DE19927527A1 - Verfahren zur naßchemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe - Google Patents

Verfahren zur naßchemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe

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Abstract

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur naßchemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe in einem Behälter, bei dem die Halbleiterscheibe mit einer Flüssigkeit in Kontakt gebracht wird, in der sehr kleine Gasbläschen dispergiert sind. Zum Transport der Flüssigkeit werden zwei Kreisläufe eingerichtet, ein erster Kreislauf zwischen einem Vorratstank und dem Behälter, um die Flüssigkeit vom Vorratstank in den Behälter zu transportieren, und ein zweiter Kreislauf vom Vorratstank in den Vorratstank zurück, um die Flüssigkeit auf dem Weg zurück in den Vorratstank mit einem Gas anzureichern, so daß die Gasbläschen entstehen können.

Description

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur naßchemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe in einem Behälter, bei dem die Halbleiterscheibe mit einer Flüssigkeit in Kontakt gebracht wird, in der sehr kleine Gasbläschen dispergiert sind.
Bei der naßchemischen Behandlung von Halbleiterscheiben mit ei­ ner Flüssigkeit ist in der Regel das Erfordernis zu erfüllen, daß die Flüssigkeit gleichmäßig auf die Oberfläche der Halblei­ terscheibe einwirkt. Dieses Erfordernis steht insbesondere beim naßchemischen Ätzen einer Halbleiterscheibe im Vordergrund. Da Halbleiterscheiben zweckmäßigerweise nicht einzeln, sondern im Paket (batch) geätzt werden, ist es schwierig, ein gleichmäßi­ ges Einwirken des Ätzmittels an jedem Ort der Oberfläche der Halbleiterscheibe zu erreichen. Ein ungleichmäßiger Ätzabtrag wird beim Vergleich von Meßwerten, die die Ebenheit der Halb­ leiterscheibe beschreiben und die vor und nach dem Ätzen ermit­ telt werden, sofort offenkundig.
In der EP-625 795 B1 wird vorgeschlagen, Halbleiterscheiben mit einer Flüssigkeit anzuströmen, in der feinste Gasbläschen dis­ pergiert sind. Zu diesem Zweck wird die Flüssigkeit vor dem Eintritt in eine Behandlungskammer intensiv mit einem Gas ver­ mischt. Es hat sich gezeigt, daß es mit diesem Verfahren kaum möglich ist, die Konzentration der Gasbläschen über einen län­ geren Zeitraum konstant zu halten. Außerdem gelingt es mit die­ sem Verfahren nur unzureichend, den gewünschten laminaren Flüs­ sigkeitsstrom in der Behandlungskammmer aufrecht zu erhalten.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, Abhilfe zu schaffen und ein vorteilhafteres Verfahren bereitzustellen.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur naßchemischen. Behandlung einer Halbleiterscheibe in einem Behälter, bei dem die Halbleiterscheibe mit einer Flüssigkeit in Kontakt gebracht wird, in der sehr kleine Gasbläschen dispergiert sind, das da­ durch gekennzeichnet ist, daß zwei Kreisläufe zum Transport der Flüssigkeit eingerichtet werden, der erste Kreislauf zwischen einem Vorratstank und dem Behälter, um die Flüssigkeit vom Vor­ ratstank in den Behälter zu transportieren, und der zweite Kreislauf vom Vorratstank in den Vorratstank zurück, um die Flüssigkeit auf dem Weg zurück in den Vorratstank mit einem Gas zu versetzen, so daß die Gasbläschen entstehen können.
Das vorgeschlagene Verfahren hat den Vorteil, daß die naßchemi­ sche Behandlung einer Halbleiterscheibe vergleichmäßigt wird. Der Aufwand, bestehende Behandlungsvorrichtungen für das Ver­ fahren tauglich zu machen, ist gering.
Es ist bevorzugt, die Gasbläschen auf die in der genannten Pa­ tentschrift beschriebene Weise mit Hilfe einer Förderpumpe zu erzeugen, indem die Förderpumpe die Flüssigkeit und das Gas an­ saugt und das Gas in Form sehr kleiner Gasbläschen in der Flüs­ sigkeit verteilt. Bevorzugte Förderpumpen sind Kreiselpumpen oder Axialpumpen.
Die Gasbläschen können jedoch auch durch Lösen des Gases unter Druck in der Flüssigkeit und Entspannen der unter Druck stehen­ den Flüssigkeit oder mit Hilfe statischer Mischer erzeugt wer­ den.
Die Erfindung wird nachfolgend an einer Figur näher erläutert. Die Figur zeigt schematisch den Aufbau einer zur Durchführung des Verfahrens geeigneten Vorrichtung.
Das zur Behandlung der Halbleiterscheibe vorgesehene Medium be­ findet sich in einem Vorratstank 1. Es besteht aus einer Flüs­ sigkeit, in der sehr kleine Gasbläschen homogen verteilt sind. Wasser oder bekannte wässerige Lösungen zum Reinigen von Halb­ leiterscheiben oder wässerige Ätzlösungen, insbesondere solche, die Fluorwasserstoff enthalten, sind die bevorzugt verwendeten Flüssigkeiten. Des weiteren ist es von Vorteil, der verwendeten Flüssigkeit ein Tensid zuzusetzen, vorzugsweise in einer Kon­ zentration von 0,05 bis 1 Vol. %. Die Konzentration der Gas­ bläschen bleibt ungefähr konstant, da einem Abfluß von Behand­ lungsmedium aus dem Vorratstank ein Zustrom von an Gasbläschen verarmter Flüssigkeit und ein Zustrom von an Gasbläschen rei­ cher Flüssigkeit in den Vorratstank gegenübersteht. Erfindungs­ gemäß wird ein Kreislauf bereitgestellt, in dem die Flüssigkeit vom Vorratstank 1 in diesen Vorratstank zurück zirkuliert. Auf dem Weg in den Vorratstank zurück wird die Flüssigkeit mit dem Gas angereichert. Gemäß der in der Figur dargestellten Ausfüh­ rungsform der Erfindung geschieht dies mit Hilfe einer Förder­ pumpe 2, der ansaugseitig neben der Flüssigkeit auch das Gas 6, vorzugsweise Stickstoff zugeleitet wird. Selbstverständlich sind auch andere Gase einsetzbar wie beispielsweise Inertgase, Luft, Sauerstoff oder beliebige Mischungen der genannten Gase. Die aus der Förderpumpe austretende, mit kleinen Gasbläschen angereicherte Flüssigkeit gelangt über einen Wärmetauscher 3 in den Vorratstank 1 zurück. Zwischen dem Vorratstank und einem Behälter 4, in dem die naßchemische Behandlung einer oder meh­ rerer Halbleiterscheiben erfolgt, beispielsweise einem Becken, ist ein zweiter Kreislauf eingerichtet. Von einer Pumpe 5 ange­ trieben wird das Behandlungsmedium aus dem Vorratstank in den Behälter transportiert und gelangt als laminare Strömung von mit kleinsten Gasbläschen versetzter Flüssigkeit zur sich vor­ zugsweise langsam drehenden Halbleiterscheibe. Insbesondere dann, wenn mehrere Halbleiterscheiben gleichzeitig behandelt werden ist es von Vorteil, den Zustrom des Behandlungsmediums auf mindestens zwei Teilströme aufzuteilen. Der Rücklauf dieses Kreislaufs führt Flüssigkeit, die an Gasbläschen verarmt ist, in den Vorratstank zurück.
Der Vorteil des Verfahrens wird an nachfolgendem Beispiel, das einem Vergleichsbeispiel gegenübergestellt ist, deutlich.
Beispiel
25 Halbleiterscheiben aus Silicium wurden in einem Behälter mit einem wässerigen, saueren Ätzmittel auf die erfindungsgemäße Weise geätzt. Vor und nach der naßchemischen Behandlung wurde die Ebenheit der Halbleiterscheiben untersucht(GBIR-Wert = Maß für globale Ebenheit). In der nachfolgenden Tabelle sind die Messwerte angegeben, die eine Abweichung von einem optimalen Ätzergebnis anzeigen und damit den Erhalt der Form der Scheiben beim Ätzen widerspiegeln.
Vergleichsbeispiel
Eine gleiche Anzahl gleichartiger Halbleiterscheiben wurde un­ ter gleichen Bedingungen geätzt, wobei jedoch das Verfahren ge­ mäß EP-625 795 B1 zur Anwendung kam.
Tabelle
Der Tabelle ist zu entnehmen, daß mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ein deutlich gleichmäßigerer Ätzabtrag zu erreichen war, da die Ebenheit der Halbleiterscheiben in geringerem Maße verändert wurde.

Claims (4)

1. Verfahren zur naßchemischen Behandlung einer Halbleiter­ scheibe in einem Behälter, bei dem die Halbleiterscheibe mit einer Flüssigkeit in Kontakt gebracht wird, in der sehr kleine Gasbläschen dispergiert sind, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Kreisläufe zum Transport der Flüssigkeit eingerichtet werden, der erste Kreislauf zwischen einem Vorratstank und dem Behäl­ ter, um die Flüssigkeit vom Vorratstank in den Behälter zu transportieren, und der zweite Kreislauf vom Vorratstank in den Vorratstank zurück, um die Flüssigkeit auf dem Weg zurück in den Vorratstank mit einem Gas anzureichern, so daß die Gasbläs­ chen entstehen können.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas und die Flüssigkeit in einer Förderpumpe intensiv vermischt werden, so daß die Gasbläschen entstehen, und die Flüssigkeit mit den Gasbläschen in den Vorratstank geleitet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas unter Druck in der Flüssigkeit gelöst wird, die Flüssigkeit mit dem gelösten Gas in den Vorratstank geleitet und entspannt wird, so daß die Gasbläschen entstehen.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas und die Flüssigkeit mit einem statischen Mischer gemischt werden, so daß die Gasbläschen entstehen, und die Flüssigkeit mit den Gasbläschen in den Vorratstank geleitet wird.
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JP2000177062A JP3431578B2 (ja) 1999-06-16 2000-06-13 容器中の半導体ウェハを湿式化学エッチングするための方法

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6766818B2 (en) * 2001-04-06 2004-07-27 Akrion, Llc Chemical concentration control device
DE10248481B4 (de) * 2002-10-17 2006-04-27 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zur nasschemischen Behandlung von Silicium
US20040094268A1 (en) * 2002-11-20 2004-05-20 Brask Justin K. Oxidation inhibitor for wet etching processes
DE102005045339B4 (de) * 2005-09-22 2009-04-02 Siltronic Ag Epitaxierte Siliciumscheibe und Verfahren zur Herstellung von epitaxierten Siliciumscheiben
WO2011140472A2 (en) 2010-05-07 2011-11-10 Pressco Technology Inc. Corner-cube irradiation control
US8877075B2 (en) 2012-02-01 2014-11-04 Infineon Technologies Ag Apparatuses and methods for gas mixed liquid polishing, etching, and cleaning

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5340437A (en) * 1993-10-08 1994-08-23 Memc Electronic Materials, Inc. Process and apparatus for etching semiconductor wafers
EP0625795B1 (de) * 1993-05-13 1996-09-18 Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft Verfahren zur nasschemischen Behandlung von Werkstücken
US5674410A (en) * 1993-07-20 1997-10-07 Dainippon Screen Manufacturing Co., Ltd. Chemical agent producing device and method thereof

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3964957A (en) * 1973-12-19 1976-06-22 Monsanto Company Apparatus for processing semiconductor wafers
JPH0270076A (ja) * 1988-09-02 1990-03-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> エッチング方法及びそれに用いる装置
US5227010A (en) * 1991-04-03 1993-07-13 International Business Machines Corporation Regeneration of ferric chloride etchants
US5327921A (en) * 1992-03-05 1994-07-12 Tokyo Electron Limited Processing vessel for a wafer washing system
JPH05345173A (ja) * 1992-06-11 1993-12-27 Keihin Seiki Mfg Co Ltd ワークの洗浄方法及び洗浄装置
US5954888A (en) * 1998-02-09 1999-09-21 Speedfam Corporation Post-CMP wet-HF cleaning station
KR100265286B1 (ko) * 1998-04-20 2000-10-02 윤종용 반도체장치 제조용 케미컬 순환공급장치 및 이의 구동방법
US6017827A (en) * 1998-05-04 2000-01-25 Micron Technology, Inc. System and method for mixing a gas into a solvent used in semiconductor processing
US6220259B1 (en) * 1998-11-11 2001-04-24 Applied Materials, Inc. Tank design for sonic wafer cleaning

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0625795B1 (de) * 1993-05-13 1996-09-18 Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft Verfahren zur nasschemischen Behandlung von Werkstücken
US5674410A (en) * 1993-07-20 1997-10-07 Dainippon Screen Manufacturing Co., Ltd. Chemical agent producing device and method thereof
US5340437A (en) * 1993-10-08 1994-08-23 Memc Electronic Materials, Inc. Process and apparatus for etching semiconductor wafers

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JP3431578B2 (ja) 2003-07-28
DE19927527B4 (de) 2007-02-08
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US6610213B1 (en) 2003-08-26

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