JPH0270076A - エッチング方法及びそれに用いる装置 - Google Patents
エッチング方法及びそれに用いる装置Info
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- JPH0270076A JPH0270076A JP21993588A JP21993588A JPH0270076A JP H0270076 A JPH0270076 A JP H0270076A JP 21993588 A JP21993588 A JP 21993588A JP 21993588 A JP21993588 A JP 21993588A JP H0270076 A JPH0270076 A JP H0270076A
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 169
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 75
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 9
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010907 mechanical stirring Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、金属や半導体材料の化学エツチングにおいて
、高能率ならびに加工面の高品質化のエツチングに利用
できるエツチング方法及びそれに用いる装置に関する。
、高能率ならびに加工面の高品質化のエツチングに利用
できるエツチング方法及びそれに用いる装置に関する。
[従来の技術]
化学液を用いる従来のウェットエツチングでは、容器に
入れたエツチング液の濃度や温度を一定に保ち、適宜の
手段により撹拌しながら、このエツチング液の中に被加
工物を一定時間浸漬して加工する方法が一般に行われて
いる。
入れたエツチング液の濃度や温度を一定に保ち、適宜の
手段により撹拌しながら、このエツチング液の中に被加
工物を一定時間浸漬して加工する方法が一般に行われて
いる。
この場合、エツチング液の撹拌は次の二つの効果を得る
ために行われる。一つは、エツチングの進行に伴い、エ
ツチング液全体の中で局部的に濃度や温度が変化し、加
工面全体のエッチ速度が不均一になるのを抑制する効果
である。もう一つは、加工面とエツチング液の接触して
いる界面に存在する拡散層が撹拌で生じた液流によって
薄くなり、エツチング液内部から加工面への反応イオン
の供給および加工面からエツチング液内部への反応生成
物の除去が速やかに行われる結果、エッチ速度やエッチ
面状態等の加工特性を改善する効果である。
ために行われる。一つは、エツチングの進行に伴い、エ
ツチング液全体の中で局部的に濃度や温度が変化し、加
工面全体のエッチ速度が不均一になるのを抑制する効果
である。もう一つは、加工面とエツチング液の接触して
いる界面に存在する拡散層が撹拌で生じた液流によって
薄くなり、エツチング液内部から加工面への反応イオン
の供給および加工面からエツチング液内部への反応生成
物の除去が速やかに行われる結果、エッチ速度やエッチ
面状態等の加工特性を改善する効果である。
[発明の解決しようとする課題J
上述した従来法によるエツチング液の撹拌方法としては
、回転子やプロペラのような物体を回転して行う機械的
撹拌による方法が多く使われている。この撹拌方法では
、エツチング液全体を撹拌するため、エツチングの均一
性の得られる効果はあるが、上記拡散層への影響は大き
くないため、機械的撹拌の方法を変えても加工特性はほ
とんど変化しない。即ち、機械的撹拌による従来のエツ
チング方法では、エッチ速度はエツチング液の濃度や温
度により制御することになるが、これらの変動要因はい
ずれも最大溶解度や沸点等の制限があるため、エッチ速
度を大きくすることは困難であり、さらにエツチング液
中からの塵挨の付着や反応生成物の残留等の原因による
エッチ面の荒れに対しては、有効な対策がないという問
題点があった。
、回転子やプロペラのような物体を回転して行う機械的
撹拌による方法が多く使われている。この撹拌方法では
、エツチング液全体を撹拌するため、エツチングの均一
性の得られる効果はあるが、上記拡散層への影響は大き
くないため、機械的撹拌の方法を変えても加工特性はほ
とんど変化しない。即ち、機械的撹拌による従来のエツ
チング方法では、エッチ速度はエツチング液の濃度や温
度により制御することになるが、これらの変動要因はい
ずれも最大溶解度や沸点等の制限があるため、エッチ速
度を大きくすることは困難であり、さらにエツチング液
中からの塵挨の付着や反応生成物の残留等の原因による
エッチ面の荒れに対しては、有効な対策がないという問
題点があった。
本発明は、上記問題点を解決し、化学液を用いたウェッ
トエツチングによるエッチ速度やエッチ面状態を改善で
きるエツチング方法およびそれに用いる装置を提供する
ことを目的とする。
トエツチングによるエッチ速度やエッチ面状態を改善で
きるエツチング方法およびそれに用いる装置を提供する
ことを目的とする。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するため、本発明のエツチング方法では
、エツチング液中に気泡を一様に分散させた気泡分散エ
ツチング液を被加工物の加工面に連続的に供給してエツ
チングするようにしたことを特徴とする。
、エツチング液中に気泡を一様に分散させた気泡分散エ
ツチング液を被加工物の加工面に連続的に供給してエツ
チングするようにしたことを特徴とする。
また、このようなエツチング方法を実現するため、前記
エツチング液中に気泡を一様に分散させる混合手段と、
該混合手段により得られた気泡分散エツチング液を前記
加工面に連続的に供給する手段とを具備したエツチング
装置を用いることを特徴とする。
エツチング液中に気泡を一様に分散させる混合手段と、
該混合手段により得られた気泡分散エツチング液を前記
加工面に連続的に供給する手段とを具備したエツチング
装置を用いることを特徴とする。
[作用]
このようなエツチング方法及びエツチング装置によれば
、加工面とエツチング液との界面に存在する拡散層が、
エツチング液中に分散させた気泡の効果により従来のエ
ツチング方法の場合よりも薄くなり、エツチング液内部
から加工面への反応イオンの供給及び加工面からエツチ
ング液内部への反応生成物の除去を速やかに行う作用を
し、エッチ速度やエッチ面状態等の加工特性を改善する
ことができる。
、加工面とエツチング液との界面に存在する拡散層が、
エツチング液中に分散させた気泡の効果により従来のエ
ツチング方法の場合よりも薄くなり、エツチング液内部
から加工面への反応イオンの供給及び加工面からエツチ
ング液内部への反応生成物の除去を速やかに行う作用を
し、エッチ速度やエッチ面状態等の加工特性を改善する
ことができる。
[実施例コ
以下、図面により本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明のエツチング装置の実施例を示すもの
で、■はエツチング槽、2は液溜め槽、3はエツチング
液、4はエツチング液3を循環させるための加圧ポンプ
、5は流入側循環パイプ、6は排液側循環パイプ、9は
エツチング槽1内部に設けられた被加工物、17はエツ
チング用気泡分散エツチング液、30はエツチング液3
中に気泡を分散させるための混合器である。
で、■はエツチング槽、2は液溜め槽、3はエツチング
液、4はエツチング液3を循環させるための加圧ポンプ
、5は流入側循環パイプ、6は排液側循環パイプ、9は
エツチング槽1内部に設けられた被加工物、17はエツ
チング用気泡分散エツチング液、30はエツチング液3
中に気泡を分散させるための混合器である。
第1図の実施例において、エツチング槽1と加圧ポンプ
4ならびに液溜め槽2と加圧ポンプ4とは流入側循環パ
イプ5により接続され、エツチング槽1と液溜め槽2と
は排液側循環バイブロにより直接接続された構成となっ
ている。また、エラチング液3は混合器30によって気
泡を一様に分散されてエツチング用気泡分散エツチング
液17として被加工物9に供給される。
4ならびに液溜め槽2と加圧ポンプ4とは流入側循環パ
イプ5により接続され、エツチング槽1と液溜め槽2と
は排液側循環バイブロにより直接接続された構成となっ
ている。また、エラチング液3は混合器30によって気
泡を一様に分散されてエツチング用気泡分散エツチング
液17として被加工物9に供給される。
つぎに、第1図の実施例の動作を説明する。まず、液溜
め槽2内において一定の濃度および温度に保たれたエツ
チング液3は、液溜め槽2及びエツチング槽1に接続さ
れた流入側循環パイプ5を通ってエツチング槽1内に導
入される。この時、液溜め槽2とエツチング槽1の間に
はエツチング液循環用の加圧ポンプ4が設けられており
エツチング槽l及び液溜め槽2とそれぞれ流入側循環パ
イプ5により接続されている。エツチング液3には、そ
れがエツチング槽l内に設置された被加工物9の加工面
に到達する前に、エツチング槽1の内または外に設けら
れた混合器30により気泡を一様に分散させ、エツチン
グ用気泡分散エツチング液17となす。このエツチング
用気泡分散エツチング液17は、加圧ポンプ4の圧力に
より加工面に連続的に供給されエツチングに寄与する。
め槽2内において一定の濃度および温度に保たれたエツ
チング液3は、液溜め槽2及びエツチング槽1に接続さ
れた流入側循環パイプ5を通ってエツチング槽1内に導
入される。この時、液溜め槽2とエツチング槽1の間に
はエツチング液循環用の加圧ポンプ4が設けられており
エツチング槽l及び液溜め槽2とそれぞれ流入側循環パ
イプ5により接続されている。エツチング液3には、そ
れがエツチング槽l内に設置された被加工物9の加工面
に到達する前に、エツチング槽1の内または外に設けら
れた混合器30により気泡を一様に分散させ、エツチン
グ用気泡分散エツチング液17となす。このエツチング
用気泡分散エツチング液17は、加圧ポンプ4の圧力に
より加工面に連続的に供給されエツチングに寄与する。
その後、エツチングの終了した液はエツチング槽1と液
溜め槽2とに直接接続された排液側循環バイブロを通っ
て液溜め槽2に戻るようになっている。
溜め槽2とに直接接続された排液側循環バイブロを通っ
て液溜め槽2に戻るようになっている。
第2図はエツチング槽1と混合器30の第1の実施例で
あり、エツチング槽1内に混合器30を設けて加工面に
気泡分散エツチング液17を連続的に供給する構成を示
した図である。図中7はエツチング容器、8は容器カバ
ー、10は被加工物支持台、11は被加工物固定枠、1
2は容器カバー8と被加工物9との間にできるエツチン
グ間隙、13はエツチング液流入口、14はガス、15
はガス流入口、16はエツチング液流入口13より導入
されたエツチング液3とガス流入口15より導入された
ガス14とを混合するための混合ミキサー、18は排出
用気泡分散エツチング液、19は排出液出口である。
あり、エツチング槽1内に混合器30を設けて加工面に
気泡分散エツチング液17を連続的に供給する構成を示
した図である。図中7はエツチング容器、8は容器カバ
ー、10は被加工物支持台、11は被加工物固定枠、1
2は容器カバー8と被加工物9との間にできるエツチン
グ間隙、13はエツチング液流入口、14はガス、15
はガス流入口、16はエツチング液流入口13より導入
されたエツチング液3とガス流入口15より導入された
ガス14とを混合するための混合ミキサー、18は排出
用気泡分散エツチング液、19は排出液出口である。
第2図の実施例では、エツチング容器7と容器カバー8
とでエツチング槽1が構成される。エツチング容器7に
は被加工物支持台10が設置され、また一方の端面には
エツチング液流入口13とガス流入口15とが、他の端
面には排出液出口19がそれぞれ設けられている。また
、エツチング容器7には、被加工物支持台10とエツチ
ング液流入口13及びガス流入口15との間に混合ミキ
サー16が設けられている。エツチング液流入口13は
加圧ポンプ4と流入側循環パイプ5により接続され、排
出液出口19は液溜め槽2と排液側循環バイブロにより
接続される。被加工物9は被加工物固定枠11によって
被加工物支持台10に固定される。なお、ガス流入口1
5はガス容器(図示しない)に接続され、適宜加圧され
たガス14が導入される。
とでエツチング槽1が構成される。エツチング容器7に
は被加工物支持台10が設置され、また一方の端面には
エツチング液流入口13とガス流入口15とが、他の端
面には排出液出口19がそれぞれ設けられている。また
、エツチング容器7には、被加工物支持台10とエツチ
ング液流入口13及びガス流入口15との間に混合ミキ
サー16が設けられている。エツチング液流入口13は
加圧ポンプ4と流入側循環パイプ5により接続され、排
出液出口19は液溜め槽2と排液側循環バイブロにより
接続される。被加工物9は被加工物固定枠11によって
被加工物支持台10に固定される。なお、ガス流入口1
5はガス容器(図示しない)に接続され、適宜加圧され
たガス14が導入される。
つぎに、第2図の実施例の動作を説明する。
まず、エツチング液の循環動作から説明すると、エツチ
ング液3は、液槽め槽2から加圧ポンプ4により流入側
循環パイプ5を通ってエツチング容器7の一方の端面に
設けられたエツチング液流入口13から加圧されたガス
14と共に混合ミキサー16に導入される。混合ミキサ
ー16に入ったエツチング液3とガス14とは均一に混
合されてエツチング用気泡分散エツチング液17とされ
、エツチング間隙12に高速供給され、このエツチング
間隙12を通る際被加工物9の加工面をエツチングし、
エツチング後の排出用気泡分散エツチング液18は排出
液出口19からエツチング容器7の外に排出され、排液
側循環バイブロを通って再び液溜め槽2に戻る。そして
、以上述べたような循環が連続的に繰り返されエツチン
グが進行する。ここで、エツチング用気泡分散エツチン
グ液17の中の気泡は、エツチング液3の中で均一に分
散させ、且つ効率良く加工面に作用させる必要がある。
ング液3は、液槽め槽2から加圧ポンプ4により流入側
循環パイプ5を通ってエツチング容器7の一方の端面に
設けられたエツチング液流入口13から加圧されたガス
14と共に混合ミキサー16に導入される。混合ミキサ
ー16に入ったエツチング液3とガス14とは均一に混
合されてエツチング用気泡分散エツチング液17とされ
、エツチング間隙12に高速供給され、このエツチング
間隙12を通る際被加工物9の加工面をエツチングし、
エツチング後の排出用気泡分散エツチング液18は排出
液出口19からエツチング容器7の外に排出され、排液
側循環バイブロを通って再び液溜め槽2に戻る。そして
、以上述べたような循環が連続的に繰り返されエツチン
グが進行する。ここで、エツチング用気泡分散エツチン
グ液17の中の気泡は、エツチング液3の中で均一に分
散させ、且つ効率良く加工面に作用させる必要がある。
そのため、本実施例ではガス14とエツチング液3との
混合はエツチングの直前に行った。
混合はエツチングの直前に行った。
第3図は、エツチング槽1と混合器30の第2の実施例
であり、エツチング槽1の外部に混合手段30を設けた
例である。図中、第1図、第2図と同一番号は同じ機能
部分を表し、20はスプレーガン、21はスプレーノズ
ルである。
であり、エツチング槽1の外部に混合手段30を設けた
例である。図中、第1図、第2図と同一番号は同じ機能
部分を表し、20はスプレーガン、21はスプレーノズ
ルである。
第3図の実施例では、スプレーガン20はエツチング槽
1内部に固定されており、その先端にはスプレーノズル
21を有し、スプレーノズル21の反対側にはエツチン
グ液流入口13を介して流入側循環パイプ5が、ガス流
入口15を介してガス導入パイプ(図示せず)が接続さ
れている。なお、エツチング槽の外部の構成は、第1図
に示した実施例の場合と同様である。
1内部に固定されており、その先端にはスプレーノズル
21を有し、スプレーノズル21の反対側にはエツチン
グ液流入口13を介して流入側循環パイプ5が、ガス流
入口15を介してガス導入パイプ(図示せず)が接続さ
れている。なお、エツチング槽の外部の構成は、第1図
に示した実施例の場合と同様である。
つぎに、第3図の実施例の動作を説明する。エツチング
液流入口13より流入したエツチング液3とガス流入口
15より流入したガス14とは、スプレーガン20の内
部で混合し、スプレーノズル21より噴射されてエツチ
ング用気泡分散エツチング液17をなし、被加工物支持
台10上に設置された被加工物9の加工面に連続的に供
給され、加工面のエツチングに寄与する。この場合、ス
プレーを行うための圧力負荷は第1図の実施例で示した
加圧ポンプによりなされる。ここで、スプレーから噴射
されるエツチング用気泡分散エツチング液17の流れは
、その内部に含まれる微細な気泡の流れにエツチング液
の流れが追随するため、加工面に到達するまでほとんど
速度が衰えず、そのため気泡を含まないエツチング液だ
けを噴射させた場合よりも大きな撹拌効果が得られる。
液流入口13より流入したエツチング液3とガス流入口
15より流入したガス14とは、スプレーガン20の内
部で混合し、スプレーノズル21より噴射されてエツチ
ング用気泡分散エツチング液17をなし、被加工物支持
台10上に設置された被加工物9の加工面に連続的に供
給され、加工面のエツチングに寄与する。この場合、ス
プレーを行うための圧力負荷は第1図の実施例で示した
加圧ポンプによりなされる。ここで、スプレーから噴射
されるエツチング用気泡分散エツチング液17の流れは
、その内部に含まれる微細な気泡の流れにエツチング液
の流れが追随するため、加工面に到達するまでほとんど
速度が衰えず、そのため気泡を含まないエツチング液だ
けを噴射させた場合よりも大きな撹拌効果が得られる。
なお、エツチング槽1の外部における動作は、第1図に
示した実施例の場合と同様である。
示した実施例の場合と同様である。
固体材料を化学液でエツチングする時の基本的な機構は
、まず両者が接触すると、その界面にイオンの吸着層や
イオン濃度が変化する拡散層が形成され、つぎにこれら
の層を通して流側から固体表面へ反応性イオンが供給さ
れ、固体表面から流側へは反応生成物が移動することに
より、エツチングの進行することが知られている。従っ
て、エツチングの加工速度や加工面の状態を改善するに
は、反応性イオンや反応生成物の移動を速やかに行うこ
とが重要で、撹拌の目的は拡散層に作用してこれを薄く
することにより、これら反応生成物の移動を迅速に行い
、加工の特性を改善することにある。
、まず両者が接触すると、その界面にイオンの吸着層や
イオン濃度が変化する拡散層が形成され、つぎにこれら
の層を通して流側から固体表面へ反応性イオンが供給さ
れ、固体表面から流側へは反応生成物が移動することに
より、エツチングの進行することが知られている。従っ
て、エツチングの加工速度や加工面の状態を改善するに
は、反応性イオンや反応生成物の移動を速やかに行うこ
とが重要で、撹拌の目的は拡散層に作用してこれを薄く
することにより、これら反応生成物の移動を迅速に行い
、加工の特性を改善することにある。
第2図に示す実施例のエツチング装置を用いたエツチン
グ方法では、加工面におけるエツチング用気泡分散エツ
チング液17の撹拌効果は、エツチング液の流速と流れ
の乱れ状態によって決まるが、エツチング装置が前記の
ような構成となっているため、エツチング間隙12を小
さくすることにより加工面での流速を速くすることがで
き、しかもガス14を強制的に導入してため、エツチン
グ用気泡分散エツチング液17は極めて複雑な流れ方を
する。この結果としで、大きな撹拌効果が得られる。
グ方法では、加工面におけるエツチング用気泡分散エツ
チング液17の撹拌効果は、エツチング液の流速と流れ
の乱れ状態によって決まるが、エツチング装置が前記の
ような構成となっているため、エツチング間隙12を小
さくすることにより加工面での流速を速くすることがで
き、しかもガス14を強制的に導入してため、エツチン
グ用気泡分散エツチング液17は極めて複雑な流れ方を
する。この結果としで、大きな撹拌効果が得られる。
第3図に示す実施例のエツチング装置を用いたエツチン
グ方法では、気泡分散エツチング液17をスプレー状に
して加工面に噴射しているため、第2図に示す実施例の
エツチング装置の場合のような撹拌効果は問題とはなら
ない。この場合、被加工物支持台10を回転させれば、
加工面に対し気泡分散エツチング液17をより均一に作
用させることのできることは自明である。
グ方法では、気泡分散エツチング液17をスプレー状に
して加工面に噴射しているため、第2図に示す実施例の
エツチング装置の場合のような撹拌効果は問題とはなら
ない。この場合、被加工物支持台10を回転させれば、
加工面に対し気泡分散エツチング液17をより均一に作
用させることのできることは自明である。
つぎに、本発明によるエツチングの具体的な実施例とし
て、第2図に示す実施例のエツチング装置を用いた場合
の結果を第4図に示す。図は、水酸化カリウム(濃度3
0wt%)をエツチング液、シリコン単結晶を被加工物
とした場合のエラチング用気泡分散エツチング液の流速
(横軸)とエッチ速度(縦軸)との間の関係を示してい
る。図より、流速を一定とした場合、従来方法と比較し
、本発明によるエツチング方法ではエッチ速度が2倍以
上向上していることが分かる。
て、第2図に示す実施例のエツチング装置を用いた場合
の結果を第4図に示す。図は、水酸化カリウム(濃度3
0wt%)をエツチング液、シリコン単結晶を被加工物
とした場合のエラチング用気泡分散エツチング液の流速
(横軸)とエッチ速度(縦軸)との間の関係を示してい
る。図より、流速を一定とした場合、従来方法と比較し
、本発明によるエツチング方法ではエッチ速度が2倍以
上向上していることが分かる。
また、本発明により水酸化カリウム濃度を10〜30w
t%、液温を80〜90°C2平均流速を1〜4.5m
/secとした条件下でエツチングを行った結果、表面
粗さ0.2μm以下の光沢面が得られた。一方、従来の
浸漬法によるエツチングやガス14を使用しないエツチ
ング液3だけの高速流によるエツチングを行った場合、
表面粗さは各々1μm以上及び0.4μm以上の艶消し
面となった。
t%、液温を80〜90°C2平均流速を1〜4.5m
/secとした条件下でエツチングを行った結果、表面
粗さ0.2μm以下の光沢面が得られた。一方、従来の
浸漬法によるエツチングやガス14を使用しないエツチ
ング液3だけの高速流によるエツチングを行った場合、
表面粗さは各々1μm以上及び0.4μm以上の艶消し
面となった。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明のエツチング方法及びそれ
を用いた装置によれば、被加工面に対しエツチング液を
効果的に作用させることができるため、従来法によるエ
ツチングの場合と比較し、エツチングの高能率化及び被
加工面の高品質化を達成することができるといった利点
がある。
を用いた装置によれば、被加工面に対しエツチング液を
効果的に作用させることができるため、従来法によるエ
ツチングの場合と比較し、エツチングの高能率化及び被
加工面の高品質化を達成することができるといった利点
がある。
第1図は本発明の実施例を示す構成図、第2図は第1図
の実施例のエツチング槽部分の第1の実施例を示す図、
第3図は第1図の実施例のエツチング槽部分の第2の実
施例を示す図、第4図は第2図に示す実施例による気泡
分散エツチング液の流速とエッチ速度との関係を従来法
と比較して示す図。 ■ ・ 3 ・ 5 ・ 6 ・ 7 ・ 9 ・ 11 ・ 12 ・ 13 ・ 15 ・ 17 ・ エツチング槽、2・・液溜め槽 エツチング液、4・・加圧ポンプ 流入側循環パイプ、 排液側循環バイブ、 エツチング容器、8・・容器カバー 被加工物、10・・被加工物支持台、 被加工物固定枠、 エツチング間隙、 エツチング液流入口、14・・ガス、 ガス流入口、16・・混合ミキサ エツチング用気泡分散エツチング液、 18・・排出用気泡分散エツチング液、19・・排出液
出口、20・・スプレーガン、21・・スプレーノズル
、30.混合器。
の実施例のエツチング槽部分の第1の実施例を示す図、
第3図は第1図の実施例のエツチング槽部分の第2の実
施例を示す図、第4図は第2図に示す実施例による気泡
分散エツチング液の流速とエッチ速度との関係を従来法
と比較して示す図。 ■ ・ 3 ・ 5 ・ 6 ・ 7 ・ 9 ・ 11 ・ 12 ・ 13 ・ 15 ・ 17 ・ エツチング槽、2・・液溜め槽 エツチング液、4・・加圧ポンプ 流入側循環パイプ、 排液側循環バイブ、 エツチング容器、8・・容器カバー 被加工物、10・・被加工物支持台、 被加工物固定枠、 エツチング間隙、 エツチング液流入口、14・・ガス、 ガス流入口、16・・混合ミキサ エツチング用気泡分散エツチング液、 18・・排出用気泡分散エツチング液、19・・排出液
出口、20・・スプレーガン、21・・スプレーノズル
、30.混合器。
Claims (2)
- (1)被加工物の加工面をエッチング液にさらすことに
より前記加工面をエッチングするエッチング方法におい
て、前記エッチング液中に気泡を一様に分散させた気泡
分散エッチング液を前記加工面に連続的に供給させるこ
とを特徴とするエッチング方法。 - (2)被加工物の加工面をエッチング液にさらすことに
より前記加工面をエッチングするエッチング装置におい
て、前記エッチング液中に気泡を一様に分散させる混合
手段と、該混合手段により得られた気泡分散エッチング
液を前記加工面に連続的に供給する手段とを設けたこと
を特徴とするエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21993588A JPH0270076A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | エッチング方法及びそれに用いる装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21993588A JPH0270076A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | エッチング方法及びそれに用いる装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0270076A true JPH0270076A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16743331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21993588A Pending JPH0270076A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | エッチング方法及びそれに用いる装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0270076A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0472080A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-06 | Fujitsu Ltd | エッチング装置 |
US6610213B1 (en) * | 1999-06-16 | 2003-08-26 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien | Process for the wet chemical treatment of a semiconductor wafer |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63317682A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-26 | Hitachi Ltd | エッチング装置 |
-
1988
- 1988-09-02 JP JP21993588A patent/JPH0270076A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63317682A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-26 | Hitachi Ltd | エッチング装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0472080A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-06 | Fujitsu Ltd | エッチング装置 |
US6610213B1 (en) * | 1999-06-16 | 2003-08-26 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien | Process for the wet chemical treatment of a semiconductor wafer |
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