DE3035864A1 - Vorrichtung zur regenerierung salzsaurer kupferchlorid-aetzloesungen - Google Patents
Vorrichtung zur regenerierung salzsaurer kupferchlorid-aetzloesungenInfo
- Publication number
- DE3035864A1 DE3035864A1 DE19803035864 DE3035864A DE3035864A1 DE 3035864 A1 DE3035864 A1 DE 3035864A1 DE 19803035864 DE19803035864 DE 19803035864 DE 3035864 A DE3035864 A DE 3035864A DE 3035864 A1 DE3035864 A1 DE 3035864A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- regeneration
- etching
- bell
- gas
- etching solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/46—Regeneration of etching compositions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/7287—Liquid level responsive or maintaining systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
w b m m rt m * ι) * ft *·, « -
V. Vl Ϊ~1·Γ':\ I 3Ü3586A
-3-
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Unser Zeichen Berlin und München VPA
80 P 7H0DE
Vorrichtung zur Regenerierung salzsaurer Kupferchlorid-Ätzlösungen.
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Regenerierung salzsaurer Kupferchlorid-Ätzlösungen, die vorzugsweise in
der Leiterplattenfertigung zum Ätzen von nicht galvanisierten Leiterplatten dienen, -wobei das Ätzen und Regenerieren
in gesonderten Vorrichtungen erfolgt, zwischen denen die Ätzlösung im Kreislauf taktweise oder kontinuierlich
geführt wird und die Regenerierung vorzugsweise mit Sauerstoffgas vorgenommen wird.
In der deutschen Patentschrift 12 07 183 ist ein kontinuierliches Regenerierverfahren für insbesondere bei der
Herstellung gedruckter Schaltungen verwendete kupferhaltige Ätzlösungen beschrieben und dargestellt. Die
Regeneriereinrichtung besteht aus einem hohen Standbehälter, der am Boden Fritten für die Feinverteilung zugeführter
Preßluft enthält. Das Ätzmittel zirkuliert kontinuierlich zwischen Standbehälter und Ätzmaschine.
Dabei finden folgende Reaktionen statt:
Atzprozeß: CuCl2 + | Cu —s | CuCl |
2 CuCl+ | 2 Cl"- | CuCl" |
Regenerierprozeß: | ||
2 CuCl2 + 2 HCl η | - 1/2 Ο, | ► 2 CuCl2 + |
- 2 | ||
■* 2 | ||
» | ||
>—* |
gp
/ + 2 Cl
In der Literatur wird meistens - einfachheitshalber - die Bildung des leichtlöslichen CuClp-Komplexes aus dem
schwerlöslichen CuCl-SaIz nicht in Betracht gezogen.
Beim Regenerieren wird das beim Ätzen gebildete inaktive Kupfer (I)-Ion zu ätzfähigem Kupfer (II)-Ion oxidiert.
Wed 1 Plr/19.9.1980
Λ- 80 P 7 MODE
In der DE-AS 1 621 437 wird eine Vorrichtung zum Zuführen
von Chlorgas in eine Ätzmittelregenerierungsanlage behandelt. Das Chlorgas wird nach diesem Verfahren über
einen Injektor (Wasserstrahlpumpen-Prinzip) direkt in die Ätze der Ätzmaschine eingeleitet, wobei das einwertige Kupfer (I)-Ion nach der folgenden Gleichung zu
Kupfer (II)-Ion oxidiert wird:
2 CuCl + Cl2 >
2 CuCl2
Der DE-PS 1 225 465 liegt ein Verfahren zum Ätzen von
Kupfer mit einer Kupfer (II)-Chlorid-Lösung zugrunde. Bei diesem bekannten Verfahren erfolgt die Regenerierung
nach der Gleichung
6 CuCl + NaClO3 + 6 HCl-* 6 CuCl2 + NaCl + 3 H2O
In einem Tank befindet sich die Kupfer (II)-Chlorid-Lösung.
In zwei Vorratsbehältern werden verdünnte SaIzsäure und Natriumchlorat bereitgehalten und durch eine
automatische Regeleinrichtung dem Ätzbad in der erforderlichen Menge zugesetzt. Durch eine pH-Meßsonde, einen
Verstärker und ein Steuerventil wird hierbei der Zufluß an Salzsäure und durch eine Fotozelle, einen Verstärker
und ein Steuerventil der Zufluß an Natriumchlorat gesteuert.
In der Zeitschrift Elektronik, 1969, Heft 11, ist auf den Seiten 335 und 336 der Aufsatz "Mo.derne Ätzverfahren für
Druckschaltungen" abgedruckt. Das Regenerieren geht mit
Wasserstoffperoxid und Salzsäure nach der: folgenden Gleichung vor sich:
2 CuCl + H2O2 + 2 HCl ^ 2 CuCl2 + 2 H3O
Die wäßrigen Lösungen von Wasserstoffperoxid und Salzsäure
werden über die Messung des Redoxpotentials bzw.
-/- YPA 8BP7H0OE
-S-i-
des pH-Wertes in die Ätzmaschine zudosiert.
Bei dem in der DE-AS 2 008 766 beschriebenen Verfahren erfolgt ein Regenerieren mit sauerstoffhaltigem Gas unter
Rückgewinnung des geätzten Kupfers durch Elektrolyse.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zur kontinuierlichen Regenerierung von
salzsauren Kupferchlorid-Ätzlösungen mittels Sauerstoffgas zu schaffen. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß
eine in einem ätzmittelhaltigen flachen Standbehälter aufgestellte Glocke, vorzugsweise aus durchsichtigem,
korrosionsbeständigen Material, mit einer Zuführleitung im oberen Teil für Sauerstoff, Chlor oder ein Gemisch '
aus Sauerstoff und Chlor vorgesehen ist, in die zur Regenerierung die aus der Ätzmaschine abgesaugte verbrauchte
Ätze oben eingesprüht wird, wobei sich die regenerierte Ätze am Boden des Standbehälters sammelt, von
wo aus sie als Überlauf in die Ätzmaschine zurückfließt und daß zwei Niveauschalter in der inneren Mantelfläche
der Glocke vorgesehen sind, die die Zuleitung des Regeneriergases öffnen bzw. schließen, um den durch den
Gasverbrauch entstehenden Unterdruck und somit das'langsame
Aufsteigen der Ätzlösung im Inneren der Glocke auszugleichen und in optimalen Grenzen zu halten. An dieser
Stelle soll gesagt werden, daß es nicht unbedingt notwendig ist, einen glockenähnlichen Behälter als Oxidationsgefäß
zu benützen. Wichtig ist, daß das Vorhandensein einer im Reaktionsgefäß eingeschlossenen und regulierbaren
Oxidationsatmosphäre gewährleistet ist.
In der vorliegenden Erfindung werden im Gegensatz zum
Patent 1 207 183 keine Fritten verwendet, die erfahrungsgemäß leicht beschädigt oder verstopft werden und infolgedessen
ausgewechselt werden müssen. Die Vorrichtung nach der Erfindung erfordert außerdem eine geringere
Wartung und ergibt keine Abluft aus dem Regeneriergefäß.
8QP 7 1 4 α OE
- / - VPA
Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß bei dem zur Regenerierung dienenden Gas kein Verlust eintritt, da alles
in der Glocke eingeschlossene Gas zu 100 % ausgenützt wird. Darüber hinaus zeichnet sich die Vorrichtung auch
durch eine höhere Regenerier-geschwindigkeit aus, da mit reinem Oxidationsgas und nicht mit Luft (20 % Sauerstoffgehalt)
gearbeitet wird. Vorteilhaft ist ferner die automatisierte Einleitung des zur Regenerierung dienenden
Gases mittels Niveauschalter, so daß die Einleitung nach Bedarf geregelt werden kann.
Als Regeneriergas kann bei der der Erfindung zugrundeliegenden
Vorrichtung nicht nur Sauerstoff, sondern auch das reaktionsfreudigere Chlorgas Verwendung finden. Da
das Arbeiten mit Chlorgas wegen seiner hohen chemischen Agressivität vielfach abgelehnt wird, besteht eine
Kompromißlösung darin, wenn z. B. das Oxidationsgas in der Glocke zu 80 bis 90 % aus Sauerstoff und nur zu 20 %
bzw. zu 10 % aus Chlorgas bestände. Damit ist die Möglichkeit gegeben, die Regenerierkapazität der Glocke
durch Mischen des Sauerstoffgases mit Chlorgas zu erhöhen.
Die Konzentration der Ätzlösung wird vorzugsweise so eingestellt,
daß bei den jeweiligen Betriebstemperaturen kein Löslichkeitsprodukt·überschritten wird. Bei Zimmertemperatur
haben sich beispielsweise folgende Konzentrationen als günstig erwiesen:
CuCl2 = 1,8 Mol/l (= 305 g CuCl2 . 2 HgO/l )
HCL = 1 Mol/l (= 84 ml konz. HCl/l) KCL = 2,5 Mol/l (= 185 g KCl/l )
Das Salz KCl wird beim Ätzen nicht verbraucht. Es dient als Chloridion-Lieferant zur Bildung des leichtlöslichen
Kupfer (I)-Komplexes CuCl2 und somit zur Erhöhung der Reaktionsgeschwindigkeit.
8OP 7,40QE
Beim Oxidieren des Kupfer (I)-Komplexes -wird das Chloridion
wieder frei (siehe Gleichung des Regenerierprozesses)
Die Ätzdauer für 35 /um Cu-Auflage beträgt 45" bei 250C
und 1 bis 1,5 bar Sprühdruck.
Nach dem Verbrauch der Salzsäure durch den Ätzprozeß werden Salzsäure und KCl-Lösung zugesetzt. Der Überlauf
hierbei wird gesammelt.
10
10
Die Zudosierung der Chemikalien kann automatisiert werden, und zwar über die Dichtemessung für die KCl-Lösung und
über die pH-Messung für die Salzsäure.
Da sich die Regenerierung an der Phasengrenzfläche zwischen Oxidationsgas und aufgesprühter Ätzlösung abspielt,
ist es notwendig, im Reaktionsraum die genannte Phasengrenzfläche möglichst groß zu gestalten. Zu diesem
Zweck werden einerseits Nebeldüsen zum Aufsprühen der Ätzlösung verwendet und andererseits saugfähige und
korrosionsbeständige Gewebe oder Filzmaterialien senkrecht aufgehängt, die auf dem Markt in großer Auswahl
angeboten werden. In diesem Zusammenhang soll betont werden, daß die Regenerierung der aufgesaugten Ätzlösung
auch bei ausgeschalteter Sprühpumpe stattfindet. Die Saugfähigkeit von Filzen von 2 mm Dicke kann bis zu
ca. 2 1 pro m betragen.
Die Erfindung wird anhand einer schematischen Darstellung der erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Regenerierung einer
Kupferchlarid-Ätze mittels Sauerstoffgas oder Chlorgas oder mit einem Gemisch aus Sauerstoff und Chlor erläutert.
In der Mitte der Figur 1 ist eine Regenerierglocke 1 in einem Standbehälter 2 dargestellt. Aus einer Ätzmaschine
wird die verbrauchte Ätze 4 mit einer Pumpe 5 über eine
80P7HODE
Leitung 6 oben in die Regenerierglocke eingeleitet-und
über die hängenden Gewebe bzw. Filztücher 7 versprüht. Aus einer Flasche 8 mit einem Magnetventil 9 wird das
zum Regenerieren verwendete Gas 10 über eine Leitung 11 der Regenerierglocke zugeführt. An der Leitung 11 ist
ein Anschluß'12 für eine Verbindungsleitung zur Vakuumpumpe
angedeutet. Im unteren Teil der Regenerierglocke sammelt sich die regenerierte Ätze 13. Mit S1, S2 sind
zwei Niveauschalter bezeichnet, die in Abhängigkeit der jeweiligen Höhe N1, N2 der regenerierten Ätze 13 über
ein Steuergerät 14 die Zufuhr des Oxidationsgases ein- bzw. ausschalten. Das Gasvolumen variiert zwischen den
Werten V1 und V2.
Mit den Pfeilen ist der kreislaufförmige Betriebsablauf
dargestellt. Das verbrauchte Ätzmittel 4 wird aus der Ätzkammer der Ätzmaschine 3 fortlaufend abgesaugt und in die
Regenerierglocke 1 eingesprüht, wobei das Kupfer (I)-Ion, wie bereits erwähnt wurde, nach der Gleichung
2 CuCIg + 2 HCl + 1/2 0£ s- 2 CuCl2 + H2O + 2 Cl""
aufoxidiert wird. Durch den Verbrauch von z. B. Sauerstoff
nimmt ständig der Gasdruck in der Glocke ab. Das hat zur Folge, daß die Ätzlösung 13 in der Glocke langsam
hochsteigt. Die Sauerstoffzufuhr wird durch die Niveauschalter S1 und S2 (Schwimmer oder Fotozellen) gesteuert.
Damit wird erreicht, daß das Ätzmittelniveau in der Glocke zwischen einer unteren N1 und einer oberen Grenze N2
pendelt, so daß in der Glocke immer genügend Gas für den Regenerierprozeß vorhanden ist. Das Gasvolumen variiert
infolgedessen zwischen den Werten V1 und V2. Die Glockenform des Reaktionsgefäßes 1 ist, wie bereits betont,
keineswegs- unbedingt notwendig. Sie kann auch, bedingt
z. B. durch räumliche Gegebenheiten oder durch die Anzahl und Größe der Filztücher 7 jede andere beliebige Form
einnehmen.
4 Patentansprüche
1 Figur
4 Patentansprüche
1 Figur
Claims (4)
- * A O ·^ VPAPatentansprüche. 80 P 7 H 0 DE1 / Vorrichtung zur Regenerierung salzsaurer Kupferchlorid-Ätzlösungen, die vorzugsweise in der Leiterplattenfertigung zum Ätzen von nicht galvanisierten Leiterplatten dienen, wobei das Ätzen und Regenerieren in gesonderten Vorrichtungen erfolgt, zwischen denen die Ätzlösung im Kreislauf taktweise oder kontinuierlich geführt und die Regenerierung mit vorzugsweise Sauerstoffgas vorgenommen wird, dadurch gekennzeich-net, daß eine in einem ätzmittelhaltigen flachen Standbehälter (2) aufgestellte Glocke (1), vorzugsweise aus durchsichtigem, korrosionsbeständigen Material, mit einer Zuführleitung (11) im oberen Teil für Sauerstoff, Chlor oder ein Gemisch aus Sauerstoff und Chlor vorgesehen ist, in die zur Regenerierung die aus der Ätzmaschine (3) abgesaugte verbrauchte Ätze (4) oben eingesprüht wird, wobei sich die regenerierte Ätze (13) am Boden des Standbehälters (2) sammelt, von wo aus sie als Überlauf in die Ätzmaschine zurückfließt und daß zwei Niveauschalter (S1, S2) in der inneren Mantelfläche der Glocke vorgesehen sind, die die Zuleitung des Regeneriergases (10) öffnen bzw. schließen (9), um den durch den Gasverbrauch entstehenden Unterdruck und somit das langsame Aufsteigen der Ätzlösung im Inneren der Glocke auszugleichen und in optimalen Grenzen zu halten.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für das Aufsprühen der Ätzlösung in der Glocke Nebeldüsen verwendet werden, um die Phasengrenzfläche zwischen Ätzlösung und Oxidationsgas zu vergrößern und somit die Regeneriergeschwindigkeit zu steigern.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet , daß korrosionsbeständige und saugfähige Gewebe oder Filze (7) im Gasraum derGlocke aufgehängt werden, wodurch die Phasengrenzfläche zusätzlich erhöht wird einerseits und andererseits die Regenerierung der aufgesaugten Ätzlösung auch bei ausgeschalteter Sprühpumpe (5) fortgeführt werden kann. 5
- 4. Verfahren nach Anspruch 1 "bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß das Reaktionsgefäß (1) je nach Zweckmäßigkeit und räumlicher Anpassung sowohl die Form einer Glocke als auch eine andere beliebige Form haben kann.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803035864 DE3035864A1 (de) | 1980-09-23 | 1980-09-23 | Vorrichtung zur regenerierung salzsaurer kupferchlorid-aetzloesungen |
US06/293,087 US4388276A (en) | 1980-09-23 | 1981-08-17 | Device for regenerating hydrochloric copper chloride etching solutions |
EP81107037A EP0048381B1 (de) | 1980-09-23 | 1981-09-07 | Verfahren zur Regenerierung salzsaurer Kupferchlorid-Ätzlösungen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803035864 DE3035864A1 (de) | 1980-09-23 | 1980-09-23 | Vorrichtung zur regenerierung salzsaurer kupferchlorid-aetzloesungen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3035864A1 true DE3035864A1 (de) | 1982-05-06 |
Family
ID=6112661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803035864 Withdrawn DE3035864A1 (de) | 1980-09-23 | 1980-09-23 | Vorrichtung zur regenerierung salzsaurer kupferchlorid-aetzloesungen |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4388276A (de) |
EP (1) | EP0048381B1 (de) |
DE (1) | DE3035864A1 (de) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0178347B1 (de) * | 1984-10-19 | 1988-09-07 | Ibm Deutschland Gmbh | Verfahren zum automatischen Regenerieren von Kupferchlorid-Ätzlösungen |
US5013395A (en) * | 1987-08-28 | 1991-05-07 | International Business Machines Corporation | Continuous regeneration of acid solution |
US5227010A (en) * | 1991-04-03 | 1993-07-13 | International Business Machines Corporation | Regeneration of ferric chloride etchants |
JP2500402B2 (ja) * | 1991-09-05 | 1996-05-29 | 上村工業株式会社 | エッチング速度の測定方法及びエッチング速度測定装置 |
JP3142195B2 (ja) * | 1993-07-20 | 2001-03-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 薬液供給装置 |
JPH0990643A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-04-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
AU3307697A (en) * | 1996-06-21 | 1998-01-07 | Jordan Holding Company | Return circuit for vapor recovery system |
DE19700470A1 (de) * | 1997-01-09 | 1998-07-16 | Depeltronik S A | Verfahren zum Regenerieren von Ätzflüssigkeiten, insbesondere Leiterplattenätzflüssigkeiten, und Vorrichtung hierfür |
SE531697C2 (sv) * | 2007-07-11 | 2009-07-07 | Sigma Engineering Ab | Etsnings- och återvinningsförfarande |
CN102807294A (zh) * | 2011-05-31 | 2012-12-05 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 处理已使用蚀刻液的再循环系统 |
CN103422154A (zh) * | 2012-05-24 | 2013-12-04 | 叶福祥 | 电路板酸性废蚀刻液氯化亚铜(Cu+,CuCL)离子隔膜电积再生 |
EP2927347A1 (de) | 2014-04-01 | 2015-10-07 | Sigma Engineering Ab | Oxidation von Kupfer in einer Kupferätzlösung unter Verwendung von Sauerstoff und/oder Luft als Oxidationsmittel |
CN105060567A (zh) * | 2015-08-23 | 2015-11-18 | 长春黄金研究院 | 一种酸性含氯废水的处理方法 |
CN110342566A (zh) * | 2019-06-24 | 2019-10-18 | 重庆瀚渝再生资源有限公司 | 一种利用酸性蚀刻液制备碱性蚀刻液的工艺方法 |
CN114351147A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-15 | 广东臻鼎环境科技有限公司 | 一种氯气全自动安全高效再生酸性蚀刻液系统 |
CN114855171B (zh) * | 2022-04-01 | 2024-03-26 | 安徽中科冉图环保科技有限公司 | 一种酸性蚀刻液废液处理系统和方法 |
CN115287659B (zh) * | 2022-08-04 | 2024-03-29 | 深圳天华机器设备股份有限公司 | 一种蚀刻药水再生装置及再生工艺 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3083129A (en) * | 1958-10-01 | 1963-03-26 | Gen Dynamics Corp | Method of etching copper with rejuvenation and recycling |
GB1142024A (en) * | 1965-04-26 | 1969-02-05 | Chemcut Corp | Improvements in and relating to apparatus and methods of regenerating etchant solutions |
US3600244A (en) * | 1969-02-20 | 1971-08-17 | Ibm | Process of etching metal with recovery or regeneration and recycling |
US3880685A (en) * | 1968-11-07 | 1975-04-29 | Hoellmueller Maschbau H | Process and apparatus for etching copper and copper alloys |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1514939A (en) * | 1922-02-09 | 1924-11-11 | Wallace & Tiernan Co Inc | Chlorinator |
US2771460A (en) * | 1952-11-18 | 1956-11-20 | Babcock & Wilcox Co | Residual pulp liquor oxidizing means |
US3306792A (en) * | 1963-08-05 | 1967-02-28 | Siemens Ag | Continuously regenerating coppercontaining etching solutions |
GB1398639A (en) * | 1972-08-05 | 1975-06-25 | Kanebo Ltd | Generation of gaseous formaldehyde from formaldehyde polymer |
US4101608A (en) * | 1975-09-10 | 1978-07-18 | Martin L. Towler | Oxygen impregnation method |
US4042444A (en) * | 1976-04-26 | 1977-08-16 | General Dynamics | Etchant rejuvenation control system |
-
1980
- 1980-09-23 DE DE19803035864 patent/DE3035864A1/de not_active Withdrawn
-
1981
- 1981-08-17 US US06/293,087 patent/US4388276A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-09-07 EP EP81107037A patent/EP0048381B1/de not_active Expired
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3083129A (en) * | 1958-10-01 | 1963-03-26 | Gen Dynamics Corp | Method of etching copper with rejuvenation and recycling |
GB1142024A (en) * | 1965-04-26 | 1969-02-05 | Chemcut Corp | Improvements in and relating to apparatus and methods of regenerating etchant solutions |
US3880685A (en) * | 1968-11-07 | 1975-04-29 | Hoellmueller Maschbau H | Process and apparatus for etching copper and copper alloys |
US3600244A (en) * | 1969-02-20 | 1971-08-17 | Ibm | Process of etching metal with recovery or regeneration and recycling |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0048381A1 (de) | 1982-03-31 |
EP0048381B1 (de) | 1985-04-17 |
US4388276A (en) | 1983-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3035864A1 (de) | Vorrichtung zur regenerierung salzsaurer kupferchlorid-aetzloesungen | |
DE2437273C2 (de) | ||
DE2417365B2 (de) | Verfahren zur elektrolyse von alkalihalogenidloesungen | |
DE10326767B4 (de) | Verfahren zur Regenerierung von eisenhaltigen Ätzlösungen zur Verwendung beim Ätzen oder Beizen von Kupfer oder Kupferlegierungen sowie eine Vorrichtung zur Durchführung desselben | |
DE60036100T2 (de) | Verfahren zur herstellung von polysulfiden durch anwendung elektrolytischer oxidation | |
DE3340343A1 (de) | Verfahren und anlage zum regenerieren einer ammoniakalischen aetzloesung | |
EP0146798B1 (de) | Verfahren zum umweltfreundlichen Ätzen von Leiterplatten und Vorrichtung zur Ausübung des Arbeitsverfahrens | |
DE3340342A1 (de) | Verfahren und anlage zum regenerieren einer ammoniakalischen aetzloesung | |
DE803831C (de) | Verfahren zur Herstellung von Alkalichloriten aus Chlordioxyd | |
EP0240589B1 (de) | Verfahren zur Regenerierung eines stromlosen Verkupferungsbades und Vorrichtung zur Durchführung desselben | |
DE2708321A1 (de) | Verfahren zur entfernung von jod | |
DE4032856C2 (de) | ||
EP0377131B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Desinfizieren von Wasser | |
DE2323493A1 (de) | Elektrolysevorrichtung | |
EP0122963A1 (de) | Anlage zum Regenerieren einer ammoniakalischen Ätzlösung | |
CN211112143U (zh) | 棕化废液铜回收装置 | |
EP0126170B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen von SO2 aus SO2-haltigen Gasen | |
DE711664C (de) | Verfahren und Zelle zur elektrolytischen Herstellung wasserunloeslicher Metallhydroxyde | |
DE4218843C2 (de) | Verfahren zur Regeneration eines ammoniakalischen Ätzmittels sowie Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens | |
DE19831331C2 (de) | Verfahren zum Recyceln verbrauchter Kupfer-Ätzflüssigkeit | |
DE277433C (de) | ||
AT201622B (de) | Verfahren zur Elektrolyse in Zellen mit bewegter Quecksilberkathode | |
DE69044C (de) | Verfahren zur Darstellung von Bleiweifs | |
DE1141266B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Schwefelsaeure und Natronlauge durch elektrolytische Zersetzung einer waessrigen Natriumsulfatloesung | |
DE1592217C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von pharmazeutischem Bismuthylnitrat |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8141 | Disposal/no request for examination |