KR940020502A - 처리장치 및 처리방법(process apparatus and process method) - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract 63
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims 5
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 claims 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
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- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
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- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract
반도체 웨이퍼의 세정처리장치는, 웨이퍼를 침지하여 이것에 처리를 실시하기 위한 처리액을 수용하는 처리탱크를 구비한다. 처리탱크에는, 저장탱크로부터 처리탱크에 이르는 공급관로가 접속된다. 저장탱크에는, 처리액의 함유성분을 보충하기 위한 처리액이 저장된다. 공급관로의 도중에는, 공급펌프가 설치되어 있다. 공급관로의 도중에는, 공급량 조절밸브가 설치되어 있다. 밸브에는 CPU가 전기적으로 접속되어 있다. CPU는 미리 처리액 내의 함유성분의 시간경과에 따르는 농도변화에 관한 데이터를 메모리하고 있다. 이 데이터에 의거하여 처리탱크내의 처리액 내의 함유성분의 농도변화에 대응한 처리액 내의 함유성분의 농도가 소정값으로 유지되기 때문에, 웨이퍼에 대한 세정처리가 뱃치마다 오차가 방지된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 관한 세정 시스템의 전체 개요를 나타내는 평면도,
제3도는 본 발명의 세정처리장치의 제1실시예의 요부를 나타내는 개략도.
Claims (23)
- 피처리체를 침지하여, 이것에 처리를 실시하기 처리액(L)을 수용하는 처리탱크(21)와, 처리탱크(21)에 상기 처리액(L)을 공급하는 처리액 공급수단과, 상기 처리액 공급수단으로부터 상기 처리탱크(21)에 공급되는 상기 처리액의 공급량을 조정하는 공급량 조정수단, 및 상기 공급량 조정수단을 콘트롤하는 제어수단과, 상기 제어 수단이, 상기 공급량 조정수단을 콘트롤하여 상기 처리탱크(21)내의 처리액(L)의 함유성분의 농도의 변화에 대응한 상기 처리액을 공급하여 상기 처리액(L)중의 농도를 소정값으로 유지하는 구성의 처리장치.
- 제1항에 있어서, 처리액 공급수단이, 처리액(L)이 저장되는 저장탱크(41a)~(41c)와, 상기 저장탱크(41a)~(41c)로부터 처리탱크에 이르는 공급관로(42a)~(42c)와, 상기 공급관로(42a)~(42c)의 도중에 설치된 공급펌프(43a)~(43c)를 포함하는 처리장치.
- 제2항에 있어서, 공급량 조정수단이, 상기 공급관로(42a)~(42c)의 도중에 설치된 공급량 조절 밸브인 처리장치.
- 제2항에 있어서, 처리액 공급수단이, 상기 공급관로(42a)~(42c)의 도중에 설치된 매스플로우 콘트롤러인 처리장치.
- 제2항에 있어서, 공급펌프(43a)~(43c)가 공급조정수단으로서도 기능하며, 또 제어장치가 공급펌프(43a)~(43c)를 콘트롤하여 처리액(L)의 공급량을 조정하는 처리장치.
- 제1항에 있어서, 피처리제가, 반도체 웨이퍼, LCD유리기판 및 전자부품으로 구성하는 군에서 선택된 적어도 하나인 처리장치.
- 제1항에 있어서, 처리액(L)이 세정처리용인 처리장치.
- 제7항에 있어서, 처리액(L)이, 불산 처리액, 염산처리액 및 황산 처리액의 군중에서 선택되는 적어도 하나인 처리장치.
- 제1항에 있어서, 처리장치가, 미리 메모리된 상기 처리액(L) 내의 상기 함유성분의 시간 경과에 따르는 농도변화에 관한 데이터에 의거하여 상기 처리액(L)의 공급량을 결정하는 처리장치.
- 제9항에 있어서, 제어장치가, ON/OFF동작, 비례동작, 적분동작 및 PID동작으로 구성되는 군에서 선택되는 하나의 제어연산방식에 따라서 상기 처리액(L)의 공급량을 결정하는 처리장치.
- 피처리체를 침지하여, 이것에 처리를 실시하기 위한 처리액(L)을 수용하는 처리탱크와, 처리탱크에 상기 처리액(L)을 공급하는 처리액 공급수단과, 상기 처리탱크로부터 상기 처리액의 일부를 배출하는 처리액 배출경로와, 상기 처리액 공급수단으로부터 상기 처리탱크에 공급되는 상기 처리액(L)의 공급량을 조정하는 공급량 조정수단과, 상기 공급량 조정수단을 콘트롤하는 제어수단, 및 상기 처리액 배출 경로의 도중에 설치된 상기 처리액(L)내의 함유성분의 농도를 검출하는 농도검출수단과, 상기 제어수단이, 상기 농도검출수단으로 검출된 검출 신호에 의거하여 상기 공급량 조정수단을 연속적으로 콘트롤하며, 상기 처리탱크 내의 처리액(L)의 함유성분의 농도변화에 대응한 상기 처리액(L)을 공급시켜서 상기 처리액(L)내의 농도를 소정값으로 유지하는 처리장치.
- 제11항에 있어서, 농도 검출수단이, 투과 분광측정기인 처리장치.
- 제11항에 있어서, 제어수단이, 미리 메모리된 상기 처리액(L)내의 상기 함유성분의 농도의 기준치와 농도 검출 수단으로부터의 검출신호에 의거하여 제어연산방식에 따라서 산출된 수치에 따라서, 상기 처리액(L)의 공급량을 결정하는 처리장치.
- 제13항에 있어서, 제어연산방식이, ON/OFF동작, 비례동작, 적분동작 및 PID동작으로 구성되는 군에서 선택되는 하나인 처리장치.
- 제11항에 있어서, 처리액 배출경로의 도중에 설치된 상기 처리액(L)내의 오염을 검출하는 오염검출수단 및 상기 처리액 배출경로를 통하여 배출되는 상기 처리액의 배출량을 조정하는 배출량 조정수단을 더욱 구비하며, 제어수단이, 상기 오염 검출수단에 의하여 검출된 검출신호에 의거하여 상기 배출량 조정수단을 연속적으로 콘트롤하며, 상기 처리액(L)의 배출량을 조정하여 상기 처리액(L)을 청정한 상태로 유지하는 처리장치.
- 제15항에 있어서, 오염검출수단이, 미립자 카운터인 처리장치.
- 제11항에 있어서, 제어수단이, 미리 메모리 된 상기 처리액(L) 내의 오염의 기준치와 오염검출 수단으로부터의 검출신호에 의거하여, 제어연산방식에 따라서 산출된 수치에 따라서, 상기 처리액(L)의 공급량을 결정하는 처리장치.
- 처리탱크에 수용된 처리액(L)에 피처리체(W)를 침지하여, 피처리체(W)에 처리를 실시하는 처리방법에 있어서, 상기 처리탱크에 상기 처리액(L)을 처리액 공급수단에 의하여 처리액(L)을 공급하고, 상기 처리액(L)의 공급량을, 상기 처리액 내의 함유성분의 변화에 따라서 연속적으로 조정하며, 상기 처리액(L)내의 함유성분의 농도를 소정치로 유지하는 피처리체의 처리방법.
- 제18항에 있어서, 처리액(L)의 공급량은, 미리 결정한 상기 처리액(L)내의 상기 함유성분의 시간경과에 따르는 농도변화에 관한 데이터에 의거하여 결정하는 처리방법.
- 제19항에 있어서, ON/OFF동작, 비례동작, 적분동작 및 PID동작으로 구성되는 군에서 선택되는 하나의 제어연산방식에 따라서, 상기 처리액의 공급량을 결정하는 처리방법.
- 제18항에 있어서, 처리액(L)의 공급량을, 상기 처리액(L)의 함유성분의 농도의 측정치에 의거하여 결정하는 처리방법.
- 제21항에 있어서, ON/OFF동작, 비례동작, 적분동작 및 PID동작으로 구성되는 군에서 선택되는 하나의 제어연산방식에 따라서, 상기 처리액의 공급량을 결정하는 처리방법.
- 제18항에 있어서, 피처리제가, 반도체 웨이퍼(W), LCD유리기판 및 전자부품으로 구성되는 군에서 선택되는 적어도 하나인 처리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP93-56424 | 1993-02-22 | ||
JP05056424A JP3074366B2 (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940020502A true KR940020502A (ko) | 1994-09-16 |
KR100258830B1 KR100258830B1 (ko) | 2000-06-15 |
Family
ID=13026722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940003148A KR100258830B1 (ko) | 1993-02-22 | 1994-02-22 | 처리장치 및 처리방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5722441A (ko) |
JP (1) | JP3074366B2 (ko) |
KR (1) | KR100258830B1 (ko) |
TW (1) | TW283796B (ko) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AMND | Amendment | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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