JPH0990643A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JPH0990643A
JPH0990643A JP7249653A JP24965395A JPH0990643A JP H0990643 A JPH0990643 A JP H0990643A JP 7249653 A JP7249653 A JP 7249653A JP 24965395 A JP24965395 A JP 24965395A JP H0990643 A JPH0990643 A JP H0990643A
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liquid
processing
tank
processing liquid
substrate
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JP7249653A
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Mitsuaki Yoshitani
光明 芳谷
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 循環使用される処理液の発泡を確実に抑制す
ることができるようにする。 【解決手段】 基板Ｂに処理液Ｌを供給する散液ノズル
２４と、処理液Ｌを貯留する処理液タンク３と、この処
理液タンク３の処理液Ｌを散液ノズル２４に送る循環ポ
ンプ３１と、散液ノズル２４から基板Ｂに供給された処
理液Ｌを受ける液留部２２と、この液留部２２内に貯留
された処理液Ｌの液面位置を検出する液面検出センサ５
と、液留部２２内の処理液Ｌを処理液タンク３内に回収
する制御弁３０の設けられた第１管路４１とが備えら
れ、液面検出センサ５により液留部２２内の処理液Ｌの
液面が予め設定された上限位置に達したことが検出され
ると制御弁３０に処理液回収の制御信号を出力し、液面
検出センサ５により液留部２２内の処理液Ｌの液面が予
め設定された下限位置に達したことが検出されると制御
弁３０に処理液回収停止の制御信号を出力する制御手段
６を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体や液晶など
の基板の表面にスプレーなどで処理液を供給して処理す
る基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体や液晶などの基板の処理を
行う基板処理装置として、例えば洗浄装置、現像装置、
エッチング装置、あるいは剥離装置などが知られてい
る。これらの処理装置は、通常、基板に処理液を供給す
る処理槽、処理液を貯留する処理液タンク、およびこの
タンク内の処理液を処理槽に送液する送液ポンプを備え
ている。基板は、上記処理槽内に順次導入され、処理槽
内に設けられたスプレー装置などの液供給手段によって
処理液が付与されたのちに次工程に導出される。基板に
供給された処理液は処理液タンクに回収され貯留され
る。この貯留された処理液は送液ポンプで処理槽の液供
給手段に再送され、基板処理のために循環使用される。
【０００３】かかる基板処理装置においては、処理液
は、基板への散液や、散液後の落下衝撃によって発泡
し、発生した泡は処理液タンク内に蓄積される。この処
理液タンク内に蓄積された泡は、液供給手段に送り込ま
れた処理液に混入するため、基板には処理液に混ざった
泡が供給されることになる。
【０００４】かかる泡の混じった処理液が基板に供給さ
れると、泡が基板の表面に付着することによって基板表
面の均一処理が阻害されたり、処理液タンク内の泡の存
在によって送液ポンプが有効に機能せず、安定した送液
が行われなくなったり、泡の発生による処理液と空気と
の接触面積の増加によって処理液が酸化され易くなり、
処理液の劣化が早められる等の不都合が生じる。従っ
て、上記のような基板の処理装置においては、処理液の
発泡を抑制することが不可欠である。
【０００５】そこで、従来から処理液の発泡を抑制する
方式が各種採用され、例えば、液供給手段として用いる
スプレー装置の散液孔の形状を泡の発生し難いものにし
たり、スプレー装置を用いない基板への給液方法を採用
したり、処理槽内の基板の下部に傾斜板を設け、散液後
の処理液をこの傾斜板で受けるようにし、これによって
処理液の落下衝撃を和らげるとともに、液流を乱れない
ようにしたり（特公平２−３４３８１号公報）、処理液
に消泡剤を添加し、処理液そのものを発泡し難いものに
する等の対策がたてられていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な各種の発泡抑制方式のいずれについても、完全に泡を
なくすようにすることができず、しかも時間の経過に伴
って泡が漸次増加していくという問題点を有していた。
特に液供給手段としてスプレー装置を用いた場合は、泡
の発生が著しく、たとえ上記のような発泡抑制方式を採
用しても、処理液の循環系統が短期間に泡で埋まってし
まうという不都合が存在した。また、処理液に消泡剤を
添加する方式では、発泡剤の成分によっては基板の処理
に悪影響を与えるという問題点が存在した。
【０００７】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、循環使用される処理液の発
泡による悪影響を確実に抑制することができる基板処理
装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
基板に供給された処理液を回収することによって循環使
用する基板処理装置において、処理液を貯留する処理液
タンクと、上記基板に供給された処理液を受ける処理槽
と、この処理槽に貯留された処理液を処理液タンク内に
回収する回収手段と、上記処理槽内に貯留された処理液
の液位を検出する検出手段とを備え、処理槽内の処理液
が予め設定された上限位置を越えたことを上記検出手段
が検出した時点で上記回収手段に処理液を回収させると
ともに、処理槽内の処理液が予め設定された下限位置に
達したことを上記検出手段が検出した時点で上記回収手
段の処理液の回収を停止させる制御手段を具備している
ことを特徴とするものである。
【０００９】この発明によれば、検出手段によって液面
位置が下限位置に達したことが検出されると、制御手段
からの制御信号によって回収手段による処理液の回収が
停止され、それ以上処理槽内の液位は低下しないため、
処理槽内の処理液の表面に形成された泡が、回収手段を
介して処理液タンク内に導入されることはなく、処理液
タンク内には泡の存在しない処理液が貯留された状態に
なる。従って、処理液ポンプの駆動によって処理液タン
ク内の処理液を基板に供給しても、処理液内には泡が存
在しないため、泡の存在に起因した不均質な基板処理や
処理液ポンプの送液不良がなくなる。
【００１０】また、検出手段によって液面位置が上限位
置を越えたことが検出されると、制御手段からの制御信
号によって回収手段による処理液の回収が開始され、処
理槽内の液位が低下するため、処理槽内での処理液のオ
ーバーフローが確実に防止される。
【００１１】このように処理槽内に貯留される処理液の
液面は、検出手段の液位検出に基づいた制御手段による
フィードバック制御によって、常に予め設定された上限
位置と下限位置との間に存在するようになるため、処理
槽内の処理液の表面に形成された泡が、回収手段を介し
て処理液タンク内に導入されることはなく、処理液タン
ク内には泡の存在しない処理液が貯留された状態になる
とともに、処理槽内の液面管理を自動的に行い得るよう
になる。
【００１２】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、上記回収手段は、処理槽の底部と処理液タ
ンク内の処理液中とを連通する連通管と、この連通管に
設けられた回収ポンプとからなることを特徴とするもの
である。
【００１３】この発明によれば、回収ポンプの駆動によ
って処理槽内の処理液が連通管を通って処理液タンク内
に導入され、処理液の液位が下限位置に達すると、制御
手段からの制御信号によって回収ポンプの駆動が停止さ
れるため、処理槽内の処理液表面にある泡が処理液タン
クに移行することはない。
【００１４】請求項３記載の発明は、請求項１記載の発
明において、上記処理槽は、その底面位置が上記処理液
タンクに貯留される処理液の上限位置よりも上部になる
ように配置され、上記回収手段は、処理槽の底部と処理
液タンク内の処理液中とを連通する連通管と、この連通
管に設けられ、上記制御手段により開閉される制御弁と
からなることを特徴とするものである。
【００１５】この発明によれば、制御弁の開通状態で処
理槽内の処理液が自然落下で連通管を通って処理液タン
ク内に導入され、処理液の液位が下限位置に達すると、
制御手段からの制御信号によって電磁弁が閉弁されるた
め、処理槽内の処理液表面にある泡が処理液タンクに移
行することはない。
【００１６】請求項４記載の発明は、基板に供給された
処理液を回収することによって循環使用する基板処理装
置において、処理液を貯留する処理液タンクと、上記基
板に供給された処理液を受ける処理槽と、この処理槽の
底部と処理液タンク内の処理液中とを連通する連通管と
を備え、処理液の貯留域の少なくとも一部が上下方向で
重複するように処理槽と処理液タンクとが並設されてい
ることを特徴とするものである。
【００１７】この発明によれば、処理槽内の処理液の液
位と、処理液タンク内の処理液の液位とが、貯留域の重
複している部分で連通管によって常に同一液位で上下動
する。そして、上記液位を処理槽の底部よりも常に上位
になるように液面制御を行うことによって処理槽内の処
理液表面にある泡が処理液タンク内に導入されることが
阻止される。
【００１８】請求項５記載の発明は、請求項１乃至４の
いずれかに記載の発明において、上記処理槽は、底面が
傾斜していることを特徴とするものである。
【００１９】この発明によれば、基板に供給された処理
液は、傾斜している処理槽の底面に落下するため、この
傾斜によって処理液の落下による衝突衝撃が緩和され、
処理液の発泡が抑制される。
【００２０】請求項６記載の発明は、請求項１乃至５の
いずれかに記載の発明において、上記処理槽は、処理液
供給手段から供給された処理液を基板の下部で受ける処
理液誘導板を有し、この処理液誘導板は、傾斜が形成さ
れていることを特徴とするものである。
【００２１】この発明によれば、基板に供給された処理
液は、傾斜している処理液誘導板の表面に落下するた
め、処理液誘導板の傾斜によって処理液の落下による衝
突衝撃が緩和され、処理液の発泡が抑制される。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る第１実施形
態の基板処理装置１０を示す説明図である。基板処理装
置１０は、基板Ｂを処理する処理槽２と、基板Ｂ処理用
の処理液Ｌを貯留する処理液タンク３を備えた基本構成
を有している。処理槽２は、その最下位の液面高さ位置
が、処理液タンク３の最上位の液面高さ位置よりも高い
位置になるように配置されている。
【００２３】上記処理槽２は、内部に角型基板Ｂを導入
して処理する基板処理部２１と、この基板処理部２１の
下部に延設された先細りの液留部２２とから構成されて
いる。上記基板処理部２１は、上流壁２１ａおよび下流
壁２１ｂにそれぞれ穿設された同一高さ位置の上流側開
口２１ｃおよび下流側開口２１ｄを有している。また、
基板処理部２１の内部には、上記両開口２１ｃ，２１ｄ
と同一高さ位置に、基板Ｂの移送方向に直交した軸心を
有する複数のローラ２３列が並設されている。基板Ｂ
は、これらローラ２３列の駆動回転によって、上流側開
口２１ｃから基板処理部２１内に導入され、所定の処理
が施されたのち下流側開口２１ｄから次工程に導出され
るようになっている。
【００２４】かかるローラ２３列の上方には、複数の散
液ノズル２４が配設され、これら散液ノズル２４からの
処理液Ｌの散布によってローラ２３列上にある基板Ｂの
表面に所定の処理が施されるようになっている。また、
基板処理部２１の底部には下流壁２１ｂの下端部から上
流壁２１ａの方向に向かって先下がりに傾斜した傾斜底
部２５が設けられ、この傾斜底部２５の下端部は上記液
留部２２の上縁部に接続されている。
【００２５】さらに上流壁２１ａには先端が上記傾斜底
部２５に臨むように先下がりに傾斜した処理液誘導板２
６が設けられ、基板Ｂの処理に使用された処理液Ｌは、
この処理液誘導板２６および上記傾斜底部２５を流下し
て液留部２２に導入されるようになっている。このよう
に基板Ｂを処理した後の処理液Ｌは、一旦処理液誘導板
２６や傾斜底部２５の上に落下し、その後それらに誘導
されて液留部２２に導入されることにより、液留部２２
の液面に直接落下する場合に比較して落差が小さくなっ
ている分、衝撃が緩和され、これによって処理液Ｌの泡
立ちが抑制されるようにしている。
【００２６】上記処理液タンク３は、処理槽２で使用さ
れる処理液Ｌを貯留するもので、処理槽２の液留部２２
の底部と処理液タンク３の側底部とを結ぶ第１管路（連
通管）４１を通して液留部２２内に貯留されている処理
液Ｌが処理液タンク３内の処理液Ｌ中に導入されるよう
になっている。上記第１管路４１には制御弁３０が設け
られ、この制御弁３０の開閉操作によって液留部２２内
の処理液Ｌの処理液タンク３に対する連通、遮断が行わ
れるようになっている。第１実施形態では、上記第１管
路４１および制御弁３０によって本発明の回収手段が形
成されている。
【００２７】また、処理液タンク３の底部と上記各散液
ノズル２４とは循環ポンプ３１を介して第２管路４２に
よって接続され、上記循環ポンプ３１の駆動によって処
理液タンク３内の処理液Ｌが散液ノズル２４に供給され
るようになっている。また、第２管路４２には、循環ポ
ンプ３１の下流側にフィルタ３２が設けられ、散液ノズ
ル２４に供給される前の処理液Ｌがこのフィルタ３２で
清浄化処理されるようにしている。
【００２８】従って、上記処理液タンク３内の処理液Ｌ
は、循環ポンプ３１の駆動によって第２管路４２に吐出
され、フィルタ３２で清浄化されたのち散液ノズル２４
に供給され、散液ノズル２４からローラ２３列上の基板
Ｂにスプレーされる。この処理液Ｌの基板Ｂへのスプレ
ーによって、基板Ｂの表面に所定の処理が施される。基
板Ｂの処理に用いられた処理液Ｌは、基板Ｂの周縁部か
ら傾斜底部２５および処理液誘導板２６上に落下し、こ
れらに誘導されて流下し、液留部２２に一時貯留され
る。
【００２９】上記液留部２２においては、貯留される処
理液Ｌの液面の上限高さ位置および下限高さ位置が予め
設定されているとともに、処理液Ｌの液面がこれらの位
置にあることを検出する静電容量方式の液面検出センサ
５が設けられている。この液面検出センサ５は、上記上
限位置を検出する上限位置センサ５１と、上記下限位置
を検出する下限位置センサ５２とからなり、各位置セン
サ５１，５２が処理液Ｌに接触することによって液留部
２２のその部分に処理液Ｌが存在していることを検出で
きるようになっている。
【００３０】また、基板処理装置１０の近傍には処理液
回収停止信号出力部６１と処理液回収信号出力部６２と
からなる制御手段６が設けられている。この制御手段６
には上記液面検出センサ５の検出結果が常時入力される
ようにしてあり、この検出結果に応じて制御手段６は所
定の制御信号を上記制御弁３０に出力するようにしてい
る。具体的には、上限位置センサ５１が処理液Ｌの存在
を検出したときには、処理液回収信号出力部６２から制
御弁３０に向けて開弁の制御信号が出力され、上記下限
位置センサ５２が処理液Ｌの存在を検出しなくなったと
きには、処理液回収停止信号出力部６１から制御弁３０
に向けて閉弁の制御信号が出力されるようになってい
る。
【００３１】そして、一旦開弁の制御信号が出力される
と、下限位置センサ５２が処理液Ｌの存在を検出しなく
なるまで制御弁３０の開弁状態が継続され、また、一旦
閉弁の制御信号が出力されると、上限位置センサ５１が
処理液Ｌの存在を検出するまで制御弁３０の閉弁状態が
継続されるようにしている。従って、処理液Ｌの液面位
置が一旦上限位置センサ５１の位置よりも上位になる
と、下限位置センサ５２が処理液Ｌの存在を検出しなく
なるまで制御弁３０は開通状態を維持し、逆に処理液Ｌ
の液面位置が下限位置センサ５２の位置よりも下位にな
ると、液面が上限位置センサ５１の位置に回復するまで
制御弁３０は閉止状態を維持することになる。
【００３２】以下、上記処理液Ｌの液面制御を図２を基
にさらに詳細に説明する。図２は、液留部２２内での処
理液Ｌの液面制御を示す説明図であり、（イ）は、液留
部２２内の液位（処理液Ｌの液面高さ位置）が上限位置
センサ５１より上位になった状態、（ロ）は、上限位置
センサ５１と下限位置センサ５２との間で液留部２２内
の液位が降下しつつある状態、（ハ）は、液留部２２内
の液位が下限位置センサ５２よりも下方になった状態、
（ニ）は、液留部２２内の液位が上昇しつつある状態を
それぞれ示している。
【００３３】まず、図２の（イ）に示す状態では、液留
部２２内の処理液Ｌの液位は上限位置センサ５１よりも
上方になっているため、上限位置センサ５１が処理液Ｌ
の存在を検出し、この検出結果が制御手段６に入力さ
れ、制御手段６の処理液回収信号出力部６２から開弁の
制御信号が制御弁３０に向けて出力される。これによっ
て制御弁３０は開通されるため、図２の（ロ）に示すよ
うに処理液Ｌは開通した制御弁３０を通って流下し、液
位が低下する。この場合、上限位置センサ５１は処理液
Ｌの存在を検出しなくなるが、処理液回収信号出力部６
２は下限位置センサ５２が処理液Ｌの存在を検出しなく
なるまで制御弁３０の開弁状態を維持させる制御信号を
出力するようにしてあるため、処理液Ｌの液位が下限位
置センサ５２のレベル以下になるまで制御弁３０は開通
状態になっている。
【００３４】ついで、液留部２２内の処理液Ｌの液位が
下限位置センサ５２のレベル以下になると、図２の
（ハ）に示すように、下限位置センサ５２が処理液Ｌの
存在を検出しなくなり、これによって制御手段６の処理
液回収停止信号出力部６１から制御弁３０に向けて閉弁
の制御信号が出力され、制御弁３０が閉じることによっ
て処理液Ｌの流下は止められ、以後、図２の（ニ）に示
すように、液留部２２内に導入される処理液Ｌによって
液位は上昇する。
【００３５】この場合、下限位置センサ５２は処理液Ｌ
の存在を検出するようになるが、処理液回収信号出力部
６２は上限位置センサ５１が処理液Ｌの存在を検出する
まで制御弁３０の閉弁状態を維持させる制御信号を出力
するようにしてあるため、処理液Ｌの液位が上限位置セ
ンサ５１のレベルを越えるまで制御弁３０は閉弁状態が
継続される。そして、処理液Ｌの液位が上限位置センサ
５１に到達すると、上記図２の（イ）に示す状態にな
り、以下上記と同様の液面制御が繰り返される。
【００３６】第１実施形態の構成によれば、散液ノズル
２４から基板Ｂに供給された処理液Ｌは、基板Ｂに所定
の処理を施したのち落下し、処理槽２の傾斜底部２５お
よび処理液誘導板２６に受けられ、それらに誘導されて
流下し、液留部２２に導入される。そして、液留部２２
においては、液面検出センサ５による処理液Ｌの液面位
置に応じて制御手段６から制御弁３０に弁開閉の制御信
号が出力され、これによって液留部２２内の液面位置は
上限位置センサ５１と下限位置センサ５２との間で変動
し、しかも処理液Ｌの液面位置は下限位置センサ５２の
高さ位置より下位になることはない。
【００３７】従って、液留部２２内には、少なくとも液
面が下限位置センサ５２の高さ位置になるように処理液
Ｌが存在しているため、処理液Ｌが発泡しても、その泡
Ｆは処理液Ｌの表面に浮遊した状態になっており、この
泡Ｆが第１管路４１を通って処理液タンク３内に導入さ
れることはなく、処理液タンク３内の処理液Ｌが発泡状
態になることが確実に防止される。また、連通管４１か
ら処理液タンク３内に導入される処理液Ｌは、処理液タ
ンク３内の処理液Ｌ中に導入されることから、処理液タ
ンク３内での発泡も確実に防止することができる。
【００３８】図３は、本発明に係る第２実施形態の基板
処理装置１１を示す説明図である。第２実施形態の基板
処理装置１１においては、第１管路４１に上記制御弁３
０の代わりに回収ポンプ３０ａが設けられ、この回収ポ
ンプ３０ａの駆動によって液留部２２内の処理液Ｌが処
理液タンク３に強制導入されるようになっている。従っ
て、制御手段６からは、液面検出センサ５の液面検出結
果に基づいて回収ポンプ３０ａが駆動したり停止するた
めの制御信号が出力されるようになっている点を除いて
上記第１実施形態の基板処理装置１０と同一の構成にな
っている。第２実施形態においては、上記第１管路４１
と回収ポンプ３０ａとによって本発明に係る回収手段が
形成されている。
【００３９】具体的には、上記制御手段６には、液面検
出センサ５の検出結果が常時入力され、この検出結果に
応じて制御手段６は処理液回収停止信号出力部６１また
は処理液回収信号出力部６２から所定の制御信号を上記
回収ポンプ３０ａに出力するようにしており、上限位置
センサ５１が処理液Ｌの存在を検出したときには回収ポ
ンプ３０ａに向けてポンプ駆動の制御信号が出力され、
上記下限位置センサ５２が処理液Ｌの存在を検出しなく
なったとき回収ポンプ３０ａに向けてポンプ停止の制御
信号が出力されるようになっている。
【００４０】そして、一旦ポンプ駆動の制御信号が出力
されると、下限位置センサ５２が処理液Ｌの存在を検出
しなくなるまで回収ポンプ３０ａの駆動状態が継続さ
れ、また、一旦ポンプ停止の制御信号が出力されると、
上限位置センサ５１が処理液Ｌの存在を検出するまで回
収ポンプ３０ａの停止状態が継続されるようにしてい
る。従って、処理液Ｌの液面位置が一旦上限位置センサ
５１の位置よりも上位になると、下限位置センサ５２が
処理液Ｌの存在を検出しなくなるまで回収ポンプ３０ａ
は駆動状態を維持し、逆に処理液Ｌの液面位置が下限位
置センサ５２の位置よりも下位になると、液面が上限位
置センサ５１の位置に回復するまで回収ポンプ３０ａは
停止状態を維持することになる。
【００４１】かかる第２実施形態の基板処理装置１１に
よれば、回収ポンプ３０ａによって液留部２２内の処理
液Ｌを処理液タンク３内に強制移送することができるた
め、処理槽２と処理液タンク３との上下の位置関係につ
いては第１実施形態のような制約はない。また、基板処
理装置１１における処理液タンク３内に泡Ｆが生じない
作用については、上記第１実施形態の場合と同様であ
る。
【００４２】図４は、本発明に係る第３実施形態の基板
処理装置１２を示す説明図である。
【００４３】図４に示すように、第３実施形態の基板処
理装置１２においては、処理槽２の液留部２２と処理液
タンク３とが略同一高さ位置に設けられている。そし
て、液留部２２の底部と、処理液タンク３の下側部との
間に第１管路４１が設けられ、この第１管路４１によっ
て液留部２２と処理液タンク３とは下部で相互に連通状
態になっている。上記第１管路４１には、先の実施形態
の場合のような制御弁３０（図１）や回収ポンプ３０ａ
（図３）は設けられていない。そして、本実施形態にお
いては、回収手段は第１管路４１のみによって形成され
ている。その他の基板処理装置１２の構成は上記第１お
よび第２実施形態の基板処理装置１０，１１と同様であ
る。
【００４４】そして、上記液留部２２には、貯留される
処理液Ｌの上限高さ位置Ｈ１と下限高さ位置Ｈ２とが予
め設定されており、処理液タンク３は、液留部２２内に
おける処理液Ｌの液位が上記上限高さ位置Ｈ１になった
状態で同一の液位で処理液Ｌを貯留することができるよ
うに立体寸法が設定されている。また、第１管路４１の
処理液タンク３への接続口３３は、上記下限高さ位置Ｈ
２の高さ位置より若干上方で処理液タンク３内の処理液
Ｌ中に連通している。
【００４５】第３実施形態の構成によれば、液留部２２
内で処理液Ｌの液位が上限高さ位置Ｈ１〜下限高さ位置
Ｈ２の間で変動しても、連通管の理によって液留部２２
内の処理液Ｌの液位と、処理液タンク３内の処理液Ｌの
液位とは同一になる。そして、処理液タンク３内の処理
液Ｌの液位が下限高さ位置Ｈ２よりも低下すると、第１
管路４１の接続口３３が下限高さ位置Ｈ２よりも上位に
あるため、液留部２２内の処理液Ｌは処理液タンク３内
には移動せず、従って、液留部２２内の処理液Ｌの表面
に形成された泡が処理液タンク３内に導入されることは
ない。
【００４６】図５は、本発明に係る第４実施形態の基板
処理装置１３を示す説明図である。図５においては、処
理槽２の内、液留部２２の上部の基板処理部２１は図示
を省略している。本実施形態においては、液留部２２の
底部と処理液タンク３の下側部との間に第１管路４１が
設けられ、この第１管路４１の処理液タンク３側の接続
口３３ａは処理槽２の底部よりも下位に形成されてい
る。そして、処理液の貯留域の少なくとも一部が上下方
向で重複するように処理槽２の液留部２２と処理液タン
ク３とが並設されている。そして、本実施形態において
は、液留部２２の底部と上限高さ位置Ｈ１との間に、処
理槽２および処理液タンク３の処理液貯留領域の重複部
分が形成されている。
【００４７】第４実施形態の構成においては、液留部２
２または処理液タンク３に液面検出センサを設けたり、
あるいは常に処理液タンク３内の液面を監視することに
よって処理液の液位が予め設定された下限高さ位置Ｈ２
よりも下がらないように処理液の補給を行う等の制御を
行うことで、液留部２２内の泡Ｆが処理液タンク３内に
移行することが確実に阻止される。
【００４８】本発明の基板処理装置１０，１１，１２，
１３は、以上の実施形態に限定されるものではなく、以
下の実施形態の適用も可能である。
【００４９】（１）上記各実施形態においては、基板Ｂ
は散液ノズル２４からのスプレーによって表面にのみ処
理液Ｌが散布されるようにしているが、ローラ２３列の
下部にも散液ノズルを設け、基板Ｂの裏面にも処理液Ｌ
をスプレー塗布するようにしてもよい。
【００５０】（２）上記第１実施形態および第２実施形
態においては、液面検出センサ５として静電容量式のも
のが用いられているが、静電容量式の液面検出センサ５
の代わりに、フロート式、光センサ式、磁気式等、処理
液の性状や泡の発生量に応じ、適宜の液面センサを選択
して用いることが可能である。
【００５１】（３）上記第３実施形態においては、処理
液タンク３における第１管路４１の接続口３３位置は、
処理槽２の液留部２２の下限高さ位置Ｈ２よりも上位に
設定されているが、本発明は、接続口３３が下限高さ位
置Ｈ２よりも上位に高さ設定されることに限定されるも
のではなく、下限高さ位置Ｈ２よりも下位に設定しても
よい。ただしこの場合は、処理液タンク３内の処理液Ｌ
の液位が接続口３３よりも下位にならないように常に液
位を監視し、接続口３３よりも下位になりそうなとき
は、処理液Ｌの補給を行う必要がある。
【００５２】（４）また、上記第３実施形態において、
処理液タンク３の底面の高さ位置を下限高さ位置Ｈ２よ
りも上位にしてもよい。こうすることによって、たとえ
第１管路４１の処理液タンク３に対する接続口３３が処
理液タンク３の底面に形成されても、液留部２２内の液
位が下限高さ位置Ｈ２よりも下がることがないため、泡
Ｆの処理液タンク３内への移動が確実に抑制される。
【００５３】
【発明の効果】上記請求項１記載の発明は、処理液を貯
留する処理液タンクと、上記基板に供給された処理液を
受ける処理槽と、この処理槽に貯留された処理液を処理
液タンク内に回収する回収手段と、上記処理槽内に貯留
された処理液の液位を検出する検出手段とを備え、処理
槽内の処理液が予め設定された上限位置を越えたことを
上記検出手段が検出した時点で上記回収手段に処理液を
回収させるとともに、処理槽内の処理液が予め設定され
た下限位置に達したことを上記検出手段が検出した時点
で上記回収手段の処理液の回収を停止させる制御手段を
具備してなるものであるため、検出手段によって液面位
置が下限位置未満になったことが検出されると、制御手
段からの制御信号によって回収手段による処理液の回収
が停止され、それ以上処理槽内の液位は低下しないた
め、処理槽内の処理液の表面に形成された泡が、回収手
段を介して処理液タンク内に導入されることはなく、処
理液タンク内には泡の存在しない処理液が貯留された状
態になる。従って、処理液ポンプの駆動によって処理液
タンク内の処理液を基板に供給しても、処理液内には泡
が存在しないため、泡の存在に起因した不均質な基板処
理や処理液ポンプの送液不良がなくなり、処理された基
板の不良率を低減する上、および送液を確実に行う上で
有効である。
【００５４】また、検出手段によって液面位置が上限位
置を越えたことが検出されると、制御手段からの制御信
号によって回収手段による処理液の回収が開始され、処
理槽内の液位が低下するため、処理槽内での処理液のオ
ーバーフローが確実に防止される。
【００５５】このように処理槽内に貯留される処理液の
液面は、検出手段の液位検出に基づいた制御手段による
フィードバック制御によって、常に予め設定された上限
位置と下限位置との間に存在するようになるため、処理
槽内の処理液の表面に形成された泡が、回収手段を介し
て処理液タンク内に導入されることはなく、泡が基板に
循環供給されることを確実に防止するとともに、処理槽
内の液面管理を自動的に行い得るようにする上で極めて
好都合である。
【００５６】上記請求項２記載の発明によれば、回収手
段は、処理槽の底部と処理液タンク内の処理液中とを連
通する連通管と、この連通管に設けられた回収ポンプと
からなり、回収ポンプの駆動によって処理槽内の処理液
が連通管を通って処理液タンク内に強制移送されるた
め、処理槽と処理液タンクとの上下の位置関係に拘らず
に送液が可能になり、設備レイアウトの自由度を大きく
する上で好都合である。
【００５７】上記請求項３記載の発明によれば、処理槽
は、その底面位置が上記処理液タンクに貯留される処理
液の上限位置よりも上部になるように配置され、上記回
収手段は、処理槽の底部と処理液タンク内の処理液中と
を連通する連通管と、この連通管に設けられ、上記制御
手段により開閉される制御弁とからなるものであるた
め、制御弁の開通状態で処理槽内の処理液が連通管を通
って処理液タンク内に導入され、特に動力を用いること
なく送液が可能になり、運転コストの低減を図る上で有
効である。
【００５８】上記請求項４記載の発明によれば、基板処
理装置は、処理液を貯留する処理液タンクと、上記基板
に供給された処理液を受ける処理槽と、この処理槽の底
部と処理液タンク内の処理液中とを連通する連通管とを
備え、処理液の貯留域の少なくとも一部が上下方向で重
複するように処理槽と処理液タンクとが並設されてなる
ものであるため、処理槽内の処理液の液位と、処理液タ
ンク内の処理液の液位とが、貯留域の重複している部分
で連通管によって常に同一液位で上下動する。そして、
上記液位を処理槽の底部よりも常に上位になるように液
面制御を行うことによって処理槽内の処理液表面にある
泡が処理液タンク内に導入されることが阻止され、これ
によって処理槽内の処理液表面に生じた泡が処理液タン
ク内に導入されることはなく、処理液タンク内に泡を入
れないようにする上で有効である。しかも、連通管に制
御弁や回収ポンプを適用する必要がないため、設備コス
トの低減に寄与するとともに、運転コストを安価にする
上で好都合である。
【００５９】上記請求項５記載の発明によれば、処理槽
は、底面が傾斜しているため、基板に供給された処理液
は、傾斜している処理槽の底面に落下するため、この傾
斜によって処理液の落下による衝突衝撃が緩和され、処
理液の発泡を抑制する上で有効である。
【００６０】上記請求項６記載の発明によれば、処理槽
は、処理液供給手段から供給された処理液を基板の下部
で受ける処理液誘導板を有し、この処理液誘導板は、傾
斜が形成されているため、基板に供給された処理液は、
傾斜している処理液誘導板の表面に落下するため、処理
液誘導板の傾斜によって処理液の落下による衝突衝撃が
緩和され、処理液の発泡を抑制する上で有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１実施形態の基板処理装置を示
す説明図である。
【図２】液留部内での処理液Ｌの液面制御を示す説明図
であり、（イ）は、液留部内の液位（処理液Ｌの液面に
高さ位置）が上限位置センサより上位になった状態、
（ロ）は、上限位置センサと下限位置センサとの間で液
留部内の液位が降下しつつある状態、（ハ）は、液留部
内の液位が下限位置センサよりも下方になった状態、
（ニ）は、液留部内の液位が上昇しつつある状態をそれ
ぞれ示している。
【図３】本発明に係る第２実施形態の基板処理装置を示
す説明図である。
【図４】本発明に係る第３実施形態の基板処理装置を示
す説明図である。
【図５】本発明に係る第４実施形態の基板処理装置を示
す説明図である。
【符号の説明】
１０，１１，１２，１３ 基板処理装置 ２ 処理槽 ２１ 基板処理部 ２１ａ 上流壁 ２１ｂ 下流壁 ２１ｃ 上流側開口 ２１ｄ 下流側開口 ２３ ローラ ２４ 散液ノズル ２５ 傾斜底部 ２６ 処理液誘導板 ２２ 液留部 ３ 処理液タンク ３１ 循環ポンプ ３２ フィルタ ３３，３３ａ 接続口 ４１ 第１管路 ４２ 第２管路 ５ 液面検出センサ ５１ 上限位置センサ ５２ 下限位置センサ ６ 制御手段 ６１ 処理液回収停止信号出力部 ６２ 処理液回収信号出力部 Ｂ 基板 Ｌ 処理液 Ｆ 泡

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板に供給された処理液を回収すること
    によって循環使用する基板処理装置において、 処理液を貯留する処理液タンクと、上記基板に供給され
    た処理液を受ける処理槽と、この処理槽に貯留された処
    理液を処理液タンク内に回収する回収手段と、上記処理
    槽内に貯留された処理液の液位を検出する検出手段とを
    備え、処理槽内の処理液が予め設定された上限位置を越
    えたことを上記検出手段が検出した時点で上記回収手段
    に処理液を回収させるとともに、処理槽内の処理液が予
    め設定された下限位置に達したことを上記検出手段が検
    出した時点で上記回収手段の処理液の回収を停止させる
    制御手段を具備していることを特徴とする基板処理装
    置。
  2. 【請求項２】 上記回収手段は、処理槽の底部と処理液
    タンク内の処理液中とを連通する連通管と、この連通管
    に設けられた回収ポンプとからなることを特徴とする請
    求項１記載の基板処理装置。
  3. 【請求項３】 上記処理槽は、その底面位置が上記処理
    液タンクに貯留される処理液の上限位置よりも上部にな
    るように配置され、上記回収手段は、処理槽の底部と処
    理液タンク内の処理液中とを連通する連通管と、この連
    通管に設けられ、上記制御手段により開閉される制御弁
    とからなることを特徴とする請求項１記載の基板処理装
    置。
  4. 【請求項４】 基板に供給された処理液を回収すること
    によって循環使用する基板処理装置において、 処理液を貯留する処理液タンクと、上記基板に供給され
    た処理液を受ける処理槽と、この処理槽の底部と処理液
    タンク内の処理液中とを連通する連通管とを備え、処理
    液の貯留域の少なくとも一部が上下方向で重複するよう
    に処理槽と処理液タンクとが並設されていることを特徴
    とする基板処理装置。
  5. 【請求項５】 上記処理槽は、底面が傾斜していること
    を特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板処
    理装置。
  6. 【請求項６】 上記処理槽は、処理液供給手段から供給
    された処理液を基板の下部で受ける処理液誘導板を有
    し、この処理液誘導板は、傾斜が形成されていることを
    特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の基板処理
    装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100666353B1 (ko) * 2005-06-22 2007-01-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP2012216778A (ja) * 2011-03-25 2012-11-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2013074248A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Shibaura Mechatronics Corp 基板処理装置および基板処理方法
KR20150060062A (ko) * 2013-11-25 2015-06-03 세메스 주식회사 노즐 및 이를 갖는 기판 처리 장치

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7296583B2 (en) * 2001-12-19 2007-11-20 Durr Systems, Inc. Pretreatment spray clean tank configuration
JP2004165624A (ja) * 2002-09-26 2004-06-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
DE202005007482U1 (de) * 2005-04-15 2006-08-24 Liebherr-Hausgeräte Lienz Gmbh Wasserversorgungsvorrichtung zur Versorgung eines Eiswürfelbereiters und/oder eines Wasserspenders eines Kühl- und/oder Gefriergerätes
KR101216606B1 (ko) * 2005-12-16 2012-12-31 주식회사 케이씨텍 세정액 저장장치 및 거품제거방법
KR101308398B1 (ko) 2006-08-31 2013-09-16 주식회사 케이씨텍 약액 회수장치 및 이를 이용한 약액 회수방법
US9066496B2 (en) * 2006-10-24 2015-06-30 Ron Hymes Automatic smart watering apparatus
US20080092965A1 (en) * 2006-10-24 2008-04-24 Ron Hymes Automatic smart watering apparatus
CN114496862B (zh) * 2022-04-14 2022-07-12 鑫巨(深圳)半导体科技有限公司 一种ic基板多功能化学制程装置及方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3425952A (en) * 1966-03-31 1969-02-04 Betz Laboratories Apparatus for the control of foam formation during the processing of liquids
US3524457A (en) * 1967-11-15 1970-08-18 Dow Chemical Co Etching apparatus
DE3035864A1 (de) * 1980-09-23 1982-05-06 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zur regenerierung salzsaurer kupferchlorid-aetzloesungen
JPH0234381A (ja) * 1988-07-26 1990-02-05 Canon Inc 記録装置
US5247953A (en) * 1989-07-06 1993-09-28 D.E.M. Controls Of Canada Welled sump for use in chemical process machinery
US5150727A (en) * 1990-11-26 1992-09-29 D.E.M. Controls Of Canada False bottom sump
JP3222624B2 (ja) * 1993-05-14 2001-10-29 株式会社タカキタ 肥料散布機

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100666353B1 (ko) * 2005-06-22 2007-01-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP2012216778A (ja) * 2011-03-25 2012-11-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US9230836B2 (en) 2011-03-25 2016-01-05 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treatment method
JP2013074248A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Shibaura Mechatronics Corp 基板処理装置および基板処理方法
KR20150060062A (ko) * 2013-11-25 2015-06-03 세메스 주식회사 노즐 및 이를 갖는 기판 처리 장치

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Publication number Publication date
KR100235821B1 (ko) 1999-12-15
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