KR100235821B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100235821B1
KR100235821B1 KR1019960039704A KR19960039704A KR100235821B1 KR 100235821 B1 KR100235821 B1 KR 100235821B1 KR 1019960039704 A KR1019960039704 A KR 1019960039704A KR 19960039704 A KR19960039704 A KR 19960039704A KR 100235821 B1 KR100235821 B1 KR 100235821B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing liquid
storage means
substrate
level
processing
Prior art date
Application number
KR1019960039704A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970018138A (ko
Inventor
미츠아키 요시타니
Original Assignee
이시다 아키라
다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이시다 아키라, 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 filed Critical 이시다 아키라
Publication of KR970018138A publication Critical patent/KR970018138A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100235821B1 publication Critical patent/KR100235821B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/0318—Processes
    • Y10T137/0324—With control of flow by a condition or characteristic of a fluid
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/7287—Liquid level responsive or maintaining systems
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/7287—Liquid level responsive or maintaining systems
    • Y10T137/7306—Electrical characteristic sensing

Abstract

소정의 처리액으로기판을 처리하기 위한 장치는 처리액을 저장하기 위한 제1 저장부와, 제1 저장장치에 저장된 처리액을 소정위치에 있는기판으로 공급하기 위한 공급장치와,기판으로의 적용후에기판에 공급된 처리액을 수용하기 위한 수용부와, 수용장치에 의해 수용된 처리액을 저장하기 위한 제2 저장부와, 제2 저장부에 의해 저장된 처리액을 제1 저장부로 이입하기 위한 이입시스템과, 제2 저장부에 저장된 처리액내에 포함된 거품이 제1 저장부에 이입되는 것을 배제하기 위하여 이입시스템을 제어하는 제어장치를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법
제1도는 본 발명에 관한 제1기판처리장치를 나타내는 도면.
제2a~2d도는 본 장치의 처리액 저장부내 처리액의 레벨제어를 나타내는 도면.
제2a도는 처리액의 레벨이나 처리액의 표면 높이가 상한 센서위에 있는 상태를 나타내는 도면.
제2b도는 처리액의 레벨이 상한센서와 하한센서 사이로 하강하는 상태를 나타내는 도면.
제2c도는 처리액의 레벨이 하한센서 밑에 있는 상태를 나타내는 도면.
제2d도는 처리액의 레벨이 상한센서와 하한센서 사이로 상승하는 상태를 나타내는 도면.
제3도는 본 발명에 관한 제2기판처리장치를 나타내는 도면.
제4도는 본 발명에 관한 제3기판처리장치를 나타내는 도면.
제5도는 제3기판처리장치의 변형을 나타내는 도면.
제6도는 본 발명에 관한 제4기판처리장치를 나타내는 도면.
본 발명은 예를 들면, 분무(spray)에 의해 처리액을 기판에 적용(apply)함으로써 반도체 웨이퍼나 액정 표시장치용 유리기판과 같은 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
다양한 기판 처리장치, 예를 들면 세정장치, 현상(developing)장치, 식각 (etching)장치와 레지스트 제거장치 등이 제조되고 있다. 일반적으로 이러한기판처리장치는 처리액을기판에 적용하기 위한 처리부, 처리액을 저장하기 위한 탱크(tank)와 처리액을 탱크에서 처리부로 흐르게 하기 위한 펌프를 포함한다. 복수의기판은 연속적으로 처리부내로 이송되며, 처리부내에 설치된 분무기와 같은 처리액 공급기에 의해 공급된 처리액으로 처리된 후 다음 부(section)로 이송된다.기판에 적용된 처리액은 탱크내로 다시 흘러들어간다. 재저장된 처리액은 펌프에 의해 처리부의 처리액 공급기로 다시 흘러간다. 이런 방식으로, 처리액은기판을 처리하는데 순환 사용된다.
이와 같은 기판처리장치에서, 기판에 대한 처리액의 분무와기판으로부터 처리액의 낙하 충격(falling impact)에 의해 많은 거품이 처리액내에 발생된다. 발생된 거품은 탱크로 이전되어 탱크내에 저장된 처리액에 분산된다. 거품을 포함한 처리액은 처리액 공급기로 흘러가고, 결국 기판에 적용된다.
거품을 포함한 처리액이 기판에 적용되면, 거품이기판의 앞면을 덮으며, 이는기판 앞면의 균일한 처리를 저하시킨다. 게다가 탱크내의 거품의 존재는 펌프의 효율적인 기능을 저해하고, 처리액의 불안정한 흐름을 초래한다. 더구나 처리액은 거품의 존재에 의해 초래되는 처리액과 공기사이의 접촉영역의 증가에 의해 산성화되기 쉽다. 이것은 처리액의 악화를 가속시킨다. 따라서, 이러한 기판처리장치에서 처리액내의 거품발생을 억제시키는 것이 필수적이다.
이러한 문제점을 고려하여 처리액내의 거품발생을 억제하기 위한 다양한 방법이 제안되었다. 예를 들면, 분무 구멍(spray hole)을 거품이 발생하기 쉽지 않을 정도의 모양으로 형성한 분무기의 사용이 제안되었다. 또한, 경사판(slanted plate)이 처리부내기판의 밑에 설치된다. 이러한 구조하에서는, 기판으로부터 낙하하는 처리액은 상기 경사판에 수용되어 처리액의 낙하 충격이 감소되며, 처리액이 교란되는 것을 방지한다. 또한, 처리액에 거품이 덜 생기도록 하기 위해 처리액에 제포제(antifoaming agent)를 첨가하는 것이 제안되었다. 또한, 분무기를 가지지 않는 처리액 공급기의 사용이 제안되었다.
그러나 이러한 종래의 검품 억제방법은 거품이 발생하고, 시간이 경과함에 따라 증가하는 것을 완전히 배제할 수 없었다. 특히 분무기가 처리액 공급기로서 사용되는 경우에, 거품의 발생이 너무 많아 상기한 거품 억제 방법중의 하나가 채택되더라도 처리액 순환 시스템이 짧은 시간내에 거품에 의해 방해된다.
또한, 제포제의 첨가는 제포제의 성분에 따라기판의 처리에 좋지 않은 영향을 끼칠 가능성이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 종래 기술에 존재하는 문제점을 극복하기 위한기판처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 순환처리액에 대한 거품의 나쁜 영향을 확실하게 배제할 수 있는 기판처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 소정의 처리액으로기판을 처리하는 장치는 처리액을 저장하기 위한 제1저장수단과, 제1저장수단에 저장된 처리액을 소정의 위치에 있는 기판에 공급하기 위한 공급수단과, 기판에의 적용후에 기판에 공급된 처리액을 수용하기 위한 수용수단과, 수용수단에 의해 수용된 처리액을 저장하기 위한 제2저장수단과, 제2저장수단에 저장된 처리액을 제1저장수단에 이입하기 위한 이입수단(introducing means)과, 제2저장수단에 의해 저장된 처리액내에 포함된 거품이 제1저장수단으로 이입되는 것을 배제하기 위해 이입수단을 제어하기 위한 제어수단을 포함한다.
제어수단은 처리액의 레벨이 소정의 하한(lower limit)에 도달하는 것을 감지하기 위해 제2저장수단에 저장된 처리액의 레벨을 감지하는 감지수단과, 레벨이 하한에 도달한 것을 감지수단이 감지한 경우 제2저장수단에 저장된 처리액이 제1저장수단에 이입되지 않도록 감지수단의 감지결과에 따라 이입수단을 제어하기 위한 수단을 함께 설치할 수 있다.
처리장치는 처리액의 레벨이 소정의 상한(upper limit)에 도달하는 것을 감지하기 위해 제2저장 수단에 저장된 처리액의 레벨을 감지하기 위한 제2 감지수단과, 레벨이 상한에 도달한 제2 감지수단이 감지한 경우, 제2저장수단에 저장된 처리액이 제1저장수단으로서의 이입을 시작하도록 제2 감지수단의 감지결과에 따라 이입수단을 제어하기 위한 수단을 더 설치할 수 있다.
이입수단은 제2저장수단에 저장된 처리액이 제1저장수단으로 흘러내릴 수 있는 이입통로(introducing passage)에 의해 구성될 수 있다. 제어수단에는 제2저장수단으로부터 제1저장수단으로의 처리액의 흐름을 허용 및 제한하기 위해 이입통로내에 밸브를 설치할 수 있다.
또한, 이입수단은 제2저장수단을 제1저장수단에 연결하는 회수통로 (recoveri ng passage)에 의해 구성할 수 있다. 제어수단에는 제2저장수단에 저장된 처리액을 제1저장수단으로 보내기 위해 회수통로내에 펌프를 설치할 수 있다.
또한, 이입수단은 제2저장수단의 바닥을 제1저장수단의 소정의 위치로 연결하는 것에 의해 제2저장수단에 저장된 처리액의 레벨을 제1저장수단에 저장된 처리액의 레벨과 일치하도록, 제2저장수단을 제1저장 수단에 연결하기 위한 수단에 의해 구성될 수 있다. 이 경우 소정의 위치는 제2저장수단의 소정의 하한보다 높게 되도록 한다.
처리장치는 새로운 처리액을 제1저장수단에 공급하기 위한 제2공급수단과 제2공급수단의 동작을 제어하기 위한 공급제어수단을 더 설치할 수 있다.
공급제어수단은, 제1저장수단에 저장된 처리액의 레벨이 소정의 하위레벨(lower lever)에 도달하는지를 감지하기 위한 레벨 감지수단과, 제1저장수단에 저장된 처리액의 레벨이 소정의 하위레벨에 도달한 것을 레벨 감지수단이 감지한 경우 제2공급수단의 동작이 시작되도록, 레벨 감지수단의 감지결과에 따라 제2공급수단의 동작을 제어하기 위한 수단을 설치할 수 있다.
공급제어수단은, 제1저장수단에 저장된 처리액의 레벨이 소정의 상위레벨(upper lever)에 도달하는지를 감지하기 위한 제2 레벨 감지수단과, 제1저장수단에 저장된 처리액의 레벨이 소정의 상위레벨에 도달한 것을 제2 레벨 감지수단이 감지한 경우 제2공급수단의 동작이 중지되도록, 제2 레벨 감지수단의 감지결과에 따라 제2공급수단의 동작을 제어하기 위한 수단을 더 설치할 수 있다.
처리장치는 제2저장수단에 저장된 처리액을 방출하기 위한 수단을 더 설치할 수 있다.
수용수단은 기판으로부터 낙하하는 처리액을 모으기 위해 제2저장수단쪽으로 경사진 유도판(guiding plate)을 설치할 수 있다.
제2저장 수단은 제2저장수단의 바닥에 있는 처리액을 모으기 위한 경사진 바닥벽(slanted bottom wall)을 설치할 수 있다.
또한, 본 발명은, 처리액이 저장된 탱크로부터 처리부로 처리액을 공급하는 단계와, 처리부내에 위치한 기판위로 공급된 처리액을 적용하는 단계와,기판으로부터 낙하하는 처리액을 수집하는 단계와,기판으로부터 저장부로의 처리액의 낙하에 의해 발생하는 거품을 포함하는 수집된 처리액을 저장부에 저장하는 단계와, 저장부내에 거품을 남긴 채 저장부에 저장된 처리액을 탱크로 회수하는 단계를 포함하는 소정의 처리액으로 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.
이렇게 구성된기판처리 장치에, 제2저장수단은기판으로부터 낙하하는 처리액을 저장하고 낙하 중에 발생한 거품이 저장된 처리액의 표면으로 상승하도록 하기 위해 설치된다. 저장된 처리액내의 거품이 제1저장수단에 이입되는 것을 배제하는 방식으로 처리액은 제2저장수단에 유지된다. 따라서, 제1저장수단에 저장된 처리액에는 거품이 없다. 거품을 함유하는 처리액이 기판에 적용될 가능성은 없으며, 이는 기판에 대한 처리액의 균일한 적용을 보장한다. 또한 이것은 종래 장치내에서 거품의 존재에 의해 초래된 처리액의 결함 있는 공급을 제거한다.
감지수단은 저장된 처리액이 소정의 하한 이하로 내려가는지를 검지하기 위해 설치된다. 제2저장수단내의 처리액의 저장은 제어수단에 의해 이입수단의 동작을 제어함으로써 조절된다. 이것은 저장부내 처리액의 저장제어를 자동적이고 정확하게 할 수 있게 한다.
게다가 제2 감지수단이 설치된다. 제어수단은 제2 감지수단의 감지결과에 따라 이입수단의 동작을 제어한다. 따라서, 처리액이 필요양 이상 제2저장수단내에 머무르는 것을 막을 수 있다.
제2저장수단으로부터 제1저장수단으로의 처리액의 이입을 위한 이입 통로내에 밸브가 설치된다. 밸브의 설치는 처리액의 흐름의 더욱 쉽고 정확한 제어를 보장한다. 또한, 제2저장수단을 제1저장수단에 연결하는 회수 통로내에 펌프가 설치되며, 이는 처리액의 강제적인 회수를 보장한다.
제2저장수단의 바닥이 연결수단에 의해 제1저장수단의 소정의 위치에 연결되며, 소정의 위치는 제2저장수단의 하한보다 위에 있는 배치에서, 처리액은 레벨감지기, 제어기, 제어밸브와 같은 부속부분을 설치하지 않고도 제2저장수단내의 하한에 유지될 수 있다. 이에 따라 저렴한 장치를 제공하게 된다.
또한, 제2공급수단이 제1저장수단에 새로운 처리액을 공급하기 위해 설치되며, 이는 처리장치로의 신선한 처리액의 공급을 보장한다. 제2공급수단은 하위레벨 감지수단과 상위레벨 감지 수단을 가지는 공급제어 수단에 의해 제어된다. 따라서, 제1저장 수단내의 처리액의 레벨은 신뢰성 있게 제어된다.
게다가, 진보된 본 처리장치에는 제2저장수단에 저장된 처리액을 방출하기 위한 방출수단을 설치된다. 이것은 처리액을 소망시간에 제2저장수단으로부터 방출하는 것을 가능하게 한다.
제2저장수단에 대해 경사진 유도판이 설치된 수용부의 배치에서, 처리액은기판으로부터 경사진 유도판위로 낙하한다. 따라서, 낙하 충격은 유도판의 경사에 의해 약해지며 이는 거품의 발생을 억제한다.
경사진 바닥으로 형성된 제2저장수단의 배치에서, 마찬가지로 처리액은기판으로부터 경사진 바닥위로 낙하한다. 따라서, 낙하 충격은 바닥의 경사에 의해 약해지며, 이는 거품의 발생을 억제한다.
게다가 본 발명의 방법에 따르면, 기판으로부터 낙하하는 처리액은 발생된 거품이 저장된 처리액의 표면으로 상승하는 것을 허용하는 특징의 양으로 저장부에 수집되고 저장된다. 그후, 처리액은 거품이 처리부에 저장된 처리액의 표면위에 머무를 정도의 양으로 저장부로부터 탱크로 회수된다. 이것은 거품이 탱크내에 저장된 처리액으로 분산하는 것을 방지할 것이다. 거품을 함유하는 처리액이 기판에 적용될 가능성은 없으며, 이는 기판에 대한 처리액의 균일한 적용을 보장한다. 또한 이것은 종래 장치에서 거품의 존재에 의해 초래된 처리액의 결함있는 공급을 제거할 것이다.
본 발명은 이러한 목적 및 다른 목적, 특징 및 이점은 다음의 상세한 설명과 그에 수반한 도면을 읽으면 더욱더 명확해질 것이다.
제1도는 본 발명에 관한 제1기판처리장치(10)를 나타내는 도면이다. 기판처리장치(10)는 기본적으로기판(B)을 처리하기 위한 처리부(2)와기판(B) 처리에 사용되는 처리액(L)을 저장하기 위한 탱크(3)를 포함한다. 처리부(2)는 처리부내의 처리액 표면의 가장 낮은 높이가 탱크(3)내의 처리액 표면의 높이보다 높게 되도록 설치되어 있다.
처리부(2)는 처리부내로 이입된 직사각형의기판(B)을 처리하기 위한기판처리실(substrate treatment chamber)(21)과기판처리 처리실(21)밑의 처리액 저장부(22)를 가진다.
기판처리실(21)은 상승류벽(upstream wall)(21a)과 하강류벽(downstream wall)(21b)에 각각 형성된 같은 높이에 위치하는 상승류개구(upstream opening) (21c)와 하강류개구(downstream opening)(21d)를 포함한다. 기판처리실(21) 내부에는, 기판(B)의 운반(conveyance) 방향에 수직인 축을 가지는 복수의 로울러(23)열이 개구(21c 및 21d)와 같은 높이로 나란히 배열된다.
기판(B)는 로울러(23)열의 회전에 의해 상승류개구(21c)를 통해기판처리 실내로 이입되며, 특정의 방법으로 처리된 후에 하강류개구(21d)를 통해 다음 챔버 (chamber)로 이송된다.
복수의 분무노즐(24)은 로울러(23)열의 위에 배치된다. 분무노즐(24)로부터의 처리액(L)의 분무에 의해 특정의 처리가 로울러(23)위의기판(B)의 앞면에 적용된다.
기판처리실(21)은 상승류벽(21a)에 대해 하강류벽(21b)의 바닥단부로부터 하방으로 경사진 바닥벽(25)을 가진다. 경사진 바닥벽(25)의 바닥단부는 처리액 저장부(21)의 상단부에 연결된다. 또한, 기판처리실(21)에는 상승류벽(21a)으로부터 뻗어있는 처리액 유도판(26)이 설치된다. 유도판(26)은 경사진 바닥벽(25)을 향하도록 하방으로 경사진다.
처리액(L)은 유도판(26)고 경사진 바닥벽(25)을 따라 흘러내린후에 처리액 저장부(22)로 이입된다. 기판(B)의 처리후에 처리액(L)은 유도판(26)과 경사진 바닥벽(25)위에 낙하하여 처리액 저장부(22)로 유입된다. 따라서, 낙하공간은 처리액 저장부내 처리액의 표면위로 처리액이 직접 떨어지도록 하는 경우에 비해 작은 것을 알 수 있을 것이다. 이것은 낙하충격을 감소시킬 수 것이며, 이는 처리액(L)내 거품의 발생을 억제할 것이다.
탱크(3)는 처리부(2)내에서 사용되는 처리액(L)을 저장하기 위해 채택된다. 처리액 저장부(22)내에 저장된 처리액(L)은 처리부(2)의 처리액 저장부(22)의 바닥과 탱크 바닥에 있는 탱크(3)의 측부를 연결하는 회수통로(41)를 경유하여 탱크(3)내로 이입된다.
제어밸브(30)는 회수통로(41)내에 설치되며, 처리액 저장부(22)로부터 탱크(3)로의 처리액(L)의 흐름은 제어 밸브(30)의 개·폐에 의해 조절된다.
탱크(3)의 바닥과 분무노즐(24)은 순환펌프(31)를 경유하여 공급통로(42)에 의해 연결된다. 순환펌프(31)를 구동하는 것에 의해 처리액(L)은 탱크(3)로부터 분무노즐(24)로 공급된다. 또한 필터(32)는 분무노즐(24)로 공급되기 전의 처리액(L)을 정화하기 위해 순환펌프(31)로부터 공급통로(42)하강류내에 설치된다. 공급통로(42), 순환펌프(31)와 필터(32)는 공급시스템을 구성한다.
상기한 바와 같이, 처리액(L)은 순환펌프(31)를 구동하는 것에 의해 탱크(3)로부터 공급통로(42)내로 흐르고, 필터(32)에 의해 정화된 후에 분무노즐(24)로 공급되며, 분무노즐(24)에 의해 로울러(23) 열 위의기판(B) 위로 분무된다. 처리액(L)을기판(B) 위를 분무하는 것에 의해 특정의 처리가기판(B)의 앞면에 적용된다.기판(B)을 처리하기 위해 사용되는 처리액(L)은기판(B)의 주변으로부터 경사진 바닥벽(25)과 유도판(26)위로 낙하하고, 그들을 따라 흘러내리며, 처리액 저장부(22)내에 임시 저장된다.
처리액 저장부(22)에는 저장될 처리액(L)의 상한 및 하한이 미리 설정된다. 커패시턴스 타입 레벨 센서 유니트(5)는 처리액(L)의 레벨이 상한 또는 하한에 있는지를 감지하기 위해 설치된다. 레벨 센서 유니트(5)는 처리액(L)의 레벨이 상한에 있는 것을 감지하기 위한 상한 센서(upper limit sensor)(51)와 처리액(L)의 레벨이 하한에 있는 것을 감지하기 위한 하한센서(lower limit sensor)(52)를 포함한다. 각각의 센서(51,52)는 처리액(L)과 접촉함으로써, 처리액(L)이 처리액저장부(22)의 상한 또는 하한에 있는지를 감지한다.
기판처리장치(10)의 근처에, 폐쇄신호출력부(closing signal output portion)(61)와 개방신호출력부(opening signal output portion)(62)를 포함하는 제어기(6)가 설치된다. 레벨센서유니트(5)의 감지 결과는 즉시 제어기(6)에 입력되며, 제어기는 입력된 감지결과를 기초로 제어밸브(30)에 폐쇄 또는 개방 신호를 출력한다.
즉, 상한 센서(51)가 처리액(L)의 존재를 감지한 경우 개방신호가 개방신호출력부(62)로부터 제어밸브(30)로 생성되어 제어밸브를 개방한다. 한편, 하한센서(52)가 처리액(L)의 부재를 감지한 경우, 폐쇄신호가 폐쇄신호출력부(61)로부터 제어밸브(30)로 생성되어 제어밸브를 폐쇄한다.
제어밸브(30)는 하한센서(52)가 처리액(L)의 부재를 감지할 때까지 개방상태를 유지하고, 반면에 상한 센서(51)가 처리액(L)의 존재를 감지할 때까지 폐쇄상태를 유지한다. 즉 처리액(L)의 레벨이 상한센서(51)의 위치 이상으로 상승하면, 제어밸브(30)는 개방되고 하한센서(52)가 처리액(L)의 부재를 감지할 때까지 개방상태를 유지한다. 반면에 처리액(L)의 레벨이 하한 센서(52)의 위치 이하로 하강하면, 제어밸브(30)는 폐쇄되고 처리액(L)의 레벨이 상한센서(51)의 위치에 도달할 때까지 폐쇄상태를 유지한다.
또한, 처리액(L)의 레벨제어를 처리액 저장부(22)내 처리액(L)의 레벨 제어를 도시하는 제2a도 내지 제2d도를 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.
제2a도에서, 처리액 저장부(22)내 처리액의 레벨은 상한 센서(51) 위에 있다. 따라서, 상한센서(51)는 처리액(L)의 존재를 감지하며, 감지의 결과는 제어기(6)로 전송된다. 그 결과 제어기(6)의 개방신호출력부(62)는 제어 밸브(30)에 개방신호를 생성한다.
제2b도에서, 제어밸브(30)는 개방되며, 그 결과 처리액(L)은 개방된 제어밸브(30)을 통해 흘러내리게 된다. 따라서, 처리액(L)의 레벨이 낮아진다. 이 경우에, 상한센서(51)는 처리액(L)의 존재를 더이상 감지하지 않는다. 그러나, 개방신호의 출력은, 처리액(L)의 레벨이 하한 센서(52)의 위치이하로 하강하고 하한센서(52)가 처리액(L)의 부재를 감지할 때까지, 제어밸브(30)가 개방되도록 유지된다.
제2C에 도시한 바와 같이, 처리액 저장부(22)내 처리액(L)의 레벨이 하한센서(52)의 위치 이하로 하강한 경우, 하한 센서(52)는 처리액의 부재를 감지한다. 이에 따라서, 제어기(6)의 폐쇄신호출력부(61)는 제어밸브(30)에 폐쇄신호를 생성하여 제어밸브(30)를 폐쇄하며, 이것에 의해 탱크(3)로의 처리액의 흐름을 막는다.
제2d도에 도시한 바와 같이, 그후, 처리액(L)의 레벨은 처리액 저장부(22)로 이입된 처리액(L) 때문에 상승한다. 이 경우에, 하한 센서(52)는 처리액(L) 존재의 감지를 시작한다. 그러나, 폐쇄신호의 출력은 처리액(L)의 레벨이 상한 센서(51)의 위치 이상으로 상승하고, 상한 센서(51)가 처리액(L)의 존재를 갑지할 때까지 제어밸브(30)가 폐쇄되도록 유지된다. 처리액(L)의 레벨은 상한 센서(51)에 도달하여 처리액 저장부(22)는 제2a도에 도시한 상태로 되돌아온다. 이들 동작은 저장부(22)내 처리액(L)의 레벨제어를 실행하기 위해 반복적으로 수행된다.
제1 실시예에서, 분무노즐(24)로부터기판(B)에 적용된 처리액(L)은, 특정 방법으로 기판(B)을 처리한 후, 처리부(2)의 경사진 바닥벽(25)과 유도판(26)으로 낙하하며, 이들을 따라 흘러 처리액 저장부(22)내로 유입된다.
사용된 처리액(L)은 저장부(22) 내에 임시로 저장된다. 사용된 처리액(L)의 임시저장은 발생된 거품이 사용된 처리액(L)의 윗면에 뜨는 것을 허용한다. 따라서, 발생된 거품은 저장부(22)내에서 사용된 처리액(L)의 윗면에 수집된다.
레벨센서유니트(5)에 의해 검지된 처리액(L)의 레벨에 따라, 개방 또는 폐쇄신호는 처리액 저장부(22)내 처리액(L)의 레벨이 상한센서(51)와 하한센서(52) 사이에 유지하도록 제어기(6)로부터 제어밸브(30)에 전송된다.
이런 방식으로, 처리액(L)은 하한 센서(52) 이하에 내려가지 않고 적어도 하한센서(52)와 같은 레벨을 유지한 상태로 처리액 저장부(22)내에 저장된다. 따라서 거품(F)이 처리액(L)내에서 발생하더라도 이 거품(F)은 저장부(22)내 처리액(L)의 윗면에 머무른다. 거품(F)은 회수통로(41)를 통해 탱크(3)로 유입되지 않도록 된다. 따라서, 발생된 거품이 탱크(3)내 처리액(L)으로 분산하는 것을 확실하게 배제한다. 제1 실시예에서, 레벨센서 유니트(5)의 하한 센서(52), 제어기(6)와 제어밸브(30)은 저장유지부(storage keeper)를 구성한다.
제3도는 본 발명의 제2기판처리장치를 나타내는 도면이다. 제2기판 처리장치(11)는 제어밸브(30) 대신에 회수펌프(30a)가 회수통로(41)내 설치되고, 처리액 저장부(22)내 처리액(L)이 회수펌프(30a)의 구동에 의해 탱크(3)내로 강제적으로 유입되고, 제어기(6)가 레벨센서 유니트(5)의 감지결과에 근거하여 구동 및 중지신호를 회수펌프(30a)로 출력한다는 점을 제외하고는 제1기판 처리장치(10)의 구성과 동일하다. 제2 실시예에서, 회수통로(41)와 회수펌프(30a)는 회수시스템을 구성한다.
자세히 설명하자면, 제어기(6)는 구동신호출력부(driving signal output portion)(61) 와 중지신호출력부(suspending signal output portion)(62)를 가진다. 레벨센서유니트(5)의 감지결과는 제어기(6)에 즉시 입력되고, 제어기는 입력된 감지 결과에 따라 구동신호출력부(61) 또는 중지신호출력부(62)로부터 구동 또는 중시신호를 회수펌프(30a)로 생성한다. 상한 센서(51)가 처리액(L)의 존재를 감지한 경우에는 제어기(6)는 구동신호를 회수펌프(30a)로 생성하여 회수펌프를 구동한다. 하한센서(52)가 처리액(L)의 부재를 감지한 경우 제어기(6)는 중지신호를 회수펌프(30a)로 생성하여 회수펌프를 중지시킨다.
회수펌프(30a)는 하한센서(52)가 처리액(L)의 부재를 감지할 때까지 구동 상태를 유지하고, 반면에 상한센서(51)가 처리액(L)의 존재를 감지할 때까지 중지상태를 유지한다. 즉, 처리액(L)의 레벨이 상한센서(51)의 위치 이상으로 상승하면, 회수펌프(30a)는 하한센서(52)가 처리액의 부재를 감지할 때까지 구동된다. 한편, 처리액(L)의 레벨이 하한센서(52)의 위치 이하로 하강하면 회수펌프(30a)는 처리액(L)의 레벨이 상한센서(51)의 위치에 도달할 때까지 중지된다. 제2 실시예에서 레벨 센서 유니트(5)의 하한 센서(52), 제어기(6)와 회수펌프(3a)는 저장 유지부를 구성한다.
상기한 바와 같이 제2기판 처리장치(11)에서, 처리액 저장부(22)내 처리액(L)은 회수펌프(30a)에 의해 탱크(3)로 강제적으로 흐르게 된다. 따라서, 수직경로(vertical path)내 제어밸브(30)의 배열을 요하는 제1기판 처리장치(10)와 달리 처리부(2)와 탱크(3) 사이에 회수펌프(30a)의 배열위치에 대한 제한이 없다.
이러한 방식으로, 처리액(L)액은, 거품(F)이 저장부(22)내 처리액(L)의 윗면에 머무르고, 거품(F)이 회수경로(41)를 통해 탱크(3)로 유입되는 것을 방지하기 위해 하한센서(52)의 이하로 낮아지지 않는 상태로 처리액 저장부(22)에 저장된다. 따라서, 발생된 거품이 탱크(3)내 처리액(L)으로 분산되는 것을 확실하게 배제한다.
제4도는 본 발명의 제3기판처리장치를 나타내는 도면이다. 제1 실시예와 같은 부분과 요소는 같은 숫자 또는 문자로 기재한다.
제4도에 도시한 바와 같이 제3기판 처리장치(12)는 처리부(2)로부터 탱크(3)로의 경로내에 제어밸브(제1실시예) 또는 회수펌프(제2실시예)를 설치하고 있지 않다. 그러나, 제3 장치에서, 처리부(2)의 처리액 저장부(22)와 탱크(3)는, 저장부(22)에 저장된 처리액(L)의 표면이 탱크(3)내에 저장된 처리액(L)의 표면과 같은 레벨이 되는 위치에 놓여진다.
회수통로(41)는 처리액 저장부(22)의 바닥과 탱크(3)의 바닥측면에 설치되어, 처리액 저장부(22)와 탱크(3)를 서로 통하도록 하고 있다.
처리액 저장부(22)엥 저장된 처리액(L)의 상한(H1) 및 하한(H2)은 미리 설정된다. 탱크(3)는 처리액 저장부(22)의 상한(H1)레벨보다 낮지 않은 처리액(L)을 저장할 수 있는 부피를 가진다. 연결포트(connection port)(33)는 탱크(3)의 측면에 형성되며, 회수통로(41)의 유출단부에 연결된다. 연결포트(33)는 하한(H2) 레벨과 같거나 약간 높게 위치한다. 연결포트(33)는 제3실시예에서 저장 유지부를 구성한다.
이런 구조에서, 저장부(22)내 처리액(L)의 표면레벨은 탱크(3)내 처리액(L)의 표면레벨의 변동에 따라 변한다. 따라서, 탱크(3)내 처리액(L)의 표면 레벨이 연결포트(33)의 위에 있는 경우에, 저장부(22)내 처리액(L)의 윗면에 있는 거품(F)이 탱크(3)내로 유입된 가능성은 없다. 또한, 탱크(3)내 처리액(L)의 표면레벨이 연결포트(33) 이하에 내려가더라도, 연결포트(33)가 하한(H2) 위에 위치하기 때문에 저장부(22)내 처리액(L)의 윗면에 있는 거품(F)이 탱크(3)로 유입될 가능성은 없다.
제5도는 제3기판처리장치(12)의 변형을 나타내는 도면이다. 이 변형에서, 회수통로(41)에 대한 연결포트(33a)는 처리액 저장부(22)내 처리액에 대한 하한(H2) 레벨의 아래에 위치한다.
그러나, 여기에는 탱크(3)내 처리액의 표면레벨을 제어하기 위한 레벨제어시스템이 설치된다. 레벨제어시스템은 보충통로(supplemental passage)(37)를 통해 탱크(3)와 연결된 보충탱크(35)와, 보충통로(37)내 설치된 제어밸브(36), 상한센서(51), 하한센서(52)와 제어기(6)를 포함한다.
상한 및 하한 센서(51,52)는 탱크 또는 처리부(2)의 저장부(22)에 설치된다. 상한센서(51)는 상한(H1)과 같은 레벨에 위치하며, 하한센서(52)는 하한(H2)과 같은 레벨에 위치한다.
제어기(6)는 폐쇄신호출력부(61)와 개방신호출력부(62)를 포함한다. 보충탱크(35)는 보충용으로 새로운 처리액(L)을 저장한다.
탱크(3)내 처리액(L)의 표면레벨은 다음과 같이 제어된다. 상한 및 하한센서(51,52)는 감지결과를 제어기(6)에 전송한다. 제어기(6)는, 하한센서(52)가 탱크(3)(또는 저장부(22)내 처리액(L)의 부재를 감지한 경우에, 제어밸브(36)를 개방하기 위해 개방신호를 개방신호 출력부로부터 제어밸브(36)로 생성하여 보충처리액이 탱크(3)내로 흐르도록 한다. 상한 센서(51)가 탱크(3)(또는 저장부(22)내 처리액(L)의 존재를 감지한 경우, 제어기(6)는 제어밸브(36)를 폐쇄하기 위해 폐쇄신호를 생성하여 보충처리액의 탱크(3)로의 흐름을 중지시킨다. 이러한 방식으로 탱크(3)내 처리액의 표면레벨은 상한 및 하한(H1,H2) 사이의 범위내에 유지된다. 이러한 변형에서, 레벨제어시스템은 저장유지부를 구성한다.
그러나, 본 발명에 따르면 이러한 레벨 제어시스템이 절대적으로 요구되는 것은 아니라는 것을 주목해야 한다. 조작자는 탱크(3)내 처리액의 표면레벨의 변동을 관찰하고, 표면레벨이 하한(H2) 이하인 것을 관찰한 경우, 특정의 저장량을 유지하기 위해 처리액을 탱크(3)내로 수동으로 공급할 수 있다.
제6도는 본 발명의 제4기판 처리장치를 나타내는 도면이다. 제1 실시예와 같은 부분 또는 요소는 같은 숫자 또는 문자로써 기재된다.
이전의 실시예에서, 처리액이 처리액 저장부(22)의 바닥에 정체되는 것을 막기 위해 처리액은 저장부(22)의 바닥으로부터 빼내진다. 본 실시예에서, 연결포트(22a)는 하한레벨에 있는 처리액 저장부(22)의 측면에 형성된다. 연결포트(22a)는 처리액의 흐름은 허용하고 거품의 이송은 방해할 정도의 크기로 형성된다. 회수통로(41)의 유입단부는 연결포트(22a)에 연결된다. 또한, 방출밸브(43)가 소망시간에 처리액을 방출하기 위해 처리액 저장부(22)의 바닥에 설치된다.
이러한 구조에서는, 연결포트(22a)이하에 처리액은 항상 저장되며, 거품은 연결포트에 의해 봉쇄되기 때문에 처리액의 윗면에 유지된다. 따라서, 본 실시예는 이전 실시예에서 필요한 레벨센서유니트(5), 제어기(6), 제어밸브(30), 회수펌프(30a)를 제거할 수 있다.
본 발명은 이전 실시예에 한정되지 않고, 다음 방법으로 구현할 수 있다.
(1) 이전 실시예에서, 처리액(L)이 분무노즐(24)에 의해 기판(B)의 윗면으로 분무되었지만, 분무노즐은 처리액(L)이 기판(B)의 밑면으로 분무되도록 로울러(23)열의 밑에 설치될 수 있다.
(2) 이전 실시예에서, 키패시턴스 타입 레벨 센서 유니트(5)를 사용하였지만, 부동타입(floating type), 광타입(optical type), 자기타입(magnetic type) 또는 다른 타입의 적절한 레벨센서를 처리액의 특성과 거품의 수에 따라 사용할 수 있다.
(3) 제4도에 도시한 제3실시예에서 탱크(3)의 바닥은 하한(H2) 보다 높게 설정할 수 있다. 이러한 배치에서는 회수통로(41)의 연결포트가 탱크(3)의 바닥벽에 형성되더라도, 처리액 저장부(22)내 처리액의 레벨은 하한(H2) 이하로 하강하지 않는다. 따라서, 탱크(3)로의 거품(F)의 이송은 확실하게 배제된다.
전술한 바와 같이 저장부내 처리액의 레벨이 하한 이하로 내려간 것을 센서가 감지하면 처리액의 회수는 제어기로부터의 제어신호에 응답하여 중지되며, 이는 처리액 저장부내 처리액 레벨이 더 낮아지는 것을 방지한다. 따라서, 저장부내 처리액의 윗면의 거품은 탱크내로 유입되지 않아서 탱크내 저장된 처리액에 거품이 없게 된다. 이러하므로 탱크내 처리액이 펌프의 구동에 의해기판에 공급되더라도, 처리액내에 거품이 존재하지 않기 때문에 거품의 존재에 의해 초래되는기판의 불균일처리와 펌프에 의한 처리액의 결함있는 공급은 발생하지 않는다. 이것은 처리된기판 생산의 불량률을 감소시키고 처리액 확실하게 적용하는데 효과적이다.
더구나, 센서가 저장부내 처리액의 레벨이 상한 이상으로 상승한 것을 감지한 경우, 제어기는 처리액의 회수를 시작하기 위해 다른 제어신호를 출력하고 이는 저장부내 처리액의 레벨을 낮춘다. 따라서, 처리부내 처리액의 범람을 확실하게 배제할 수 있다.
저장부에 저장된 처리액의 레벨은 센서에 의해 감지된 처리액의 레벨에 기초하는 제어기의 피이드백 제어에 의해 소정의 상한과 하한 사이에 항상 존재한다. 따라서, 저장부내 처리액 윗면의 거품은 탱크내로 유입되지 않는다. 이것은 순환방법에서 거품이기판에 적용되는 것을 확실하게 배제하고 저장부내 처리액의 레벨을 자동적으로 제어한다는 점에서 대단히 이로운 것이다.
처리액이 회수통로내에 설치된 회수펌프에 의해 회수되는 배치에서, 저장부내 처리액은 회수펌프의 구동에 의해 탱크에 강제적으로 흘러들어간다. 따라서, 처리액은 수직방향을 따른 탱크와 저장부의 위치관계에 상관없이 공급될 수 있고, 이는 설치 레이아웃의 관점에서 자유정도를 증가시킨다.
저장부의 바닥을 탱크내 처리액의 표면위에 위치하게 하고 제어밸브를 사용하는 배치에서, 처리액은 펌프 또는 다른 특별한 구동력 없이 탱크로 회수될 수 있으며, 이는 운용비의 절감에 효과적이다.
저장부와 탱크가, 각각의 저장지역(storage zone)이 수직방향을 따라 중첩되도록 나란히 배치된 구성에서, 저장부내 처리액 표면위의 거품은, 탱크내 처리액의 레벨이 저장부의 바닥보다 항상 높게 되도록 레벨제어를 수행함으로써 탱크내로 유입되지 않는다. 따라서, 탱크로부터 거품을 효과적으로 없앤다. 게다가 제어밸브나 회수펌프 어느 것도 회수통로내에 설치될 필요가 없기 때문에 설치 및 운용비가 절감될 수 있다.
또한, 저장부는 바닥 내면이 경사지게 형성된다.기판에 적용된 처리액은 이경사진 바닥 내면위로 낙하한다. 따라서, 처리액의 낙하에 의해 초래되는 충격이 바닥내면의 경사에 의해 약해질수 있다. 이것은 처리액내 거품의 발생을 억제하는데 효과적이다.
더구나,기판으로부터의 처리액을 수용하기 위한 경사진 처리액 유도판을 설치한다. 따라서, 처리액의 낙하에 의해 초래되는 충격이 유도판의 경사에 의해 약해질 수 있다. 이것은 처리액내 거품의 발생을 억제하는데 효과적이다.
비록 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 예를 들어 상세히 기술하였지만, 다양한 변화나 변형이 당해분야의 기술자에게 명백할 것이라고 이해된다. 그러므로, 이러한 변화나 개량이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는다면 그것들은 본 발명에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (13)

  1. 소정의 처리액으로기판을 처리하기 위한 장치에 있어서, 처리액을 저장하기 위한 제1저장수단과, 상기 제1저장수단에 저장된 처리액 소정위치에 있는기판으로 공급하기 위한공급수단과, 상기기판에의 적용후에 상기기판에 공급된 처리액을 수용하기 위한 수용수단과, 상기 수용수단에 의해 수용된 처리액을 저장하기 위한 제2저장수단과, 상기 제2저장수단에 저장된 처리액을 상기 제1저장수단에 이입하기 위한 이입수단과, 상기 제2저장수단에 저장된 처리액내에 포함되는 거품이 상기 제1저장수단에 이입되는 것을 배제하기 위해, 상기 이입수단을 제어하기 위한 제어수단을 포함하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어수단은, 상기 제2저장수단에 저장된 처리액의 레벨이 소정의 하한에 도달하는 것을 감지하기 위해 상기 레벨을 감지하는 감지수단과, 상기 레벨이 상기 하한에 도달한 것을 상기 감지수단이 감지한 경우, 상기 제2저장수단에 저장된 처리액이 상기 제1저장수단에 이입되지 않도록 상기 감지수단의 감지결과에 따라 상기 이입수단을 제어기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2저장수단에 저장된 처리액의 레벨이 소정의 상한에 도달하는 것을 감지하기 위해 상기 레벨을 감지하는 제2 감지수단과, 상기 레벨이 상기 상한에 도달한 것을 상기 제2 감지수단이 감지한 경우, 상기 제2저장수단에 의해 저장된 처리액이 상기 제1저장수단으로의 이입을 시작하도록 상기 제2 감지수단의 감지결과에 따라 상기 이입수단을 제어하기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 이입수단은 상기 제2저장수단에 저장된 처리액이 상기 제1저장수단으로 흐를 수 있는 이입 통로를 포함하며, 상기 제어수단은 상기 제2저장수단으로부터 상기 제1저장수단으로의 처리액의 흐름을 허용 및 배제하기 위한, 상기 이입통로내에 설치된 밸브를 포함한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 이입수단은 상기 제2저장수단을 상기 제1저장수단에 연결하는 회수통로를 포함하며, 상기 제어수단은 상기 제2저장수단에 저장된 처리액을 상기 제1저장수단으로 보내기 위한, 상기 회수통로내에 설치된 펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2저장수단은 소정의 하한을 가지며, 상기 이입수단은, 상기 제2저장수단의 바닥을 상기 제2저장수단의 상기 소정의 하한보다 높은 위치인 상기 제1저장수단의 소정의 위치로 연결하는 것에 의해 상기 제2저장수단에 저장된 처리액의 레벨이 상기 제1저장수단에 저장된 것과 통상 일치하도록 상기 제2저장수단을 상기 제1저장수단에 연결하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 새로운 처리액을 상기 제1저장수단에 공급하기 위한 제2공급수단과, 상기 제2공급수단의 동작을 제어하기 위한 공급제어수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 공급제어수단은, 상기 제1저장수단에 저장된 처리액의 레벨이 소정의 하위레벨에 도달하는 지를 감지하기 위한 레벨 감지수단과, 상기 제1저장수단에 저장된 처리액의 레벨이 상기 소정이 하위 레벨에 도달한 것을 상기 레벨 감지수단이 감지한 경우, 상기 제2공급수단의 동작이 시작하도록 상기 레벨 감지수단의 감지결과에 따라 상기 제2공급수단의 동작을 제어하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 공급제어수단은, 상기 제1저장수단에 저장된 처리액의 레벨이 소정의 상위레벨에 도달하는지를 감지하기 위한 제2 레벨 감지수단과, 상기 제1저장수단에 저장된 처리액의 레벨이 상기 소정의 상위 레벨에 도달한 것을 상기 제2 레벨 감지수단이 감지한 경우, 상기 제2공급수단의 동작이 중지하도록 상기 제2 레벨 감지수단의 감지결과에 따라 상기 제2공급수단의 동작을 제어하기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제2저장수단에 저장된 처리액을 방출하기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 수용수단은기판으로부터 낙하하는 처리액을 모이기 위한, 상기 제2저장수단에 경사진 유도판을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제2저장수단은 상기 제2저장수단의 바닥에 있는 처리액을 모으기 위한 경사진 바닥벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 소정의 처리액으로기판을 처리하는 방법에 있어서, 처리액이 저장된 탱크로부터 처리부로 처리액을 공급하는 단계와, 처리부내 위치한기판위로 공급된 처리액을 적용하는 단계와, 기판으로부터 낙하하는 처리액을 수집하는 단계와,기판으로부터 상기 저장부로의 처리액의 낙하에 의해 발생하는 거품을 포함하는 상기 수집된 처리액을 저장부에 저장하는 단계와, 상기 저장부에 저장된 처리액을 상기 탱크로 회수하고 상기 거품은 상기 저장부내에 남도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
KR1019960039704A 1995-09-27 1996-09-13 기판 처리 장치 및 방법 KR100235821B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP95-249653 1995-09-27
JP7249653A JPH0990643A (ja) 1995-09-27 1995-09-27 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970018138A KR970018138A (ko) 1997-04-30
KR100235821B1 true KR100235821B1 (ko) 1999-12-15

Family

ID=17196226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960039704A KR100235821B1 (ko) 1995-09-27 1996-09-13 기판 처리 장치 및 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5904169A (ko)
JP (1) JPH0990643A (ko)
KR (1) KR100235821B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101216606B1 (ko) * 2005-12-16 2012-12-31 주식회사 케이씨텍 세정액 저장장치 및 거품제거방법
KR101308398B1 (ko) 2006-08-31 2013-09-16 주식회사 케이씨텍 약액 회수장치 및 이를 이용한 약액 회수방법

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7296583B2 (en) * 2001-12-19 2007-11-20 Durr Systems, Inc. Pretreatment spray clean tank configuration
JP2004165624A (ja) * 2002-09-26 2004-06-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
DE202005007482U1 (de) * 2005-04-15 2006-08-24 Liebherr-Hausgeräte Lienz Gmbh Wasserversorgungsvorrichtung zur Versorgung eines Eiswürfelbereiters und/oder eines Wasserspenders eines Kühl- und/oder Gefriergerätes
KR100666353B1 (ko) * 2005-06-22 2007-01-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US9066496B2 (en) * 2006-10-24 2015-06-30 Ron Hymes Automatic smart watering apparatus
US20080092965A1 (en) * 2006-10-24 2008-04-24 Ron Hymes Automatic smart watering apparatus
JP5890198B2 (ja) 2011-03-25 2016-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP5871542B2 (ja) * 2011-09-29 2016-03-01 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
KR102156740B1 (ko) * 2013-11-25 2020-09-16 세메스 주식회사 노즐 및 이를 갖는 기판 처리 장치
CN114496862B (zh) * 2022-04-14 2022-07-12 鑫巨(深圳)半导体科技有限公司 一种ic基板多功能化学制程装置及方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3425952A (en) * 1966-03-31 1969-02-04 Betz Laboratories Apparatus for the control of foam formation during the processing of liquids
US3524457A (en) * 1967-11-15 1970-08-18 Dow Chemical Co Etching apparatus
DE3035864A1 (de) * 1980-09-23 1982-05-06 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zur regenerierung salzsaurer kupferchlorid-aetzloesungen
JPH0234381A (ja) * 1988-07-26 1990-02-05 Canon Inc 記録装置
US5247953A (en) * 1989-07-06 1993-09-28 D.E.M. Controls Of Canada Welled sump for use in chemical process machinery
US5150727A (en) * 1990-11-26 1992-09-29 D.E.M. Controls Of Canada False bottom sump
JP3222624B2 (ja) * 1993-05-14 2001-10-29 株式会社タカキタ 肥料散布機

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101216606B1 (ko) * 2005-12-16 2012-12-31 주식회사 케이씨텍 세정액 저장장치 및 거품제거방법
KR101308398B1 (ko) 2006-08-31 2013-09-16 주식회사 케이씨텍 약액 회수장치 및 이를 이용한 약액 회수방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5904169A (en) 1999-05-18
KR970018138A (ko) 1997-04-30
JPH0990643A (ja) 1997-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100235821B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR100230753B1 (ko) 액도포 시스템
KR101039765B1 (ko) 디스크상 물품의 습식 처리장치 및 처리방법
US6848625B2 (en) Process liquid supply mechanism and process liquid supply method
EP1806615B1 (en) Head module, printing device, and printing method
US20170333958A1 (en) Substrate liquid treatment apparatus, tank cleaning method and non-transitory storage medium
CN110875220A (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
JP2014017316A (ja) 現像処理装置及び現像処理方法
JPH0231785Y2 (ko)
KR101305263B1 (ko) 기판 처리 장치
US20200357662A1 (en) Tank, substrate processing apparatus, and method of using the tank
JPH09160256A (ja) 液体吐出装置
JPH07175224A (ja) 基板表面処理装置
JP3074089B2 (ja) 基板処理装置
JPH07326565A (ja) 処理装置
KR0122871Y1 (ko) 반도체 제조용 세척조의 온도 및 유량 자동제어장치
US20240149308A1 (en) Liquid chemical supply module and substrate processing apparatus including the same
KR20240038340A (ko) 약액 탱크 모듈 및 이를 포함하는 약액 공급 장치
KR200177267Y1 (ko) 반도체 자동세정장비의 버블 방지장치
KR20230094987A (ko) 기판 처리 장치, 처리액 공급 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP2000173896A (ja) 基板処理装置
CN114633564A (zh) 药液收容组件及药液供应装置
KR200153640Y1 (ko) 포토레지스트 공급 장치
KR100558539B1 (ko) 식각조 커버 클리닝 툴
JPH07153671A (ja) 気体圧力式液体噴出方法及びその実施装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070920

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee