JPH03240229A - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄方法Info
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- JPH03240229A JPH03240229A JP3765890A JP3765890A JPH03240229A JP H03240229 A JPH03240229 A JP H03240229A JP 3765890 A JP3765890 A JP 3765890A JP 3765890 A JP3765890 A JP 3765890A JP H03240229 A JPH03240229 A JP H03240229A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体ウェハの洗浄方法に係り、特に高歩留を
確保するために開発した半導体ウェハの洗浄方法に関す
る。
確保するために開発した半導体ウェハの洗浄方法に関す
る。
〈従来の技術〉
ＬＳＩの高集積化が年々進み、素子の微細化に伴って半
導体プロセスの高歩留のために、ウェハの洗浄技術が重
要になってきている。従来技術における半導体ウェハの
洗浄はフン酸、アンモニア＋過酸化水素水、硫酸＋過酸
化水素水等の洗浄薬液にウェハを浸漬し、その後純水に
浸漬してウェハより洗浄薬液を洗い流し、スピンナによ
る回転乾燥ヤイソブロビルアルコール（ＩＰＡ）のベー
パ乾燥を行ってた。
導体プロセスの高歩留のために、ウェハの洗浄技術が重
要になってきている。従来技術における半導体ウェハの
洗浄はフン酸、アンモニア＋過酸化水素水、硫酸＋過酸
化水素水等の洗浄薬液にウェハを浸漬し、その後純水に
浸漬してウェハより洗浄薬液を洗い流し、スピンナによ
る回転乾燥ヤイソブロビルアルコール（ＩＰＡ）のベー
パ乾燥を行ってた。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、上記従来の洗浄方法では、次のような問
題点がある。すなわち、洗浄薬液中では薬液中に含まれ
ている異物がウェハに逆に付着することがある。この異
物の付着は異物の粒径が大きい場合には、殆ど起こらな
いが異物の粒径が小さい場合には顕著になる傾向がある
。
題点がある。すなわち、洗浄薬液中では薬液中に含まれ
ている異物がウェハに逆に付着することがある。この異
物の付着は異物の粒径が大きい場合には、殆ど起こらな
いが異物の粒径が小さい場合には顕著になる傾向がある
。
また前記問題を解決するための手段として、従来技術で
は洗浄薬液のフィルタリングを行い、薬液中の異物を予
め除去する方法が用いられているが、薬液中の異物を完
全に除去することはできなかった。
は洗浄薬液のフィルタリングを行い、薬液中の異物を予
め除去する方法が用いられているが、薬液中の異物を完
全に除去することはできなかった。
〈課題を解決するための手段〉
本発明に係る方法は、洗浄薬液にウェハを浸漬する前に
、ウェハを純水に浸漬してウェハ表面が濡れている状態
で洗浄薬液に浸漬することを特徴としている。
、ウェハを純水に浸漬してウェハ表面が濡れている状態
で洗浄薬液に浸漬することを特徴としている。
く作用〉
洗浄薬液にウェハを直ちに浸漬せず、まず純水中にウェ
ハを浸漬し、表面が濡れている状態において、洗浄薬液
に浸漬する。
ハを浸漬し、表面が濡れている状態において、洗浄薬液
に浸漬する。
〈実施例〉
以下、図面を参照して本考案に係る一実施例を説明する
。
。
薬液中でのウェハへの異物の付着を防止するために、ウ
ェハを初めに異物の殆どない純水中に浸漬し、ウェハの
表面が濡れている状態で、ウェハを洗浄薬液に浸漬する
。
ェハを初めに異物の殆どない純水中に浸漬し、ウェハの
表面が濡れている状態で、ウェハを洗浄薬液に浸漬する
。
ウェハを純水に約５秒間浸漬した後、咳ウェハを純水か
ら取り出し、アンモニアと過酸化水素と純水（混合比１
：１：５）の混合薬液町にウェハを１０分間浸漬する。
ら取り出し、アンモニアと過酸化水素と純水（混合比１
：１：５）の混合薬液町にウェハを１０分間浸漬する。
その後、ウェハを前記混合液から取り出し、純水リンス
をした後、ウェハをスピンナーによる回転乾燥で乾燥す
る。
をした後、ウェハをスピンナーによる回転乾燥で乾燥す
る。
第１図は粒径が０．３μｍのポリスチレンラテックス製
の粒子懸濁液（溶媒は純水）に４インチのシリコンウェ
ハを乾燥した状態で浸漬した場合と、純水で表面を濡ら
してから浸漬した場合のウェハへの付着粒子数を調べた
結果を示すデータである。
の粒子懸濁液（溶媒は純水）に４インチのシリコンウェ
ハを乾燥した状態で浸漬した場合と、純水で表面を濡ら
してから浸漬した場合のウェハへの付着粒子数を調べた
結果を示すデータである。
前記粒子懸濁液中の粒子濃度は４０００／ｍ ｉ！であ
る。
る。
ウェハ表面が濡れている場合は、付着粒子が約半分にな
っている。図面において、縦軸は０．３μｍ以上の粒子
数を示している。
っている。図面において、縦軸は０．３μｍ以上の粒子
数を示している。
ウェハ表面を濡らして薬液に浸漬した場合に付着粒子が
減少するメカニズムはまだ分かっていないが、ウェハへ
の異物付着は液面で顕著に起こるために、ウェハ表面が
濡れていると、ウェハ上の純水膜が異物付着のバリヤー
になり、異物付着が起こりにくくなるものと考えられる
。
減少するメカニズムはまだ分かっていないが、ウェハへ
の異物付着は液面で顕著に起こるために、ウェハ表面が
濡れていると、ウェハ上の純水膜が異物付着のバリヤー
になり、異物付着が起こりにくくなるものと考えられる
。
〈発明の効果〉
本発明方法は、洗浄薬液にウェハを浸漬する前に、ウェ
ハを純水に浸漬してウェハ表面が濡れている状態で洗浄
薬液に浸漬することを特徴とするものであるから、洗浄
薬液からのウェハへの粒子付着を著しく減少させて、高
歩留を達成することが可能になった。
ハを純水に浸漬してウェハ表面が濡れている状態で洗浄
薬液に浸漬することを特徴とするものであるから、洗浄
薬液からのウェハへの粒子付着を著しく減少させて、高
歩留を達成することが可能になった。
第１図は粒径が０．３μ川のポリスチレンラテックス製
の粒子懸濁液（溶媒は純水）に４インチのシリコンウェ
ハを乾燥した状態で浸漬した場合と、純水で表面を濡ら
してから浸漬した場合のウェハへの付着粒子数を調べた
結果を示すデータを示す図面である。
の粒子懸濁液（溶媒は純水）に４インチのシリコンウェ
ハを乾燥した状態で浸漬した場合と、純水で表面を濡ら
してから浸漬した場合のウェハへの付着粒子数を調べた
結果を示すデータを示す図面である。
Claims (1)
- （１）洗浄薬液にウェハを浸漬する前に、ウェハを純水
に浸漬してウェハ表面が濡れている状態で洗浄薬液に浸
漬することを特徴とする半導体ウェハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3765890A JPH03240229A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3765890A JPH03240229A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03240229A true JPH03240229A (ja) | 1991-10-25 |
Family
ID=12503742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3765890A Pending JPH03240229A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03240229A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5330876A (en) * | 1976-09-03 | 1978-03-23 | Akai Electric | Method of cleaning surface of semiconductor |
| JPS63254734A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの処理方法とその装置 |
| JPH03159123A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-09 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体ウエーハの洗浄方法 |
-
1990
- 1990-02-19 JP JP3765890A patent/JPH03240229A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5330876A (en) * | 1976-09-03 | 1978-03-23 | Akai Electric | Method of cleaning surface of semiconductor |
| JPS63254734A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの処理方法とその装置 |
| JPH03159123A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-09 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体ウエーハの洗浄方法 |
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