KR950004433A - 약액 공급장치 및 그 방법 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 3
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 claims 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 abstract 3
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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Abstract
약액의 순도는 이 약액 중의 특정화학성분의 균일한 농도를 얻으므로서, 개선되며, 이에 의하여 기판 등의 처리공정 단계의 질을 향상시켜준다. 순수는 순수공급시스템(7)상의 개/폐 밸브(33)을 열고, 순환시스템(5)상의 개/폐 밸브(19)를 닫으므로서 순수공급구(30)로부터 처리조(1)로 공급된다. 처리조(1)가 순수로 완전히 채워진 후에 개/폐 밸브(33)를 닫는 반면에 개/폐 밸브(19)는 연다. 이는 순환시스템(5)의 관로(11)를 막고, 철조(1)내의 순수가 펌프(13)에 의하여 순환시스템(5)의 관로(11)를 막고, 처리조(1)내의 순수한 펌프(13)에 의하여 순환시스템(5)를 통해 순환되게 한다. 이어서, 가스공급시스템(9)상의 제11개/폐 밸브(49)를 열면, 염화수소가스공급원(40)으로부터 염화수소가스가 순환시스템(5)의 혼합유니트(17)로 유입되게 한다. 이는 약액을 제조하기 위하여 혼합유니트(17) 내에서 염화수소가스와 순수와의 혼합을 초래케한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 발명에 따르는 약액 공급장치를 갖는 제1실시예의 기판세정장치의 개략구성도, 제2도는 혼합 유니트 17의 개략구성도, 제3도는 혼합유니트 17의 충진탑 27의 충진된 충진물 25의 예를 설명해주는 사시도, 제4도는 충진물 25의 다른예를 보여주는 사시도, 제5도는 전자조절유니트 73에 의하여 실행된 화학농도제어 처리단계를 보여주는 계통도, 제6도는 화학제 농도 목표치로부터의 편차 △D와 MSF47의 개폐량 GMSF와의 관계 그래프이다.
Claims (17)
- 반도체 장치용의 기판을 처리하기 위해 사용되는 약액을 공급하기 위한 약액 공급장치에 있어서, 상기 약액으로 상기 기판을 처리하기 위해 적합한 유입구와 유출구를 가지는 용기와, 상기 용기의 상기 유입구와 유출구를 접속하며, 또 순환펌프를 갖는 순환수단과, 액체 저정조와; 가스 공급원과; 상기 액체 저장조와 가스공급원에 접속되고 상기 약액을 합성하며, 상기 순환수단에 접속된 상기 약액용의 유출구를 갖는 가스-액체 혼합기를 구비하는 약액 공급장치.
- 제1항에 있어서, 상기 가스공급원과 함께 상기 혼합기의 접속부에 배치된 휠터를 더 구비하는 약액 공급장치.
- 제2항에 있어서, 상기 순환수단 내에 배치된 화학 농도 검출수단과; 상기 화학 농도검출장치와 상기 혼합기에 접속된 상기 가스대 액체의 혼합비를 조절하기 위한 수단을 더 구비하는 약액 공급장치.
- 제3항에 있어서, 상기 화학 농도검출수단은 상기 약액의 pH를 검출하기 위한 센서를 구비하는 약액 공급장치.
- 제3항에 있어서, 상기 화학 농도검출수단은 상기 약액을 통해 광비임을 방출하도록 정열배치된 광원과; 상기 약액을 통과시키는 상기 광비임의 강도를 검출하기 위한 수단과; 상기 약액 중에 특정한 화학의 농도로 검출된 광비임의 강도를 상호관련시키기 위한 수단을 구비하는 약액 공급장치.
- 제1항에 있어서, 상기 혼합기는 상기 액체내에 상기 가스를 분산시키기 위해 배치된 복수의 충진재를 더 구비하는 약액 공급장치.
- 제1항에 있어서, 상기 혼합기는 상기 가스를 위한 유입구와 유출구를 갖는 중공드럼과; 상기 드럼내에 배치되고 상기 드럼내에 상기 액체를 분무하기 위하여 복수의 개구를 갖는 도관을 포함하는 젯트노즐을 더 구비하고; 상기 약액을 위한 상기 유출구는 상기 드럼의 저부에 배치되도록 한 약액 공급장치.
- 제1항에 있어서, 상기 용기는 탱크를 포함하고, 상기 순환장치는 상기 탱크로부터 오버후로우되는 상기 약액을 받기위해 상기 탱크를 에워싼 오버후로우 탱크와; 상기 탱크에 오버후로우 탱크를 접속하는 도관을 더 구비하는 약액 공급장치.
- 반도체 장치를 위한 기판을 처리하기 위해 사용되는 약액을 공급하기 위한 장치에 있어서, 상기 약액으로 상기 기판을 처리하기 위해 적합한 유입구와 유출구를 가지는 용기와, 상기 약액을 저장하고, 유입구와 유출구를 가지며, 상기 용기에 상기 약액을 공급하도록 상기 용기에 접속된 보조탱크와; 상기 보조탱크의 상기 유입구와 유출구를 접속하고, 순환펌프를 갖는 순환수단과; 액체 저장조와; 가스 공급원과; 상기 액체 저장조와 가스공급원이 접속하는 상기 약액을 합성하고, 상기 순환수단에 접속된 상기 약액을 위한 유출구를 갖는 가스-액체 혼합기를 구비하는 약액 공급장치.
- 제9항에 있어서, 상기 용기는 탱크와; 상기 탱크로부터 오버후로우되는 상기 약액을 받기 위하여 상기 탱크 주위를 에워싸고 있는 오버후로우 탱크와; 상기 오버후로우 탱크에 의하여 받은 상기 약액을 방출하기 위한 도관을 구비하는 약액 공급장치.
- 제9항에 있어서, 상기 용기는 회전할 수 있는 기판홀더와; 상기 보조탱크로부터 상기 기판으로 상기 약액을 분무하기 위한 수단을 구비하는 약액 공급장치.
- 반도체 장치용의 기판처리에 적합한 유니트에 사용하기 위해 약액을 공급하는 방법에 있어서, (a)액체를 순환시스템으로 공급하는 스텝과; (b) 상기 약액을 합성하기 위하여 가스를 상기 액체와 혼합하는 스텝과; (c) 반도체 장치를 위한 기판을 처리하기 위하여 상기 유니트에 상기 약액을 공급하는 스텝을 구비하는 약액의 공급방법.
- 제12항에 있어서, 상기 (b) 스텝 이전에 상기 가스에 포함된 미립자를 제거하는 스텝을 더 포함하는 약액의 공급방법.
- 제13항에 있어서, (d) 상기 약액 중의 특정한 화학제 농도를 검출하는 스텝과, (e) 상기 약액 중의 상기 특정 화학제의 농도를 원하는 값으로 제어하기 위하여 (d)스텝에서 검출된 농도를 바탕으로 하여, 상기 스텝(b)에서 상기 액체 대 상기 가스의 혼합비율을 조절하는 스텝으로 더 구비하는 약액의 공급방법.
- 제12항에 있어서, 상기 (b)스텝은 (b-1) 상기 액체 중에 상기 가스를 분산시키는 스텝을 더 구비하는 약액의 공급방법.
- 제12항에 있어서, 상기 (b)스텝은 (b-2) 탱크중에 상기 가스를 저장하는 스텝과; (b-3) 노즐의 관로 중에 형성된 복수의 구멍으로부터 상기 액체를 상기 탱크로 분무하는 스텝과; (b-4) 상기 (b-3)스텝에서 합성된 상기 약액을 탱크의 외부로 운반하는 스텝을 더 구비하는 약액의 공급방법.
- 반도체 장치용의 기판을 처리하는 유니트에 사용하기 위한 약액의 공급방법에 있어서, (a) 액체를 순환관로로 공급하는 스텝과; (b) 상기 약액을 합성하기 위하여 상기 액체를 가스와 혼합하는 스텝과; (c) 보조탱크 내에 상기 약액을 저장하는 스텝과; (d) 반도체 장치를 위한 기판을 처리하기 위하여 상기 유니트에 상기 약액을 공급하는 스텝을 구비하는 약액의 공급방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05200959A JP3142195B2 (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 薬液供給装置 |
JP93-200959 | 1993-07-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950004433A true KR950004433A (ko) | 1995-02-18 |
KR0151238B1 KR0151238B1 (ko) | 1998-12-01 |
Family
ID=16433159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940016009A KR0151238B1 (ko) | 1993-07-20 | 1994-07-05 | 약액 공급장치 및 그 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5674410A (ko) |
JP (1) | JP3142195B2 (ko) |
KR (1) | KR0151238B1 (ko) |
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- 1993-07-20 JP JP05200959A patent/JP3142195B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-07-05 KR KR1019940016009A patent/KR0151238B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-07-06 US US08/271,081 patent/US5674410A/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0737800A (ja) | 1995-02-07 |
JP3142195B2 (ja) | 2001-03-07 |
KR0151238B1 (ko) | 1998-12-01 |
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