DE19927527B4 - Verfahren zur naßchemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur naßchemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe in einem Behälter, bei dem die Halbleiterscheibe mit einer Flüssigkeit in Kontakt gebracht wird, in der sehr kleine Gasbläschen dispergiert sind, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Kreisläufe zum Transport der Flüssigkeit eingerichtet werden, der erste Kreislauf zwischen einem Vorratstank und dem Behälter, um die Flüssigkeit vom Vorratstank in den Behälter zu transportieren, und der zweite Kreislauf vom Vorratstank in den Vorratstank zurück, um die Flüssigkeit auf dem Weg zurück in den Vorratstank mit einem Gas anzureichern, so daß die Gasbläschen entstehen können.

Description

  • Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur naßchemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe in einem Behälter, bei dem die Halbleiterscheibe mit einer Flüssigkeit in Kontakt gebracht wird, in der sehr kleine Gasbläschen dispergiert sind.
  • Bei der naßchemischen Behandlung von Halbleiterscheiben mit einer Flüssigkeit ist in der Regel das Erfordernis zu erfüllen, daß die Flüssigkeit gleichmäßig auf die Oberfläche der Halbleiterscheibe einwirkt. Dieses Erfordernis steht insbesondere beim naßchemischen Ätzen einer Halbleiterscheibe im Vordergrund. Da Halbleiterscheiben zweckmäßigerweise nicht einzeln, sondern im Paket (batch) geätzt werden, ist es schwierig, ein gleichmäßiges Einwirken des Ätzmittels an jedem Ort der Oberfläche der Halbleiterscheibe zu erreichen. Ein ungleichmäßiger Ätzabtrag wird beim Vergleich von Meßwerten, die die Ebenheit der Halbleiterscheibe beschreiben und die vor und nach dem Ätzen ermittelt werden, sofort offenkundig.
  • In der EP-625 795 B1 wird vorgeschlagen, Halbleiterscheiben mit einer Flüssigkeit anzuströmen, in der feinste Gasbläschen dispergiert sind. Zu diesem Zweck wird die Flüssigkeit vor dem Eintritt in eine Behandlungskammer intensiv mit einem Gas vermischt. Es hat sich gezeigt, daß es mit diesem Verfahren kaum möglich ist, die Konzentration der Gasbläschen über einen längeren Zeitraum konstant zu halten. Außerdem gelingt es mit diesem Verfahren nur unzureichend, den gewünschten laminaren Flüssigkeitsstrom in der Behandlungskammmer aufrecht zu erhalten.
  • In der US 5,674,410 ist ein Verfahren zur naßchemischen Behandlung von Halbleiterscheiben in einem Behälter offenbart, bei dem ein naßchemisches Medium mit einem Gas angereichert und in einen Vorratstank geleitet und anschließend vom Vorratstank in den Behälter befördert wird.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, Abhilfe zu schaffen und ein vorteilhafteres Verfahren bereitzustellen.
  • Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur naßchemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe in einem Behälter, bei dem die Halbleiterscheibe mit einer Flüssigkeit in Kontakt gebracht wird, in der sehr kleine Gasbläschen dispergiert sind, das dadurch gekennzeichnet ist, daß zwei Kreisläufe zum Transport der Flüssigkeit eingerichtet werden, der erste Kreislauf zwischen einem Vorratstank und dem Behälter, um die Flüssigkeit vom Vorratstank in den Behälter zu transportieren, und der zweite Kreislauf vom Vorratstank in den Vorratstank zurück, um die Flüssigkeit auf dem Weg zurück in den Vorratstank mit einem Gas zu versetzen, so daß die Gasbläschen entstehen können.
  • Das vorgeschlagene Verfahren hat den Vorteil, daß die naßchemische Behandlung einer Halbleiterscheibe vergleichmäßigt wird. Der Aufwand, bestehende Behandlungsvorrichtungen für das Verfahren tauglich zu machen, ist gering.
  • Es ist bevorzugt, die Gasbläschen auf die in der genannten Patentschrift beschriebene Weise mit Hilfe einer Förderpumpe zu erzeugen, indem die Förderpumpe die Flüssigkeit und das Gas ansaugt und das Gas in Form sehr kleiner Gasbläschen in der Flüssigkeit verteilt. Bevorzugte Förderpumpen sind Kreiselpumpen oder Axialpumpen.
  • Die Gasbläschen können jedoch auch durch Lösen des Gases unter Druck in der Flüssigkeit und Entspannen der unter Druck stehenden Flüssigkeit oder mit Hilfe statischer Mischer erzeugt werden.
  • Die Erfindung wird nachfolgend an einer Figur näher erläutert. Die Figur zeigt schematisch den Aufbau einer zur Durchführung des Verfahrens geeigneten Vorrichtung.
  • Das zur Behandlung der Halbleiterscheibe vorgesehene Medium befindet sich in einem Vorratstank 1. Es besteht aus einer Flüssigkeit, in der sehr kleine Gasbläschen homogen verteilt sind. Wasser oder bekannte wässerige Lösungen zum Reinigen von Halbleiterscheiben oder wässerige Ätzlösungen, insbesondere solche, die Fluorwasserstoff enthalten, sind die bevorzugt verwendeten Flüssigkeiten. Des weiteren ist es von Vorteil, der verwendeten Flüssigkeit ein Tensid zuzusetzten, vorzugsweise in einer Konzentration von 0,05 bis 1 Vol. %. Die Konzentration der Gasbläschen bleibt ungefähr konstant, da einem Abfluß von Behand lungsmedium aus dem Vorratstank ein Zustrom von an Gasbläschen verarmter Flüssigkeit und ein Zustrom von an Gasbläschen reicher Flüssigkeit in den Vorratstank gegenübersteht. Erfindungsgemäß wird ein Kreislauf bereitgestellt, in dem die Flüssigkeit vom Vorratstank 1 in diesen Vorratstank zurück zirkuliert. Auf dem Weg in den Vorratstank zurück wird die Flüssigkeit mit dem Gas angereichert. Gemäß der in der Figur dargestellten Ausführungsform der Erfindung geschieht dies mit Hilfe einer Förderpumpe 2, der ansaugseitig neben der Flüssigkeit auch das Gas 6, vorzugsweise Stickstoff zugeleitet wird. Selbstverständlich sind auch andere Gase einsetzbar wie beispielsweise Inertgase, Luft, Sauerstoff oder beliebige Mischungen der genannten Gase. Die aus der Förderpumpe austretende, mit kleinen Gasbläschen angereicherte Flüssigkeit gelangt über einen Wärmetauscher 3 in den Vorratstank 1 zurück. Zwischen dem Vorratstank und einem Behälter 4, in dem die naßchemische Behandlung einer oder mehrerer Halbleiterscheiben erfolgt, beispielsweise einem Becken, ist ein zweiter Kreislauf eingerichtet. Von einer Pumpe 5 angetrieben wird das Behandlungsmedium aus dem Vorratstank in den Behälter transportiert und gelangt als laminare Strömung von mit kleinsten Gasbläschen versetzter Flüssigkeit zur sich vorzugsweise langsam drehenden Halbleiterscheibe. Insbesondere dann, wenn mehrere Halbleiterscheiben gleichzeitig behandelt werden ist es von Vorteil, den Zustrom des Behandlungsmediums auf mindestens zwei Teilströme aufzuteilen. Der Rücklauf dieses Kreislaufs führt Flüssigkeit, die an Gasbläschen verarmt ist, in den Vorratstank zurück.
  • Der Vorteil des Verfahrens wird an nachfolgendem Beispiel, das einem Vergleichsbeispiel gegenübergestellt ist, deutlich.
  • Beispiel:
  • 25 Halbleiterscheiben aus Silicium wurden in einem Behälter mit einem wässerigen, saueren Ätzmittel auf die erfindungsgemäße Weise geätzt. Vor und nach der naßchemischen Behandlung wurde die Ebenheit der Halbleiterscheiben untersucht (GBIR-Wert = Maß für globale Ebenheit). In der nachfolgenden Tabelle sind die Messwerte angegeben, die eine Abweichung von einem optimalen Ätzergebnis anzeigen und damit den Erhalt der Form der Scheiben beim Ätzen widerspiegeln.
  • Vergleichsbeispiel:
  • Eine gleiche Anzahl gleichartiger Halbleiterscheiben wurde unter gleichen Bedingungen geätzt, wobei jedoch das Verfahren gemäß EP-625 795 B1 zur Anwendung kam.
  • Tabelle:
    Figure 00050001
  • Der Tabelle ist zu entnehmen, daß mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ein deutlich gleichmäßigerer Ätzabtrag zu erreichen war, da die Ebenheit der Halbleiterscheiben in geringerem Maße verändert wurde.

Claims (4)

  1. Verfahren zur naßchemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe in einem Behälter, bei dem die Halbleiterscheibe mit einer Flüssigkeit in Kontakt gebracht wird, in der sehr kleine Gasbläschen dispergiert sind, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Kreisläufe zum Transport der Flüssigkeit eingerichtet werden, der erste Kreislauf zwischen einem Vorratstank und dem Behälter, um die Flüssigkeit vom Vorratstank in den Behälter zu transportieren, und der zweite Kreislauf vom Vorratstank in den Vorratstank zurück, um die Flüssigkeit auf dem Weg zurück in den Vorratstank mit einem Gas anzureichern, so daß die Gasbläschen entstehen können.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas und die Flüssigkeit in einer Förderpumpe intensiv vermischt werden, so daß die Gasbläschen entstehen, und die Flüssigkeit mit den Gasbläschen in den Vorratstank geleitet wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas unter Druck in der Flüssigkeit gelöst wird, die Flüssigkeit mit dem gelösten Gas in den Vorratstank geleitet und entspannt wird, so daß die Gasbläschen entstehen.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas und die Flüssigkeit mit einem statischen Mischer gemischt werden, so daß die Gasbläschen entstehen, und die Flüssigkeit mit den Gasbläschen in den Vorratstank geleitet wird.
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