DE19734485A1 - Reinigungsvorrichtung für eine Halbleitervorrichtung - Google Patents
Reinigungsvorrichtung für eine HalbleitervorrichtungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Reinigungs
vorrichtung für eine Halbleitervorrichtung und insbesondere
eine Reinigungsvorrichtung für eine Halbleitervorrichtung,
die die Gleichmäßigkeit der Waferätzrate durch das Verein
heitlichen des Sprühdrucks einer Reinigungslösungs-Sprühdüse
verbessern kann, um die Wafer, die in ein Bad eingetaucht
sind, zu reinigen.
Allgemein werden die Reinigungseffizienz feiner Muster eines
Wafers und seines peripheren Abschnitts und die Einheitlich
keit einer Naßreaktion in der Halbleitervorrichtungsindu
strie sehr wichtig, entsprechend der Durchmessererhöhung der
Wafer für die hohe Integration und die hohe Integration von
Chips, die ein Ergebnis der größenmäßigen Reduzierung von
Halbleiterbauelementen ist.
Daher ist eine Vielzahl von Hilfstechniken zur Verbesserung
der Naßreinigungseffizienz vorgesehen.
Eine herkömmliche Reinigungsvorrichtung für eine Halbleiter
vorrichtung umfaßt ein inneres Bad 12 zum Reinigen einer
Mehrzahl von Wafern 10, ein Reinigungslösungs-Zuführungsrohr
15, das an dem inneren Bad 12 angeordnet ist, um eine Reini
gungslösung zuzuführen, eine Reinigungslösungs-Sprühdüse 18,
die auf der Unterseite des Bads angebracht ist, um die Rei
nigungslösung durch eine Mehrzahl von Löchern, die auf der
Oberfläche derselben gebildet sind, zu sprühen, wobei eine
Seite der Düse mit dem Reinigungslösungs-Zuführungsrohr 15
verbunden ist, während die andere Seite der Düse abgedichtet
ist. Die Vorrichtung weist ferner ein Auslaßrohr 14 auf, das
unter dem Bad installiert ist, sowie ein äußeres Bad 13, in
das in dem inneren Bad 12 über laufende Reinigungslösung ent
leert wird.
Die folgende Beschreibung bezieht sich auf den Betrieb einer
herkömmlichen Reinigungsvorrichtung für eine Halbleitervor
richtung. Wenn eine Pumpe eingeschaltet wird, wird die Rei
nigungslösung, die zu dem Reinigungslösungs-Zuführungsrohr
15 geliefert wird, durch ein Filter gefiltert und fließt
dann in das innere Bad 12.
Wie in den Fig. 1A und 1B gezeigt ist, füllt die Reinigungs
lösung, die durch das Reinigungslösungs-Zuführungsrohr 15
zugeführt wird, das innere Bad 12 von der Mitte des Bodens
des inneren Bads 12 aus, oder wird durch die Reinigungslö
sungs-Sprühdüse 18, die mit dem einen Ende des Reinigungslö
sungs-Zuführungsrohrs 15 verbunden ist, zu dem unteren Rand
oder der Seite des Wafers 10 gesprüht.
Dies bedeutet, daß die Reinigungslösung, die durch das Rei
nigungslösungs-Versorgungsrohr 15, das im mittleren Bereich
des inneren Bads 12 angeordnet ist (Richtung A) oder durch
die Reinigungslösungs-Sprühdüse 18, die an der Unterseite
des inneren Bads 12 angeordnet und mit dem Reinigungslö
sungs-Zuführungsrohr 15, das an der Seite des inneren Bads
12 angeordnet ist, verbunden ist (Richtung B), in das innere
Bad fließt, zwischen den Wafern zirkuliert und dieselben
reinigt, wobei eine chemische Reaktion mit der Oberfläche
der Wafer stattfindet.
Ferner reinigt die Reinigungslösung, die durch mehrere Lö
cher 18-1 einer Größe, die mit einem bestimmten Abstand über
die Oberfläche der Reinigungslösungs-Sprühdüse 18 verteilt
sind, welche an der Unterseite des inneren Bads 12 angeord
net ist, in der Richtung der angesammelten Wafer in einer
Waferkassette 11 gesprüht wird, die Kanten und Seiten der
Wafer.
Wenn Reinigungslösung, die über einem spezifischen Wasser
stand in das innere Bad 12 fließt, in das äußere Bad 13
überläuft, wird dieselbe ferner durch das Auslaßrohr 14, das
an der Unterseite des äußeren Bads 13 angeordnet ist, aus
der Vorrichtung entleert, oder fließt durch eine Zirkula
tionsleitung, in der Unreinheiten gefiltert werden, in das
innere Bad 12 zurück, wobei die Zirkulationsleitung mit dem
Reinigungslösungs-Zuführungsrohr 15 verbunden ist.
Wie in Fig. 1D dargestellt ist, variiert jedoch der Sprüh
druck der Reinigungslösung-Sprühdüse 18, die bei einer her
kömmlichen Reinigungsvorrichtung die Reinigungslösung durch
eine Vielzahl von Löchern auf der Oberfläche der Düse zu den
Wafern 10 sprüht, entsprechend dem Ort der Düse.
Das heißt, daß die Abweichung der Reinigungslösungs-Sprüh
druckintensität von einer Seite der Reinigungslösungs-Sprüh
düse, an der die Reinigungslösung zugeführt wird, zu der an
deren abgedichteten Seite derselben zunimmt. Dies liegt an
den Gegendruckeinflüssen der abgedichteten zweiten Seite der
Düse.
Es existiert folglich ein Problem dahingehend, daß die ge
sammelten Wafer in der Waferkassette nicht einheitlich ge
reinigt werden.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine
Reinigungsvorrichtung für eine Halbleitervorrichtung zu
schaffen, die eine einheitliche Reinigung beispielsweise von
Wafern liefert.
Diese Aufgabe wird durch eine Reinigungsvorrichtung gemäß
den Ansprüchen 1, 4, 5 und 6 gelöst.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Reinigungs
vorrichtung für eine Halbleitervorrichtung, die im wesentli
chen eines oder mehrere der Probleme aufgrund der Begrenzun
gen und Nachteile der verwandten Technik beseitigt.
Diesbezüglich besteht ein Ziel der vorliegenden Erfindung
darin, eine Reinigungsvorrichtung für eine Halbleitervor
richtung zu schaffen, die die Reinigungsrate durch das ein
heitliche Sprühen einer Reinigungslösung auf den unteren
Rand oder die Seite von Wafern mittels einer Reinigungslö
sungs-Sprühdüse verbessert.
Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in
der folgenden Beschreibung dargelegt und werden aus der Be
schreibung oder das Durchführen der Erfindung offensicht
lich. Die Aufgaben sowie weitere Vorteile der Erfindung, die
durch die Struktur erhalten werden, die speziell in der Be
schreibung und den Ansprüchen hierin herausgestellt ist,
werden ebenso wie die beigefügten Zeichnungen offensicht
lich.
Gemäß der vorliegenden Erfindung besitzt eine Reinigungsvor
richtung für eine Halbleitervorrichtung, die ein Bad mit ei
ner Waferkassette, in der eine Mehrzahl von Wafern gesammelt
ist, ein Reinigungslösungs-Zuführungsrohr, das an dem unte
ren Abschnitt des Bads angeordnet ist, und eine Reinigungs
lösungs-Sprühdüse, deren eine Seite mit dem Reinigungslö
sungs-Zuführungsrohr verbunden ist, und deren andere Seite
abgedichtet ist, um die Reinigungslösung durch viele Löcher
auf der Oberfläche derselben zu sprühen, aufweist, eine Rei
nigungslösungs-Sprühdüse, bei der die Lochfläche von einer
Seite, durch die die Reinigungslösung fließt, zu der anderen
abgedichteten Seite der Düse abnimmt, wobei die Reinigungs
lösungs-Sprühdüse winklige Abschnitte aufweist, derart, daß
eine Seite, durch die die Reinigungslösung fließt, höher ist
als die andere abgedichtete Seite der Düse, oder wobei die
Reinigungslösungs-Sprühdüse eine Querschnittfläche aufweist,
die von der einen Seite, durch die die Reinigungslösung
fließt, zu der anderen abgedichteten Seite der Düse allmäh
lich abnimmt.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend bezugnehmend auf die bei liegenden Zeich
nungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1A eine rechtseitige Schnittansicht einer herkömmli
chen Reinigungsvorrichtung für eine Halbleitervor
richtung;
Fig. 1B eine Reinigungslösungs-Sprühdüse einer herkömmli
chen Reinigungsvorrichtung für eine Halbleitervor
richtung zum Sprühen einer Reinigungslösung;
Fig. 1C eine Querschnittansicht einer herkömmlichen Reini
gungsvorrichtung für eine Halbleitervorrichtung,
die einen Flußweg der Reinigungslösung zeigt;
Fig. 1D eine Intensität des Reinigungslösungs-Sprühdrucks
von einer Seite einer Reinigungslösungs-Sprühdüse,
in die die Reinigungslösung fließt, zu der anderen
abgedichteten Seite derselben, durch ein Loch auf
der Oberfläche der Reinigungslösungs-Sprühdüse ei
ner herkömmlichen Reinigungsvorrichtung für eine
Halbleitervorrichtung;
Fig. 2A bis 2F bevorzugte Ausführungsbeispiele einer Rei
nigungslösungs-Sprühdüse der vorliegenden Erfin
dung (Pfeile zeigen die Richtung des Reinigungslö
sungs-Flusses);
Fig. 2G zeigt die Intensität des Reinigungslösungs-Sprüh
drucks von einer Seite einer Reinigungslösungs-Sprühdüse,
in die die Reinigungslösung fließt, zu
der anderen abgedichteten Seite derselben, durch
ein Loch auf der Oberfläche der Reinigungslö
sungs-Sprühdüse der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 3 und 4 zeigen weitere Ausführungsbeispiele einer
Reinigungslösungs-Sprühdüse der vorliegenden Er
findung.
Wie in den Fig. 2A und 2B des ersten bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiels der vorliegenden Erfindung gezeigt ist, nimmt
die Lochfläche auf der Düse von einer Seite, durch die die
Reinigungslösung fließt, zu der anderen abgedichteten Seite
der Düse ab.
Um die Lochgröße zu verringern, wird der Lochdurchmesser von
der einen Seite, durch die die Reinigungslösung fließt, zu
der anderen abgedichteten Seite der Düse allmählich kleiner,
wie in Fig. 2A gezeigt ist, oder die Lochanzahl ist von der
einen Seite, durch die die Reinigungslösung fließt, zu der
anderen abgedichteten Seite der Düse reduziert, wie in Fig.
2B gezeigt ist, so daß die Summe der Flächen der Löcher ent
sprechend jedem Lochort allmählich reduziert ist.
Das zweite bevorzugte Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung zeigt, daß der Sprühdruck der Reinigungslösung
durch die Löcher auf der Düse einheitlich zu den Wafern ge
geben wird, ungeachtet des Düsenorts, da der Reinigungslö
sungsdruck auf der abgedichteten Seite der Düse aufgrund von
winkligen Düsenabschnitten abnimmt.
Wie in Fig. 2C gezeigt ist, sprüht die Düse mit mehr als ei
nem winkligen Abschnitt, deren eine Seite, durch die die
Reinigungslösung fließt, höher ist als die andere abgedich
tete Seite der Düse, die Reinigungslösung mit einem einheit
lichen Druck zu den Wafern.
Das heißt, daß die Reinigungsvorrichtung der vorliegenden
Erfindung die Reinigungslösung mit einem gleichmäßigen Druck
zu dem Rand der Wafer, die in einer Waferkassette gesammelt
sind, ausstoßen kann, indem der Druck, der von der einen
Seite, durch die die Reinigungslösung fließt, zu der anderen
abgedichteten Seite der Düse zunimmt, unterteilt ist.
Das dritte bevorzugte Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung zeigt, daß der Sprühdruck der Reinigungslösung
durch die Düsenlöcher ungeachtet des Düsenorts durch das
Differenzieren der Querschnittfläche und der Tiefe des Lochs
von der einen Seite, durch die die Reinigungslösung fließt,
zu der anderen abgedichteten Seite der Düse einheitlich zu
den Wafern gegeben wird.
Wie in den Fig. 2D, 2E und 2F gezeigt ist, sprüht die Düse,
deren Querschnittfläche von der einen Seite, durch die die
Reinigungslösung fließt, zu der anderen abgedichteten Seite
der Düse abnimmt, die Reinigungslösung mit einem einheitli
chen Druck zu den Wafern.
Fig. 2D zeigt eine Düse, bei der die Tiefe der Löcher, eben
so wie der Querschnitt der Düse von der einen Seite, durch
die die Reinigungslösung fließt, zu der anderen abgedichte
ten Seite der Düse allmählich abnimmt.
Wie in Fig. 2G gezeigt ist, kann die vorliegende Erfindung
gemäß den Fig. 2A bis 2F, bei der die abgedichtete Düse 28
selbst und die Löcher auf der Düse umgeformt sind, die Rei
nigungslösung ungeachtet des Düsenorts mit einem einheitli
chen Druck einheitlich zu den Wafern ausstoßen.
Das vierte bevorzugte Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung ist in Fig. 3 dargestellt. Die Düse weist eine
offene Seite, eine gegenüberliegende teilweise offene Seite
und eine Verbindungsleitung 30 auf, die auf der teilweise
offenen Seite angebracht ist, um eine spezifische Reini
gungslösungsmenge zu einem Ablaßrohr, das mit einem äußeren
Bad verbunden ist, auszustoßen, wobei die Verbindungsleitung
in das innere Bad eingefügt ist.
Daher ist der Gegendruck, der an der einen Seite, durch die
die Reinigungslösung fließt, und der entgegengesetzten Seite
der Düse auftritt, verglichen mit der herkömmlichen entspre
chend dem offenen Bereich reduziert, so daß die Reinigungs
lösungs-Sprühintensität an dem Loch auf der Oberfläche der
Düse, das direkt durch den Gegendruck beeinflußt wird, ab
nimmt, so daß die Reinigungslösung ungeachtet des Düsenorts
mit einem einheitlichen Druck gesprüht wird.
Fig. 4 zeigt das fünfte Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung. Die Düse weist eine offene Seite, eine gegenüber
liegende teilweise offene Seite und einen Flußsteuerungsver
schluß 40 auf, der auf der teilweise offenen Seite eingebaut
ist, um die Menge der ausgestoßenen Reinigungslösung zu
steuern, indem derselbe in die Düsenoberfläche eingefügt
bzw. aus derselben beseitigt wird, wobei der Flußsteue
rungs-Verschluß hohl ist und eine feste Dicke aufweist.
Wie in den Fig. 3 und 4 dargestellt ist, wird der Gegen
druck, der die teilweise offene Seite der Reinigungslö
sungs-Sprühdüsen 38 und 40 beeinflußt, durch den Fluß einer
spezifischen Reinigungslösungs-Menge zu der teilweise offe
nen Seite gesteuert, so daß die Düsen die Reinigungslösung
mit einem einheitlichen Druck zu den Wafern ausgeben.
Claims (7)
1. Reinigungsvorrichtung für eine Halbleitervorrichtung,
die ein Bad (12, 22), in dem Wafer gereinigt werden,
und eine Reinigungslösungs-Sprühdüse (18, 28) aufweist,
die an der Unterseite des Bads angebracht ist, um eine
Reinigungslösung durch eine Vielzahl von Löchern einer
spezifischen Größe, die intervallmäßig in der Oberflä
che derselben gebildet sind, zu sprühen, wobei eine
Seite der Düse mit einem Reinigungslösungs-Zuführungs
rohr verbunden ist, während die andere Seite der Düse
abgedichtet ist, wobei eine Lochquerschnittfläche
(18-1), durch die die Lösung gelangt, von einer Seite
der Düse, durch die die Reinigungslösung eingebracht
wird, zu der anderen abgedichteten Seite allmählich ab
nimmt, so daß die Lösung mit einem einheitlichen Druck
gesprüht wird.
2. Reinigungsvorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der die An
zahl von Löchern (18-1) mit einer vorbestimmten Größe
allmählich von einem Einlaßabschnitt (1) der Düse,
durch den die Reinigungslösung eingebracht wird, zu ei
nem abgedichteten Ende (2) reduziert ist, so daß die
Summe der Fläche der Löcher entsprechend jedem Lochort
allmählich reduziert ist.
3. Reinigungsvorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der der
Lochdurchmesser (18-1) von dem Einlaß (1) zu dem abge
dichteten Ende (2) allmählich kleiner wird, so daß die
Lochfläche allmählich reduziert ist.
4. Reinigungsvorrichtung für eine Halbleitervorrichtung,
die ein Bad (12, 22), in dem Wafer gereinigt werden,
und eine Reinigungslösungs-Sprühdüse (18, 28) aufweist,
die an der Unterseite des Bads angebracht ist, um eine
Reinigungslösung durch eine Vielzahl von Löchern einer
spezifischen Größe, die intervallmäßig in der Oberflä
che derselben gebildet sind, zu sprühen, wobei eine
Seite der Düse mit einem Reinigungslösungs-Zuführungs
rohr verbunden ist, während die andere Seite der Düse
abgedichtet ist, wobei die Düse zumindest einen winkli
gen Abschnitt (3) aufweist, und wobei eine Seite (1)
der Düse, durch die die Reinigungslösung eingebracht
wird, höher ist als die andere abgedichtete Seite (2),
so daß die Lösung mit einem vorbestimmten Druck ge
sprüht wird.
5. Reinigungsvorrichtung für eine Halbleitervorrichtung,
die ein Bad (12, 22), in dem Wafer gereinigt werden,
und eine Reinigungslösungs-Sprühdüse (18, 28) aufweist,
die an der Unterseite des Bads angebracht ist, um eine
Reinigungslösung durch eine Vielzahl von Löchern einer
spezifischen Größe, die intervallmäßig in der Oberflä
che derselben gebildet sind, zu sprühen, wobei eine
Seite der Düse mit einem Reinigungslösungs-Zuführungs
rohr verbunden ist, während die andere Seite der Düse
abgedichtet ist, wobei die Fläche der Düse selbst all
mählich von einer Seite (1) der Düse, durch die die
Reinigungslösung eingebracht wird, zu der anderen abge
dichteten Seite (2) abnimmt, so daß die Lösung mit ei
nem einheitlichen Druck gesprüht wird.
6. Reinigungsvorrichtung für eine Halbleitervorrichtung,
die ein Bad (12, 22), in dem Wafer gereinigt werden,
und eine Reinigungslösungs-Sprühdüse (18, 28) aufweist,
die an der Unterseite des Bads angebracht ist, um eine
Reinigungslösung durch eine Vielzahl von Löchern einer
spezifischen Größe, die intervallmäßig in der Oberflä
che derselben gebildet sind, zu sprühen, wobei eine
Seite der Düse mit einem Reinigungslösungs-Zuführungs
rohr verbunden ist, während die andere Seite der Düse
abgedichtet ist, wobei die Düse ein Freisetzungsloch
(30) an ihrer abgedichteten Endseite (2) aufweist.
7. Reinigungsvorrichtung gemäß Anspruch 6, bei der die
Größe des Freisetzungslochs (30) durch die Verwendung
eines Adapters eingestellt ist, der wie eine Leitung
gebildet ist, deren äußerer Durchmesser kleiner ist als
ein innerer Durchmesser des Freisetzungslochs (30).
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