung suspendiert sind, in einer sauren Lö sung positiv und in einer alkalischen Lösung negativ elek trisch aufgeladen. So wird beispielsweise auch die Ober fläche von Silicium-Wafern, die gereinigt werden sollen, in den meisten Fällen negativ aufgeladen. Wenn ein redu zierendes alkalisches EIW, das auf der Kathodenseite er hältlich ist, wenn hochreines Wasser einer Gleichstrom-Elektrolyse unterworfen wird, als Spülwasser verwendet wird, werden die in Lösung suspendierten Teilchen elek trisch negativ aufgeladen. Daher wird die Oberfläche der zu reinigenden Teile in entsprechender Weise negativ auf geladen und die suspendierten Feststoffe und die Oberflä che der Teile mit einer anderen elektrischen Ladung stoßen einander ab, wodurch verhindert wird, daß die Teilchen an der Oberfläche der zu reinigenden Teile haften. Im Gegen satz dazu werden bei der konventionellen Spülbehandlung mit neutralem hochreinem Wasser die Teilchen elektrisch positiv aufgeladen und von der Oberfläche der Teilchen an gezogen.

Spülbehandlung mit EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser nach der Reinigung mit einer Reinigungslösung zur Entfernung von Metall

Im allgemeinen werden Metalle in Lösung unter sauren oxi dierenden Bedingungen löslich und leicht ionisiert. Ande rerseits haften Metalle, die an einer festen Oberfläche entweder in Form eines Niederschlags von Salzen oder in Form abgeschiedener Atome als Folge des Elektronen austauschs mit der Feststoff-Oberfläche haften, um so fe ster an der Oberfläche, je saurer und oxidierender die Lö sung wird. Daher kann dann, wenn ein oxidierendes saures EIW hergestellt auf der Anodenseite während der Elektro lyse von hochreinem Wasser durch Gleichstrom, als Spülwas ser verwendet wird, diese Metallhaftung verhindert werden. Im Gegensatz dazu kann die Metallhaftung durch eine kon ventionelle Spülbehandlung mit neutralem hochreinem Wasser nicht verhindert werden.

Spülbehandlung mit EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser und nachfolgende Reinigung mit einem Agens zur Ent fernung von organischem Material

Beispielsweise wird organisches Material auf der Ober fläche von Silicium-Wafern entfernt durch oxidativen Abbau des organischen Materials mit einem oxidierenden Agens (Oxidationsmittel). Das organische Material wird entweder vollständig oxidiert zu organischen Verbindungen mit einem niedrigen Molekulargewicht, z. B. organischen Säuren oder Kohlendioxid, und in Agens-Lösungen aufgelöst oder nur von der Oberfläche der zu reinigenden Gegenstände abgelöst und als Teilchen in den Agens-Lösungen suspendiert. Im erstgenannten Fall, bei dem das organische Material in ei ner Agens-Lösung aufgelöst wird, kann dann, wenn ein sau res und oxidierendes Anolyt-EIW, hergestellt aus hochrei nem Wasser, als Spülwasser verwendet wird, das erneute An haften von organischem Material an der Feststoff-Oberflä che, die gereinigt werden soll, während des Spülverfahrens verhindert werden durch die oxidierende Abbauaktivität des Anolyt-EIW. Auch im zuletzt genannten Fall, bei dem orga nisches Material in Form von Teilchen in der Reagenslösung suspendiert wird, kann dann, wenn ein Katolyt-EIW, herge stellt aus hochreinem Wasser, als Spülwasser verwendet wird, das erneute Anhaften des organischen Materials ver hindert werden durch elektrische Abstoßung zwischen der Feststoff-Oberfläche und den Teilchen in dem Katolyten.

Spülbehandlung mit einem Anolyt- oder Katolyt-EIW, herge stellt aus hochreinem Wasser, nach der Reinigung mit Schwe felsäure-Wasserstoffperoxid

Eine Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid-Reinigungslösung, die üblicherweise als Agens zur Entfernung von organischem Material von Silicium-Oberflächen verwendet wird, wird häufig als Agens zur Entfernung von Metall verwendet wegen ihres hohen Metallentfernungsvermögens. Nach der Entfer nung des anhaftenden organischen Materials und der Metalle unter Verwendung der genannten Schwefelsäure-Wasserstoff peroxid-Reinigungslösung kann das erneute Anhaften der von der Feststoff-Oberfläche abgelösten kontaminierenden Ver unreinigungen während der Spülbehandlung verhindert werden durch Spülen mit einem Anolyt- oder Katolyt-EIW, herge stellt aus entionisiertem Wasser oder hochreinem Wasser. Diese Spülbehandlung mit Anolyt- oder Katolyt-EIW nach der Reinigung mit einer Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid-Rei nigungslösung bietet den Vorteil einer wirksameren Entfer nung der auf der zu reinigenden Teile (beispielsweise der Wafer) verbliebenen Schwefelsäureionen als die konventio nelle Spülbehandlung mit hochreinem Wasser. Obgleich der Grund dafür im einzelnen nicht klar ist, wird angenommen, daß das hohe Benetzungsvermögen der Elektrolyt-Ionen vorteilhaft ist für die Entfernung der Schwefelsäure mit einer hohen Viskosität.

Spülbehandlung mit Katolyt-EIW, hergestellt aus entioni siertem Wasser, nach der Reinigung mit einem Agens zur Entfernung eines Oxidfilms

Die Wachstumsgeschwindigkeit eines natürlichen Oxidfilms, der auf die feste Oberfläche unter der Lösung aufwächst, hängt von dem Redoxpotential, dem Index an gelöstem Sauer stoff und oxidierendem Material ab. Wenn ein reduzieren des, alkalisches EIW, wie es auf der Kathodenseite während der Gleichstrom-Elektrolyse von hochreinem Wasser erhalten wird, als Spülwasser verwendet wird, kann das Aufwachsen eines natürlichen Oxidfilms während des Spülvorgangs voll ständig verhindert werden.

Wenn der pH-Wert und das Redoxpotential einstellbar werden durch Verwendung des Anolyt- oder Katolyt-EIW einer Elek trolyt-Lösung, hergestellt durch Elektrolyse von entioni siertem Wasser, dem ein Elektrolyt zugesetzt worden ist, anstelle von Anolyt- oder Katolyt-EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser, oder durch Verwendung eines Anolyt- oder Katolyt-EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser und anschließende Zugabe von Säure oder Alkali, kann ein Spülwasser mit den am besten geeigneten Bedingungen zur Verhinderung einer erneuten Anhaftung von abgelösten Ver unreinigungen hergestellt werden.

Wenn beispielsweise ein Anolyt-EIW einer Elektrolyt-Lö sung, hergestellt durch Zugabe einer winzigen Menge Säure zu hochreinem Wasser als Spülwasser verwendet wird, sinkt der pH-Wert des Spülwassers und das Redox-Potential steigt, was zu einer Erhöhung der Metallöslichkeit und der Fähigkeit, eine Wiederanhaftung des Metalls während des Spülverfahrens zu verhindern, führt. Ein ähnlicher Präven tiveffekt wird erhalten bei Verwendung eines Anolyt-EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser, und anschließende Zugabe von Säure.

Die am meisten bevorzugten Beispiele für Säuren, die dem hochreinen Wasser oder dem Anolyt-EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser, zugesetzt werden können, sind Koh lensäure, Essigsäure, Ameisensäure und Chloressigsäure, wie weiter oben angegeben.

In entsprechender Weise wird dann, wenn ein Katolyt-EIW, hergestellt durch Zugabe einer winzigen Menge Alkali zu hochreinem Wasser, als Spülwasser verwendet wird, der pH-Wert des Spülwassers erhöht und die elektrische Abstoßung zwischen der Oberfläche des zu reinigenden Teils und den Teilchen wird erhöht, was zu einer Zunahme der Fähigkeit, die erneute Haftung von Teilchen während des Spülvorganges zu verhindern, führt. Ein ähnlicher Präventionseffekt wird erhalten durch Verwendung eines Katolyt-EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser und versetzt mit Alkali.

Ein am meisten bevorzugtes Beispiel für ein Alkali, das hochreinem Wasser oder einem Katolyt-EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser, zugesetzt werden soll, ist Ammo niak.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Fig. 1 ist ein Blockdiagramm, das den Aufbau der er findungsgemäßen Reinigungsvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform zeigt;

Fig. 2 ist ein Blockdiagramm, das den Aufbau der in der in Fig. 1 dargestellten Reinigungsvorrichtung verwendeten entionisieten Wasser-Elektrolysevorrichtung zeigt;

Fig. 3 ist ein Blockdiagramm, das den Aufbau der er findungsgemäßen Reinigungsvorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt; und

Fig. 4 ist ein Blockdiagramm, das den Aufbau der erfin dungsgemäßen Reinigungsvorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform zeigt.

Detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen

Der konkrete Aufbau der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeich nungen, in denen bevorzugte Ausführungsformen derselben beispielhaft erläutert sind, näher beschrieben.

Ausführungsform 1

Fig. 1 ist ein Blockdiagramm, das den Aufbau der ersten Ausführungsform der Erfindung zeigt. In dieser Figur be zeichnen die Ziffern 202 bis 213 jeweils Reinigungs- und Spülbäder, die eine Reinigungsvorrichtung für Silicium-Wa fer vom diskontinuierlichen Typ aufbauen. Unter ihnen be zeichnet die Ziffer 202 ein Reinigungsbad, in dem eine Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid-Reinigungslösung verwen det wird, die Ziffern 204, 208 und 212 bezeichnen Reini gungsbäder, in denen eine Fluorwasserstoffsäure-Rei nigungslösung verwendet wird, die Ziffer 206 bezeichnet ein Reinigungsbad, in dem eine Ammoniak-Wasserstoffpero xid-Reinigungslösung verwendet wird, und die Ziffer 210 bezeichnet ein Reinigungsbad, in dem eine Chlorwasser stoffsäure-Wasserstoffperoxid-Reinigungslösung verwendet wird. Die Spülbäder 203, 205, 207, 209, 211 und 213 sind unmittelbar hinter jedem Reinigungsbad angeordnet.

Bei dieser Ausführungsform werden die Spülbäder 203 und 211 mit einem Anolyt EIW, hergestellt aus hochreinem Was ser, beliefert und die Spülbäder 205, 207, 209 und 213 werden mit einem Katolyt EIW, hergestellt aus hochreinem Wasser, beliefert.

Während die Silicium-Wafer 201 in jedes Bad 202 bis 213 in der durch Pfeile angegebenen Richtung überführt wird, die jeweils wie vorstehend beschrieben angeordnet sind, wird die Wafer nacheinander Behandlungen zur Entfernung von or ganischem Material, Teilchen und anhaftenden Metallen un terworfen und unmittelbar nach jedem Verfahren wird sie einem Verfahren zur Entfernung eines Oxidfilms mit einer Fluorwasserstoffsäurelösung unterworfen und schließlich wird sie in einem Schleudertrockner 214 getrocknet.

Ein Merkmal der vorliegenden Erfindung besteht darin, hochreines Wasser, das in einer Vorrichtung 215 zur Erzeu gung von hochreinem Wasser erzeugt worden ist, die umfaßt einen primäres entionisiertes Wasser bildenden Abschnitt zur Erzeugung von primärem entionisiertem Wasser durch Be handeln des Zuführungswassers mit einer Koagulations-und Sedimentations-Vorrichtung, Umkehrosmose-Membrantrennungs-Einheit, einer Zweibett-Ionenaustausch-Einheit, einem Mischbett-Ionenaustauscher und einer Membran-Trennung un ter Verwendung eines Mikromembranfilters, und eine sekun däres entionisiertes Wasser bildende Vorrichtung (in der Fig. 1 nicht dargestellt) zur Erzeugung von hochreinem Wasser durch UV-Bestrahlung, durch Mischbett-Polieren und Ultrafiltration, in eine Drei-Kammer-hochreines Wasser- Elektrolyse-Vorrichtung 216, die entlang der Wasserleitung 2152 angeordnet ist, einzuführen zur Einführung von Spül wasser, die von der Haupt-Rezirkulations-Wasserleitung 2151 abzweigt. Diese Elektrolyse-Vorrichtung 216 ist so aufgebaut, daß der Anolyt 219 aus der Anodenkammer 2161 in die Spülbäder 203 und 211 eingeführt wird und der Katolyt 220 aus der Kathodenkammer 2162 in die Spülbäder 205, 207, 209 und 213 eingeführt wird. Außerdem sind in Wasser leitungen zur Einleitung des Anolyten 219 und des Katoly ten 220 jeweils Filter 217 und 218 angeordnet.

Bei dem vorstehend beschriebenen Aufbau, bei dem eine hochreine Wasser-Elektrolyse-Vorrichtung 216 in einer Was serleitung zur Einführung von Spülwasser, die von dem Ver wendungsort in dem Zirkulationssystem 2151 der hochreines Wasser bildenden Vorrichtung 215 abzweigt, angeordnet ist, können die Wasserleitungen für jedes Spülbad weniger als etwa 10 in bis zu höchstens mehreren 10 m lang sein, wo durch die schnelle Einführung von Wasser, das mit der hochreinen Wasser-Elektrolyse-Vorrichtung behandelt worden ist, in das Spülbad erleichtert wird. Deshalb ist dieser Aufbau insofern bevorzugt, als die Fähigkeit des Spülwas sers das Anhaften von Verunreinigungen zu verhindern, ohne praktischen Abbau während seines Durchgangs ausgenutzt werden kann. Die in Fig. 2 dargestellte erfindungsgemäße Drei-Kammer-hochreines Wasser-Elektrolyse-Vorrichtung 216 besteht aus einer Anodenkammer 21, einer Kathodenkammer 23, einer Ionenaustauschmembran 24, bei der es sich um einen festen Elektrolyten handelt, und einer Zwischenkam mer, die durch ein Paar von Ionenaustauschmembranen 24 ab geteilt wird. Jeder Kammer wird durch die Einlässe 30, 30 und 30 für entionisiertes Wasser hochreines Wasser zuge führt. Die Zwischenkammer wird mit dem festen Elektrolyt-Ionenaustauscherharz 25 gefüllt.

Hochreines Wasser wird elektrolysiert durch einen elektri schen Gleichstrom, der zwischen der Anode 26, die in der Anodenkammer 21 angeordnet ist, und der Kathode 27, die in der Kathodenkammer 23 angeordnet ist, fließt und der auf diese Weise erzeugte Anolyt 219 wird durch den Anolyten auslaß 31 über einen Filter 217 in jedes Spülbad einge führt. Der auf diese Weise erzeugte Katolyt 220 wird durch den Katolytenauslaß 33 über das Filter 218 in jede Spül kammer eingeführt. Die Ziffer 32 bezeichnet den Auslaß für Wasser aus der Zwischenkammer und die Ziffer 28 bezeichnet den Rahmen der Elektrolysekammer.

Bei dem vorstehend beschriebenen Aufbau dienen selbst dann, wenn die in der Fig. 2 dargestellte hochreine Was ser-Elektrolyse-Vorrichtung hochreines Wasser elektroly siert, das nahezu keinen Elektrolyten enthält, die Ionen austauschmembranen des festen Elektrolyten 24 zwischen der Anode 26 und der Kathode 27 sowie das Ionenaustauscherharz 25 als Elektronenträger, welche die Elektrolyse von hoch reinem Wasser bei niedriger Spannung erleichtern. Es ist auch vorteilhaft, daß die Zwischenkammer 32 die Vermi schung der Lösungen in der Anodenkammer 21 und in der Ka thodenkammer 23 verhindert.

Durch Verwendung einer Reinigungsvorrichtung, in der eine hochreine Wasser-Elektrolyse-Vorrichtung, wie unter Bezug nahme auf Fig. 2 erläutert, in einer hochreines Wasser bildenden Vorrichtung 215, wie in Fig. 1 dargestellt, in stalliert ist, die in der Lage ist, hochreines Wasser mit einer Wasserqualität, wie sie in der Tabelle I angegeben ist, zu erzeugen, wurden ein Anolyt- und ein Katolyt-EIW, hergestellt aus hochreinem Wasser unter den folgenden Elektrolysebedingungen, gebildet und zum Spülen von Sili cium-Wafern verwendet, die in der Stufe (5) mit Ammoniak-Wasserstoffperoxid gereinigt worden waren, um Teilchen zu entfernen, oder die in der Stufe (7) mit Fluorwasserstoff gereinigt worden waren, um einen natürlichen Oxidfilm zu entfernen. Die Anzahl der Teilchen wurden mit einem Laser-Teilchenzähler ausgezählt und die Dicke des nativen Oxid-Films wurde mit einem XPS (photoelektrischen Röntgen strahl-Spektrophotometer) gemessen. Die Ergebnisse sind in der Tabelle II zusammengefaßt. Die Reinigungs- und Spülbe dingungen sind in der nachstehenden Tabelle II angegeben.

Elektrolyse-Bedingungen

Die Spannung zwischen der Anode und der Kathode einer Drei-Kammer-Elektrolyse-Vorrichtung betrug 20 V und die Dichte des Elektrolysestroms betrug 4,6 A/dm².

Spül-Bedingungen

Unter Verwendung eines Spülbades, bei dem EIW, hergestellt aus hochreinem Wasser, überlaufen kann, wurden Wafer in dem Bad stationär festgehalten und mit dem überlaufenden Wasser mit einer linearen Geschwindigkeit von 5 m/h 10 min lang gespült.

Die gleichen Wafer wurden außerdem mit hochreinem Wasser, das nicht unter den gleichen Bedingungen wie vorstehend beschrieben elektrolysiert worden war, gespült und dann wurden die verbliebenen anhaftenden Teilchen und die Dicke des nativen Oxidfilms bestimmt. Die Ergebnisse sind eben falls in der folgenden Tabelle II angegeben.

Tabelle II

Dicke des natürlichen Oxidfilms und Anzahl der anhaftenden Teilchen auf der Silicium-Wafer-Oberfläche nach dem Spülen

(5) Reinigung mit Ammoniak-Wasserstoffperoxid (Volumenverhältnis Ammoniakwasser: Wasserstoffperoxid-Lösung: hochreines Wasser = 0,05 : 1 : 5)\|10 min
(6) Spülen mit Katolyt-EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser oder hochreinem Wasser	10 min
(7) Reinigung mit Fluorwasserstoffsäure (0,5%ige Fluorwasserstoffsäure)	1 min
(8) Spülen mit Katolyt-EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser, oder mit hochreinem Wasser	10 min

In entsprechender Weise wurden Silicium-Wafer, die mit Chlorwasserstoffsäure-Wasserstoffperoxid der Stufe (9) bzw. mit Fluorwasserstoffsäure der Stufe (11) gereinigt worden waren, gespült und es wurden die Konzentrationen des anhaftenden Kupfers bestimmt. Die Ergebnisse sind in der Tabelle III angegeben. Die Reinigungs- und Spülbedin gungen sind unterhalb der Tabelle III beschrieben. Das an haftende Metall (Cu) wurde mittels eines TREX (Gesamt reflex-Fluoreszenz-Röntgenstrahl-Analysators) unter Anwen dung der gleichen Spülbehandlung wie oben bestimmt.

Tabelle III

(9) Reinigung mit Chlorwasserstoffsäure-Wasserstoffperoxid (Volumenverhältnis Chlorwasserstoffsäure: Wasserstoffperoxid-Lösung: hochreines Wasser = 1 : 1 : 6)\|10 min
(10) Spülen mit Anolyt-EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser, oder mit hochreinem Wasser	10 min
(11) Reinigung mit Fluorwasserstoffsäure (0,05%ige Fluorwasserstoffsäure)	1 min
(12) Spülen mit Anolyt-EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser, oder mit hochreinem Wasser	10 min

Außerdem ist die Wasserqualität jedes Spülwassers in dem Spülbad bei dem genannten Spülvorgang in den Tabellen IV und V angegeben.

Tabelle IV

Wasserqualität von hochreinem Wasser in dem hochreinen Wasser-Spülbad während des Spülens mit hochreinem Wasser (das Spülwasser wurde bei Raumtemperatur nach der Reini gung mit Ammoniak-Wasserstoffperoxid (Stufe 6) verwendet)

Tabelle V

Wasserqualität von hochreinem Wasser in dem hochreinen Wasser-Spülbad während des Spülens mit hochreinem Wasser (das Spülwasser wurde bei Raumtemperatur nach der Reini gung mit Chlorwasserstoffsäure-Wasserstoffperoxid (Stufe 10 verwendet)

Die Ergebnisse der Tabelle II zeigen, daß durch Spülen mit Katolyt-EIW, hergestellt aus hochreinem Wasser nach dem Reinigen mit Fluorwasserstoffsäure die durchschnittliche Dicke des Oxidfilms auf der Oberfläche des Siliciums ver mindert wurde, was anzeigt, daß das als Spülwasser nach der Reinigung mit Fluorwasserstoffsäure zur Entfernung ei nes natürlichen Oxidfilms verwendete reduzierende Anolyt-EIW das Wachstum des natürlichen Oxidfilms während des Spülvorgangs inhibiert (hemmt).

Durch Verwendung eines Katolyt-EIW, hergestellt aus hoch reinem Wasser, als Spülwasser nach der Reinigung mit Ammo niak-Wasserstoffperoxid wurde auch die Anzahl der auf der Silicium-Oberfläche anhaftenden Teilchen vermindert. Diese Ergebnisse zeigen, daß das reduzierende alkalische Kato lyt-EIW, das als Spülwasser nach der Reinigung mit Ammo niak-Wasserstoffperoxid verwendet wurde, die Haftung von Teilchen durch elektrische Abstoßung zwischen den in der Lösung suspendierten Teilchen und der Silicium-Oberfläche verhindert.

Obgleich ein Spülbad, bei dem ein EIW, hergestellt aus hochreinem Wasser, das als Spüllösung verwendet werden soll, über den Rand des Bades überlaufen kann, in der er findungsgemäßen Ausführungsform verwendet wurde, kann auch ein Sprüh-Spülbad, bei dem hochreines Wasser auf die Ober fläche eines Halbleiters aufgesprüht wird, verwendet wer den. Außerdem kann zum Spülen von Halbleitern mit einem EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser in einem Spül bad oder in einem Sprüh-Spülbad anstelle des Haltens der Halbleiter in stationären Zustand während des Spülvor ganges, ein mechanisches Schütteln oder Drehen derselben während des Spülvorgangs angewendet werden.

Ausführungsform 2

Bei der zweiten Ausführungsform wird eine Reinigungsvor richtung, wie sie in Fig. 3 dargestellt ist, verwendet, wobei diese Vorrichtung mit einem Spülbad 303, das dem Bad folgt, das für die diskontinuierliche Reinigung der Sili cium-Halbleiter 302 verwendet wird, und auch mit einem Schleudertrockner 310 ausgestattet ist, auf den die Sili cium-Wafer 301 übertragen werden zum Trocknen, nachdem sie in dem Reinigungsbad 302 und dann in dem Spülbad 303 gereinigt worden sind.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist ähnlich derjenigen der ersten Ausführungsform mit einer Vorrichtung zur Elek trolyse einer Elektrolytlösung 305 in einer seitlichen Wasserleitung 312 ausgestattet zur Einführung von Spülwas ser, die von dem Ort der Verwendung in dem Zirkulationssy stem 311 der hochreines Wasser erzeugenden Vorrichtung 304 abzweigt. Außerdem ist bei diesem Aufbau die Vorrichtung zur Elektrolyse der Elektrolytlösung 305 mit einer Wasser leitung 313 ausgestattet, die von der Wasserleitung 312 abzweigt zur Einführung von hochreinem Wasser in die Ka thodenkammer 3051 und sie ist außerdem mit einer Einrich tung zur Einführung von Ammoniakwasser in die Wasserlei tung 313 ausgestattet. Der Katolyt 306 der elektrolyti schen Lösung aus der Elektrolytlösung, die in der Vorrich tung 305 zur Elektrolyse der Elektrolytlösung erhalten wurde, wird als Spülwasser über das Filter 309 in das Spülbad 303 eingeführt.

Diese Einrichtung zur Zugabe von Ammoniakwasser zu der Wasserleitung 313 der erfindungsgemäßen Ausführungsform hat einen solchen Aufbau, daß Ammoniakwasser dem hochrei nen Wasser im Innern der Wasserleitung 313 mittels der In fusionspumpe 307 aus dem Ammoniakwasser-Vorratsbehälter 308 zugeführt wird, um Wasser, das 4 ppm Ammoniak enthält, der Kathodenkammer zuzuführen.

Eine Vorrichtung zur Elektrolyse der Elektrolytlösung in der erfindungsgemäßen Ausführungsform 305 hat einen ähnli chen Aufbau wie die Drei-Kammer-Vorrichtung, die unter Be zugnahme auf Fig. 2 erläutert worden ist. Da die der Ka thodenkammer zugeführte Lösung Ammoniak in einer Konzen tration von 4 ppm enthält, ist der durch Gleichstrom-Elek trolyse erzeugte Katolyt eine verdünnte Aminoniak-Elektro lyselösung.

Zum Vergleich ist eine Vorrichtung zur Elektrolyse von hochreinem Wasser 311 mit einer anderen Wasserleitung 314 ausgestattet zur Einführung von hochreinem Wasser aus dem Zirkulationssystem 311 direkt in das Spülbad 303.

Beim Aufbau der Reinigungsvorrichtung, wie sie in Fig. 3 dargestellt ist, die mit der Vorrichtung 305 zur Elektro lyse der Elektrolytlösung ausgestattet ist, wurde Katolyt-EIW erzeugt und zum Spülen von Silicium-Wafern verwendet, die vorher mit PSL (Polystyrollatex)-Teilchen verunreinigt worden war und mit einer Ammoniak-Wasserstoffperoxid-Rei nigungslösung (Volumenverhältnis Ammoniakwas ser:Wasserstoffperoxidlösung:hochreines Wasser = 0,05 : 1:5) 10 min lang unter ähnlichen Bedingungen wie bei der ersten Ausführungsform gewaschen. Die zurückbleibenden anhaften den Teilchen wurden auf ähnliche Weise wie bei der ersten Ausführungsform bestimmt und die Ergebnisse sind in der Tabelle VI angegeben. Die Elektrolyse wurde unter Be dingungen durchgeführt, bei denen die Elektrodenspannung zwischen der Anode und der Kathode 9 V betrug und die Elektrolyse-Stromdichte 4,6 A/dm² betrug.

Als Kontrolle wurde hochreines Wasser anstelle von 4 ppm Ammoniakwasser der Kathodenkammer zugeführt und die Wafer wurden in entsprechender Weise gespült und die anhaftenden Teilchen wurde bestimmt. Die Ergebnisse sind in der Ta belle VI angegeben. Die Elektrolysebedingungen waren in diesem Falle die gleichen wie diejenigen bei der ersten Ausführungsform.

Außerdem wurde als Vergleich hochreines Wasser ohne Elek trolyse über die Wasserleitung 314 direkt dem Spülbad 303 zugeführt und die Wafer wurden in entsprechender Weise ge spült und die verbliebenen anhaftenden Teilchen wurden ausgezählt. Die Ergebnisse sind ebenfalls in der Tabelle VI angegeben.

Tabelle VI

Aus den Ergebnissen der Tabelle VI ist zu ersehen, daß die Spülbehandlung mit dem durch Elektrolyse von hochreinem Wasser oder 4 ppm Ammoniakwasser erzeugten Katolyten nach dem Reinigen mit Ammonium-Wasserstoffperoxid die Anzahl der anhaftenden Teilchen im Vergleich zu der konven tionellen Spülungsbehandlung mit hochreinem Wasser signi fikant vermindert. Es wurde auch bestätigt, daß die Spül behandlung mit dem durch Elektrolyse von 4 ppm Ammoniak wasser erzeugten Katolyten die Anzahl der anhaftenden Teilchen wirksamer vermindert als die Spülung mit dem durch Elektrolyse von hochreinem Wasser erzeugten Katoly ten. Die Ergebnisse zeigen, daß der pH-Wert des Katolyten durch Zugabe von Ammoniak zu dem der Kathodenkammer zuge führten Wasser erhöht wurde, was zu einer Verstärkung der elektrischen Abstoßung zwischen den Teilchen im Innern der Lösung und der Silicium-Oberfläche und zu einer Verbesse rung der Aktivität in bezug auf die Verhinderung der er neuten Anhaftung von Teilchen führte.

Ausführungsform 3

Bei dieser Ausführungsform wird eine Vorrichtung, wie sie in Fig. 4 dargestellt ist, verwendet, wobei diese Vorrich tung ausgestattet ist mit einem Spülbad 403, das auf ein Bad folgt, das für die diskontinuierliche Reinigung von Silicium-Wafern 402 verwendet wird, und die außerdem aus gestattet ist mit einem Schleudertrockner 410, auf den Si licium-Wafer 401 zum Trocknen überführt werden, nachdem sie in dem Reinigungsbad 402 gereinigt und dann in dem Spülbad 403 gespült worden sind.

Die Vorrichtung dieser Ausführungsform weist auf ähnliche Weise wie diejenige der ersten Ausführungsform das Merkmal auf, daß die Vorrichtung mit einer Vorrichtung zur Elek trolyse von hochreinem Wasser 405 in einer seitlichen Was serleitung 412 zur Einführung von Spülwasser ausgestattet ist, die an dem Ort der Verwendung in dem zirkulierenden System 411 der Vorrichtung 404 zur Erzeugung von hochrei nem Wasser abzweigt. Bei diesem Aufbau wird Katolyt-EIW 406 bzw. Anolyt-EIW 407, hergestellt aus hochreinem Was ser, das durch die Vorrichtung 405 zur Elektrolyse von hochreinem Wasser erzeugt worden ist, über die Filter 409 bzw. 408 als Spülwasser in das Spülbad 403 eingeführt.

Die Vorrichtung zur Elektrolyse der Elektrolytlösung von hochreinem Wasser in der erfindungsgemäßen Ausführungsform 405 hat einen ähnlichen Aufbau wie die Drei-Kammer-Elek trolyse-Vorrichtung, die in bezug auf Fig. 2 erläutert worden ist.

In einem Vergleichstest wurde die erfindungsgemäße Reini gungsvorrichtung mit einer Wasserleitung 414 zur direkten Einführung von hochreinem Wasser aus dem Zirkulationssy stem 411 der Vorrichtung zur Erzeugung von hochreinem Was ser in das Spülbad 403 ausgestattet. Diese Reinigungsvor richtung war außerdem mit einer weiteren Wasserleitung 415 ausgestattet, die von dem Zirkulationssystem 411 für die Einführung von warmem hochreinem Wasser abzweigte, das mittels der Heizeinrichtung 413 auf 80°C erwärmt worden war.

Unter Einsatz der Reinigungsvorrichtung, wie sie in Fig. 4 dargestellt ist, die mit einer Vorrichtung des zur Elek trolyse von hochreinem Wasser ausgestattet war, wurden Ka tolyt-EIW und Anolyt-EIW, hergestellt aus hochreinem Was ser, unter Elektrolysebedingungen ähnlich denjenigen bei der ersten Ausführungsform erzeugt und zum Spülen von Si licium-Wafern 401 unter ähnlichen Bedingungen wie diejeni gen bei der ersten Ausführungsform verwendet, die mit Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid (Volumenverhältnis Schwe felsäure:Wasserstoffperoxidlösung = 4 : 1) 10 min lang gereinigt worden waren. Die Menge der auf den Wafern zu rückbleibenden Sulfationen wurde bestimmt und die Ergeb nisse sind in der Tabelle VII angegeben.

Die Sulfationen wurden bestimmt unter Anwendung der Heiß wasser-Extraktions-Ionenchromatographie. Gleichzeitig wurde die Kupferkonzentration ebenfalls nach dem gleichen Verfahren, wie es in der ersten Ausführungsform angewendet worden war, bestimmt.

Außerdem wurde zum Vergleich hochreines Wasser ohne Elek trolyse bzw. hochreines Wasser, das auf 80°C erwärmt wor den war, über die Wasserleitungen 414 bzw. 415 dem Spülbad 403 zugeführt, um Wafer unter den gleichen Bedingungen zu spülen, und die Menge der zurückbleibenden Sulfationen und die Konzentration an Kupfer wurden bestimmt. Die Ergeb nisse sind in der nachstehenden Tabelle VII angegeben.

Die Temperatur des Anolyten, des Katolyten und des hoch reinen Wassers ohne Elektrolyse, die als Spülwasser ver wendet wurden, wurde auf 25°C eingestellt.

Tabelle VII

Nach dem Waschen mit einer Schwefelsäure-Wasserstoffpero xid-Reinigungslösung verbleibende Ionenkonzentration

Aus den Ergebnissen der Tabelle VII geht hervor, daß die Spülbehandlung mit einem Anolyten oder Katolyten, der durch Elektrolyse von hochreinem Wasser erzeugt worden war, oder mit warmem hochreinem Wasser nach der Reinigung mit Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid die Menge an zurück bleibenden Sulfationen signifikant vermindert, verglichen mit einer konventionellen Spülbehandlung mit hochreinem Wasser. Es wurde auch bestätigt, daß insbesondere die Spülbehandlung mit einem Anolyten die Sulfationen wirksa mer entfernt als diejenige mit warmem hochreinem Wasser.

Außerdem führte unter den getesteten Spülbehandlungen die jenigen mit einem sauren oxidierenden Anolyten mit einer hohen Aktivität in bezug auf die Verhinderung der Metallanhaftung zu der niedrigsten Konzentration an Kupferio nen. Es hat sich auch gezeigt, daß die Spülbehandlung mit warmem hochreinem Wasser und mit einem Katolyten die Kup ferionenkonzentration etwas stärker vermindert als die konventionelle Spülbehandlung mit hochreinem Wasser. Dies ist wahrscheinlich auf die Sulfationen-Entfernungs aktivität dieser Spüllösungen zurückzuführen.

Es kann daraus geschlossen werden, daß bei Berücksichti gung der Betriebskosten für die Erwärmung von hochreinem Wasser und der Menge an anhaftendem Metall eine Spülbe handlung mit einem Anolyten nach dem Waschen mit Schwefel säure-Wasserstoffperoxid in den meisten Fällen bevorzugt sein kann mit einer Vorrichtung in einem industriellen Maßstab.

Das erfindungsgemäße Reinigungsverfahren, bei dem EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser; EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser und versetzt mit Elektrolyt(en), und EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser und versetzt mit Säure oder Alkali als Spüllösung verwendet werden, ist vorteilhaft insofern, als elektronische Teile (Bauteile) oder dgl., insbesondere Halbleitersubstrate, die eine extrem saubere Oberfläche aufweisen müssen, gespült werden können, ohne daß ein erneutes Anhaften von kontaminierenden Materialien, die von der Oberfläche des zu reinigenden Teils abgelöst worden waren, an der Oberfläche der elektronischen Teile (Bauteile) oder dgl. in der nächsten Stufe auftritt.

Deshalb ist im Vergleich zu konventionellen Reinigungs verfahren, welche die Spülbehandlung mit hochreinem Wasser nach der Reinigung mit einem Agens umfassen, das erfin dungsgemäße Verfahren wirksamer in bezug auf die Erzielung einer stärker gereinigten Oberfläche.

Da das erfindungsgemäße Verfahren die Anhaftung von verun reinigenden Materialien, die aus Reagentien stammen, die in ein Spülbad eingeführt werden, verhindern kann, ist das erfindungsgemäße Verfahren auch wirksamer in bezug auf die Ausnutzung der Ressourcen neben dem wirtschaftlichen Ef fekt, wie z. B. einer längeren Halbwertszeit und einem we niger häufigen Austausch der Reagentien.

Die erfindungsgemäße Spülvorrichtung, die mit einer Vor richtung zur Elektrolyse von entionisiertem oder hochrei nem Wasser an einer Wasserleitung zur Einführung von Spül wasser ausgestattet ist, die von einer Hauptwasserleitung einer Vorrichtung zur Erzeugung von entionisiertem Wasser (hochreinem Wasser) abzweigt, ist ferner wirksam in bezug auf die Durchführung der Reinigung mit EIW, hergestellt aus entionisiertem Wasser oder dgl. Insbesondere dann, wenn diese Spülvorrichtung außerdem mit einer Vorrichtung zur Elektrolyse von entionisiertem Wasser (hochreinem Was ser) stromabwärts von dem Ort der Verwendung ausgestattet ist, die von dem Zirkulationssystem einer Vorrichtung zur Erzeugung von reinem Wasser abzweigt, ist das Verlänge rungsstück der Wasserleitung zur Zuführung des Anolyten oder Katolyten, der durch diese Elektrolyse-Vorrichtung erzeugt worden ist, zu dem Spülbad verhältnismäßig kurz, so daß die Vorrichtung wirksam ist in bezug auf die Aus nutzung der Aktivität des auf diese Weise erzeugten Anoly ten und Katolyten zur Verhinderung des Anhaftens von ver unreinigenden Materialien.

Claims

1. Verfahren zur Reinigung von elektronischen Teilen (Bauteilen) oder dgl., dadurch gekennzeichnet, daß es um faßt:
eine Reinigungsstufe zur Reinigung der elektronischen Teile (Bauteile) mit einer Reinigungslösung; und
eine Spülstufe zum Spülen der gereinigten elektronischen Teile (Bauteile) mit einem Anolyten oder Katolyten aus elektrisch ionisiertem Wasser (EIW), das erhalten wird durch Elektrolysieren von entionisiertem Wasser, wobei das EIW als Spülwasser verwendet wird; und
wobei die elektronischen Teile (Bauteile) umfassen Halb leitersubstrate (Glassubstrate, elektronische Teile (Bauteile) und Komponenten der Vorrichtung zu ihrer Her stellung.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es außerdem umfaßt eine Zugabestufe zur Zugabe eines oder mehrerer Elektroly te zu dem entionisierten Wasser, das elektrolysiert wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es außerdem umfaßt eine Zugabestufe zur Zugabe eines oder mehrerer Elektroly te zu dem Anolyt- oder Katolyt-EIW, das zum Spülen als Spülwasser verwendet wird, wobei der Elektrolyt oder die Elektrolyte Säuren oder Alkalien sind.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Reinigungslösung zum Entfernen von organischem Material verwendet wird und daß das Anolyt-EIW als Spülwasser in der Spülstufe verwendet wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Reinigungslösung zur Entfernung von organischem Material verwendet wird und daß das Kato lyt-EIW als Spülwasser in der Reinigungsstufe verwendet wird.

6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekenn zeichnet, daß die Reinigungslösung eine Schwefelsäure-Was serstoffperoxid-Lösung ist, die zur Entfernung von organi schem Material verwendet wird.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Reinigungslösung zur Entfernung von Feinteilchen verwendet wird und daß das Katolyt-EIW als Spülwasser verwendet wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Reinigungslösung zur Entfernung von anhaftenden Metallen verwendet wird.

9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reinigungslösung zur Entfernung von Oxidfilmen verwendet wird und daß das Spülwasser das Katolyt-EIW ist.

10. Vorrichtung zur Reinigung von elektronischen Teilen (Bauteilen) oder dgl., dadurch gekennzeichnet, daß sie um faßt:
eine entionisiertes Wasser bildende Vorrichtung, die um faßt eine Ionenaustauscheinrichtung, eine Membrantren nungseinrichtung und eine Destillationseinrichtung;
eine Reinigungseinrichtung zum Reinigen und anschließenden Spülen der elektronischen Teile (Bauteilen), die umfaßt Halbleitersubstrate, Glassubstrate, elektrolytische Teile und Komponenten der Vorrichtung zu ihrer Herstellung, mit einer Reinigungslösung und einer Spüllösung,
eine Elektrolyse-Einrichtung zur Erzeugung eines Anolyt- und/oder Katolyt-EIW, hergestellt aus dem entionisierten Wasser aus der Vorrichtung zur Herstellung von entioni siertem Wasser und zur Einführung des Anolyt- und/oder Ka tolyt-EIW in die Reinigungsvorrichtung als Spüllösung zum Spülen;
wobei die Elektrolyse-Einrichtung in einer Verzweigungs-Rohrleitung für das entionisierte Wasser angeordnet ist.

11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeich net,daß sie außerdem umfaßt eine oder mehrere-Zugabe-Ein richtungen zur Zugabe eines oder mehrerer Elektrolyte zu dem Beschickungswasser für die Elektrolyse-Einrichtung.

12. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeich net, daß sie außerdem umfaßt eine oder mehrere Zugabe-Ein richtungen zur Zugabe eines oder mehrerer Elektrolyte zu dem Abstrom (Ablauf) aus der Elektrolyseeinrichtung.