KR0151238B1 - 약액 공급장치 및 그 방법 - Google Patents

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가쓰노리 다나카
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이시다 아키라
다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
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Abstract

약액의 순도는 이 약액 중의 특정화학성분의 균일한 농도를 얻으므로서, 개선되며, 이에 의하여 기판 등의 처리공정 단계의 질을 향상시켜 준다. 순수는 순수공급시스템(7)상의 개/폐 밸브(33)을 열고, 순환시스템 (5)상의 개/폐 밸브(19)를 닫으므로서 순수공급원(30)으로부터 처리탱크(1)로 공급된다. 처리탱크(1)가 순수로 완전히 채워진 후에, 개/폐 밸브(33)를 닫는 반면에 개/폐 밸브(19)는 연다. 이는 순환시스템(5)의 관로(11)를 막고, 처리탱크(1)내의 순수가 펌프(13)에 의하여 순환시스템(5)을 통해 순환되게 한다. 이어서, 가스공급시스템(9)상의 제1개/폐 밸브(49)를 열면, 염화수소가스공급원(40)으로부터 염화수소가스가 순환시스템(5)의 혼합유니트(17)로 유입되게 한다. 이것에 의해 혼합유니트(17)내에서 염화수소가스와 순수가 혼합되어 약액이 합성된다.

Description

약액 공급장치 및 그 방법
제1도는 발명에 따르는 약액공급장치를 갖는 제1실시예의 기판세정장치의 개략구성도.
제2도는 혼합유니트(17)의 개략구성도.
제3도는 혼합유니트(17)의 충진탑(27)의 충진된 충진부재(25)의 예를 설명해주는 사시도.
제4도는 충진부재(25)의 다른예를 나타낸 사시도.
제5도는 전자조절유니트(73)에 의하여 실행된 화학제 농도제어 처리단계를 나타낸 계통도.
제6도는 화학제 농도 목표치로부터의 편차△D와 제1MSF(47)의 개폐량 GMSF와의 관계 그래프.
제7도는 제2실시예에 따르는 혼합 유니트(200)의 개략구성도.
제8도는 제3실시예의 약액농도센서(300) 주변에 있는 요소들을 나타낸 개략구성도.
제9도는 제4실시예의 일부분을 나타낸 개략구성도.
제10도는 제5실시예의 일부분을 나타낸 개략구성도.
제11도는 제6실시예의 일부분을 나타낸 개략구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 처리탱크 1a, 1b : 엎후로우관
3 : 오버후로우탱크 3a : 유출구
5 : 순환시스템 7 : 순수공급시스템
9 : 가스공급시스템 11 : 관로
13 : 펌프 15 : 휠터
17 : 혼합유니트 17a : 액체유입구
17b : 액체유출구 17c : 가스유입구
17d : 가스유출구 19 : 개폐밸브
21 : 기대 23 : 캡
25 : 충진부재 27 : 충진탑
30 : 순수공급원 31 : 관로
40 : 염화수소가스공급원 41 : 제1가스관로
47 : MSF 50 : 질소가스공급원
51 : 제2가스관로 57 : MSF
61 : 관로 65 : 휠터
70 : 콘트롤시스템 71 : 약액농도센서
73 : ECU(전자조절유니트) 200 : 혼합유니트
300 : 약액농도센서 301 : 광원
303 : 모노 크로미터 305 : 반 투명경
307 : 석영셀 309 : 제1수광기
311 : 제2수광기 400 : 보조탱크
401 : 처리탱크 601 : 처리실
본 발명은 약액을 공급하는 장치에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는, 반도체 웨이퍼와 액정 패널의 유리기판과 같은 반도체 장치의 기판처리공정에 사용하기 위한 약액을 공급하기 위한 약액 공급장치에 관한 것이다.
기판세정장치는, 반도체 웨이퍼와 같은 기판상에서 다양한 처리를 실행하기 위하여 사용되는 수많은 기판처리공정장치 중의 하나이다. 기판세정장치는 염산 또는 암모니아수와 같은 약액을 보관하기 위한 처리탱크를 포함한다. 약액으로 세정되도록, 기판을 처리탱크 내에 있는 약액에 담근다. 기판세정장치는 서로 다른 약액을 개별적으로 저장하기 위한 복수의 저장탱크를 포함하며, 필요한 약액을 상응하는 저장탱크로부터 처리탱크로 공급한다.
이러한 종래의 장치에 있어서는, 약액은 저장탱크에 저장되기 이전에 수송되고, 보관되며, 이송된다. 약액은 흔히 미세 입자를 포함하고, 대부분의 경우에 있어선, 금속으로 오염되므로서 불충분한 순도를 갖는다. 약액의 순도는, 반도체 웨이퍼 기판을 약액 내에 직접 담구기 때문에 기판 세정장치에서 특히 중요하다. 약액의 낮은 순도로 인하여, 약액 내에 포함된 미립자 또는 금속오염물이 기판의 세정처리시 기판의 표면에 부착되어서, 기판세정의 질을 떨어뜨린다.
그리고, 종래기술에 있어서는, 일반적으로 약액이 휠터를 통해 통과되어서 약액 내에 포함된 미립자가 제거되었다. 그러나, 이와 같은 처리는 근래에 개발된 고정밀도 소자내의 매우 미세한 입자를 효과적으로 제거할 만큼 충분히 순수한 약액을 얻지 못하고 있다.
기판상에 염화수소와 같은 안개 상태의 순수한 물을 분무하는 세정장치가 약액의 순도를 개선하기 위한 장치로서 제안된 바 있다(일본특허공개공보 제62-213127호 참조). 이 세정장치는 염화수소 등의 가스를 안개상태의 순수한 물과 혼합시켜서 약액을 합성한다. 이러한 시스템은 휠터를 통해 가스가 정제될 수 있기 때문에, 휠터로 약액을 직접 정제한것과 비교할 때, 약액의 순도를 높혀준다. 그러나, 이러한 스스템은 가스와 안개상태의 순수한 물을 서로 혼합시켜서 약액을 합성하기 때문에, 약액 내에 특정한 화학제의 균일한 농도를 얻기는 오히려 더 어렵다. 이와같은 불균일한 농도는 기판의 처리시에, 즉 이 경우는 기판의 세정시에, 불균일 한 처리결과를 낳게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 액제내에 있는 특정한 화학제의 균일한 농도를 얻음과 동시에, 약액의 순도를 개선하고, 이것에 의해 기판의 세정과 에칭을 포함하는 기판처리의 질을 향상시키는데 있다.
본 발명은 반도체 장치의 기판을 처리하기 위해 사용되는 약액을 공급하는 장치에 지향되어 있다. 본 발명의 한가지 실시예로서, 이 장치는 유출구와 유입구를 가지며, 약액으로 기판을 처리하는데 적합한 용기와, 용기의 유입구와 유출구를 연결하고 순환펌프를 가지는 순환장치와, 액체 저장탱크와, 가스 공급원과, 순환장치에 연결된 약액용의 유출구를 가지며 액체 저장탱크와 가스 공급원에 연결되고 약액을 합성하기 위한 가스-액체 혼합기를 포함한다.
바람직한 실시예에서, 상기 장치는 가스 공급원과 혼합기를 연결한 부위에 배치된 휠터를 더 포함한다.
바람직하게는, 상기 장치는 순환장치내에 배치된 약액 농도 검지장치와, 약액 농도검지장치와 혼합기에 연결되고 가스와 액체의 혼합비율을 조절해 주는 장치를 포함한다.
약액 농도검지장치는 약액의 pH를 검지하는 센서이어도 된다.
또, 약액 농도검지장치는 약액을 통하여 광 비임(beam)을 방출하도록 배열된 광원과, 약액을 통해 통과된 광 비임의 강도를 감지하기 위한 장치와 감지된 광비임의 강도를 약액 내에의 특정 화학제의 농도와 상호관련짓게 하는 장치를 포함한다.
본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 혼합기는 액체내에서 가스를 분산시키기 위하여 그안에 배치된 복수의 패킹 부재를 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 혼합기는 가스의 유출구와 유입구를 갖는 중공드럼과, 드럼내에 배치되고 드럼으로 액체를 분무하기 위한 복수의 개구를 갖는 도관을 포함하는 젯트노즐과, 드럼의 하부에 배치된 약액을 위한 유출구를 더 포함한다.
바람직한 실시예에서, 용기는 탱크를 포함하며, 순환장치는 탱크로부터 넘쳐흐르는 약액을 받기 위해 탱크를 둘러싼 오버후로우 탱크와, 오버후로우 탱크와 탱크사이를 연결하는 도관을 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 반도체 장치용의 기판을 처리하기 위해 사용되는 약액을 공급하기 위한 장치는, 유출구와 유입구를 갖으며 약액으로 기판을 처리하는데 적합한 용기와 유입구와 유출구를 가짐과 동시에 약액을 용기로 보내기 위하여 용기에 연결되며 약액을 저장하기 위한 보조탱크와, 보조탱크의 유출구와 유입구를 연결하고 순환펌프를 갖는 순환장치와, 액체저장탱크와, 가스공급원과, 순환장치에 연결된 약액의 유출구를 가지며 액체 저장탱크와 가스 공급원에 연결되고 약액을 합성하기 위한 가스-액체 혼합기를 포함한다.
바람직한 실시예에서, 용기는 탱크와 탱크로부터 넘쳐흐르는 약액을 받기 위하여 탱크를 둘러싼 오버후로우 탱크와, 오버후로우 탱크에 의하여 받은 약액을 방출하기 위한 도관을 포함한다.
또한, 상기 용기는 회전 기판홀더와, 보조탱크로부터 기판으로 공급되는 약액을 분무하기 위한 장치를 포함한다.
또한, 본 발명은 반도체 장치용의 기판을 처리하기 위하여 적합한 장치에서 사용하기 위한 약액을 처리하는 방법에 지향되어 있다. 이 방법은,
(a) 액체를 순환 시스템으로 공급하는 단계와,
(b) 약액을 합성하도록 가스를 액체와 함께 혼합하는 단계와,
(c) 반도체 장치용의 기판을 처리하기 위하여 유니트에 약액을 공급하는 단계를 포함한다.
바람직한 실시예에서, 상기 방법은 (b)단계 이전에 가스내에 포함된 미세입자를 제거하는 단계를 포함한다.
상기 방법은 또한 (d) 약액 내에 있는 특정화학제의 농도를 감지하는 단계와 (e) 약액내의 특정화학제의 농도를 원하는 값으로 조절하기 위하여 (d)단계에서 감지된 농도값을 기준으로 (b)단계에서 가스와 액체의 혼합비를 조절하는 단계를 포함한다.
바람직하게는, (b)단계는 액체내에서 가스를 분산시키는 (b-1)단계를 포함한다.
또, (b)단계는 탱크내에 가스를 저장하는 (b-2)단계와 노즐의 도관내에 형성된 복수의 개구로부터 탱크속으로 액체를 분무하는 (b-3)단계와 탱크의 외부로 (b-3)단계에서 합성된 약액을 이송하는 (b-4)단계를 더 포함한다.
본 발명의 또다른 실시예에서, 반도체 장치용의 기판을 처리하기 위하여 장치내에 사용하기 위한 약액의 처리방법은, (a) 액체를 순환도관으로 공급하는 단계와, (b) 약액을 합성하도록 가스를 액체와 혼합하는 단계와, (c) 보조탱크내에서 약액을 저장하는 단계와, (d) 반도체 장치용의 기판을 처리하기 위하여 유니트로 약액을 공급하는 단계를 포함한다.
이상 설명한 본 발명의 특징과 장점 등을 더욱 명확하게 하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예를 도면에 의거하여 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명에 따르는 약액공급장치를 갖는 제1실시예의 기판세정장치를 개략적으로 나타낸 것이다. 제1도에 도시된 바와 같이, 기판세정장치는, 약액을 저장하기 위해, 석영유리로 만든 처리탱크(1)와, 처리탱크(1)로부터 넘쳐흐르는 약액을 받기 위한 처리탱크(1) 주변의 오버후로우 탱크(3)와, 오버후로우 탱크(3)에서 받은 약액을 처리탱크(1)로 되돌려 보내기 위한 순환시스템(5)과, 순환시스템(5)으로 순수를 공급하기 위한 순수공급시스템(7)과, 염화수소가스(Hcl) 또는 질소가스(N2)를 순환시스템(5)으로 공급하기 위한 가스공급시스템(9)을 포함한다.
처리탱크(1)는 다수의 반도체 기판(미도시)을 저장한다. 기판은 반도체 웨이퍼 또는 액정의 유리기판일 수도 있다.
순환시스템(5)은 오버후로우 탱크(3)의 저벽상에 생성된 약액용의 유출구(3a)로부터 처리탱크(1)의 내부에 배치된 한쌍의 엎 후로우 관(up-flow tube)(1a, 1b)으로 흐르게 하는 관로(11)를 포함한다. 펌프(13), 휠터(15), 혼합유니트(17)와 개/폐 밸브(19)는 유출구(3a)로부터 엎 후로우 관(1a, 1b)의 방향으로 관로(11)를 따라서 순차적으로 배치된다. 엎 후로우 관(1a, 1b)은 파이프의 길이 방향으로 복수의 개구를 갖는 파이프로 형성된다. 엎 후로우 관(1a, 1b)은 관로(11)를 통해서 처리탱크(1)로 순환하는 약액을 분사하기 위하여 설치된다.
액체가 흐르는 중에 가스를 혼합하기 위한 혼합유니트(17)는 아래에 설명되는 바와 같은 구조를 갖는다. 제2도에 도시된 바와 같이, 혼합유니트(17)는 기대(21)와 기대(21)상에 형성된 캡(23)을 포함한다. 다수의 충진 부재(25)로 채워진 원통형 충진탑(27)은 캡(23)내에 설치된다. 기대(21)는 액체유입구(17a), 액체유출구(17b)와 가스유입구(17c)를 구비하고 있다. 또한 가스유출구(17d)는 캡(23)의 상단면에 형성되어 있다. 액체유출구(17a)에 연결되는 제1유로(flow path)(d1)와 가스유입구(17c)에 연결되는 제2유로(d2)는 기대(21)의 중심부 근처의 위치에서 교차하고, 이어 충진탑(27)으로 연결되는 제3유동로(d3)와 포함 연결되어 있다. 제2유로(d2)측의 흐름을 좁히기 위한 오리피스(orifice)(29)는 제1유로(d1)와 제2유로(d2)가 교차되는 지점에 형성되어 있다.
예를들면, 충진탑(27)은 직경 100-150㎜, 높이 350㎜ 정도의 크기를 갖는다. 충진탑(27)내의 충진부재(25)는 세라믹류, 합성수지 또는 스테인레스스틸로 만들어질 수도 있으며, 높이가 25㎜-50㎜ 정도의 것으로서, 큰 표면적의 모양을 갖는다. 충진부재(25)는 제3도에 도시된 바와 같이, 라쉬히(raschig)링으로 불리우는 원통형일 수도 있고, 또는 제4도에 도시된 바와 같이 레싱(lessing)링으로 불리우는 수직격벽을 갖는 원통일 수도 있다.
혼합유니트(17)에서, 액체유입구(17a)로 유입되는 액체는 제1유로(d1)와 제3유로(d3)를 통해 인도되어서, 충진탑(27)으로 유입된다. 가스유입구(17c)로 유입되는 가스는 제2유로(d2)를 통해, 오리피스(29)를 통과하여 제3유로(d3)로 인도되고, 충진탑(27)으로 유입되어서, 액체와 혼합된다. 가스를 포함하는 액체는 충진탑(27) 내에서 확산되므로, 가스와 액체는 서로 충분히 혼합된다. 그후에 가스와 혼합된 액체는 충진탑(27)위로 넘쳐 흘러서 충진탑(27) 밖으로 떨어지며, 액체유출구(17b)를 통해 혼합유니트(17)외 외부로 공급된다. 상기 방법에 따라 액체가 가스로 충분하게 혼합된 약액이 만들어진다.
다시 제1도를 살펴보면, 순환시스템(5)에서 액체유입구(17a)는 휠터(15)측의 관로(11)와 연결되는 반면에, 액체유출구(17b)는 개/폐 밸브(19)측의 관로(11)와 연결된다. 혼합유니트(17)는 혼합유니트(17)로부터 처리탱크(1)로 액체가 용이하게 흐르도록 하기 위하여 처리탱크(1)내의 액체의 표면보다 더 높은 위치에 설치되어 있다. 가스유출구(17d)는 전기모터로 작동되는 밸브(18)(제1도참조)를 가지며, 이 밸브(18)는 통상시에 가스의 급송압력으로 인하여 액체유입구(17a)로부터 가스유출구(17d)를 통해 가스가 누출되는 것을 막도록 폐쇄상태로 되나, 충진탑(27)에서 가스가 소정의 양만큼 도달시에는 충진탑(27)에서 가스를 유출하도록 개방상태로 된다. 충진탑(27)내의 가스의 양은 충진탑(27)내에 장치된 액체 표면센서(미도시)로 액체표면의 높이를 감지하여 측정된다.
순수공급시스템(7)은 순수공급원(30)과 순환시스템(5)의 개/폐밸브(19)의 하류측의 관로(11)에 순수공급원(30)을 연결짓는 관로(31)를 포함한다. 관로(31)의 통로상에 개/폐밸브(33)가 설치되어 있다. 개/폐밸브(33)는 순수한 물이 순환시스템(5)으로의 공급을 실행하거나 또는 멈추게 한다.
가스공급시스템(9)은 염화수소가스 공급원(40)에 연결된 제1가스관로(41)와 질소공급원(50)에 연결된 제2가스관로(51)을 포함한다. 제1가스관로(41)와 제2가스관로(51)는 서로 만나서, 혼합유니트(17)의 가스유입구(17c)에 연결된다. 유압을 소정 압력으로 조절하기 위한 제1조절기(43), 압력을 측정하기 위한 제1압력 게이지(45), 외부 지시에 따라 유속을 조절하기 위한 제1매스후로우 조절기(Massflower controller)(이하 MSF로 부름)(47)와 제1개/폐 밸브(49)가 가스유동방향으로 순차적으로 제1가스관로(41)의 통로상에 배치된다. 제2가스관로(51)에 제2조절기(53), 제2압력게이지(55), 제2MSF(57)와 제2개/폐밸브(59)가 제2가스관로(41)와 동일한 방식으로 배치된다. 제1가스관로(41)와 제2가스관로(51)가 서로 만나는 관로(61)는 첵크밸브(63)와 휠터(65)가 설치되며, 이들은 가스 유동방향으로 관로(61)의 통로상에 배치된다.
가스 공급시스템(9)에서, Hcl가스는 제1가스관로(41)의 제1개/폐 밸브(49)가 열리고, 제2가스관로(51)의 제2개/폐 밸브(59)가 닫힐 때, 혼합유니트(17)의 가스유입구(17c)로 공급된다. 이어서 Hcl가스는 혼합유니트(17)내에 있는 순환시스템(5)을 통해 유입된 순수와 혼합되는 반면에 여분의 Hcl가스는 가스유출구(17d)를 통해 방출된다. 제2가스관로(51)상의 제2 개/폐 밸브(59)는 질소가스를 Hcl가스와 함께 혼합되도록 하기 위한 것으로 필요에 따라서 열린다. 이 결과 혼합조건을 조절하도록 N2가스와 함께 Hcl가스가 희석된다. 또한, 가스공급시스템(9) 내의 잔류 염화수소가스는 파이프, 밸브와 접합부를 포함하는 가스공급시스템(9)의 부품들을 부식시키게 한다. 따라서, 관로(61)를 포함하는 가스공급시스템(9)에서 유체는 가스공급시스템(9)이 사용되지 않을 때에는 질소가스 또는 불활성가스로 대치된다.
또한 실시예의 기판세정장치는 전술한 관로 구성외에 또 제1MSF(47)등 각종 액튜에이터를 조절하기 위한 콘트롤 시스템(70)을 더 포함한다.
상기 콘트롤 시스템(70)은 관로(11)의 개/폐 밸브(19)보다 하류측에 배치된 약액 농도센서(71)와 약액농도센서(71)로부터의 검출신호를 수신하고, 제어신호를 제1MSF(47)로 출력하기 위한 전자제어유니트(이하, ECU로 칭함)(73)를 포함한다.
예를들면, 약액농도센서(71)는, 관로(11)를 통하여 순환하는 액체의 pH를 검출하기 위하여 관로(11)내 설치된 pH측정용 유리전극을 갖는다. ECU(73)는 마이크로컴퓨터를 포함하는 논리연산회로로 구성될 수 있다. ECU(73)는 약액 내에서 Hcl의 농도를 조절하기 위하여 약액농도 센서(71)로 부터의 검출신호에 따라서 실행하고 제1MSF(47)를 구동제어한다.
ECU(73)에 의하여 실행되는 약액농도제어처리 루틴을 제5도의 후로우챠트에 따라 설명한다. 그리고 약액농도제어처리 루틴은 소정시간 간격으로 반복된다.
ECU(73)은 프로그램이 처리루틴에 입력시, 스텝 S100에서 약액농도센서(71)로부터 검출신호(S)를 수신하고, 스텝 S110에서 검출신호(S)를 기초로 해서 약액 내의 Hcl의 실제적 농도 D를 산출결정한다. 그후에 프로그램은 스텝 S120으로 진행되며, 여기에서 ECU(73)는 약액내의 Hcl목표농도 Dtarg와 스텝 S110에서 결정된 실질적 농도 D와의 편차 △D를 산출한다. 목표농도 Dtarg는 약액(이 실시예에서는 염산)의 종류에 따라 미리 결정된 것이다. 그후에 프로그램은 스텝 S130으로 진행되며, 여기에서 ECU(73)은 편차 △D에 따라서 제1MSF(47)의 개/폐량 GMSF를 산출한다. 편차 △D는 제6도의 그래프에 의하여 도시된 바와 같이, 개/폐량 GMSF에 비례한다. 더욱 상세하게는, S130에서, ECU(73)는 ECU(73)의 내부의 ROM에 미리 기억된 비례관계를 나타내는 맵(map)을 검색함으로써 그후에 편차 △D에 따른 개/폐량 GMSF를 산출한다.
S130에서 개/폐량 GMSF를 산출한 후에, 프로그램은 S140으로 진행되며, 여기에서 ECU(73)은 개/폐량 GMSF에 상응하는제어신호를 제1MSF(47)로 출력한다. 그후에 프로그램을 '리턴'으로 되게 하고 처리를 일단 종료한다.
상술한 바의 약액 농도제어루틴은 약액 농도센서로 부터의 감지신호(S)에 따라서 결정된 약액의 실질적 농도D가 소정의 목표농도 dtarg에 일치하게 만들어 준다. 실시예의 약액 농도제어루틴에서 약액의 농도는 p제어(proportional action)에 의해 조절되지만, 이는 PID 제어(proportional plus integral plus derivative action)로서 조절될 수도 있다.
다시 제1도를 참조하면, 기판세정장치는 다음과 같이 작동한다. 초기상태하에서는 모든 개/폐 밸브(19, 33, 49, 59)가 닫힌 상태에 있게 된다. 순수공급시스템(7)의 개/폐밸브(33)는 순수공급원(30)를 통하여 순수를 처리탱크로 공급하기 위하여 처음에는 열리어 있다. 이때 처리탱크(1)는 점진적으로 순수로서 채워진다. 처리탱크(1)가 순수로 완전히 채워진 후에, 순환시스템(5)의 관로(11) 전체에 점진적으로 순수로서 채워진다. 그후에, 개/폐밸브(33)가 닫혀진 상태로, 순환시스템(5)의 개폐밸브(19)가 열리는 상태로 각각 전환되면, 이 결과 순환시스템(5)의 관로(11)가 열리게 되어 처리탱크(1)의 순수는 펌프(13)의 작동에 의하여 순환시스템(5)을 통하여 순환한다.
이어서, 가스공급시스템(9)의 제1개/폐밸브(49)를 열면, 염화수소가스가 염화수소가스공급원(40)으로부터 순환시스템(5)의 혼합유니트(17)로 공급된다. 이 결과 염화수소가스는 약액을 만들기 위하여 혼합유니트(17)내의 순환시스템(5)을 통하여 공급된 순수와 함께 혼합된다. 이 약액이 순환시스템(5)으로 순환하면서 가스공급시스템(9)로부터 염화수소가스를 공급받아 약액 중의 염화수소농도를 점차 증가시켜준다. 이미 위에서 설명한 바와 같이, 농도는 콘트롤시스템(70)에 의하여 소정의 목표농도로 유지된다.
이 실시예에서, 약액, 즉, 처리탱크(1)에 저장된 염산은 사용하기 바로 직전에 합성하여 사용된다. 이렇게 하므로서, 화학약품에 의한 오염 또는 약액의 열화가능성이 극히 적다. 또한, 염화수소 가스상태에서 관로(61)에 배치된 휠터(65)로 미립자의 포획을 행하고 있기 때문에, 약액을 직접 휠터하는 종전의 시스템과 비교했을 때, 합성후의 염산에 포함된 미립자 수를 크게 감소시킬 수 있다. 이것은 미립자 포획능률이 일반적으로 액체에 대해서 보다 기체에 대해서 뛰어나기 때문이다. 이 결과 약액의 순도는 순수 공급 시스템(7)로부터 공급되는 순수의 수준으로까지 높혀질 수 있다. 따라서, 처리탱크(1)에 저장된 염산은 극히 순수하고, 이와 같은 염산을 사용하는 기판 세정은 그의 품질을 높일 수가 있다.
콘트롤시스템은 순환시스템을 통해 순환하는 순수와 함께 혼합되는 염화수소가스의 비율을 조절하여 약액 중의 염화수소농도를 제어한다. 이 처리공정은 염산의 농도를 일정한 수준으로 유지해 주므로서, 기판의 균일하고 양질의 세정을 하게 한다. 순환된 순수에 가스의 첨가공정은 급격한 발열반응을 야기하지는 않지만, 일반적으로 가열을 필요로 하는 처리액의 점진적인 온도 상승에 이열을 이용할 수가 있어서, 에너지가 절약되는 효과가 있다.
본 발명에 의한 제2실시예는 아래에 설명된다.
제2실시예의 약액 공급장치를 구비한 기판세정장치는 혼합유니트에 대한 것을 제외하고는 제1실시예의 내용과 동일한 구조를 갖는다. 제7도는 제2실시예의 혼합유니트(200)의 구조를 개략적으로 나타낸 것이다.
제7도에 도시된 바와 같이, 혼합유니트(200)는 원통형 케이싱(201) 내에 배치된 복수의 구멍을 갖는 젯트노즐(203)을 포함한다. 젯트노즐(203)으로부터 분무 액체는 케이싱(201)의 저부에 받아서, 액체유출구(205)를 통해 방출된다. 케이싱(201)은 하방의 측면에 가스유입구(207)와 상방에 가스유출구(209)가 설치된다.
혼합유니트(200)에서, 가스유입구(207)를 통해 유입되는 가스(본 실시예에서는 염화수소가스)는 상방으로 이동되어서 가스유출구(209)를 통해 방출되고, 한편, 액체(본 실시예에서는 순수)는 젯트노즐(203)로부터 가스를 향하여 분무된다. 이 처리공정은 가스가 액체와 충분히 혼합되어서 약액을 합성한다.
제1실시예에서와 같이, 제2실시예의 구조는 약액의 순도를 높혀주고 약액 중의 염화수소 농도를 실질적으로 일정한 수준으로 유지시켜 주므로, 양질의 기판세정을 하여 준다.
본 발명에 의한 제3실시예는 다음과 같다.
제3실시예의 약액을 제조공급하는 장치를 갖는 기판세정장치는 약액 농도센서에 대한 것을 제외하고는 제1실시예의 내용과 동일한 구조를 갖는다. 제3실시예에서는, 제1실시예의 내용과 동일한 엘레멘트들을 동일한 숫자로 표시되어 있다. 제1실시예의 약액 농도센서(71)는 이미 설명한 바와 같이 pH측정방식으로 호칭되는 구조를 갖는 반면에, 제3실시예의 약액농도센서(300)는 광흡수 방식으로 호칭되는 구성을 갖는다. 제8도는 제3실시예의 약액 농도센서(300)를 둘러싸고 있는 엘레멘트를 개략적으로 나타낸 것이다.
제8도에 도시된 바와 같이, 약액농도센서(300)는 광원(301)과 광원(301)로부터 방출된 광 비임을 특정의 좁은 파장대역을 갖는 단색 광 비임으로 분리하기 위한 모노크로미터(303)를 가짐과 동시에, 반투명경(305), 석영셀(307)과 제1수광기(309)을 구비하고 또한 반투명경(305)으로부터 반사방향으로 배치된 제2수광기(311)를 포함한다. 반투명경(305), 석영셀(307)과 제1수광기(309)는 모노크로미터(303)의 조사방향에 기재된 순서로 정렬배치된다. 석영셀(307)은 관로(11)의 중간부에 위치한다. 제1수광기(309)와 제2수광기(311)는 입사된 광비임의 광도에 따라서 각기 검출신호를 출력한다.
이와 같은 약액농도센서(300)에 의하면, 모노크로미터(303)는 광원(301)로부터 방출되는 광비임을 단색광비임으로 분리한다. 단색광비임의 일부는 반투명경(305)으로부터 반사되어 제2수광기(311)로 보내진다. 한편, 반투명경(305)을 통해 투과된, 단색광 비임의 투과분은 석영셀(307)을 통해서 제1수광기(309)로 보내진다.
제1수광기(309)와 제2수광기(311)로부터 출력된 검출신호는 ECU(73)에 입력되고, ECU(73)은 제1수광기(309)의 검출신호를 참조 광도로하여 설정된 제2수광기(311)의 검출신호와 비교하여, 석영셀(307)에서의 흡수광도를 결정한다. 흡수광도는 순환시스템(5)의 관로(11)를 통해 유동하는 약액 내의 염화수소의 농도에 상관된다. 이것에 의하여 ECU(73)은 흡수광도에 따라서 순환시스템(5)을 통해 순환하는 약액의 농도를 결정한다. 이러한 구조를 갖는 제3실시예는 제1실시예와 동일한 효과를 제공한다.
본 발명에 의한 제4실시예는 다음과 같다.
제1실시예의 약액공급장치를 갖는 기판세정장치는 순환시스템(5)중에서 처리탱크(1)를 갖는 반면에, 제9도에 도시된 제4실시예는 필요에 따라서 약액이 처리탱크(1)로 유입할 수 있도록 순환시스템(5)중에 보조탱크(400)를 구비하고 있다. 보조탱크(400)는 제1실시예에서와 같이 처리탱크(1)와 오버후로우 탱크(3)가 배치되어 있는 소정의 위치에 배치된다. 처리탱크(401)의 유입구(401a)와 유출구(401b)를 각기 연결하는 분기관(403, 405)은 펌프(13) 전후에 정열배치한다. 보조탱크(400)에 저장된 약액은 두쌍의 개/폐 밸브(407a, 407b, 409a, 409b)를 개폐시키므로서 처리탱크(401)로 공급된다.
제4실시예의 구조는 제1실시예에서와 같은 원하는 바의 고순도를 갖는 약액 보조탱크(400)를 통해서 처리탱크(401)로 공급할 수가 있으며, 이 결과 제1실시예에서와 같은 높은 품질의 기판세정을 할 수가 있다.
본 발명에 의한 제5실시예는 다음과 같다.
제10도에 도시된 바와 같이, 제5실시예에서는, 제9도에 도시된 제4실시예에서 사용되는 보조탱크(400)가 처리탱크(1)에 연결되는 반면에, 오버후로우탱크는 배수시스템(미도시)에 연결된다.
이 실시예에서, 보조탱크(400)에 저장된 약액은 펌프(505)를 제어하므로서 기판세정을 위하여 처리탱크로 공급된다. 처리탱크(1)로부터 오버후로우탱크(3)로 넘쳐흐르는 약액은 관로(506)로 유입되어 배수시스템으로 흘러간다.
제5실시예는 복수의 보조탱크(400), 순환시스템(5), 가스공급시스템(9)과 제1도에 도시된 다른 필요한 엘레먼트를 포함할 수 있다. 이러한 경우에는, 다른 가스들이 복수의 가스공급시스템(9)을 통해 공급되며 다른 약액이 복수의 보조탱크(400)내에 저장된다.
이 약액들은 처리탱크(1)로 순차적으로 공급되여서, 처리탱크(1)에 보지되는 기판에 대해 복수의 처리공정을 실시하게 된다.
본 발명에 의한 제6실시예는 다음과 같다.
상기 실시예에서, 발명의 약액공급장치는 오버-후로우타입의 처리탱크를 갖는 기판처리공정장치에 사용된다. 그러나, 제11도에 도시된 바와 같은 제6실시예에서, 발명의 약액공급장치는 기판처리공정 장치(600)에 사용되며, 여기에서 약액은 처리실(601) 내에서 회전하는 스핀척(602)에 흡인력에 의해 유지되는 기판(603)으로 노즐(604)로부터 분무된다.
이 실시예에서, 제2실시예의 보조탱크(400)와 처리실(601)은 관로(606)를 통해 펌프(605)와 서로 접속된다. 펌프(605)는 기판(603)을 공정처리하기 위하여 기판(603)의 표면상으로 노즐(604)로부터 약액을 분무하도록 조절해 준다.
본 발명은 약액농도센서(71)와 ECU(73)에 의하여 약액농도제어의 실행을 생략하고, 제1가스관로(41)로부터 공급되는 가스량에 따라서만 약액 중의 염화수소 농도를 결정하는 다른 구조를 가질 수 있다. 염화수소 이외의 가스, 예를들면 암모니아, 불화수소 또는 오존은 염산이외의 다른 약액, 예를들면, 암모니아수, 불화수소산, 수용성오존 등을 합성하기 위하여 제1가스도관(41)을 통해 공급될 수 있다.
본 발명의 근본적 특징의 정신과 범위를 벗어나지 않고도 수많은 다른 수정, 변경이나 변형을 할 수 있다. 따라서, 상기 실시예는 단지 예시하기 위한 것일 뿐이지 제한적인 의미는 없음을 분명히 알아야 한다.
본 발명의 범위와 기술사상은 뒤에 첨부된 특허청구범위에 의해서만 제한되다.

Claims (17)

  1. 반도체 장치용의 기판을 처리하기 위해 사용되는 약액을 공급하기 위한 약액공급장치에 있어서, 상기 약액으로 상기 기판을 처리하기 위한, 유입구와 유출구를 가지는 용기와, 상기 용기의 상기 유입구와 유출구를 접속하며, 또 순환펌프를 갖는 순환시스템과, 상기 순환시스템에 연결된 액체공급수단과, 가스 공급원과, 상기 가스공급원에서 공급된 가스를 용해하여 상기 약액으로 만들기 위한, 상기 순환시스템에 배치된 가스-액체 혼합기를 구비하는 약액공급장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가스공급원과 함께 상기 혼합기의 접속부에 배치된 휠터를 더 구비하는 약액공급장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 순환시스템 내에 배치된 화학 농도 검출수단과; 상기 약액 농도검출장치와 상기 혼합기에 접속된 상기 가스와 액체의 혼합비를 조절하기 위한 수단을 더 구비하는 약액공급장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 약액 농도검출수단은 상기 약액의 pH를 검출하기 위한 센서를 구비하는 약액공급장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 약액 농도검출수단은, 상기 약액을 통해 광비임을 방출하도록 정열배치된 광원과; 상기 약액을 통과하는 상기 광비임의 강도를 검출하기 위한 수단과; 검출된 광비임의 강도를 상기 약액 중의 특정한 화학제의 농도와 상호관련시키기 위한 수단을 구비하는 약액공급장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 혼합기는 상기 액체내에 상기 가스를 분산시키기 위해 배치된 복수의 충진재를 더 구비하는 약액공급장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기혼합기는, 상기 가스의 유입구와 유출구를 갖는 중공드럼과; 상기 드럼내에 배치되고, 상기 드럼내에 상기 액체를 분무하기 위한 복수의 개구를 갖는 도관을 포함하는 노즐을 더 구비하고; 상기 약액의 상기 유출구는 상기 드럼의 저부에 배치되도록 한 약액공급장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 순환시스템은, 상기 용기로부터 넘쳐흐르는 상기 약액을 받기위해 상기 용기를 에워싼 오버후로우탱크와; 상기 용기에 상기 오버후로우탱크를 접속하는 도관을 더 구비하는 약액공급장치.
  9. 반도체장치를 위한 기판을 처리하기 위해 사용되는 약액을 공급하기 위한 장치에 있어서, 상기 약액으로 상기 기판을 처리하기 위한, 유입구와 유출구를 가지는 용기와; 상기 약액을 저장하고, 유입구와 유출구를 가지며, 상기 용기에 상기 약액을 공급하도록 상기 용기에 접속된 보조탱크와; 상기 보조탱크의 상기 유입구와 유출구를 접속하고, 순환펌프를 갖는 순환시스템과; 상기 시스템에 연결된 액체 공급수단과; 가스공급원과 상기 가스공급원에서 공급된 가스를 용해하여 상기 약액으로 만들기 위한, 상기 순환시스템에 배치된 가스-액체 혼합기를 구비하는 약액공급장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 순환시스템은, 상기 탱크로부터 넘쳐흐르는 상기 약액을 받기 위하여 상기 탱크 주위를 에워싸고 있는 오버후로우탱크와, 상기 오버후로우탱크에 의하여 받은 상기 약액을 방출하기 위한 도관을 구비하는 약액공급장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 용기는, 회전할 수 있는 기판홀더와, 상기 보조탱크에 연결된 약액 분무수단을 구비하는 약액공급장치.
  12. 반도체 장치용의 기판처리에 적합한 유니트에서 사용하기 위해 약액을 공급하는 방법에 있어서, (a) 액체를 순환시스템으로 공급하는 스텝과; (b) 상기 약액을 합성하기 위하여 가스를 상기 액체와 혼합하는 스텝과; (c) 반도체 장치의 기판을 처리하기 위하여 상기 유니트의 유입구와 유출구를 연결하는 상기 유니트용 순환시스템에 상기 약액을 공급하는 스텝을 구비하는 약액의 공급방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 (b) 스텝 이전에 상기 가스에 포함된 미립자를 제거하는 스텝을 더 포함하는 약액의 공급방법.
  14. 제13항에 있어서, (d) 상기 약액 중의 특정한 화학제 농도를 검출하는 스텝과, (e) 상기 약액 중의 상기 특정 화학제의 농도를 원하는 값으로 제어하기 위하여 (d)스텝에서 검출된 농도를 바탕으로 하여, 상기 스텝(b)에서의 상기 액체와 상기 가스의 혼합비율을 조절하는 스텝을 더 구비하는 약액의 공급방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 (b)스텝은, (b-1) 상기 액체 중에 상기 가스를 분산시키는 스텝을 더 구비하는 약액의 공급방법.
  16. 제12항에 있어서, 상기 (b)스텝은, (b-2) 탱크중에 상기 가스를 저장하는 스텝과; (b-3) 노즐에 형성된 복수의 구멍으로 부터 상기 액체를 상기 탱크로 분무하는 스텝과; (b-4) 상기 (b-3)스텝에서 합성된 상기 약액을 탱크의 외부로 운반하는 스텝을 더 구비하는 약액의 공급방법.
  17. 반도체 장치용의 기판을 처리하는 유니트에 사용하기 위한 약액의 공급방법에 있어서, (a) 액체를 순환관로로 공급하는 스텝과; (b) 상기 약액을 합성하기 위하여 상기 액체를 가스와 혼합하는 스텝과; (c) 보조탱크 내에 상기 약액을 저장하는 스텝과; (d) 반도체 장치의 기판을 처리하기 위하여, 상기 유니트의 유입구와 유출구를 연결하는 상기 유니트용 순환시스템에 상기 약액을 공급하는 스텝을 구비하는 약액의 공급방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010025249A (ko) * 2000-11-18 2001-04-06 김동관 약품 정량 배합 및 수거 시스템
KR100737751B1 (ko) * 2005-11-22 2007-07-10 세메스 주식회사 기판 세정 설비의 기능수 공급 장치 및 방법
US7617836B2 (en) 2005-03-18 2009-11-17 Semes Co., Ltd. System and method for supplying functional water

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5795492A (en) * 1997-04-30 1998-08-18 Vlsi Technology, Inc. Etching metals using chlorine gas and hydrochloric gas in de-ionized water
DE19840989A1 (de) * 1997-09-09 1999-03-18 Tokyo Electron Ltd Reinigungsverfahren und Reinigungsgerät
US5971368A (en) * 1997-10-29 1999-10-26 Fsi International, Inc. System to increase the quantity of dissolved gas in a liquid and to maintain the increased quantity of dissolved gas in the liquid until utilized
US6273107B1 (en) * 1997-12-05 2001-08-14 Texas Instruments Incorporated Positive flow, positive displacement rinse tank
US6265323B1 (en) * 1998-02-23 2001-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate processing method and apparatus
US6021791A (en) * 1998-06-29 2000-02-08 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for immersion cleaning of semiconductor devices
US6146468A (en) * 1998-06-29 2000-11-14 Speedfam-Ipec Corporation Semiconductor wafer treatment
DE19837041A1 (de) * 1998-08-14 2000-02-24 Messer Griesheim Gmbh Erzeugung von gebrauchsfertigen Lösungen
US6235641B1 (en) * 1998-10-30 2001-05-22 Fsi International Inc. Method and system to control the concentration of dissolved gas in a liquid
US6255123B1 (en) * 1998-11-17 2001-07-03 Kenneth P. Reis Methods of monitoring and maintaining concentrations of selected species in solutions during semiconductor processing
US6406551B1 (en) 1999-05-14 2002-06-18 Fsi International, Inc. Method for treating a substrate with heat sensitive agents
DE19927527B4 (de) * 1999-06-16 2007-02-08 Siltronic Ag Verfahren zur naßchemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe
US6494219B1 (en) * 2000-03-22 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Apparatus with etchant mixing assembly for removal of unwanted electroplating deposits
US6333275B1 (en) * 1999-10-01 2001-12-25 Novellus Systems, Inc. Etchant mixing system for edge bevel removal of copper from silicon wafers
US7780867B1 (en) 1999-10-01 2010-08-24 Novellus Systems, Inc. Edge bevel removal of copper from silicon wafers
JP3741253B2 (ja) 1999-12-24 2006-02-01 富士通株式会社 薬品製造装置
US6598431B2 (en) * 2000-09-19 2003-07-29 Agrimond, Llc Ozone cleaning operation
US6766818B2 (en) * 2001-04-06 2004-07-27 Akrion, Llc Chemical concentration control device
KR100454120B1 (ko) * 2001-11-12 2004-10-26 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마 장비의 슬러리 공급 장치 및 방법
US20030093917A1 (en) * 2001-11-21 2003-05-22 Dibello Gerald N. Apparatus and methods for processing electronic component precursors
JP2003205463A (ja) * 2002-01-11 2003-07-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd Ｃｍｐ研磨装置における研磨剤の調合装置及び調合方法
WO2006010109A2 (en) * 2004-07-08 2006-01-26 Akrion Technologies, Inc. Method and apparatus for creating ozonated process solutions having high ozone concentration
WO2006017108A2 (en) * 2004-07-09 2006-02-16 Akrion, Llc System and method for pre-gate cleaning of substrates
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7255747B2 (en) 2004-12-22 2007-08-14 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with independent stations
US7614410B2 (en) * 2005-03-01 2009-11-10 Hydrite Chemical Co. Chemical concentration controller and recorder
US8100081B1 (en) 2006-06-30 2012-01-24 Novellus Systems, Inc. Edge removal of films using externally generated plasma species
US9732416B1 (en) 2007-04-18 2017-08-15 Novellus Systems, Inc. Wafer chuck with aerodynamic design for turbulence reduction
US8419964B2 (en) * 2008-08-27 2013-04-16 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for edge bevel removal of copper from silicon wafers
US8172646B2 (en) * 2009-02-27 2012-05-08 Novellus Systems, Inc. Magnetically actuated chuck for edge bevel removal
US20110197920A1 (en) * 2010-02-16 2011-08-18 Andy Kenowski Monitoring and Recording Device for Clean-In-Place System
JP4832576B2 (ja) * 2010-04-12 2011-12-07 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置
US10132736B2 (en) * 2012-05-24 2018-11-20 Abbvie Inc. Methods for inspection of protein particles in a liquid beneficial agent
BR112018012074A2 (pt) * 2016-03-29 2018-11-27 Agco Corp pulverizador agrícola e método associado
KR102447374B1 (ko) * 2016-11-11 2022-09-23 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드 암모니아 가스가 용해되어 있는 탈이온수를 포함하는 전도성 액체를 생성하기 위한 시스템들 및 방법

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3306792A (en) * 1963-08-05 1967-02-28 Siemens Ag Continuously regenerating coppercontaining etching solutions
US3526560A (en) * 1967-02-13 1970-09-01 Chemcut Corp Etchant regeneration apparatus
US3999564A (en) * 1976-01-09 1976-12-28 Pesek Engineering & Mfg. Co. Continuous etching and etched material recovery system
US4190481A (en) * 1977-12-30 1980-02-26 Chemcut Corporation Apparatus for ion control of solutions
DE3035864A1 (de) * 1980-09-23 1982-05-06 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zur regenerierung salzsaurer kupferchlorid-aetzloesungen
DE3340343A1 (de) * 1983-04-13 1984-10-18 Kernforschungsanlage Jülich GmbH, 5170 Jülich Verfahren und anlage zum regenerieren einer ammoniakalischen aetzloesung
JPS6377569A (ja) * 1986-09-19 1988-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の回転式表面処理装置
DE3728693A1 (de) * 1987-08-27 1989-03-09 Wacker Chemitronic Verfahren und vorrichtung zum aetzen von halbleiteroberflaechen
JPH02205025A (ja) * 1989-02-02 1990-08-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハーの洗浄装置
JPH04162723A (ja) * 1990-10-26 1992-06-08 Nec Kyushu Ltd ウェットエッチング装置
US5082518A (en) * 1990-10-29 1992-01-21 Submicron Systems, Inc. Sparger plate for ozone gas diffusion
JPH071796Y2 (ja) * 1990-12-28 1995-01-18 大日本スクリーン製造株式会社 浸漬型基板処理装置
US5261966A (en) * 1991-01-28 1993-11-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of cleaning semiconductor wafers using mixer containing a bundle of gas permeable hollow yarns
JP2603020B2 (ja) * 1991-01-28 1997-04-23 株式会社東芝 半導体ウエハの洗浄方法及び洗浄装置
US5227010A (en) * 1991-04-03 1993-07-13 International Business Machines Corporation Regeneration of ferric chloride etchants
US5282923A (en) * 1992-08-13 1994-02-01 Vlsi Technology, Inc. Liquid agitation and purification system
JP3072876B2 (ja) * 1993-09-17 2000-08-07 日曹エンジニアリング株式会社 エッチング液の精製方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010025249A (ko) * 2000-11-18 2001-04-06 김동관 약품 정량 배합 및 수거 시스템
US7617836B2 (en) 2005-03-18 2009-11-17 Semes Co., Ltd. System and method for supplying functional water
KR100737751B1 (ko) * 2005-11-22 2007-07-10 세메스 주식회사 기판 세정 설비의 기능수 공급 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP3142195B2 (ja) 2001-03-07
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US5674410A (en) 1997-10-07

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