KR19990064214A - 증기 혼합물을 이용한 반도체 처리 - Google Patents
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Abstract
액상원(22)(222)(206)과 공급 또는 희석 가스로부터 형성된 증기상 처리 유출물을 이용한 처리 방법 및 시스템(10)(116)(200). 어떤 시스템은 다중 액체원(140)(240)(307)(317)과 각각이 혼합된 증기를 발생하는 다중 증기 발생기(120)(220)(295)를 사용한다. 증기 발생기의 일부는 액체의 일정 흐름을 공급 가스의 일정 흐름에 주입시키기 위하여 계량 펌프(303)를 사용한다. 어떤 실시예에서, 증기는 건조되어 처리실 증기 혼합물로서 처리실(12)로 유입되기 전에 포화도를 감소시킨다. 반도체는 처리실 내에서 회전되어 일괄적으로 처리되는 것이 바람직하다.
Description
반도체 웨이퍼와 그밖의 반도체 물질을 처리함에 있어서, 처리 대상물의 표면으로부터 반도체 물질을 화학적으로 식각하거나 다른 방법으로 제거하는 단계를 거치는 것이 보통이다. 실리콘 웨이퍼의 처리에 있어서, 일반적으로 실리콘막과 산화 실리콘막을 제거하기 위하여 불소화 수소의 수용성 혼합물을 사용한다. 이와 같은 수용성 수소불산 혼합물을 이용하면 실리콘을 보다 빠른 식각 속도로 식각할 수 있으므로 웨이퍼 처리 속도를 높일 수 있다. 불소화 수소와 물의 증기상 혼합물도 사용되고 있다.
이같은 공정에서, 식각의 균일성은 특정 공정과 관련한 결과의 적정성에 부분적으로 영향을 미치는 것으로서 매우 중요하다. 식각이 균일하게 이루어지지 않으면 공정은 상용적으로 가치가 떨어진다. 웨이퍼 상의 한 지점에서 다른 지점으로의 식각 속도의 균일성은 10Å (10-9m) 이상인 것이 바람직하다. 웨이퍼 상에서 이와 같이 고수준의 식각 속도 균일성은 중요하다. 처리 매개 변수가 조금이라도 변하면 처리된 반도체의 가치가 떨어지게 된다. 이와 같은 처리는 또한 배치 내부의 웨이퍼 사이나 웨이퍼의 상이한 배치들 간에 식각 속도의 재현성 변화에 민감하다. 따라서, 이 점을 고려하면 처리 공정을 개선시키는 것이 매우 힘들게 된다.
균일성과 재현성의 문제를 해결하는 것이 일괄 생산 공정을 다루는 대부분의 반도체 장치 제조사들의 바램이다. 일괄 생산 공정은 같은 공정 단계를 수행하므로 단위 시간당 생산량이 많은 이점이 있다. 그러나, 일괄식 처리법은 웨이퍼나 기타 반도체 물품을 밀집한 병행 처리 배열 구성에서 처리실 내부에 고정시켜야 하는 단점이 있다. 이 구성 배열은 처리 배열 내에 위치한 웨이퍼의 경사면에 처리액을 접근시키기 어렵다. 따라서, 처리액을 원판형 웨이퍼의 가장자리에 보다 잘 처리할 수 있으나 웨이퍼의 내부 영역에는 처리액을 접근시키기 어려우므로 웨이퍼 표면의 식각 균일성을 얻기 어렵게 된다. 이를 해결하면 각각이 다수의 웨이퍼와 기타 반도체 물품을 수용하고 있는 다중 처리 배치와 관련한 영향 때문에 다른 웨이퍼들 간에 처리 결과의 재현성을 획득할 수 있다.
반도체 물품을 처리하는데 고려해야할 또다른 중요한 문제는 오염 수준을 낮추어야 한다는 점이다. 대략 0.2 내지 0.5 마이크론의 매우 작은 오염물도 생산된 제품에는 치명적일 수 있다. 실리콘과 기타 반도체 물질의 식각 공정을 수행하기 전에 불화수소로 처리하는 단계를 한번 이상 거치는 것이 보통이다. 불화수소 처리 단계를 식각 또는 그 이상의 공정에서 마지막 단계로서 수행하는 경우, 실리콘 표면이 소수성을 띠게 된다. 이렇게 해서 얻은 소수성 실리콘 표면은 오염되기가 쉬워지고, 특히 웨이퍼 표면에 입자가 붙기 때문에 오염이 쉽다. 어떤 처리 공정에서는, 실리콘 표면으로부터 모든 산화 실리콘을 제거하여야 한다. 이 공정에서 보통 수용성 불화수소 린스를 사용하여 수용하는 데, 결과 표면이 소수성이 되어 입자 오염이 더욱 심해지는 문제가 따른다. 그러므로, 수소불산 처리는 웨이퍼 당 입자 100개 내지 10,000개와 같이 수많은 입자(0.2 마이크론 또는 그 이상)에 의한 오염을 초래하게 된다.
따라서, 수소불산과 기타 반도체 제거 처리 공정에서 오염도, 특히 입자에 의한 오염을 줄여야 하는 문제가 있다. 이는 반도체 물질 제거 속도의 균일성과 재현성을 유지하는 데에도 반드시 필요하다.
또한, 반도체 처리 방법에 있어서 증기상 화학 처리를 위한 공정 및 장치의 개선이 요구된다. 증기상 처리 공정은 화학적인 면에서 특히 어렵다. 특히, 처리 화학 약품의 증기상을 발생시키는 것과 관련하여 증기상이 균일해야 하는 문제가 있다. 이와 같은 균일성은 단일 구성 성분의 증기 농도가 균일해야 가능하다. 또다른 문제는, 여러 가지 화학 구성성분을 증기를 혼합시키거나 운반하는 공기, 질소 또는 기타 바탕 가스와 혼합시킨 경우 증기 농도를 균질하게 하는 것이다.
또한, 증기상 혼합물은 구성 성분들의 상대적인 농도가 다르고, 증기 혼합물이 얻어지는 액상 혼합물과는 상이하다. 예를 들어, 액체 상태에서의 혼합 구성 성분 화학계의 상대적인 양은 동일한 구성 성분이 증기상으로 변환되었을 때와 다르다. 그러므로, 처리 결과물의 균일성과 재현성을 얻기가 더욱 힘들어지게 된다.
따라서, 반도체 처리업계에는 신뢰성 있고 재현성 및 균일성이 우수한 증기상 처리를 위한 개선 방법과 장치가 요구된다.
본 발명은 수용성 불소화수소, 비수용성 용매, 그리고 기타 처리 구성물에 희석 가스를 첨가시킨 혼합물과 같은 증기상 혼합물을 이용하여 반도체 물질을 처리하기 위한 장치와 공정에 관한 것이다.
이후, 첨부된 도면을 참조하여 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명에 따라 사용된 처리 시스템의 일실시예를 나타낸 개략도.
도 2는 본 발명에 따라 사용된 처리 시스템의 다른 실시예를 나타낸 개략도.
도 3은 도 1과 도 2의 처리 시스템에서 사용된 증기 발생 장치의 저면도.
도 4는 본 발명에 따라 사용된 처리 시스템의 또다른 실시예를 나타낸 개략도.
도 5는 도 4의 개략도의 연장도로서, 도 4에 블럭(243)으로 나타낸 시스템의 요부를 도시한 도면.
도 6은 도 5에 나타낸 증발기의 배출단을 도시한 정면도.
도 7은 도 6은 선 7-7을 따라 절취한 단면도로서, 도 4의 시스템에서 사용된 증발기의 일실시예를 나타낸 종단면도.
도 8은 도 4의 시스템에서 사용된 증기 혼합기의 일실시예를 나타낸 정면도.
도 9는 도 8의 선 9-9을 따라 절취한 단면도.
도 10은 도 7의 증기 혼합기를 나타낸 평면도이다.
도 11은 도 8의 선 11-11을 따라 절취한 단면도.
표 1
도면 부호 및 쪽수를 나타낸 하위부 및 관련 품목 리스트
제 1 처리 시스템 - 원심 처리기 부시스템 ............................ 14
제 1 처리 시스템 10 .................................................. 14
처리 용기 11 ......................................................... 14
처리실 12 ............................................................ 14
회전자 13 ............................................................ 14
웨이퍼 캐리어 14 ..................................................... 14
반도체 부분품 15 ..................................................... 14
처리실 증기 흐름 공급기 17 ........................................... 14
처리실 공급 노즐 18 .................................................. 14
통풍구 19 ............................................................ 14
원심 처리기 부시스템 16 .............................................. 15
제 1 처리 시스템 - 증기 발생기..................................... 15
증기 발생기 20 ...................................................... 15
액체 컴파트먼트 21 .................................................. 15
소스 액체 22 ........................................................ 15
증기 발생기 컨테이너 23 ............................................. 15
컨테이너 베이스 24 .................................................. 15
컨테이너 톱 25 ...................................................... 15
공급 가스 공급 포트 26 .............................................. 16
공급 가스 디렉터 30 ................................................. 16
스파이럴 그루브 31 .................................................. 16
사이에 끼는 분리벽 32 ............................................... 16
증기 발생기 공급 가스 공급기 27 ..................................... 17
공급 가스 소스 33 ................................................... 17
공급 가스 압력 조절기 29 ............................................ 17
공급 가스 흐름 제어기 28 ............................................ 17
공급 가스 흐름 제어 조절 밸브 34 .................................... 17
증기 발생기 출력 35 ................................................. 17
증기 발생기 출구 포트 36 ............................................ 17
소스 액체 레벨 제어 40 .............................................. 18
레벨 감지기 41 ...................................................... 18
소스 액체 메이크업 포트 38 .......................................... 18
소스 액체 저장고 43 ................................................. 18
소스 액체 메이크업 제어 밸브 44 ..................................... 18
제 2 증기 수용기 37 ................................................. 18
증기 냉각기 38 ...................................................... 18
건조기 39 ........................................................... 18
제 1 처리 시스템 - 희석 가스 증발기............................. 19
희석 가스 주입기 50 ............................................... 19
스트림 믹서 51 ...................................................... 19
희석 가스 공급기 52 ............................................... 19
희석 가스 소스 53 ................................................. 19
희석 가스 압력 조절기 54 ......................................... 19
희석 가스 흐름 제어기 55 ......................................... 20
희석 가스 흐름 제어 조절 밸브 56 .................................. 20
제 2 처리 시스템 - 일반............................................ 20
원심 처리기 부시스템 116 ............................................ 20
제 2 처리 시스템 - 복수의 증기 발생기............................. 20
제 1 증기 발생기 120 ............................................... 20
제 1 소스 액체 122 ................................................. 20
제 2 증기 발생기 220 ............................................... 20
제 2 소스 액체 222 ................................................. 20
증기 발생기 액체 컴파트먼트 121 및 221 ............................. 21
제 1 및 2 증기 발생기 공급 가스 공급기 127 및 227 .................. 21
공급 가스 소스 133 및 233 .......................................... 21
질량 흐름 제어기 128 및 228 ........................................ 21
가열기 161 및 261 .................................................. 21
전기 저항 소자 163 및 263 .......................................... 21
액체 컴파트먼트 드레인 159 및 259 .................................. 21
드레인 밸브 158 및 258 ............................................. 21
제 2 처리 시스템 - 스트림 믹서.................................... 22
스트림 믹서 151 .................................................... 22
희석 가스 공급기 152 ............................................. 22
제 1 증기 발생기 브랜치 171 ........................................ 22
출력 135 ........................................................... 22
제 2 증기 발생기 브랜치 172 ........................................ 22
희석 입력 브랜치 173은 희석 가스 공급기 152 로부터
희석 가스를 받도록 연결된다 ...................................... 22
출력 브랜치 174 .................................................... 22
희석 가스 소스 153 ............................................... 22
질량 흐름 제어기 155 ............................................... 22
제 3 처리 시스템 - 처리 용기...................................... 22
처리기 200 ......................................................... 22
처리 용기 201 ...................................................... 22
처리실 209 ......................................................... 22
제 3 처리 시스템 - 처리실 유입.................................... 23
처리실 액체 공급기 202 .............................................. 23
처리 액체 공급 노즐 203 ............................................. 23
처리 액체 챔버 공급 스프레이 젯 212 ................................. 23
처리 액체 또는 증기 공급 부시스템 243 ............................... 23
물 또는 기타 적당한 세척 부시스템 204 ............................... 24
유지 세척 메니폴드 205 .............................................. 24
세척 노즐 208 ....................................................... 24
탈이온수 소스 206 ................................................... 24
탈이온수 공급 시설 233 .............................................. 24
셧오프 밸브 231 ..................................................... 24
탈이온 세척수 흐름 제어 밸브 225 .................................... 24
흐름 탐지 스위치 227 ................................................ 24
조절가능 밸브 271 ................................................... 24
탈이온수 2차 소스 239 ............................................... 24
필터 237 ............................................................ 24
첵 밸브 235 ......................................................... 24
유출 255 ............................................................ 25
질소 퍼지 밸브 223 .................................................. 25
제 3 처리 시스템 - 질소 공급....................................... 25
질소 공급 메니폴드 263 .............................................. 25
압력 조절기 213 ..................................................... 25
압력 게이지 215 ..................................................... 25
릴리프 밸브 217 ..................................................... 25
필터 219 ............................................................ 25
질소 공급 라인 249 및 403 ........................................... 25
흐름 제어구 269 ..................................................... 25
제어 압력 릴리프 밸브 245 ........................................... 25
제 3 처리 시스템 - 처리실 유출..................................... 26
처리실 209 .......................................................... 26
가스 유출 또는 배출 라인 273 ....................................... 26
배출 제어 밸브 267 .................................................. 26
배출 라인 시설 265 .................................................. 26
액체 유출 부시스템 274 .............................................. 26
드레인 피팅 276 ..................................................... 26
처리실 드레인 흐름 제어 ............................................. 26
제 1 드레인 제어 밸브 279 ........................................... 26
제 2 드레인 제어 밸브 280 ........................................... 26
제 1 드레인 라인 289 ................................................ 26
가스 트랩 275 ....................................................... 26
흐름 감지기 281 ..................................................... 26
제 3 처리 시스템 - 증기 발생 및 믹싱................................ 27
증기 발생 및 믹싱 부시스템 243 ...................................... 27
제 1 처리 화학적 소스 공급 라인 285 ................................. 27
제 2 처리 화학적 소스 공급 라인 283 ................................. 27
제 1 저장고 또는 저장 컨테이너 307 .................................. 27
제 2 저장고 또는 저장 컨테이너 317 .................................. 27
저장고 유출 라인 509 및 601 ......................................... 27
청정 건조 공기 및 기타 적당한 가스 메니폴드 407 ..................... 27
저장고 퍼지 공급 라인 408 .......................................... 27
통풍구 308 및 318 .................................................. 28
저장고 통풍 제어 밸브 304 및 314 .................................... 28
제 1 및 2 증기 발생기 351 및 352 .................................... 28
계량하는 세척 펌프 303 .............................................. 28
제 1 및 2 증발기 295 ................................................ 28
제 1 및 2 증발기 공급 가스 제어기 301................................ 28
가열기 299 .......................................................... 28
필터 297 ............................................................ 28
증발기 295 .......................................................... 28
관형 부분품 803 ..................................................... 28
증발실 905 .......................................................... 28
증발기 유출실 709 ................................................... 28
증발기 확산기 스크린 701 ............................................ 28
확산기 증기 통로 707 ................................................ 28
공급 가스 및 처리 액체 혼합 증발기 젯 805 ........................... 29
환상 액체 젯 통로 806 ............................................... 29
증발기 젯 공급 가스 통로 903 ........................................ 29
젯 스풀 809 ......................................................... 29
젯 축장기 810 ....................................................... 29
증발기 액체 유입 포트 807 ........................................... 29
혼합 증기 믹서 및 딜류터 293 ........................................ 29
믹서 본체 부분품 1001 ............................................... 29
제 1 증기 발생기 스트림 입력단 1005 ................................. 29
제 2 증기 발생기 스트림 입력단 1009 ................................. 29
희석 가스 입력 1007 ............................................... 29
희석 가스 믹서 질량 흐름 제어기 391 ............................... 29
나사 피팅 907 ....................................................... 29
유출 포트 1003 ...................................................... 29
피팅 909 ............................................................ 29
처리실 혼합 공급 라인 405 ........................................... 30
바람직한 처리법.................................................... 30
실시예 1........................................................... 34
실시예 2........................................................... 35
실시예 3........................................................... 36
실시예 4........................................................... 37
(표 1 끝)
발명의 실시를 위한 최선의 방법 및 발명의 공개
제 1 처리 시스템 - 원심 처리기 부시스템
도 1은 본 발병에 따른 바람직한 제 1 처리 시스템(10)을 도시한다. 시스템 (10)은 문(도시되지 않음)을 사용하여 닫을 수 있도록 바람직하게 구조를 갖춘 처리 용기(11)를 포함한다. 닫혀지면, 처리 용기는 실질적으로 주위가 둘러싸인 처리실(12)을 형성한다. 처리 용기는 바람직하게 회전자(13)의 부분들을 둘러싼다. 회전자의 내부 부분은 처리실(12) 안에서 회전이 제어되도록 장착되어 있다. 회전자 (13)는 바람직하게 웨이퍼 캐리어(14)를 수용하는 특성을 가지고 있다. 웨이퍼 캐리어(14)는 처리되는 1개 이상의 웨이퍼 또는 기타 반도체 부분품(15)을 지지한다. 그 회전자 및 연관된 웨이퍼 캐리어는 지탱되는 웨이퍼 또는 그 안에 있는 기타 반도체 부분품과 함께 회전된다. 이렇게 하면, 처리실 내에 있는 증기가 많은 혼합물이 반도체 부분품의 노출된 표면위로 흐르게 되고, 처리실 액체가 혼합되게 되어서, 동 혼합물이 반도체 부분품의 표면에 노출되면서 액체 혼합물의 균일성을 유지하고 처리하는 혼합물의 일관성에 대한 균일성을 유지하는 데 기여한다.
도 1은 또한 한쌍의 처리실 증기 스트림 공급기(17)를 도시한다. 처리실 증기 공급기(17)는 바람직하게는 관형의 메니폴드이거나 처리 액체를 챔버(12)로 전달, 보급하는데 사용되는 기타 적당한 도관이다. 바람직하게도, 증기 공급기는 처리 액체가 다수의 노즐로 챔버(12)로 분배되거나 처리실 내에서 위치를 분배하도록 하는 다수의 처리실 공급 노즐(18)을 가진 관형 도관이다. 이 도관에 의하여 증기는 처리되는 웨이퍼 또는 기타 부분품(15)의 표면 주위로 유입되게 된다. 통풍구 (19)가 또한 압력이 상승되지 않고 처리실로 가스 유입이 되어서 바람직한 처리실 운전 압력이 유지될 수 있도록 유익하게 포함될 수 있다. 통상적으로, 보다 낮거나 높은 압력이 양자 택일적으로 가능하지만, 압력은 대기압이거나 대기압에 가깝다.
도시된 바와 같이 처리 용기(11), 챔버(12), 회전자(13), 액체 공급기(17) 및 연관 노즐(18)은 단순히 개략적인 형태로 도시되어 있다. 다양한 반도체 원심 처리기 부시스템이 더 큰 시스템(10)의 이러한 부분을 실시하는 데 사용될 수 있다. 가장 바람직하게, 이러한 구성품에 의하여 형성된 원심 처리기 부시스템(16)은 칼리스펠 엠티 59901의 세미툴 사가 제조한 모델 세미툴 스프레이 산 처리기의 형태로 되어있다. 바람직한 원심 처리기 부시스템은 수행되는 처리에 적합한 재료를 이용한다. 기술된 바와 같이, 바람직한 재료는 폴리머 재료이다. 고밀도 폴리에틸렌 또는 PTFE 테프론 재료가 하기에 상세히 기술된 바와 같이 수소 플루오르화물 처리로 이용될 시, 동 재료는 처리 용기 및 회전자의 구조를 갖추는 데 사용된다. 대안의 원심 처리기는 시스템 10 에서 사용함에 적합할 수 있다.
제 1 처리 시스템 - 증기 발생기
처리 시스템(10)은 이밖에, 최소한 1개의 증기 발생기(20)를 포함한다. 증기 발생기(20)는 소스 액체(22)를 수용하는 액체 컴파트먼트(21)를 포함한다. 소스 액체는 아래에서 더욱 자세히 기술된다. 액체 컴파트먼트는 바람직하게 증기 발생기 컨테이너(23)에 의하여 형성된다. 컨테이너(23)는 컨테이너 베이스(24)를 포함한다. 컨테이너(23)에는 또한, 바람직하게는 컨테이너 톱(container top, 25)이 제공되어 있다. 톱(25)은 컨테이너의 두부 역할이외에 추가 기능도 수행할 수 있도록 유익하게 특수한 형상의 구조로 되어 있다. 톱(25) 및 버텀(24)는 탈착가능한 파스너(fastner, 도시안됨)를 용접하거나 사용하여서 컨테이너(23)의 잔여 부분에 고착된다.
도 3은 컨테이너 톱(25)에 대한 바람직한 구조를 도시한다. 컨테이너 톱(25)은 증기 발생기 공급 가스(아래에 기술된 바와 같은)의 적당한 소스에 연결되는 공급 가스 공급 포트(26)를 포함한다. 공급 가스 공급기(26)는 공급 가스 디렉터(30)와 액체로 통한다. 도시된 바와 같이, 공급 가스 디렉터는 컨테이너 밑면을 따라 형성된 스파이럴 그루브(31)의 형태로 되어있다. 스파이럴 그루브는 소스 액체로 향한 그루브(31)의 오목한 부분으로부터 뻗어나온 사이에 끼는 분리벽(32)에 의하여 분리된다.
공급 가스는 공급 가스 공급 포트(26)를 통하여 진입하고 스파이럴 그루브에 의하여 부분적으로 형성된 비틀린 스파이럴 경로를 따라 이송된다. 비틀린 경로는 또한 연관된 분리벽 및 소스 액체에 의하여 정하여 진다. 소스 액체는 분리벽의 보다 낮은 부분을 액체로 밀폐하기 위하여 적당한 고도로 유지된다. 스파이럴 그루브가 도시되어 있지만, 공급 가스 디렉터를 형성하기 위하여, 기타 회선된 또는 비틀린 경로가, 컨테이너 톱의 밑면을 따라서, 또는 다른 형태의 배플, 예를 들면, 컨테이너 안에 장착된 별도의 배플 부분품을 사용하여 쉽게 형성될 수 있다. 공급 가스 디렉터는 공급 가스의 흐름의 방향을 잡아주고, 소스 액체(22)에 반대로 연장된 경로를 통과하게 한다. 소스 액체에 반대로 가는 공급 가스의 이러한 흐름은 증기 발생기 유출 스트림을 공급하기 위하여 공급 가스로 들어가는 소스 액체로부터 증기가 형성되는 결과를 낳는 가스-액체 상호작용이다.
포트(26)로 공급 가스가 공급되는 것은 바람직하게 증기 발생기 공급 가스 공급기(27)에 의하여 이루어진다. 공급 가스 공급기(27)는 공급 가스(33)의 적당한 소스를 포함한다. 아래에 설명된 바람직한 화학작용을 위한 공급 가스의 적당한 소스는 처리실(12) 안에서의 처리에 악영향을 끼치지 않는 것으로 밝혀진 질소, 청정 건조 공기, 또는 기타 가스를 위한 가스 소스의 시설을 포함한다. 대안으로, 공급 가스의 소스는 처리기(10)의 일부를 구성하는 탱크 또는 저장고(도시 안됨)가 될 수 있다.
소스(33)에서 나오는 공급 가스는 바람직하게 증기 발생기의 개량된 제어를 위하여 압력을 조절하는 공급 가스 압력 조절기(29)를 통하여 이송된다. 압력 조절기에서 나오는 공급 가스는 공급 가스 흐름 제어기(28)를 통하여 이송된다. 도시된 바와 같이, 흐름 제어기(28)는 증기 발생기로 들어가는 공급 가스의 흐름 속도를 나타내는 로터미터의 형태로 되어있다. 흐름 제어기(28)는 도 1에 개략적으로 도시된 절대 필요한 공급 가스 흐름 제어 조절 밸브(34)를 유익하게 갖추고 있다. 밸브 (34)는 공급 가스의 바람직한 흐름 속도로 가스를 발생기에 공급하고 그 결과 발생기로부터 증기 발생기 스트림을 얻기 위하여 수동으로 조정된다. 대안의 방법으로, 자동으로 제어되는 공급 가스 제어 밸브가 사용될 수 있다.
증기 발생기(20)는 또한 증기 발생기 출구(35)를 갖추고 있다. 바람직한 형태로, 증기 발생기 출구(35)는 컨테이너 톱(25)을 통하여 형성된 증기 발생기 출구 포트(36)를 포함한다. 출구 포트는 스파이럴 그루브(31)의 안쪽 끝과 액체로 통하는 중앙에 위치한다. 공급 가스는 공급 가스 디렉터 스파이럴 그루브내에서 흐르고, 포트(36)를 통하여 빠져 나간다. 증기 발생기 출구 포트(36)는 또한, 소스 액체로부터 발생된 증기가 액체로부터 분리되어 들어가는 제 1 증기 수용기로서의 역할을 수행한다.
증기 발생기(20)는 또한, 바람직하게는 소스 액체 레벨 제어(40)를 포함한다. 소스 액체 레벨 제어(40)는 소스 액체의 레벨을 감지하기 위하여 액체 컴파트먼트(21) 내에 또는 그에 인접하여 장착된 레벨 감지기(41)를 포함한다. 레벨 감지기는 액체 레벨 탐지 기술에 있어서 잘 알려진 다양한 유형으로 될 수 있다. 소스 액체 레벨 제어(40)는 또한, 컨테이너 톱(25)을 통하여 유리하게 형성된 소스 액체 메이크업 포트(38)를 포함한다. 포트(38)는 소스 액체 저장고(43)로부터 소스 액체를 공급하는 데 사용된다. 소스 액체 메이크업 제어 밸브(44)는 증기 발생기의 저장고(43)로부터 나오는 소스 액체의 흐름을 제어한다. 밸브(44)는, 레벨 감지기(41)에 의하여 감지된 소스 액체에 대한 요구에 대응하여 밸브를 개방하는, 적당한 전기 또는 공기 릴레이 또는 기타 제어기(도시 안됨)를 사용하여 제어된다.
도 1은 또한, 바람직한 증기 발생기 출구(35)가 이밖에 제 2 증기 리스버(37)를 포함하고 있음을 도시한다. 증기 수용기(37)는 증기 및 액체 상의 분리를 보조하도록 형성되어 있다. 그것은 또한, 증기 냉각기(38)의 일부로서의 역할을 수행한다. 증기 냉각기(38)는 순환수 재킷, 열전기, 팽창 가스 또는 기타 적당한 유형과 같은 몇몇 가능한 냉각기 유형으로부터 선정될 수 있다. 증기 냉각기(38) 및 증기 수용기(37)는 사용되는 특정 소스 액체 및 기타 운전 매개변수에 따라 증발될 수 있는 과다한 소스 액체를 탈포화시키는 건조기(39)로서의 기능을 수행한다. 건조기(39)는 증기 발생기 출구(35)로부터 방출되는 증기 발생기 유출 스트림으로부터 있을 수 있는 액체 농축의 위험을 제거하거나 축소한다.
제 1 처리 시스템 - 희석 가스 주입기
처리 시스템(10)은 또한, 바람직하게는 증기 발생기 유출 스트림에 희석 가스(dilution)를 주입하는 희석 가스 주입기(infuser, 50)를 포함한다. 희석 가스 주입기(50)는 바람직하게는 스트림 믹서(51)를 포함한다. 믹서(51)는 증기 발생기 유출 스트림을 받도록 액체로 전달되는 연결이 되어있다. 믹서(51)는 또한, 희석 가스 공급기(52)로부터 희석 가스를 받도록 연결되어 있다. 믹서(51)는 나아가, 반도체 부품(15)을 처리하는데 사용되는 처리실 증기 혼합물 스트림을 공급하도록 처리실 증기 공급기(17)와 액체로 전달되는 연결이 되어 있다. 믹서(51)는 혼합되는 스트림 사이에서 혼합되는 것을 유도하는 여러 가지의 기계적 구조로 될 수 있다. 본 발명의 한 형태로, 믹서는 확대된 티 피팅(tee fitting)이다. 대안의 방법으로, 동 믹서는 두 개의 스트림 사이에서 회오리 혼합을 제공하는 구조를 가질 수 있다.
희석 가스 공급기(52)는 희석 가스(53)의 적당한 소스로부터 가스를 받는다. 아래에서 설명된 바람직한 화학작용을 위한 희석 가스의 적당한 소스는 처리실(12) 안에서 처리에 악영향을 끼치지 않는 것으로 판명된 질소, 청정 건조 공기, 또는 기타 가스용 가스 소스 시설을 포함한다. 대안의 방법으로, 희석 가스의 소스는 처리기(10)의 일부를 구성하는 탱크 또는 저장고(도시 안됨)가 될 수 있다.
소스(53)로부터 나오는 희석 가스는 바람직하게는 주입기의 개량된 제어를 위하여 압력을 조절하는 희석 가스 압력 조절기(54)를 통하여 이송된다. 압력 조절기를 통하여 공급된 희석 가스는 희섯 가스 흐름 제어기(55)를 통하여 이송된다. 도시된 바와 같이, 흐름 제어기(55)는 희석 가스의 흐름 속도를 나타내는 로터미터의 형태로 되어있다. 흐름 제어기(55)는 도 1에 개략적으로 도시된 절대 필요한 희석 가스 흐름 제어 조절 밸브(56)를 유리하게 갖추고 있다. 밸브(56)는 희석 가스의 바람직한 흐름 속도로 가스를 믹서(51)에 공급하도록 수동으로 조정된다. 다른방법으로, 자동으로 제어되는 희석 가스 제어 밸브가 사용될 수 있다.
제 2 처리 시스템 - 일반
도 2는 본 발명에 따른 대안의 제 2 처리 시스템(100)을 도시한다. 시스템 (100)은 위에서 기술한 부시스템(16)과 동일하거나 유사한 원심 처리기 부시스템 (116)을 갖추고 있다. 시스템(10)과 관련하여 위에서 기술된 것과 동일하거나 매우 유사한 상기의 기타 구성품 또는 부시스템은 100단위 난에 "1"을 덧붙여서 유사하게 번호를 붙였다. 변경하거나 추가로 기술할 필요가 있는 구성품은 이제 고찰될 것이다.
제 2 처리 시스템 - 복수의 증기 발생기
처리 시스템(100)은 복수의 증기 발생기(120, 220)를 갖추고 있다는 점에서 처리기(10)와 상이하다. 제 1 증기 발생기(120)는 제 1 공급 가스 및 제 1 소스 액체(122)로부터 증발된 제 1 증기로 구성된 증기 발생기 출력 스트림을 발생시키기 위한 것이다. 제 2 증기 발생기(220)는 제 2 공급 가스 및 제 2 소스 액체(222)로부터 증발된 제 2 증기로 구성된 증기 발생기 출력 스트림을 발생시키기 위한 것이다. 이러한 증기 발생기는 증기 발생기(20)와 비교하면, 많은 특징에 있어서 유사하다. 증기 발생기(20)에 대하여 위에서 기술한 특징과 유사한 발생기(120, 220)의 각각의 특징에 대하여 1 및 2의 백단위 난에 숫자를 추가로 붙였다. 발생기(120, 220)와 증기 발생기(20)간의 차이점에 대하여 아래에 추가로 설명되어 있다.
소스 액체는 약간 개조된 제 1 및 2 증기 발생기 공급 가스 공급기(127, 227)를 사용하여 증기 발생기 액체 컴파트먼트(121, 221)로 공급된다. 당해의 각 공급기는 각각 공급 가스 소스(133, 233)로부터 공급 가스를 받고, 각각 질량 흐름 제어기(128, 228)를 통하여 유입하는 공급 가스를 이송한다. 질량 흐름 제어기는 미리 설정된 흐름 속도에 맞추어 공급 가스가 흐르고 있는지를 감시하고 관제한다. 그런 다음, 제 1 및 2 공급 가스는 증기 발생기(20)와 관련있는 상기와 같은 내부 구조를 갖춘 증기 발생기로 들어간다.
증기 발생기(120, 220)는 또한, 가열기(161, 261)가 추가된 구조를 갖추고 있는 점에서 발생기(20)과 상이하다. 가열기(161, 261)은 바람직하게 열적 차원에서 절연되어 있고, 컨테이너(123, 223)의 일부를 받는 장축고가 제공되어 있다. 1 개 이상의 전기 저항 소자(163, 263)는 열이 컨테이너 및 그 안에 담겨있는 소스 액체에 들어갈 수 있게 하는 장축고의 내벽을 따라 포함되어 있다. 컨테이너의 액체실의 운전 온도는 바람직하게 항온기(도시 안됨)에 의하여 조절된다.
컨테이너(123, 223)에는 또한, 액체실 드레인(159, 259)이 각각 유리하게 제공되어 있다. 드레인(159, 259)에는 바람직하게 드레인 밸브(158, 258)이 각각 제공되어 있다.
제 2 처리 시스템 - 스트림 믹서
처리 시스템(100)은 또한, 스트림 믹서(151)에 있어서 처리 시스템(10)과 상이하다. 스트림 믹서(151)은 희석 가스 공급기(152)로부터 공급되는 희석 가스의 주입기로서 뿐만 아니라 증기 스트림 믹서로서의 역할을 수행한다. 대안의 방법으로, 희석 가스 주입기 및 증기 스트림 믹서는 시스템의 별도의 그리고 분명한 부품이 될 수 있다. 스트림 믹서(151)는 도시된 바와 같이 4개의 브랜치를 가진 액체 도관이자 믹싱 기구이다. 믹서(151)의 제 1 입력 브렌치는 제 1 증기 발생기(120)로부터 나오는 출력(135)에 연결되는 제 1 증기 발생기 브랜치(171)이다. 믹서(151)의 제 2 입력 브랜치는 제 2 증기 발생기(220)로부터 나오는 출력(235)에 연결되는 제 2 증기 발생기 브랜치(172)이다. 제 3 입력 브랜치 또는 희석 입력 브랜치(173)는 희석 가스 공급기(152)로부터 나오는 희석 가스를 받도록 연결된다. 믹서(151)의 제 4 출력 브랜치(174)는 처리실 증기 공급기(117)에 연결된다.
희석 가스 공급기(152)는 희석 가스 소스(153) 및 질량 흐름 제어기(155)를 포함한다. 질량 흐름 제어기(155)는 그를 통하여 통과되는 재료의 질량에 기초한 미리 설정된 운전 흐름 속도에 맞추어 희석 가스의 흐름을 조절한다.
제 3 처리 시스템 - 처리 용기
도 4는 처리기(200)의 형태로 된 또 다른 바람직한 실시예를 도시한다. 처리기(200)는 처리실(209)을 둘러싼 처리 용기(201)를 포함한다. 여러 가지 구조로 될 수 있는 처리 용기는 바람직하게는 처리실을 닫히게 하여서 실질적으로 주위가 둘러싸인 처리실을 형성하게 하는 제어가능한 앞문(도시 안됨)을 포함한다. 도시된 실시예에서, 처리기(200)는 단일 스테이션이거나 별도로 도시되지는 않았으나 몬타나, 칼리스펠의 세미툴 사에 의하여 상표 MAGNUM를 부착하고 판매되는 보다 큰 복수의 스테이션 처리 시스템의 일부를 구성하는 모듈이다. 본 명세서에서 기술된 발명 시스템의 이용하는 데 있어서, 많은 수의 기타 처리 용기 및 시스템 형상이 가능하다.
제 3 처리 시스템 - 처리실 유입
도시된 바와 같이, 처리기(200)는 또한, 유리하게는 한 개의 메니폴드 또는 복수의 처리 액체 공급 노즐(203)을 각각 갖춘 복수의 메니폴드의 형태로 되어 있는 복수의 처리실 액체 공급기(202)를 포함한다. 챔버 처리 액체 공급 노즐(203)은 처리 액체 챔버 공급 스프레이 젯(212)을 방출한다. 액체 공급기, 노즐의 특정 구조 및 그 수효는 처리 요건이 지시하는 바에 따라 달라질 수 있다. 도 4의 개략도에 단 한 개의 공급 메니폴드가 도시되어 있지만, 대안의 방법으로, 각각 복수의 노즐을 포함할 수 있는 복수의 메니폴드를 포함하는 것이 가능하다.
처리 액체는 바람직한 처리 액체 또는 증기 공급 부시스템(243)으로부터 처리실 액체 공급기(202)로 이송된다. 도 4의 바람직한 구조에서, 블록(243)에 의하여 일반적으로 나타나는 단일 처리 증기 공급기가 있다. 본 발명에 따른 바람직한 시스템은 캐리어 가스와 혼합된 1개 이상의 화학 제품의 증기 혼합물의 형태로 처리 액체를 공급한다. 당해 시스템은 액체 처리 화학 제품으로부터 발생되는 증기 혼합물을 사용한다. 액체 처리 화학 제품은 일반적으로, 처리실이 운전될 수 있는 바람직한 처리 압력 및 온도에서 가스의 형태를 갖는 것으로 간주되지 않는다. 예를 들면, 본 신청서 여타 부분에서 설명된 바와 같은 부식액, 물 및 캐리어 가스의 증기 혼합물. 기타의 화학적 혼합도 또한 가능하다.
도 4는, 아래의 바람직한 구조 형태에서 더 상세히 기술되는 단일 처리 액체 공급기(243)를 단지 도시하나, 그와 같은 공급기가 복수로 있을 수 있음을 인정하여야 한다. 각 공급기는 단일 메니폴드(205)에 연결될 수 있거나, 다수의 그러한 메니폴드에 처리 액체를 공급하는 데 사용될 수 있다. 대안의 방법으로, 다수의 공급기(243)는 특정 시스템 요건이 제시하는 바와 같이 단일 또는 복수의 메니폴드로 공급될 수 있다.
처리 시스템에는 또한, 바람직하게 처리되는 반도체 부분품을 세척하고 처리 용기(201)를 세척하고 유지하기 위하여 물 또는 기타 적당한 세척 부시스템(204)이 제공되어 있다. 나아가, 처리 용기(201)는 각각 다수의 세척 노즐(208)을 갖춘 1개 이상의 유지 세척 메니폴드(205)를 유리하게 포함한다. 메니폴드(205)에는 종래 설계의 탈이온수 소스(206)로부터 탈이온수가 공급된다. 도시된 바와 같이, 세척 또는 유지 액체원(206)는 탈이온수 공급시설(233) 및 1차 공급기(233)로부터 공급되는 탈이온수를 적절하게 이송하거나 분송하도록 제어되는 셧오프 밸브(231)를 포함한다. 밸브(231)로부터 나오는 유출은 도관(229)을 통하여 탈이온화된 세척 흐름 제어 밸브(225)로 이송된다. 스위치(227)를 탐지하는 흐름은 바람직하게 라인(229)에 있어서 액체의 흐름을 감지하는 밸브(225)의 업스트림에 포함된다.
도 4는 또한, 조절할 수 있는 밸브(271)를 포함하는 탈이온수 공급 재순환 부시스템을 도시한다. 탈이온수(239)의 2차 소스는 필터(237) 및 첵 밸브(235 내지 271)를 통하여 공급된다. 물이 밸브(231)를 통하여 공급되지 않으면, 물은 바람직하게는 밸브(271)를 통하여 더 낮은 흐름 속도로 유출(255)로 재순환된다. 이렇게 하면, 극소량의 박테리아를 갖는 신선한 물로 탈이온수를 공급하는 것이 유지된다.
제어 밸브(225)는 질소 퍼지 밸브(223)에 유익하게 결합되어 있으며, 동 밸브는, 물에서 상기 요소를 제거하기 위하여, 명령에 의거 밸브(225), 다운스트림 라인, 부속 처리실 액체 공급기(202)를 통하여 질소, 퍼지 가스의 흐름을 제어하도록 제어된다. 질소는 질소 공급 메니폴드(263)으로부터 라인(221)을 통하여 밸브 (223)로 공급된다.
제 3 처리 시스템 - 질소 공급
질소 공급 메니폴드(263)는 질소를 공급 라인(221)으로 공급한다. 공급 브랜치 라인(221)은 또한, 바람직하게는, 적당한 압력의 청정 질소를 공급하는 데 사용되는 압력 조절기(213), 압력 게이지(215), 릴리프 밸브(217) 및 필터(219)를 포함한다. 유사한 구성품이 또한 질소 공급 라인(249, 403)에서 사용된다. 질소 공급 라인(403)은 처리 액체 공급 부시스템(243)의 기능을 수행하고 아래에서 더 상세히 설명된다.
질소 공급 라인(249)은 소량의 질소 흐름을 흐름 제어구(269)에 의하여 제한받는 처리실에 공급한다. 라인(249)을 통한 흐름의 일부는 습기를 제거하기 위하여 질소로 처리실을 부드럽게 퍼지하고 챔버를 저오염 상태로 유지하는 데 사용된다. 라인(249)을 통한 흐름의 또 다른 일부는, 달리 처리실에 공급되는 가스의 전기적 부하와 다른 전기적 부하를 갖는 가스를 소산시키기 위하여 정전기 억제기(도시되지 않은)로 들어간다. 제어된 압력 릴리프 밸브(245)는 운전 매개변수가 그렇게 요구할 때 압력의 메니폴드(263)를 푸는 데 사용된다.
제 3 처리 시스템 - 처리실 유출
도 4는 나아가, 처리실(209)이 가스 유출 또는 배출 라인(273)을 갖추고 있음을 도시한다. 처리실로부터 나오는 배기 가스의 흐름은 배출 제어 밸브(267)에 의하여 제어된다. 밸브(267)의 유출은 배출 라인 시설(265)에 연결된다. 배출 라인 시설은 바람직하게, 처리실에서 가스를 제거하도록 진공 상태에서 작동된다.
처리실은 또한, 액체 유출 부시스템(274)을 갖추고 있다. 액체 유출 부시스템(274)은 개략적으로 도시된 드레인 피팅(276)을 포함한다. 드레인 피팅은 액체가 처리실로부터 배수되게 한다. 배수 액체의 흐름은 처리실 드레인 흐름 제어에 의하여 제어된다. 도시된 바와 같이 드레인 흐름 제어는 제 1 드레인 제어 밸브(279) 및 제 2 드레인 제어 밸브(280)를 포함한다.
제 1 드레인 제어 밸브(279)는 배수 액체를 생산 시설에 의하여 제공되는 산업 폐수 배수 라인과 같은 적당한 드레인 라인(289)으로 배수 액체를 인도하도록 배수 액체의 흐름을 제어한다. 가스 트랩(275) 및 오버플로 분송 라인(291)은 밸브 (279)와 제 1 드레인 라인(289)의 다운스트림 부분 사이에 유리하게 포함된다.
액체 유출 부시스템(274)는 또한, 제 2 드레인 제어 밸브(280)를 사용하여 유출 액체를 제 2 드레인 라인(287)으로 조절하면서 유도하는 능력을 포함한다. 제 2 드레인 라인(287)은, 많은 재료를 최대로 부식케 하는 수소 플르오르화 수용성 혼합물을 취급할 수 있는 드레인 라인과 같은 전문성 화학적 드레인 라인으로 유리하게 될 수 있다. 제 2 드레인 라인은 또한, 가스 트랩(277) 및 흐름 감지기(281)와 함께 바람직하게 장치된다.
제 3 처리 시스템 - 증기 발생 및 믹싱
도 5는 바람직한 증기 발생 및 믹싱 부시스템(243)을 상세히 도시한다. 부시스템(243)은 제 1 처리 화학 소스 공급 라인(285) 및 제 2 처리 화학 소스 공급 라인(283)과 함께 간단하게 도 4에 도시되었다. 제 1 소스 공급 라인(285)은 본 명세서의 다른 부분에서 기술된 바와 같이 HF 의 부식액 혼합물과 같은 제 1 처리 화학 제품을 공급한다. 제 2 소스 공급 라인(283)은 이소프로필 알코올 또는 기타 적합한 용제 또는 희석 액체와 같은 제 2 처리 화학 제품을 공급한다. 도 5의 실시예에서 단 두가지의 소스 액체만 나타나 있지만, 단일 액제 또는 두 개 이상의 액체를 갖추는 것이 대안의 방법으로서 가능하다.
제 1 액체 화학 제품 소스 공급라인(285)은 제 1 저장고 또는 저장 컨테이너 (307)에 화학 제품을 전달하도록 연결된다. 수용기(307)는 본 발명의 기타 실시예와 관련하여 본 명세서의 다른 부분에서 기술된 바와 같은 다양한 특징 및 구조를 가질 수 있다. 도 5는 또한, 라인(283)으로부터 화학 제품을 받고 제 2 처리 액체를 저장하는 데 사용되는 제 2 저장고 또는 저장 컨테이너(317)를 도시한다.
제 1 및 2 저장고(307, 317)는 연관된 저장고 유출 라인(509, 601)을 각각 갖추고 있다. 이러한 제 1 및 2 저장고 유출 라인은, 아래에서 더 상세히 기술되는 제 1 및 2 증기 발생기(351 및 352)로 처리 액체를 공급하는 제 1 및 2 액체 화확 제품 공급 라인의 역할을 수행한다.
저장고(307, 317)에는 저장고 퍼지 공급 라인(408)을 통하여 청정 건조 공기 또는 기타 적절한 가스 메니폴드(407)로부터 나오는 소량의 퍼지 또는 통풍 흐름이 유익하게 공급된다. 저장고에 담긴 상기 액체로부터 발생되는 증기는 통풍구(308 , 318)에서의 배출 시설과 같은 적절한 방법으로 환기가 된다. 저장고 상부를 통한 퍼지 가스의 흐름은 저장고 통풍 제어 밸브(304, 314)를 사용하여 바람직하게 제어된다.
제 1 및 2 증기 발생기(351 및 352)는 각각 계량하는 주입 펌프(303)를 포함한다. 계량하는 주입 펌프는 제 1 및 2 증발기(295)로 처리 액체를 정확하게 이송하게 한다. 바람직한 증발기(295)의 구조는 도 6 및 7에 도시되어 있으며, 아래에서 아주 상세히 기술된다. 증발기는 질소와 같은 적당한 캐리어 가스 또는 복수의 가스와 처리 액체를 혼합한 증기 혼합물을 생산한다.
도 5의 바람직한 시스템에서, 질소는, 질량 흐름 속도 및 적당한 밸브를 감지하거나 그것을 통하여 바람직한 공급 가스 흐름 속도를 달성하도록 제어하는 유익한 질량 흐름 속도 제어기인 제 1 및 2 증발기 공급 가스 제어기(301)로 이송된다. 공급 가스의 제어된 흐름은 공급 가스에 열과 상승된 온도를 제공하는 전기적으로 제어되고 동력이 공급되는 가열기(299)를 통과한다. 공급 가스 공급 라인은 크기가 0.003 미크론 미만과 같은 극세공 필터인 필터(297)를 또한 장치할 수 있다.
증발기(295)의 바람직한 구조를 도시한 도 6 및 7을 참조하여야 한다. 증발기는 관형 몸체 부품(803)을 포함한다. 몸체 부품(803)은 그안에 한정된 증발실 (905)을 갖추고 있다. 증발실(905)은 증발기 확산기 스크린(701)을 사용하여 증발기 유출실(709)로부터 차폐된다. 확산기(701)는 선택적으로 증발된 처리 화학 제품 및 공급 가스를 이송하나 증발실에 현존하는 작은 물방울의 액체 처리 화학 제품을 보유하는 데 기여하는 역할을 하는 다수의 작은 확산기 증기 통로(707)를 포함한다. 유출 챔버(709)는 증기 혼합물을 믹서(293)로 이송하는 증발기 유출 라인(609, 도 5)에 연결된다. 이 사항은 아래에서 더욱 상세히 기술된다.
도 7은 또한 공급 가스 및 처리 액체 혼합 증발기 젯(805)의 바람직한 구조를 도시한다. 증발기 젯(vaporizer jet, 805)은 처리 액체가 벤투리 작용에 의하여 도출되는 환상형 액체 젯 통로(806)를 포함한다. 공급 가스는 증발기 젯 공급 가스 통로(903)를 통하여 공급된다. 환상형 액체 젯 통로의 크기는 몸체 부품(803)의 말단에 형성된 젯 축장고(810)에 비해 젯 스풀(809)을 안쪽으로 또는 바깥쪽으로 조여서 조절할 수 있다. 처리 액체는 증발기 액체 유입 포트(807)를 통하여 공급된다. 유입 포트(807)는 환상형 통로(806)과 액체로 통한다.
증기 발생기 유출은 라인(609)을 통하여 증발기(295)로부터 혼합된 증기 믹서 및 희석기(diluter, 293)로 흐른다. 증기 믹서(293)는 도 8 내지 도 11에서 상세히 도시되어 있다. 동 믹서는 제 1 증기 발생기 스트림 입력(1005), 제 2 증기 발생기 스트림 입력(1009) 및 희석 가스 입력(1007)을 갖는 믹서 몸체 부품(1001)을 포함한다. 희석 가스는 희석 가스 믹서 질량 흐름 제어기(391)를 통하여 공급된다. 이러한 입력은 나사식으로된 피팅(907)으로 유익하게 달성될 수 있다. 믹서 (293)은 또한 연관된 피팅(909)와 함께 유출 포트(1003)를 갖고 있다.
믹서 몸체(1001)의 내부에는 포트(1005, 1007, 1009)에 인접한 3개의 집중적 입력 통로가 제공되어 있다. 이러한 통로는 바람직하게 상호간에 60°미만의 수렴각의 호에 집중한다. 바람직한 구조는 증기 혼합물이 출구 포트(1003)와 직접 나란히 있는 희석 가스 라인으로 유익하게 공급되는 것을 도시한다. 증기 혼합물 통로와 희석 가스 통로간의 수렴각은 바람직하게 호의 60°미만이고 각 통로는 바람직하게 유사한 수렴각에 있다.
유출 포트(1003)는 공급기(202)에 연결된 처리실 혼합물 공급 라인(405)에 연결된다.
바람직한 처리 방법
본 발명은 반도체를 처리하여 물질을 반도체로부터 제거하는 방법을 포함한다. 이 방법에서, 증기를 발생하는 적당한 액체 원료를 제조한다. 바람직한 소스 액체는 혼합물을 함유하는 단일 소스 액체의 형태이거나, 각각이 동일하거나 상이한 소스 액체 성분을 갖는 여러가지 액체를 이용할 수도 있다. 도 1을 참조하면, 액체 원료(22)는 수용성 불화수소와 이소프로필 알코올로 이루어진다. 액체 원료 혼합물의 수용성 불화수소 식각제 성분은 바람직하게도 아조트로프 혼합물로서 사용된다. 아조트로프 혼합물의 퍼센트 농도 범위는 문헌에 제시되어 있지만, 불화수소와 물의 아조트로프 혼합물은 약 35 내지 39 부피%인 것이 바람직하다. 이와 같은 물과 불화수소의 아조트로프 혼합물은 본 발명에 따른 방법에서 사용되는 유기 용매와 일정한 부피비로 결합된다. 식각제 성분의 비율은 유기 용매 성분과 상대적으로 비례하며 부피비로서 대략 1:3 내지 3:1이고, 보다 바람직하게는 1:2 내지 2:1이다. 비율은 혼합되는 식각제와 유기 용매의 종류에 따라 다르다.
또한, 식각제와 유기 용매를 개별적으로 증기가 발생되는 별개의 소스 액체로서 사용할 수 있다. 이를 도 2의 실시예에 나타내었다. 이 경우, 식각제 액체 원료는 아조트로프 수용성 불화수소인 것이 바람직하다. 또한, 불화수소와 물의 다른 혼합물도 사용할 수 있다. 물과 불화수소의 상대적인 구성비는 전체 식각제 소스 액체에 대하여 불화수소의 부피비가 10 내지 70 부피%인 것이 바람직하다. 수용성 불화수소 소스 액체는 고순도의 반도체 등급이다.
용기(220)에 사용된 소스 액체는 원래의 농도로 사용하거나 다른 첨가 용매나 첨가물로 희석시켜 사용할 수 있는 유기 용매인 것이 바람직하다. 유기 용매는 알코올로 이루어진 것이 바람직하고, 지방족 알코올인 것이 더욱 바람직하다. 특히, 지방족 알코올은 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올, 부탄올, n-프로판올 중에서 선택한다. 바람직한 실시예에서, 제 2 증기 발생기 용기는 다른 첨가제나 희석제를 사용하지 않고 이소프로필 알코올을 수용하는 데에 이용된다. 이소프로필 알코올은 매우 순도가 높은 반도체 등급으로서 바람직하다.
본 발명에 따른 공정은 또한 발생기 공급 가스와 적어도 한가지의 소스 액체를 이용하여 적어도 한 개의 증기 발생기로부터 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물을 발생하는 것을 포함한다. 본 발명의 다른 형태에서 증기 발생기 유출물의 발생은 도 2에서 나타낸 바와 같이 복수개의 증기 발생기를 이용하여 수행하는 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 발생 단계는 바람직하게는 제 1 또는 식각 소스 액체 및 제 2 또는 유기 용매 소스 액체인 제 1 및 제 2 소스 액체를 사용하여 수행되기도 한다. 또한, 구성 성분이 동일하거나 상이한 한가지 이상의 관련 소스 액체와 함께 다수의 증기 발생기를 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 방법은 또한, 증기 발생기 유출물을 발생 단계에 사용된 적어도 한가지의 운반 가스를 공급하는 단계를 포함한다. 공급 또는 운반 가스를 증기 발생기에 공급하는 단계는 밸브(34)의 작동을 조절하여 로터미터(28)가 지시한 소정의 공급 가스 유속을 유지하는 것과 같이 조절이 가능하다. 공급 가스를 증기 발생기에 공급하는 단계에서, 공급 가스를 증기 발생기에 공급하기 전에 공급 가스의 압력을 조절하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 방법은 또한, 증기 발생기가 수용하고 있는 소스 액체에 대한 공급 가스의 흐름 방향을 조절하는 단계를 포함한다. 이 방향 조절 단계는 공급 가스가 액체와 상호 반응할 수 있도록 수행된다. 이는, 공급 가스의 흐름을 나선상 경로를 따라 소스 액체의 표면을 지나도록 하여 증기 형성이 수월하도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 공정은 또한, 증기 발생기 내의 소스 액체 수위를 조절하여 소정의 액체 원료 수위가 되도록 하는 단계를 포함한다. 이 단계는 증기 발생기가 공급 가스 디렉터(30)와 같은 공급 가스 디렉터를 사용하는 경우 특히 유용하다. 공급 가스 디렉터(30)는 상기에 설명한 나선상 유로나 다른 유로를 이용하는 것과 같이 액체 표면에 대하여 연장된 액체의 상면에 인접한 유로를 정의한다.
또한, 발생 단계는 가열 장치(161, 261)를 사용하여 단일 증기 발생기나 복수개의 증기 발생기를 가열시켜 수용하는 것이 바람직하다. 온도는 보통 10 내지 200 ℃, 보다 바람직하게는 20 내지 100 ℃이다. 특정 온도 범위는 소스 액체에 따라 달라질 수 있다.
본 발명에 따른 바람직한 방법은 또한 한 가지 이상의 증기 발생기 유출물을 건조시켜 증발에 의해 유출물의 포화도를 낮추는 것을 포함한다. 건조 단계에서, 증기 발생기 유출물을 수용기 내부를 통과시킨 후, 유출물에 대하여 냉각 단계를 수행한다. 이와 같은 냉각 단계는 응축 작용을 하여 유출물로부터 증기 소스 액체를 원하는 만큼 제거할 수 있다. 또한, 발생기로부터 나오는 증기 혼합물의 포화도를 원하는 수준으로 조절할 수 있다.
혼합 단계도 증기 발생기(120, 220)나 그 이상의 발생기와 같은 다중 증기 발생기로부터 유출되는 다중 증기 혼합물을 이용하여 혼합 단계를 수행하였다. 복수개의 증기를 혼합하여 희석 가스원이나 희석 가스를 단계적으로 혼합할 수 있을 것이다. 도 2에 따른 일실시예에서, 시스템은 동시에 두 개의 증기 발생기로부터 증기 발생기 유출물을 혼합하고 희석 가스 공급 장치를 통해서는 희석 가스를 공급하였다.
증기 혼합물은 특정 화학물이나 적용되는 처리 요건에 알맞도록 여러가지 비례 방식으로 혼합이 가능하다. 실리콘 웨이퍼, HF, 물 및 이소프로필 알코올의 화학에 있어서, 분당 1 내지 10 리터(lps)의 증기 유속이 적당하다. 처리실로 흐르는 처리 증기의 이동 유속은 처리실의 부피, 처리되는 웨이퍼나 다른 물건의 수, 그리고 시스템의 다른 파라미터에 의해 달라진다. 수용성 불화수소와 알코올의 상대적인 유속은 1:10 내지 10:1이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 1:4 내지 4:1, 보다 더욱 바람직하게는 1:2 내지 2:1이다.
본 발명에 따른 방법은 또한, 처리실 혼합물이나 증기 혼합물을 처리실로 공급하는 단계를 포함한다. 이 공급 단계는 처리실이 실질적으로 밀폐된 상태인 동안 수행하는 것이 바람직하다.
처리 방법은 또한, 처리실을 통풍하여 처리실 혼합물이 처리실을 가압하지 않고 내부로 흐를 수 있도록 하는 단계를 포함한다. 이는 통풍기(19, 119)를 이용하여 수행된다.
본 발명에 따른 방법은 또한 반도체 웨이퍼나 기타 처리 대상을 처리실 내에서 회전시키는 단계를 포함한다. 이는, 회전자(13)를 통하여 수행하고, 노즐(18)을 통하여 처리실 혼합물을 동시에 제공하는 동안 웨이퍼를 지지한다. 회전 속도는 대략 10 내지 1,000 rpm이고, 보다 바람직하게는 100 내지 500 rpm이다.
처리 공정은 또한 처리실 내의 여러 지점에서 복수개의 노즐을 통하여 배출되는 처리 혼합물의 흐름 방향을 조절하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 처리는 또한, 반도체를 충분한 시간 동안 처리하여 소정량의 물질을 식각하거나 기타 반도체를 제거하는 것을 포함한다. 식각 시간은 대략 1 내지 100 분이고 더욱 바람직하게는 2 내지 60 분이다.
(실시예 1)
도 1에 나타낸 것과 동일한 처리 시스템에서 처리 공정을 수행한다. 원심 반도체 처리기를 사용하여 웨이퍼를 고정시키고 밀폐된 처리실을 형성한다. 처리기는 불화수소 수용성 혼합물로 처리하도록 고안된 것이다. 증기 발생기를 a) 수용성 불화수소(HF 49 부피%, 물 51 부피%)와 b) 이소프로필 알코올을 1:1의 비율로 혼합한 혼합물로 채운다. 증기 발생기 공급 가스로는 1평방 인치 게이지 압력(psig) 당 10 파운드의 압력에서 분당 20 리터(lpm)의 공급 속도로 질소 가스를 사용한다. 공급 가스를 도 3에 나타낸 것과 동일한 공급 가스 디렉터하에 액체원의 표면 상에 송풍한다. 혼합물을 약 15 lpm의 부가 질소 가스와 증기 발생기 내에서 혼합시켜 혼합물을 희석한다. 희석 가스는 약 10 psig의 압력하에 공급한다.
처리기 회전자를 3분 0초 동안 400 rpm의 회전 속도로 회전시킨다. 실리콘 웨이퍼를 설명한 바와 같이 처리하여 평균 67Å의 산화물을 제거한다. 제거 속도는 분당 약 22Å이다. 직경 0.2 마이크론 이상의 입자를 측정하는 ESTEK CR-80 입자 측정 장치를 사용하여 처리 전후에 입자를 측정한다. 전처리 입자 계수는 18이고, 후처리 입자 계수는 27이다. 이로써, 웨이퍼 당 평균 9개 입자가 결착한다. 측정된 입자의 크기는 0.2 마이크론 이상이다.
(실시예 2)
도 2에 나타낸 것과 동일한 처리 시스템에서 처리 공정을 수행한다. 제 1 증기 발생기를 아조트로프 수용성 불화수소(HF 38.4 부피%, 물 61.6 부피%)로 채우고, 제 2 증기 발생기를 이소프로필 알코올로 채운다. 증기 발생기 공급 가스로는 질소 가스를 사용한다. 제 1 증기 발생기로의 공급 속도는 분당 20 리터이고, 제 2 증기 발생기로의 공급 속도는 10 lpm이다. 공급 압력은 모두 10 psig이다. 공급 가스를 도 3에 나타낸 것과 동일한 공급 가스 디렉터하에 액체원의 표면 상에 송풍한다.
희석 가스를 부가 질소 가스의 약 10 lpm 속도로 증기 발생기 방출흐름과 혼합하여 공급한다. 희석 가스는 약 10 psig의 압력하에 공급한다.
처리기 회전자를 3분 0초 동안 300 rpm의 회전 속도로 회전시킨다. 실리콘 웨이퍼를 설명한 바와 같이 처리하여 평균 98Å의 산화물을 제거한다. 제거 속도는 분당 약 33Å이다. 직경 0.2 마이크론 이상의 입자를 측정하는 ESTEK CR-80 입자 측정 장치를 사용하여 처리 전후에 입자를 측정한다. 전처리 입자 계수는 평균 46이고, 후처리 입자 계수는 평균 54이다. 이로써, 웨이퍼 당 평균 8개의 입자가 결착한다.
(실시예 3)
도 2에 나타낸 것과 동일한 처리 시스템에서 처리 공정을 수행한다. 제 1 증기 발생기를 아조트로프 수용성 불화수소(HF 38.4 부피%, 물 61.6 부피%)로 채우고, 제 2 증기 발생기를 이소프로필 알코올로 채운다. 제 1 증기 발생기로의 공급 속도는 분당 25 리터이고, 제 2 증기 발생기로의 공급 속도는 0 lpm이다. 이소프로필 알코올은 본 발명의 바람직한 과정에서 용매를 사용하는 이점을 증명하기 위하여 사용되지 않는다. 이를 제외하고는 실시예 2와 동일하게 처리한다.
희석 가스를 부가 질소 가스의 약 20 lpm 속도로 증기 발생기 방출흐름과 혼합하여 공급한다. 희석 가스는 약 10 psig의 압력하에 공급한다.
처리기 회전자를 3분 0초 동안 300 rpm의 회전 속도로 회전시킨다. 실리콘 웨이퍼를 설명한 바와 같이 처리하여 평균 143Å의 산화물을 제거한다. 제거 속도는 분당 약 46Å이다. 직경 0.2 마이크론 이상의 입자를 측정하는 ESTEK CR-80 입자 측정 장치를 사용하여 처리 전후에 입자를 측정한다. 전처리 입자 계수는 평균 37이고, 후처리 입자 계수는 평균 2364이다. 이로써, 웨이퍼 당 평균 2327개의 입자가 결착한다.
이로부터, 식각 증기와 함께 유기 용매 증기를 사용하는 본 발명에 따른 처리 공정의 이점을 알 수 있다.
(실시예 4)
도 2에 나타낸 것과 동일한 처리 시스템에서 처리 공정을 수행한다. 제 1 증기 발생기를 아조트로프 수용성 불화수소(HF 38.4 부피%, 물 61.6 부피%)로 채우고, 제 2 증기 발생기를 이소프로필 알코올로 채운다. 증기 발생기 공급 가스로는 질소 가스를 사용한다. 제 1 증기 발생기로의 공급 속도는 분당 20 리터이고, 제 2 증기 발생기로의 공급 속도는 20 lpm이다. 공급 압력은 모두 10 psig이다. 공급 가스를 도 3에 나타낸 것과 동일한 공급 가스 디렉터하에 액체원의 표면 상에 송풍한다.
희석 가스를 부가 질소 가스의 약 25 lpm 속도로 증기 발생기 방출흐름과 혼합하여 공급한다. 희석 가스는 약 10 psig의 압력하에 공급한다.
처리기 회전자를 60분 0초 동안 50 rpm의 회전 속도로 회전시킨다. 실리콘 웨이퍼를 설명한 바와 같이 처리하여 평균 482Å의 산화물을 제거한다. 제거 속도는 분당 약 8Å이다. 직경 0.2 마이크론 이상의 입자를 측정하는 ESTEK CR-80 입자 측정 장치를 사용하여 처리 전후에 입자를 측정한다. 전처리 입자 계수는 평균 6이고, 후처리 입자 계수는 평균 21이다. 이로써, 웨이퍼 당 평균 15개의 입자가 결착한다.
본 발명에 따른 장치와 공정에 의해 수용성 불소화수소, 비수용성 용매, 그리고 기타 처리 구성물에 희석 가스를 첨가시킨 혼합물과 같은 증기상 혼합물을 이용하여 반도체 물질을 처리할 수 있다.
Claims (140)
- 처리실을 정의하는 처리 용기와;증기 혼합물을 생성하는데 사용되는 소스 액체를 제공하기 위한 적어도 한 가지 액체원과;증기 발생기 증발실과, 적어도 한가지 액체원으로부터 증발실로 소정량의 소스 액체를 공급하기 위한 소스 액체 계량 공급 장치와, 그리고 적어도 한 가지의 공급 가스 소정량을 증기 발생기에 공급하여 증발실에서 혼합시키기 위한 증기 발생기 공급 가스 공급 장치를 구비하는 적어도 한 개의 증기 발생기와;적어도 한 개의 증기 발생기와 연통하여 적어도 한 개의 처리실 증기 공급장치에 공급되는 처리실 증기 혼합물을 생성하기 위해 적어도 한 가지 증기 발생기의 유출물을 다른 성분과 함께 혼합하기 위한 적어도 한 개의 증기 혼합기와;적어도 한 개의 증기 발생기와 연통하여 적어도 한 가지 증기 발생기로부터 나오는 유출물을 수용하는 적어도 한 개의 처리실 증기 공급 장치(여기서, 적어도 한 개의 처리실 증기 공급장치가 처리실 증기 혼합물을 처리실로 공급한다.)를 포함하는 증기 혼합물을 이용하여 반도체를 처리하기 위한 처리 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 소스 액체 계량 공급 장치가 계량 펌프를 포함하는 처리 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 소스 액체 계량 공급 장치가 양수 배기 계량 펌프(positive displacement metering pump)인 계량 펌프를 포함하는 처리 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 소스 액체 계량 공급 장치가 계량 펌프로부터 실제로 이동한 액체량을 감지 제어하는 양수 배기 계량 펌프인 계량 펌프를 포함하는 처리 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 처리실로 공급된 처리실 증기 혼합물을 희석 가스와 혼합하기 위하여 연결되는 적어도 한 개의 희석 가스 공급 장치를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기와 연통되어 증기 발생기 유출물을 다른 구성성분과 혼합시켜서 적어도 한 개의 처리실 증기 공급 장치로부터 공급되는 처리실 증기 혼합물을 생성하기 위한 적어도 한 개의 증기 혼합기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 1 항에 있어서,복수개의 증기 발생기와; 그리고복수개의 증기 발생기와 연통하여 증기 발생기 유출물을 수용하여 혼합시켜 처리실 증기 혼합물을 생성하기 위한 적어도 한 개의 증기 혼합기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 1 항에 있어서,복수개의 증기 발생기와;복수개의 증기 발생기와 연통하여 증기 발생기 유출물을 수용하여 혼합시켜 처리실 증기 혼합물을 생성하기 위한 적어도 한 개의 증기 혼합기와; 그리고처리실로 공급되는 처리실 증기 혼합물을 희석 가스와 혼합하기 위하여 연결된 적어도 한 개의 희석 가스 공급 장치를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 복수개의 증기 발생기가 구비되는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 복수개의 증기 발생기를 구비하는 것을 특징으로 하고, 적어도 두 개의 증기 발생기가 화학적 구성이 서로 다른 복수의 원료 가스를 사용하여 형성된 증기 발생기 유출물을 생성하는 처리 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 처리실 증기 혼합물의 적어도 한 가지 성분을 가열하기 위한 적어도 한 개의 가열기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기를 통하여 처리실로 통과하는 가스를 가열하기 위한 적어도 한 개의 가열기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기를 통하여 처리실로 통과하는 공급 가스를 가열하기 위한 적어도 한 개의 가열기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 적어도 일부가 처리 용기 내에 설치되어 일렬의 반도체를 회전시키고, 작동 모드가 회전 모드일 때 처리실로 공급되는 처리실 증기 혼합물을 교반하기 위한 적어도 한 개의 회전자를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 처리실 증기 혼합물을 복수개의 노즐 위치에서 처리실 내부로 유입시키는 복수개의 처리실 증기 공급 장치를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기가 소스 액체를 적어도 한 가지 공급 가스와 혼합하기 위한 주입기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기가,소스 액체를 적어도 한 가지 공급 가스와 혼합하여 주입기 혼합물을 생성하기 위한 증발기 젯과;상기 증발기 젯으로부터 증발기 혼합물을 수용하고 증발기 혼합물 내에 함유된 소스 액체를 증발시키기 위한 증발 공간을 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기가,소스 액체를 적어도 한 가지 공급 가스와 혼합하여 증발기 혼합물을 생성하기 위한 증발기 젯과;증발기 젯으로부터 증발기 혼합물을 수용하고 증발기 혼합물 내에 함유된 소스 액체를 증발시키기 위한 증발 공간과;증발 공간으로부터 흘러나오는 액체에 영향을 미치는 위치에 설치되어 증기 발생기 유출물의 균질성을 향상시키기 위한 확산기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기가,소스 액체를 적어도 한 가지 공급 가스와 혼합하여 증발기 혼합물을 생성하기 위한 증발기 젯과;증발기 젯으로부터 증발기 혼합물을 수용하고 증발기 혼합물내에 함유된 소스 액체를 증발시키기 위한 증발 공간과; 그리고증발 공간으로부터 흘러나오는 액체를 억제하고 혼합시켜 증기 발생기 유출물의 균질성을 향상시키기 위한 복수개의 확산 통로를 갖는 확산기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 처리실을 규정하는 처리 용기와;증기 혼합물을 생성하는데 사용되는 소스 액체를 제공하기 위한 적어도 한 가지 액체원과;증기 발생기 공급 가스를 혼합하기 위한 공급 가스 소스와;증기 발생기 공급 가스와 소스 액체를 결합시켜 증기 소스 액체를 함유하는 증기 발생기 유출물을 생성하기 위한 수단을 구비하는 적어도 한 개의 증기 발생기와; 그리고적어도 한 개의 증기 발생기와 연통하여 적어도 한 가지 증기 발생기로부터 나오는 유출물을 수용하는 적어도 한 개의 처리실 증기 공급 장치(여기서, 적어도 한 개의 처리실 증기 공급장치가 처리실 증기 혼합물을 처리실로 공급한다.)를 포함하는 증기 혼합물을 이용하여 반도체를 처리하기 위한 처리 시스템.
- 제 20 항에 있어서, 처리실로 공급되는 처리실 증기 혼합물을 희석 가스와 혼합하기 위하여 연결된 적어도 한 개의 희석 가스 공급 장치를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 20 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기와 연통되어 증기 발생기 유출물을 다른 구성성분과 혼합시켜서 적어도 한 개의 처리실 증기 공급 장치로부터 공급되는 처리실 증기 혼합물을 생성하기 위한 적어도 한 개의 증기 혼합기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 20 항에 있어서,복수개의 증기 발생기와; 그리고복수개의 증기 발생기와 연통하여 증기 발생기 유출물을 수용하여 혼합시켜 처리실 증기 혼합물을 생성하기 위한 적어도 한 개의 증기 혼합기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 20 항에 있어서,복수개의 증기 발생기와;복수개의 증기 발생기와 연통하여 증기 발생기 유출물을 수용하여 혼합시켜 처리실 증기 혼합물을 생성하기 위한 적어도 한 개의 증기 혼합기와; 그리고처리실로 공급되는 처리실 증기 혼합물을 희석 가스와 혼합하기 위하여 연결된 적어도 한 개의 희석 가스 공급 장치를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 20 항에 있어서, 복수개의 증기 발생기가 구비되는 것을 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 20 항에 있어서, 복수개의 증기 발생기를 구비하는 것을 특징으로 하고, 적어도 두 개의 증기 발생기가 화학적 구성이 서로 다른 복수의 원료 가스를 사용하여 형성된 증기 발생기 유출물을 생성하는 처리 시스템.
- 제 20 항에 있어서, 처리실 증기 혼합물의 적어도 한 가지 성분을 가열하기 위한 적어도 한 개의 가열기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 20 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기를 통하여 처리실로 통과하는 가스를 가열하기 위한 적어도 한 개의 가열기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 20 항에 있어서, 적어도 한 가지 소스 액체를 가열하기 위한 적어도 한 개의 가열기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 20 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기를 통하여 처리실로 통과하는 공급 가스를 가열하기 위한 적어도 한 개의 가열기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 20 항에 있어서, 적어도 일부가 처리 용기 내에 설치되어 일렬의 반도체를 회전시키고, 작동 모드가 회전 모드일 때 처리실로 공급되는 처리실 증기 혼합물을 교반하기 위한 적어도 한 개의 회전자를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 20 항에 있어서, 처리실 증기 혼합물을 복수개의 노즐 위치에서 처리실 내부로 유입시키는 복수개의 처리실 증기 공급 장치를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 20 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기가 소스 액체를 적어도 한 가지 공급 가스와 혼합하기 위한 주입기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 20 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기가,소스 액체를 적어도 한 가지 공급 가스와 혼합하여 주입기 혼합물을 생성하기 위한 주입기와; 그리고주입기로부터 주입기 혼합물을 수용하고 주입기 혼합물 내에 함유된 소스 액체를 증발시키기 위한 증발 공간을 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 처리실을 규정하는 처리 용기와;처리실과 연통되어 처리실 증기 혼합물을 처리실로 공급하기 위한 적어도 한 개의 처리실 증기 공급 장치와;제 1 증기 발생기 유출물을 발생하기 위한 제 1 증기 발생기(여기서, 제 1 증기 발생기가 적어도 한 가지 공급 가스를 공급하는 공급 가스 공급 장치를 구비한다.)와;제 1 증기 발생기에 제 1 소스 액체를 공급하기 위한 제 1 액체원과;제 2 증기 발생기 유출물을 발생하기 위한 제 2 증기 발생기(여기서, 제 2 증기 발생기가 적어도 한 가지 공급 가스를 공급하는 공급 가스 공급 장치를 구비한다.)와;제 2 증기 발생기에 제 2 소스 액체를 공급하기 위한 제 2 액체원과;희석 가스를 공급하기 위한 적어도 한 개의 희석 가스 공급 장치와;제 1 및 제 2 증기 발생기와 연통되어 제 1 및 제 2 증기 발생기 유출물의 적어도 일부분을 혼합시키기 위한 적어도 한 개의 증기 혼합기(여기서, 적어도 한 개의 증기 혼합기가 적어도 한 개의 처리실 증기 공급 장치를 통하여 처리실에 공급되는 처리실 증기 혼합물을 생성하는 역할을 한다.)를 포함하는 증기 혼합물을 이용하여 반도체를 처리하기 위한 처리 시스템.
- 제 35 항에 있어서,제 1 또는 제 2 증기 발생기 중에서 적어도 하나의 일부를 형성하는 적어도 한 개의 증기 발생기 증발실과; 그리고제 1 또는 제 2 액체원 중에서 적어도 하나로부터 적어도 한 개의 증기 발생기 증발실로 소정량의 소스 액체를 공급하기 위한 적어도 한 개의 소스 액체 계량 공급 장치를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 35 항에 있어서,제 1 증기 발생기의 일부를 형성하는 제 1 증기 발생기 증발실과;제 1 액체원으로부터 제 1 증기 발생기 증발실로 소정량의 소스 액체를 공급하기 위한 제 1 소스 액체 계량 공급 장치와;제 2 증기 발생기의 일부를 형성하는 제 2 증기 발생기 증발실과; 그리고제 2 액체원으로부터 제 2 증기 발생기 증발실로 소정량의 소스 액체를 공급하기 위한 제 2 소스 액체 계량 공급 장치를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 35 항에 있어서, 제 1 또는 제 2 액체원 중에서 적어도 하나로부터 적어도 한 개의 증기 발생기 증발실로 소정량의 소스 액체를 공급하기 위한 적어도 한 개의 소스 액체 계량 공급 장치(여기서, 소스 액체 계량 공급 장치가 계량 펌프를 포함한다.)를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 35 항에 있어서, 제 1 또는 제 2 액체원 중에서 적어도 하나로부터 적어도 한 개의 증기 발생기 증발실로 소정량의 소스 액체를 공급하기 위한 적어도 한 개의 소스 액체 계량 공급 장치(여기서, 소스 액체 계량 공급 장치가 양수 배기 계량 펌프를 포함한다.)를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 35 항에 있어서, 제 1 또는 제 2 액체원 중에서 적어도 하나로부터 적어도 한 개의 증기 발생기 증발실로 소정량의 소스 액체를 공급하기 위한 적어도 한 개의 소스 액체 계량 공급 장치(여기서, 소스 액체 계량 공급 장치가 계량 펌프로부터 실제로 이동한 액체량을 감지 제어하는 양수 배기 계량 펌프인 계량 펌프를 포함한다.)를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 35 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 혼합기와 연통되어 처리실 증기 혼합물의 일부를 혼합 형성하는 희석 가스를 공급하는 적어도 한 개의 희석 가스 공급 장치를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 35 항에 있어서,제 1 증기 발생기의 일부를 형성하는 제 1 증기 발생기 증발실과;제 1 액체원으로부터 제 1 증기 발생기 증발실로 소정량의 제 1 소스 액체를 공급하기 위한 제 1 소스 액체 계량 공급 장치와;제 2 증기 발생기의 일부를 형성하는 제 2 증기 발생기 증발실과;제 2 액체원으로부터 제 2 증기 발생기 증발실로 소정량의 제 2 소스 액체를 공급하기 위한 제 2 소스 액체 계량 공급 장치와; 그리고적어도 한 개의 증기 혼합기와 연통되어 처리실 증기 혼합물의 일부를 혼합 형성하는 희석 가스를 공급하는 적어도 한 개의 희석 가스 공급 장치를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 35 항에 있어서, 처리실 증기 혼합물의 적어도 한 가지 성분을 가열하기 위한 적어도 한 개의 가열기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 35 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기를 통하여 처리실로 통과하는 가스를 가열하기 위한 적어도 한 개의 가열기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 35 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기를 통하여 처리실로 통과하는 공급 가스를 가열하기 위한 적어도 한 개의 가열기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 35 항에 있어서, 적어도 일부가 처리 용기 내에 설치되어 일렬의 반도체를 회전시키고, 작동 모드가 회전 모드일 때 처리실로 공급되는 처리실 증기 혼합물을 교반하기 위한 적어도 한 개의 회전자를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 35 항에 있어서, 처리실 증기 혼합물을 복수개의 노즐 위치에서 처리실 내부로 유입시키는 복수개의 처리실 증기 공급 장치를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 35 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기가 소스 액체를 적어도 한 가지 공급 가스와 혼합하기 위한 주입기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 35 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기가,소스 액체를 적어도 한 가지 공급 가스와 혼합하여 주입기 혼합물을 생성하기 위한 증발기 젯과; 그리고증발기 젯으로부터 증발기 혼합물을 수용하고 증발기 혼합물 내에 함유된 소스 액체를 증발시키기 위한 증발 공간을 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 35 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기가,소스 액체를 적어도 한 가지 공급 가스와 혼합하여 주입기 혼합물을 생성하기 위한 주입기와;증발기 겟으로부터 증발기 혼합물을 수용하고 증발기 혼합물 내에 함유된 소스 액체를 증발시키기 위한 증발 공간과; 그리고증발 공간으로부터 흘러나오는 액체에 영향을 미치는 위치에 설치되어 증기 발생기 유출물의 균질성을 향상시키기 위한 확산기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 35 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기가,소스 액체를 적어도 한 가지 공급 가스와 혼합하여 주입기 혼합물을 생성하기 위한 주입기와;증발기 젯으로부터 증발기 혼합물을 수용하고 증발기 혼합물 내에 함유된 소스 액체를 증발시키기 위한 증발 공간과; 그리고증발 공간으로부터 흘러나오는 액체를 억제하고 혼합시켜 증기 발생기 유출물의 균질성을 향상시키기 위한 복수개의 확산 통로를 갖는 확산기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 35 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 혼합기가 혼합실과 복수개의 혼합기 입력단을 구비하고, 혼합기 입력단이 혼합실과 연통되고, 혼합기 입력단이 수렴 입력 패턴으로 형성된 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 일련의 반도체를 처리 용기 내에 정의된 처리실로 위치시키는 단계와;공급 가스와 적어도 한가지 소스 액체를 결합시켜서 적어도 한 개의 증기 발생기로부터 증기 발생기 유출물을 발생시키는 단계와;처리실에 처리실 증기 혼합물을 공급하는 단계와;처리실 증기 혼합물의 존재하에 처리실 내의 일련의 반도체를 회전시키는 단계와; 그리고원하는 결과를 얻기 위하여 충분한 시간 동안 처리실 내의 반도체를 처리하는 단계를 포함하는 증기 혼합물을 이용하여 반도체를 처리하는 방법.
- 제 53 항에 있어서, 처리실 증기 혼합물 발생 단계에서, 적어도 한 개의 증기 발생기로 공급되는 공급 가스의 양을 제어하는 것을 포함하는 방법.
- 제 53 항에 있어서, 처리실 증기 혼합물 발생 단계에서, 적어도 한 개의 증기 발생기로 공급되는 소스 액체의 양을 제어하는 것을 포함하는 방법.
- 제 53 항에 있어서, 처리실 증기 혼합물 발생 단계에서,적어도 한 개의 증기 발생기로 공급되는 공급 가스의 유속을 제어하고; 그리고적어도 한 개의 증기 발생기로 공급되는 소스 액체의 유속을 제어하는 것을 포함하는 방법.
- 제 53 항에 있어서, 처리실 증기 혼합물 발생 단계에서, 증기 발생기 내부에 형성된 증발실에서 소스 액체의 흐름을 공급 가스의 흐름과 결합시키는 것을 포함하는 방법.
- 제 53 항에 있어서, 처리실 증기 혼합물 발생 단계에서,증기 발생기의 일부를 이루는 증발실 내에서 소스 액체의 흐름을 공급 가스의 흐름과 결합시키고;소스 액체의 흐름과 공급 가스의 흐름이 소스 액체가 증발된 소스 액체와 공급 가스의 혼합물을 형성하고; 그리고소스 액체와 공급 가스의 혼합물을 확산기를 통과시키는 것을 포함하는 방법.
- 제 53 항에 있어서, 복수개의 증기 발생기에서 나오는 증기 발생기 유출물을 발생시키는 단계와; 그리고증기 발생기 유출물을 혼합시켜 처리실 증기 혼합물의 적어도 일부를 형성하는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 53 항에 있어서, 서로 다른 처리 화학물질의 액체 혼합물인 소스 액체를 사용하여 적어도 한가지 증기 발생기 유출물을 발생시키는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 53 항에 있어서, 식각제와 적어도 한가지의 비수용성 용매를 포함하는 소스 액체를 사용하여 적어도 한가지 증기 발생기 유출물을 발생시키는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 53 항에 있어서, 식각제와 적어도 한가지의 유기 용매를 포함하는 소스 액체를 사용하여 적어도 한가지 증기 발생기 유출물을 발생시키는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 53 항에 있어서, 식각제와 적어도 한가지의 알코올을 포함하는 소스 액체를 사용하여 적어도 한가지 증기 발생기 유출물을 발생시키는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 53 항에 있어서, 적어도 한가지 증기 발생기 유출물을 희석 가스를 사용하여 희석시키는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 53 항에 있어서, 처리실 증기 혼합물의 적어도 한가지 성분을 가열하는 가열 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 닫힘으로써 밀폐된 처리실을 정의할 수 있는 처리 용기와;적어도 한 개의 증기 발생기(여기서, 적어도 한 개의 증기 발생기가 소스 액체를 담기 위한 액체실과, 적어도 한 가지의 공급 가스를 증기 발생기로 공급하기 위한 증기 발생기 공급 가스 공급 장치와; 증기 발생기 공급 가스 공급 장치와 연통되어 공급 가스가 액체실 내에 담긴 소스 액체와 원하는 반응을 하도록 흐름을 유도하는 공급 가스 디렉터와, 공급 가스가 소스 액체와 반응하여 발생되는 증기를 수용하기 위한 증기 수용기와, 그리고 증기 수용기와 연통되고, 증기 발생기로부터 증기 발생기 유출물이 배출되도록 하는 적어도 한 개의 증기 발생기 출력단을 구비한다.)와; 그리고적어도 한 개의 증기 발생기와 연통되어 적어도 한 가지의 증기 발생기 유출물을 수용하는 적어도 한 개의 처리실 증기 공급 장치(여기서, 처리실 증기 공급 장치가 처리실 증기 혼합물을 처리실로 공급하는 역할을 한다.)를 포함하는 증기 혼합물을 이용하여 반도체를 처리하기 위한 처리 시스템.
- 제 66 항에 있어서, 처리실로 공급되는 처리실 증기 혼합물을 희석 가스와 혼합하기 위한 적어도 한 개의 희석 가스 공급 장치를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 66 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기와 연통되어 적어도 한 가지의 증기 발생기 유출물을 혼합하여 처리실 증기 혼합물을 생성하기 위한 적어도 한 개의 증기 혼합기를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 66 항에 있어서,복수개의 증기 발생기와; 그리고복수개의 증기 발생기와 연통하여 증기 발생기 유출물을 수용하고, 여러 가지 증기 발생기 유출물을 혼합시켜 처리실 증기 혼합물을 생성하기 위한 적어도 한 개의 증기 혼합기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 66 항에 있어서, 복수개의 증기 발생기가 구비되는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 66 항에 있어서, 복수개의 증기 발생기를 구비하는 것을 특징으로 하고, 적어도 두 개의 증기 발생기가 화학적 구성이 서로 다른 증기 발생기 유출물을 발생시키는 처리 시스템.
- 제 66 항에 있어서, 적어도 한가지 증기 발생기 유출물을 불포화시키기 위한 적어도 한 개의 건조기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 66 항에 있어서, 적어도 한가지 증기 발생기 유출물을 불포화시키기 위한 적어도 한 개의 건조기(여기서, 건조기는 적어도 한 개의 증기 발생기를 냉각시키기 위한 적어도 한 개의 증기 발생기 냉각 장치를 구비한다.)를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 66 항에 있어서, 적어도 한가지 증기 발생기 유출물을 불포화시키기 위한 적어도 한 개의 건조기(여기서, 건조기는 적어도 한 개의 증기 발생기를 가열하기 위한 적어도 한 개의 증기 발생기 가열 장치를 구비한다.)를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 66 항에 있어서, 적어도 한가지 증기 발생기 유출물을 불포화시키기 위한 적어도 한 개의 건조기(여기서, 건조기는 적어도 한 개의 증기 발생기를 냉각시키기 위한 적어도 한 개의 증기 발생기 냉각 장치와, 적어도 한 개의 증기 발생기를 가열하기 위한 적어도 한 개의 증기 발생기 가열 장치를 구비한다.)를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 66 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기를 냉각하기 위한 적어도 한 개의 증기 발생기 냉각 장치를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 66 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기를 가열하기 위한 적어도 한 개의 증기 발생기 가열 장치를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 66 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기가 소스 액체에 인접한 적어도 한 가지의 공급 가스 흐름의 방향을 유도하기 위한 적어도 한 개의 배플을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 66 항에 있어서, 공급 가스 디렉터가 액체실로부터 증기 수용기로 증기의 흐름을 방해하기 위한 적어도 한 개의 배플을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 66 항에 있어서, 공급 가스 디렉터가 공급 가스의 나선형 유로를 정의하는 적어도 한 개의 배플을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 닫힘으로써 밀폐된 처리실을 정의할 수 있는 처리 용기와;밀폐된 처리실과 연통되어 처리실 증기 혼합물을 처리실로 공급하는 적어도 한 개의 처리실 증기 공급 장치와;적어도 한 가지의 증기 발생기 유출물을 발생하기 위한 적어도 한 개의 증기 발생기(여기서, 적어도 한 개의 증기 발생기가 적어도 한 가지의 공급 가스를 공급하는 적어도 한 개의 공급 가스 공급 장치를 구비하고, 적어도 한 가지의 증기 발생기 유출물이 적어도 한 가지의 공급 가스와, 불화수소와 물과 적어도 한 가지의 비수용성 용매의 혼합물의 증기를 포함한다.)와; 그리고적어도 한 개의 증기 발생기와 연통되어 적어도 한 가지의 증기 발생기 유출물을 혼합하여 적어도 한 개의 처리실 증기 공급 장치를 통하여 처리실로 공급되는 처리실 증기 혼합물을 생성하는 적어도 한 개의 증기 혼합기를 포함하는 증기 혼합물을 이용하여 반도체를 처리하기 위한 처리 시스템.
- 제 81 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 혼합기와 연통되어 희석 가스를 공급하여 처리실 증기 혼합물의 일부를 이루도록 하는 적어도 한 개의 희석 가스 공급 장치를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 81 항에 있어서, 여러 가지 증기 발생기 유출물을 발생시키는 복수개의 증기 발생기(여기서, 증기 발생기 유출물이 적어도 한 개의 증기 혼합기에 의해 혼합된다.)가 부가로 구비되는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 81 항에 있어서, 여러 가지 증기 발생기 유출물을 발생시키는 복수개의 증기 발생기(여기서, 증기 발생기 유출물이 적어도 한 개의 증기 혼합기에 의해 혼합된다.)와; 그리고 적어도 한 개의 증기 혼합기와 연통되어 희석 가스를 공급하여 처리실 증기 혼합물의 일부를 이루도록 하는 적어도 한 개의 희석 가스 공급 장치를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 81 항에 있어서, 적어도 한가지 증기 발생기 유출물을 불포화시키기 위한 적어도 한 개의 건조기를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 81 항에 있어서, 적어도 한가지 증기 발생기 유출물을 불포화시키기 위한 적어도 한 개의 건조기(여기서, 건조기는 적어도 한 개의 증기 발생기를 냉각시키기 위한 적어도 한 개의 증기 발생기 냉각 장치를 구비한다.)를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 81 항에 있어서, 적어도 한가지 증기 발생기 유출물을 불포화시키기 위한 적어도 한 개의 건조기(여기서, 건조기는 적어도 한 개의 증기 발생기를 가열하기 위한 적어도 한 개의 증기 발생기 가열 장치를 구비한다.)를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 81 항에 있어서, 적어도 한가지 증기 발생기 유출물을 불포화시키기 위한 적어도 한 개의 건조기(여기서, 건조기는 적어도 한 개의 증기 발생기를 냉각시키기 위한 적어도 한 개의 증기 발생기 냉각 장치와, 적어도 한 개의 증기 발생기를 가열하기 위한 적어도 한 개의 증기 발생기 가열 장치를 구비한다.)를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 81 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기를 냉각하기 위한 적어도 한 개의 증기 발생기 냉각 장치를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 81 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기를 가열하기 위한 적어도 한 개의 증기 발생기 가열 장치를 부가로 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 81 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기가 소스 액체에 인접한 적어도 한 가지의 공급 가스 흐름의 방향을 유도하기 위한 적어도 한 개의 배플을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 81 항에 있어서, 공급 가스 디렉터가 액체실로부터 증기 수용기로 증기의 흐름을 방해하기 위한 적어도 한 개의 배플을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 제 81 항에 있어서, 공급 가스 디렉터가 공급 가스의 나선형 유로를 정의하는 적어도 한 개의 배플을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
- 발생기 공급 가스와 적어도 한 개의 증기 발생기에 담긴 적어도 한 가지의 소스 액체를 이용하여 적어도 한 개의 증기 발생기로부터 적어도 한 가지의 증기 발생기 유출물을 발생시키는 단계와;희석 가스를 증기 발생기로부터 유출되는 증기 발생기 유출물에 혼입시켜 적어도 한 가지의 증기 발생기 유출물을 희석함으로써 처리실 혼합물을 얻는 단계와;처리실 혼합물을 밀폐시킨 처리실로 공급하는 단계와; 그리고처리실 혼합물을 사용하여 처리실 내부의 반도체를 처리하는 단계를 포함하는 반도체로부터 물질을 제거하기 위한 반도체 처리 방법.
- 제 94 항에 있어서, 식각제와 적어도 한가지의 비수용성 용매를 포함하는 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물을 발생시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 94 항에 있어서, 식각제와 적어도 한가지의 유기 용매를 포함하는 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물을 발생시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 94 항에 있어서, 식각제와 적어도 한가지의 알코올을 포함하는 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물을 발생시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 94 항에 있어서, 식각제와 적어도 한가지의 지방족 알코올을 포함하는 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물을 발생시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 94 항에 있어서, 식각제와 적어도 한가지의 알코올을 포함하는 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물을 발생시키고, 알코올이 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올, 부탄올, 프로판올 그리고 n-프로판올 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 94 항에 있어서, 수용성 불화수소를 함유한 식각제와 적어도 한가지의 유기 용매를 포함하는 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물을 발생시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 94 항에 있어서, 수용성 불화수소를 함유한 식각제와 적어도 한가지의 알코올을 포함하는 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물을 발생시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 94 항에 있어서, 수용성 불화수소를 함유한 식각제와 적어도 한가지의 알코올을 포함하는 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물을 발생시키고, 알코올이 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올, 부탄올, 프로판올 그리고 n-프로판올 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 94 항에 있어서, 증기 발생기 유출물 발생 단계와 처리실 혼합물의 공급 단계 사이에 건조 단계를 부가하여 처리실로 흘러드는 혼합물의 포화도를 줄이는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 94 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기로부터 유출되는 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물을 건조시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 94 항에 있어서, 여러 가지 증기 발생기 유출물을 발생시키고 결합시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 94 항에 있어서, 여러 가지 증기 발생기 유출물을 발생시키고 혼합시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 94 항에 있어서, 여러 가지 증기 발생기 유출물을 발생시키고 이를 희석 가스와 혼합시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 94 항에 있어서, 처리실 혼합물의 공급 단계 이전에 여러 가지 증기 발생기 유출물을 발생시키고 결합시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 발생기 공급 가스와 적어도 한 개의 증기 발생기에 담긴 적어도 한 가지의 소스 액체를 이용하여 적어도 한 개의 증기 발생기로부터 적어도 한 가지의 증기 발생기 유출물을 발생시키고, 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물을 이용하여 적어도 부분적으로 구성되는 처리실 혼합물 내에 수용성 식각제와 적어도 한가지의 비수용성 용매를 포함하도록 증기 발생기 유출물을 발생하는 단계와;실질적으로 밀폐되도록 조절할 수 있는 처리실로 처리실 혼합물을 공급하는 단계와; 그리고처리실 혼합물을 사용하여 처리실 내부의 반도체를 처리하는 단계를 포함하는 반도체로부터 물질을 제거하기 위한 반도체 처리 방법.
- 제 109 항에 있어서, 적어도 한 가지의 유기 용매를 포함하는 적어도 한 가지의 증기 발생기 유출물을 발생시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 109 항에 있어서, 적어도 한 가지의 알코올을 포함하는 적어도 한 가지의 증기 발생기 유출물을 발생시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 109 항에 있어서, 적어도 한 가지의 지방족 알코올을 포함하는 적어도 한 가지의 증기 발생기 혼합물을 발생시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 109 항에 있어서, 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올, 부탄올, 프로판올 그리고 n-프로판올 중에서 선택한 적어도 한 가지의 알코올을 포함하는 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물을 발생시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 109 항에 있어서, 수용성 불화수소와 적어도 한가지의 유기 용매를 포함하는 적어도 한 가지의 증기 발생기 혼합물을 발생시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 109 항에 있어서, 수용성 불화수소와, 적어도 한가지의 알코올을 포함하는 적어도 한 가지의 증기 발생기 유출물을 발생시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 109 항에 있어서, 수용성 불화수소와, 적어도 한가지의 지방족 알코올을 포함하는 적어도 한 가지의 증기 발생기 유출물을 발생시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 109 항에 있어서, 수용성 불화수소와, 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올, 부탄올, 프로판올 그리고 n-프로판올 중에서 선택한 적어도 한 가지의 알코올을 포함하는 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물을 발생시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 109 항에 있어서, 증기 발생기 유출물 발생 단계와 처리실 혼합물의 공급 단계 사이에 건조 단계를 부가하여 처리실로 흘러드는 혼합물의 포화의 위험을 줄이는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 109 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기로부터 유출되는 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물을 건조시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 109 항에 있어서, 여러 가지 증기 발생기 유출물을 발생시키고 결합시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 109 항에 있어서, 여러 가지 증기 발생기 유출물을 발생시키고 혼합시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 109 항에 있어서, 여러 가지 증기 발생기 유출물을 발생시키고 이를 희석 가스와 혼합시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 109 항에 있어서, 처리실 혼합물의 공급 단계 이전에 여러 가지 증기 발생기 유출물을 발생시키고 결합시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 적어도 한 가지의 발생기 공급 가스와 복수개의 증기 발생기에 담긴 여러 가지 소스 액체를 이용하여 복수개의 증기 발생기로부터 여러 가지 증기 발생기 유출물을 발생시키는 단계와;여러가지 처리실 증기 혼합물을 혼합하여 처리실 혼합물을 형성하는 단계와;처리실 혼합물의 일부가 되기 위해 공급되는 희석 가스를 사용하여 희석하는 단계와;처리실 혼합물을 실질적으로 밀폐시킨 처리실로 공급하는 단계와; 그리고처리실 혼합물을 이용하여 처리실 내의 반도체를 처리하는 단계를 포함하는 반도체로부터 물질을 제거하기 위한 반도체 처리 방법.
- 제 124 항에 있어서, 희석 가스를 유입시켜서 처리실 혼합물의 일부를 이루도록 하는 희석 단계를 부가로 포함하는 방법.
- 제 124 항에 있어서, 증기 발생기 유출물 발생 단계에서,식각제를 포함하는 적어도 한가지의 식각 증기를 발생하고; 그리고용매를 포함하는 적어도 한가지의 용매 증기를 발생하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 124 항에 있어서, 증기 발생기 유출물 발생 단계에서,식각제를 포함하는 적어도 한가지의 식각 증기를 발생하고; 그리고유기 용매를 포함하는 적어도 한가지의 용매 증기를 발생하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 124 항에 있어서, 증기 발생기 유출물 발생 단계에서,식각제를 포함하는 적어도 한가지의 식각 증기를 발생하고; 그리고알코올을 포함하는 적어도 한가지의 용매 증기를 발생하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 124 항에 있어서, 증기 발생기 유출물 발생 단계에서,식각제를 포함하는 적어도 한가지의 식각 증기를 발생하고; 그리고메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올, 부탄올, n-프로판올 중에서 선택한 알코올을 포함하는 적어도 한가지의 용매 증기를 발생하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 124 항에 있어서, 증기 발생기 유출물 발생 단계에서,수용성 불화수소로 이루어진 식각제를 포함하는 적어도 한가지의 식각 증기를 발생하고; 그리고용매를 포함하는 적어도 한가지의 용매 증기를 발생하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 124 항에 있어서, 증기 발생기 유출물 발생 단계에서,수용성 불화수소로 이루어진 식각제를 포함하는 적어도 한가지의 식각 증기를 발생하고; 그리고유기 용매를 포함하는 적어도 한가지의 용매 증기를 발생하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 124 항에 있어서, 증기 발생기 유출물 발생 단계에서,수용성 불화수소로 이루어진 식각제를 포함하는 적어도 한가지의 식각 증기를 발생하고; 그리고알코올을 포함하는 적어도 한가지의 용매 증기를 발생하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 124 항에 있어서, 증기 발생기 유출물 발생 단계에서,수용성 불화수소로 이루어진 식각제를 포함하는 적어도 한가지의 식각 증기를 발생하고; 그리고메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올, 부탄올, n-프로판올 중에서 선택한 알코올을 포함하는 적어도 한가지의 용매 증기를 발생하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 124 항에 있어서, 증기 발생기 유출물 발생 단계와 처리실 혼합물의 공급 단계 사이에 건조 단계를 부가하여 처리실로 흘러드는 처리실 혼합물의 포화 위험을 줄이는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 124 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기로부터 유출되는 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물을 건조시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 증기 발생기 공급 가스와 적어도 한 가지의 증기 발생기에 담긴 적어도 한가지의 소스 액체를 이용하여 적어도 한개의 증기 발생기로부터 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물을 발생시키는 단계와;처리실로 흘러드는 처리실 혼합물 내의 포화도를 줄이기 위하여 건조시키는 단계와;처리실 혼합물을 실질적으로 밀폐시킨 처리실로 공급하는 단계와; 그리고처리실 혼합물을 이용하여 처리실 내의 반도체를 처리하는 단계를 포함하는 반도체로부터 물질을 제거하기 위한 반도체 처리 방법.
- 제 136 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기로부터 유출되는 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물에 건조 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 136 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기로부터 유출되는 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물을 냉각시켜서 건조 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 136 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기를 가열시켜서 건조 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 136 항에 있어서, 적어도 한 개의 증기 발생기로부터 유출되는 적어도 한가지의 증기 발생기 유출물을 냉각시키고; 적어도 한 개의 증기 발생기를 가열시켜서 건조 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
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