KR101305263B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101305263B1
KR101305263B1 KR1020070074595A KR20070074595A KR101305263B1 KR 101305263 B1 KR101305263 B1 KR 101305263B1 KR 1020070074595 A KR1020070074595 A KR 1020070074595A KR 20070074595 A KR20070074595 A KR 20070074595A KR 101305263 B1 KR101305263 B1 KR 101305263B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
liquid storage
storage part
substrate
processing
Prior art date
Application number
KR1020070074595A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080010337A (ko
Inventor
유이치 이마오카
유키노부 니시베
Original Assignee
시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤 filed Critical 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤
Publication of KR20080010337A publication Critical patent/KR20080010337A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101305263B1 publication Critical patent/KR101305263B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60—Substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

본 발명은 기판에 기포를 포함하지 않는 처리액을 공급할 수 있도록 한 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다. 반송(搬送)되는 기판의 상면을 처리액 공급 장치로부터 공급되는 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치로서, 처리액 공급 장치(31)는, 처리액을 공급하는 액공급관(33)이 접속된 메인 액저장부(32)와, 메인 액저장부의 하단에 설치되어 메인 액저장부에 액공급관으로부터 공급되어 저장된 처리액을 유출(流出)시키는 유출구멍(36)과, 유출구멍으로부터 유출된 처리액을 저류(貯留)하는 보조 액저장부(38)와, 보조 액저장부에 설치되어 유출구멍으로부터 보조 액저장부로 유출된 처리액을 기판의 상면에 공급하는 슬릿(44)과, 보조 액저장부에 대기(大氣)에 연통되어 설치되어 유출구멍으로부터 처리액과 함께 유출된 기포를 대기로 방출(放出)시키는 제1 에어 배출관(45)을 구비한다.
기판 처리 장치, 처리액 공급 장치, 메인 액저장부, 슬릿, 에어 배출관

Description

기판 처리 장치 {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES}
본 발명은 반송(搬送)되는 기판의 상면에 이 기판의 반송 방향과 교차하는 방향을 따라 처리액을 공급하여 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
예를 들면, 액정 표시 장치의 제조 공정에 있어서는, 유리제의 기판에 회로 패턴을 형성하는 공정이 있다. 기판에 회로 패턴을 형성하는 경우, 성막된 기판에 레지스트를 도포한 후 노광하고, 노광 후에 현상액에 의해 현상 처리한 후 에칭액으로 에칭 처리함으로써, 기판의 표면에 회로 패턴을 정밀하게 형성한다.
기판에 회로 패턴을 형성한 후, 그 기판의 표면에 부착되어 잔류되는 레지스트막이나 레지스트 잔사(殘渣) 등의 유기물을 박리액에 의해 제거한다. 박리액에 의해 유기물을 제거했으면, 그 기판의 판면(板面)을 세정액으로 세정 처리한 후 다음 공정으로 진행하도록 행해진다.
기판을 현상액, 에칭액, 박리액 및 세정액 등의 처리액으로 처리하는 경우, 상기 기판을 반송 수단에 의해 소정 방향으로 반송하면서, 이 기판의 상면에 상기 처리액을, 기판의 반송 방향과 교차하는 방향으로 직선형으로 공급하여 처리하는 것이 행해지고 있다. 하기 특허 문헌 1에는 반송되는 기판에 처리액을 공급하는 노즐체가 나타나 있다.
하기 특허 문헌 1에 나타낸 노즐체는, 하면에 복수개의 토출구가 길이 방향을 따라 소정 간격으로 형성되어 있다. 이 노즐체에는, 공급된 처리액을 체류시키는 액저장실과, 일단이 상기 토출구에 연통되고, 타단이 상기 액저장실에 연통되어 액저장실에 체류하는 처리액을 토출구에 유통시켜 토출시키는 액토출 유로를 구비하고 있다.
그리고, 상기 구성의 노즐체는, 길이 방향을 상기 기판의 반송 방향과 교차하는 방향을 따르게 하여 반송되는 상기 기판의 위쪽에 배치된다. 그에 따라 상기 토출구로부터 처리액을 유출시키면, 그 처리액을 소정 방향으로 반송되는 기판의 상면에, 반송 방향과 교차하는 방향을 따라 직선형으로 공급할 수 있도록 되어 있다.
상기 노즐체의 액저장실에는 공급관이 접속되고, 이 공급관으로부터 처리액이 액저장실에 공급된다. 처리액은 이 액저장실에 체류하면서 액토출 유로를 통하여 노즐체의 하면에 형성된 토출구로부터 유출된다.
그러나, 이와 같은 구성에 의하면, 처리액이 공급관으로부터 액저장실에 공급될 때, 처리액이 공기를 말려들게 하는 경우가 있다. 처리액이 공기를 말려들게 하면, 그 공기가 기포로 되어 기판에 공급되는 처리액과 함께 토출구로부터 유출된다.
기판에 처리액과 함께 유출된 기포는 파열되지 않고 잔류되는 경우가 있고, 그 경우에는 기판의 기포가 잔류된 부분에 처리액이 부착되지 않은 상태 또는 다른 부분에 비해 부착량이 적은 상태로 되므로, 처리액에 의한 기판의 처리에 불균일이 생기는 경우가 있다.
그래서, 기판에 처리액을 공급할 때, 그 처리액에 포함되는 기포를 제거하는 것이 행해지고 있다. 하기 특허 문헌 2에는 기판에 공급되는 처리액에 기포가 비집고 들어가지 않도록 한 처리 장치가 나타나 있다.
특허 문헌 2에 나타낸 처리 장치는 처리액 토출 노즐을 가진다. 이 처리액토출 노즐의 하우징의 상면에는 액공급관과 액배출관이 접속되고, 하면에는 토출구멍이 형성되어 있다. 상기 액공급관으로부터 상기 하우징에 형성된 액저류부에는 처리액이 공급된다. 액저류부에 공급된 처리액은 상기 토출구멍으로부터 기판의 상면을 향해 공급된다.
상기 액저류부에서 발생하고, 성장한 기포는 부력(浮力)에 의해 액저류부의 천정면에 부착된다. 천정면은 상기 액배출관을 향해 높게 경사진 경사면으로 되어 있다. 그에 따라 액저류부에서 발생, 성장한 기포는 처리액과 함께 상기 액공급관에 흐르기 때문에, 상기 토출구멍으로부터 상기 기판에 공급되는 처리액에 기포가 포함되는 것이 방지되도록 되어 있다.
[특허 문헌 1] 일본국 특개 2003-170086호 공보
[특허 문헌 2] 일본국 특개평 11(1999)-156278호 공보
특허 문헌 2에 나타낸 구성은, 전술한 바와 같이 처리액에 포함되는 기포를 하우징에 형성된 액저류부의 상면에 부착시키고, 그 기포를 처리액과 함께 상기 액배출관으로부터 배출시키도록 하고 있다.
그러므로, 하우징에 액배출관을 접속하고, 이 액배출관을 통해 기포와 함께 처리액을 상기 액저류부로부터 배출시키지 않으면 않되므로, 구성의 복잡화를 초래하거나 배출된 처리액의 처리에 많은 수고나 비용이 소요되는 경우가 있었다.
본 발명은, 처리액에 말려 들어간 기포를, 처리액과 분리하여 확실하게 배출할 수 있도록 한 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명은, 반송되는 기판의 상면을 처리액 공급 수단으로부터 공급되는 처리액에 의해 처리하는 처리 장치로서,
상기 처리액 공급 수단은,
상기 처리액을 공급하는 액공급관이 접속된 메인 액저장부와,
상기 메인 액저장부의 하단에 설치되어 메인 액저장부에 상기 액공급관으로부터 공급되어 저장된 처리액을 유출(流出)시키는 제1 유출부와,
상기 제1 유출부로부터 유출된 처리액을 저류(貯留)하는 보조 액저장부와,
상기 보조 액저장부에 설치되어 상기 제1 유출부로부터 상기 보조 액저장부로 유출된 처리액을 상기 기판의 상면에 공급하는 제2 유출부와,
상기 보조 액저장부에 대기(大氣)에 연통되어 설치되어 상기 제1 유출부로부터 처리액과 함께 유출된 기포를 대기로 방출시키는 제1 방출부
를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치에 있다.
본 발명에 의하면, 처리액이 기포를 말려들게 해도, 그 처리액이 메인 액저장부의 제1 유출부로부터 보조 액저장부로 유출되어 여기에 잔류되는 동안, 처리액에 포함된 기포가 부력에 의해 상승하여 대기에 연통된 제1 방출부로부터 방산(放散)되게 되므로, 상기 보조 액저장부에 설치된 제2 유출부로부터 기판에 공급되는 처리액에 기포가 포함되는 것을 방지할 수 있다.
[발명을 실시하기 위한 바람직한 실시예]
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 제1 실시예를 나타내고, 도 1은 처리 장치의 폭방향에 따른 종단면도이다. 이 처리 장치는 챔버(1)를 구비하고 있다. 이 챔버(1)는, 상면이 개구된 본체부(2)와, 이 본체부(2)의 상면 개구를 개폐하는 개폐 가능한 커버체부(3)에 의해 구성되어 있다. 커버체부(3)는 폭 방향의 일측이 상기 본체부(2)에 힌지(4)에 의해 회동 가능하게 연결되고, 폭 방향 타측에는 도시하지 않은 핸들이 설치되어 있다.
상기 챔버(1)의 본체부(2) 저부의 폭 방향 양 단부에는 지지 부재(11)가 설치되어 있다. 한쌍의 지지 부재(11)에는 유닛화된 반송 장치(12)가 착탈할 수 있도록 설치된다. 이 반송 장치(12)는 상기 지지 부재(11)의 상면에 탑재되는 한쌍의 베이스 부재(13)를 가진다. 한쌍의 베이스 부재(13)는 복수개, 예를 들면, 3개의 연결 부재(14)(도 1에 1개만 나타냄)에 의해 연결되어 있다.
각 베이스 부재(13)에는 지지판(15)이 길이 방향을 따라 설치되어 있다. 한 쌍의 지지판(15)의 대응하는 위치에는 베어링(16)이 소정 간격으로 설치되어 있다. 대응하는 한쌍의 베어링(16)에는 반송축(17)의 양 단부가 회전 가능하게 지지되어 있다. 즉, 한쌍의 베이스 부재(13)에는 복수개의 반송축(17)이 챔버(1)의 폭 방향과 직교하는 길이 방향에 대하여 소정 간격으로 설치되어 있다.
그리고, 도시하지 않지만 챔버(1)의 길이 방향 일측 벽에는 반입구가 형성되고, 타측에는 반출구가 형성되어 있으므로, 상기 반입구로부터 챔버(1) 내에 액정 표시 장치에 사용되는 유리제의 기판 W가 공급되도록 되어 있다.
각 반송축(17)에는 복수개의 반송 롤러(18)가 소정 간격으로 설치되어 있다. 상기 연결 부재(14)의 양 단부에는 상기 반입구로부터 공급되어 상기 반송 롤러(18)에 의해 후술하는 바와 같이 반송되는 기판 W의 폭 방향 양 단부를 가이드하는 가이드 롤러(19)가 설치되어 있다. 가이드 롤러(19)는 반송 롤러(18)에 의해 반송되는 기판 W가 사행(蛇行)하는 것을 방지하고 있다.
상기 반송축(17)은 구동 기구(21)에 의해 회전 구동되도록 되어 있다. 이 구동 기구(21)는 구동원(22)을 가지고, 이 구동원(22)의 출력축(23)에는 구동 기어(24)가 끼워장착되어 있다. 이 구동 기어(24)에는 장착축(25)에 끼워장착된 종동 기어(26)가 맞물려 있다. 상기 장착축(25)과 상기 반송축(17)의 단부에는 서로 맞물리는 기어(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
그에 따라 상기 구동원(22)이 작동하면, 상기 반송축(17)이 회전 구동되므로, 상기 챔버(1) 내에 공급된 기판 W가 상기 반송축(17)에 설치된 반송 롤러(18)에 지지되어 반송되도록 되어 있다.
상기 챔버(1) 내에는, 상기 반송축(17)에 설치된 반송 롤러(18)에 따라서, 수평인 상태로 반송되는 기판 W의 상면에 현상액, 에칭액, 박리액 또는 세정액 등의 처리액 L을 기판 W의 반송 방향과 직교하는 폭방향을 따라 직선형으로 공급하는 처리액 L의 공급 수단으로서의 처리액 공급 장치(31)가 설치되어 있다.
상기 처리액 공급 장치(31)는 도 2 내지 도 4에 나타낸 바와 같이 메인 액저장부(32)를 가진다. 이 메인 액저장부(32)는 상기 기판 W의 폭 방향, 즉 챔버(1)의 폭방향을 따라 가늘고 긴, 단면이 직사각형의 상자 형상으로 형성되어 있다. 이 메인 액저장부(32)의 폭치수는 상기 기판 W의 폭 치수보다 길게 설정되어 있고, 상면에는 상기 메인 액저장부(32) 내에 처리액 L을 공급하는 복수개의 액공급관(33)의 일단이 소정 간격으로 접속되어 있다. 각 액공급관(33)의 타단은 도시하지 않은 처리액 L의 공급원에, 동일하게 도시하지 않은 유량 제어 밸브를 통하여 접속되어 있다.
상기 메인 액저장부(32)의 내부에는, 각 액공급관(33)과 대향하는 부분의 높이 방향 중도부에 평판형의 받이부재(34)가 대략 수평으로 설치되어 있다. 이 받이부재(34)는 상기 액공급관(33)으로부터 메인 액저장부(32)에 공급된 처리액 L을 받는다. 그에 따라 액공급관(33)으로부터 메인 액저장부(32)에 공급된 처리액 L은 메인 액저장부(32) 내에 조용하게 유입되게 되므로, 처리액 L에 말려들어가는 기포가 저감된다.
상기 메인 액저장부(32)의 저부벽(32a)에는 제1 유출부를 형성하는 복수개의 유출구멍(36)이 길이 방향에 대하여 소정 간격으로 천설(穿設)되어 있다. 그에 따 라 상기 액공급관(33)으로부터 상기 메인 액저장부(32)에 공급된 처리액 L은 상기 유출구멍(36)으로부터 유출되도록 되어 있다.
그리고, 상기 메인 액저장부(32)에는, 액공급관(33)으로부터 공급되는 처리액 L이 충만하도록, 액공급관(33)으로부터 공급되는 처리액 L의 공급량과, 유출구멍(36)으로부터 유출되는 유출량이 설정되어 있다.
상기 유출구멍(36)으로부터 유출된 처리액 L은 보조 액저장부(38)에 저류된다. 이 보조 액저장부(38)는, 도 4에 나타낸 바와 같이 단면 형상이 깔때기형으로서, 상기 메인 액저장부(32)의 폭방향을 따라 경사지는 한쌍의 경사면(39a, 39b)을 형성하는 V자형의 저부벽(41)과, 이 저부벽(41)의 한쪽의 경사면(39a) 측의 상단에 상기 메인 액저장부(32)의 측면과 평행하게 이격 대향하여 세워설치된 측부벽(42) 및 이 측부벽(42)의 상단에 설치되어 보조 액저장부(38)의 상면 개구를 폐색하는 상부벽(43)에 의해 형성되어 있다.
상기 저부벽(41)의 다른 쪽의 경사면(39b)은, 상단부가 상기 메인 액저장부(32)의 하면에 개구된 유출구멍(36)에 대향하고 있다. 이 경사면(39b)의 하단인, 저부벽(41)의 최하단에는 길이 방향 대략 전체 길이에 걸쳐서 제2 유출부로서의 슬릿(44)이 개구 형성되어 있다.
상기 메인 액저장부(32)에 공급되어 상기 유출구멍(36)으로부터 상기 경사면(39b)의 상단부에 유출된 처리액 L은 이 경사면(39b)을 따라 흘러 깔때기형의 저부벽(41)에 저류되고, 이 저부벽(41)에 형성된 슬릿(44)으로부터 직선형으로 되어 유출된다. 그에 따라 처리액 L은 소정 방향으로 반송되는 기판 W의 반송 방향과 교차하는 폭 방향 전체 길이에 걸쳐서 공급되도록 되어 있다.
그리고, 처리액 L은, 상기 보조 액저장부(38)의 저부벽(41)에 일정량이 저류되도록, 상기 유출구멍(36)과 슬릿(44)의 면적이 설정되는 동시에, 액공급관(33)으로부터 메인 액저장부(32)에 공급되는 처리액 L의 공급량이 제어된다. 즉, 메인 액저장부(32)로부터 보조 액저장부(38)에 유출된 처리액 L은, 즉시 슬릿(44)으로부터 기판 W의 상면을 향해 유출되지 않고, 보조 액저장부(38)에 소정 시간 체류하여 상기 슬릿(44)으로부터 유출되도록 되어 있다.
메인 액저장부(32)의 유출구멍(36)으로부터 유출된 처리액 L은, 보조 액저장부(38)의 경사면(39b)을 따라 흐른다. 그러므로, 상기 유출구멍(36)으로부터 유출되는 처리액 L에 기포가 말려 들어가고 있으면, 그 기포는 처리액 L이 경사면(39b)을 따라 흐르는 사이에, 그 부력에 의해 처리액 L로부터 분리 상승한다.
또한, 경사면(39b)을 흐른 처리액 L은 보조 액저장부(38)의 저부벽(41) 상에 저류되고 나서 슬릿(44)으로부터 유출된다. 그러므로, 저류되는 처리액 L에 기포가 잔류하고 있어도, 처리액 L이 슬릿(44)으로부터 유출되기 전에 처리액 L에 포함되는 기포가 분리 상승하게 된다.
또한, 처리액 L이 보조 액저장부(38)에 저류됨으로써, 처리액 L은 기판 W의 폭방향을 따라 가늘고 긴 슬릿(44)으로부터 기판 W를 향해 균일하게 유출된다. 그에 따라 기판 W의 상면 전체의 처리를 균일하게 행할 수 있다.
상기 보조 액저장부(38)의 상부벽(43)에는, 처리액 L로부터 분리되어 이 보조 액저장부(38) 내를 상승하는 기포를 방출하기 위한 제1 방출부로서의 제1 에어 배출관(45)이 접속되어 있다. 그에 따라 처리액 L로부터 분리된 기포는 상기 제1 에어 배출관(45)을 통해 대기에 방산(放散)되도록 되어 있다.
그리고, 제1 에어 배출관(45)은, 도 1에 나타낸 바와 같이 보조 액저장부(38)의 길이 방향의 양 단부에 설치되어 있다.
이와 같은 구성의 처리 장치에 의하면, 챔버(1) 내에 공급된 기판 W는, 챔버(1) 내에서 소정 방향으로 반송된다. 반송 도중에 기판 W의 상면에는, 처리액 공급 장치(31)로부터 기판 W의 반송 방향과 교차하는 폭방향을 따라 처리액 L이 공급된다. 그에 따라 기판 W는 처리액 L에 의해 처리되어 챔버(1)로부터 반출된다.
상기 처리액 공급 장치(31)는, 메인 액저장부(32)를 가진다. 이 메인 액저장부(32)에 액공급관(33)에 의해 공급되는 처리액 L은, 액공급관(33)으로부터 메인 액저장부(32) 내에 직접 낙하되지 않고, 액공급관(33)과 대향하여 설치된 받이부재(34)로 받아지고나서 낙하된다. 그에 따라 처리액 L은 메인 액저장부(32) 내에 조용하게 유입되게 되므로, 유입시에 처리액 L이 말려들게 하는 기포의 양도 감소한다.
상기 메인 액저장부(32)에 저류된 처리액 L은, 도 4에 화살표 A로 나타낸 바와 같이 메인 액저장부(32)의 하면에 형성된 유출구멍(36)으로부터 보조 액저장부(38)의 저부벽(41)에 형성된 경사면(39b)을 따라 흘러 보조 액저장부(38)의 깔때기형의 저부벽(41)에 저류되고 나서 상기 경사면(39b)의 하단에 형성된 슬릿(44)으로부터 유출되고, 챔버(1) 내에 반송되는 기판 W의 상면에 공급된다.
상기 메인 액저장부(32)의 유출구멍(36)으로부터 유출되는 처리액 L에 기포 가 포함되어 있으면, 그 기포는 처리액 L이 유출구멍(36)으로부터 경사면(39b)을 따라 흐르는 사이에 처리액 L로부터 분리 상승하게 되고, 그 사이에 처리액 L로부터 제거되지 않았던 기포는, 경사면(39b)을 흘러 슬릿(44)으로부터 유출되기까지의 사이, 즉 처리액 L이 보조 액저장부(38)의 저부벽(41) 상에 저류되어 있는 동안에 부력에 의해 처리액 L로부터 분리되어 상승한다.
그리고, 처리액 L로부터 분리된 기포는 제1 에어 배출관(45)으로부터 대기에 방산되게 되므로, 상기 보조 액저장부(38)의 슬릿(44)으로부터 기판 W에 공급되는 처리액 L에 기포가 포함되지 않는다. 따라서, 기판 W는 처리액 L에 의해 상면 전체가 균일하게 처리되게 된다.
즉, 상기 구성의 처리액 공급 장치(31)에 의하면, 메인 액저장부(32)에 공급된 처리액 L을, 보조 액저장부(38)에 저장한 후 기판 W에 공급하도록 하고 있으므로, 처리액 L에 포함된 기포는, 처리액 L이 메인 액저장부(32)로부터 보조 액저장부(38)에 흐를 때, 및 보조 액저장부(38)에 저류되어 있는 동안에 부력에 의해 처리액으로부터 분리되어 상승하고, 제1 에어 배출관(45)을 통해 대기로 방출된다.
그러므로, 종래와 같이 기포를 처리액 L과 함께 배출하지 않고, 처리액 L로부터 기포를 분리하여 대기로 방출할 수 있으므로, 처리액 L로부터의 기포의 제거를 간단한 구성으로 확실하게 행하는 것이 가능해진다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예의 처리액 공급 장치(31A)를 나타낸다. 이 실시예의 처리액 공급 장치(31A)는 메인 액저장부(32)에 공급된 처리액을 보조 액저장부(38)에 유출하기 위한 제1 유출부로서의 유출구멍(36A)이 상기 메인 액저장 부(32)의 측벽부(32b)의 하단부에 형성되어 있다.
상기 유출구멍(36A)로부터 화살표 A로 나타낸 바와 같이 유출된 처리액 L은, 상기 메인 액저장부(32)의 측벽부(32b)의 외측에 형성된 보조 액저장부(38)에 유입되고, 여기서 일시적으로 저장되고 나서 보조 액저장부(38)의 저부벽(41)에 형성된 슬릿(44)으로부터 소정 방향으로 반송되는 기판 W의 상면에 공급된다.
상기 보조 액저장부(38)의 상부벽(43)에는 제1 방출부로서의 제1 에어 배출관(45)이 접속되고, 상기 메인 액저장부(32)의 측벽부의 상부에는 제2 방출부를 구성하는 제2 에어 배출관(51)의 일단이 접속되어 있다. 이 제2 에어 배출관(51)의 중도부에는 개폐 밸브(52)가 설치되고, 타단부의 선단면(51a)은 메인 액저장부(32)에 저장되는 처리액 L의 상면보다 높아지도록 L자형으로 형성되어 있다.
상기 개폐 밸브(52)를 개방하여 두면, 상기 메인 액저장부(32)에 공급된 처리액에 포함되는 기포가 빠져 나오면, 그 기포는 메인 액저장부(32) 내의 상부에 모이는 일 없이, 상기 제2 에어 배출관(51)으로부터 외부로 배출되게 된다.
상기 구성의 처리액 공급 장치(31A)에 의하면, 메인 액저장부(32)에 공급된 처리액 L을 보조 액저장부(38)에 유출시키는 유출구멍(36A)을, 상기 메인 액저장부(32)의 측벽부(32b)에 형성하였다.
그러므로, 상기 유출구멍(36A)은, 메인 액저장부(32)에 처리액 L을 공급하는 액공급관(33)의 연직(鉛直) 방향에 대하여 직교하는 방향을 향하고 있기 때문에, 상기 유출구멍(36A)으로부터 보조 액저장부(38)에 흐르는 처리액 L이 상기 액공급관(33)으로부터 메인 액저장부(32)에 공급되는 처리액 L의 압력의 영향을 받지 않 게 된다.
그에 따라, 메인 액저장부(32)로부터 상기 유출구멍(36A)을 통하여 보조 액저장부(38)에 흐르는 처리액 L의 유량이 변동되지 않으므로, 보조 액저장부(38)의 슬릿(44)으로부터 기판 W에 공급되는 처리액 L의 유출량도 안정되기 때문에, 처리액 L에 의한 기판 W의 처리를 안정적으로 행할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예의 처리액 공급 장치(31B)를 나타낸다. 이 실시예는 제2 실시예의 변형예로서, 보조 액저장부(38)의 저부벽(41)을 형성하는 한쌍의 경사면(39a, 39b) 중, 메인 액저장부(32) 측에 위치하는 한쪽의 경사면(39b)이 다른 쪽의 경사면(39a)보다 아래쪽으로 돌출되어 있다.
그에 따라 슬릿(44)으로부터 유출된 처리액 L은 한쪽의 경사면(39b)에 가이드되어 기판 W의 상면에 조용하게 공급된다. 즉, 기판 W의 상면에 공급되는 처리액 L이 흐트러져 공기가 말려들여져, 기포를 포함한 상태로 기판 W의 상면에 공급되는 것을 방지할 수 있으므로, 이것에 의해 기판 W의 처리를 확실하고 균일하게 행하는 것이 가능해진다.
그리고, 도 5 및 도 6에 나타낸, 제2, 제3 실시예에 있어서, 제1 실시예와 동일 부분에는 동일 기호를 부여하여 설명을 생략한다.
상기 각 실시예에서는 제1, 제2 유출부로서 메인 액저장부에 유출구멍을 형성하고, 보조 액저장부에 슬릿을 형성하였으나, 각 유출부는 유출구멍 또는 슬릿 중 어느 것이라도 지장을 주지 않는다.
보조 액저장부로부터 기포를 대기로 방출하는데, 이 보조 액저장부에 제1 에 어 배출관을 접속하였으나, 제1 에어 배출관을 접속하지 않고, 에어 배출공을 형성하는 것만으로도 된다.
도 1은 본 발명의 실시예 1를 나타낸 처리 장치의 폭방향에 따른 종단면도이다.
도 2는 상기 처리 장치 내에 설치되는 처리액 공급 장치의 정면도이다.
도 3은 상기 처리액 공급 장치의 측면도이다.
도 4는 상기 처리액 공급 장치의 확대 종단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예 2를 나타낸 처리 장치의 폭방향에 따른 종단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예 3을 나타낸 처리 장치의 폭방향에 따른 종단면도이다.
[도면의 주요부분에 대한 부호의 설명]
(1) 챔버, (31) 처리액 공급 장치(처리액 공급 수단), (32) 메인 액저장부,
(33) 액공급관, (34) 받이부재, (36, 36A) 유출구멍(제1 유출부),
(38) 보조 액저장부, (39) 경사면, (44) 슬릿(제2 유출부)
(45) 제1 에어 배출관(제1 방출부), (51) 제2 에어 배출관(제2 방출부).

Claims (8)

  1. 반송(搬送)되는 기판의 상면을 처리액 공급 수단으로부터 공급되는 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치로서,
    상기 처리액 공급 수단은,
    상기 처리액을 공급하는 액공급관이 접속된 메인 액저장부와,
    상기 메인 액저장부의 하단에 설치되어 상기 액공급관으로부터 상기 메인 액저장부에 공급되어 저장된 처리액을 유출(流出)시키는 제1 유출부와,
    상기 제1 유출부로부터 유출된 처리액을 받는 경사면, 상기 경사면의 하단에 설치되어 상기 제1 유출부로부터 유출된 처리액을 상기 기판의 상면에 공급하는 제2 유출부를 가지고, 상기 제1 유출부로부터 유출된 처리액을 저류(貯留)하는 보조 액저장부와,
    상기 보조 액저장부에 대기(大氣)에 연통되어 설치되어 상기 제1 유출부로부터 처리액과 함께 유출된 기포를 대기로 방출시키는 제1 방출부
    를 포함하고,
    상기 제1 유출부는, 상기 메인 액저장부의 길이 방향을 따라 형성된 복수의 유출구멍이며, 상기 경사면도 상기 길이 방향을 따라 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유출부는, 상기 메인 액저장부의 저부벽에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유출부는, 상기 메인 액저장부의 측부벽에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 메인 액저장부에는, 상기 액공급관으로부터 상기 메인 액저장부에 처리액과 함께 공급되는 기포를 대기로 방출시키는 제2 방출부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 메인 액저장부의 제1 유출부로부터 상기 보조 액저장부로 유출된 처리액은, 상기 보조 액저장부에 일시적으로 저장되고 나서, 보조 액저장부의 제2 유출부로부터 유출되는 구성인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 메인 액저장부에는, 상기 액공급관으로부터 공급되는 처리액을 수용하는 받이부재가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2 유출부는, 상기 기판의 반송 방향과 교차하는 방향을 따라 형성된 슬릿인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 삭제
KR1020070074595A 2006-07-26 2007-07-25 기판 처리 장치 KR101305263B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006203753 2006-07-26
JPJP-P-2006-00203753 2006-07-26
JPJP-P-2007-00147131 2007-06-01
JP2007147131A JP5060835B2 (ja) 2006-07-26 2007-06-01 基板の処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080010337A KR20080010337A (ko) 2008-01-30
KR101305263B1 true KR101305263B1 (ko) 2013-09-09

Family

ID=39222438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070074595A KR101305263B1 (ko) 2006-07-26 2007-07-25 기판 처리 장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5060835B2 (ko)
KR (1) KR101305263B1 (ko)
CN (1) CN101114575B (ko)
TW (1) TWI400131B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101374298B1 (ko) * 2010-07-29 2014-03-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN102500509A (zh) * 2011-10-28 2012-06-20 山东万事达建筑钢品科技有限公司 建筑复合板滴胶装置
JP6290117B2 (ja) * 2014-03-07 2018-03-07 芝浦メカトロニクス株式会社 接液処理装置および接液処理方法
CN105785605B (zh) * 2015-01-13 2019-05-03 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置
KR102456820B1 (ko) * 2016-12-26 2022-10-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템의 제어 장치, 반도체 기판의 제조 방법 및 반도체 기판

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08323106A (ja) * 1995-06-02 1996-12-10 Hitachi Ltd 薬液供給装置及び薬液供給方法
JPH1197335A (ja) * 1997-09-25 1999-04-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2002292315A (ja) 2001-03-29 2002-10-08 Kyocera Corp 噴霧装置およびそれを用いた現像方法
KR20040104914A (ko) * 2003-06-04 2004-12-13 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 액공급장치 및 기판처리장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5790706U (ko) * 1980-11-21 1982-06-04
JPH0964009A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置における気液分離回収装置
JP3494521B2 (ja) * 1996-02-01 2004-02-09 大日本スクリーン製造株式会社 薬液供給装置の気液分離装置
JPH10314503A (ja) * 1997-05-15 1998-12-02 Sony Corp 流体の脱気装置
JPH11156279A (ja) * 1997-11-27 1999-06-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置の処理液吐出ノズル
JPH11297198A (ja) * 1998-04-13 1999-10-29 Toppan Printing Co Ltd シャドーマスクの検査方法及び検査装置
JP4349536B2 (ja) * 1999-06-08 2009-10-21 大日本印刷株式会社 塗布液供給装置
JP2001007004A (ja) * 1999-06-23 2001-01-12 Sony Corp 薬液供給装置および薬液供給方法
JP2003181364A (ja) * 2001-12-21 2003-07-02 Tokyo Electron Ltd 塗布処理装置
JP4315787B2 (ja) * 2003-11-18 2009-08-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置、並びに被充填体における液体充填度および気体混入度判定構造
JP2005340322A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 基板処理装置及び基板の製造方法
JP4464763B2 (ja) * 2004-08-20 2010-05-19 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像方法
KR100643494B1 (ko) * 2004-10-13 2006-11-10 삼성전자주식회사 반도체 제조용 포토레지스트의 디스펜싱장치
JP4627681B2 (ja) * 2005-04-20 2011-02-09 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置及び処理方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08323106A (ja) * 1995-06-02 1996-12-10 Hitachi Ltd 薬液供給装置及び薬液供給方法
JPH1197335A (ja) * 1997-09-25 1999-04-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2002292315A (ja) 2001-03-29 2002-10-08 Kyocera Corp 噴霧装置およびそれを用いた現像方法
KR20040104914A (ko) * 2003-06-04 2004-12-13 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 액공급장치 및 기판처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN101114575B (zh) 2010-07-21
TWI400131B (zh) 2013-07-01
TW200810838A (en) 2008-03-01
JP2008053689A (ja) 2008-03-06
KR20080010337A (ko) 2008-01-30
CN101114575A (zh) 2008-01-30
JP5060835B2 (ja) 2012-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101305263B1 (ko) 기판 처리 장치
TWI402900B (zh) 基板之處理裝置及處理方法
KR101213991B1 (ko) 기판 이송 장치 및 방법
KR101322983B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2008117889A (ja) 基板処理装置
JP2008277556A (ja) 基板の処理装置
JP2010036100A (ja) 処理液供給装置
JP2009141022A (ja) 基板処理装置
CN101083206B (zh) 基板的处理装置及处理方法
JPH09160256A (ja) 液体吐出装置
JP4488965B2 (ja) 基板処理装置
JP2005125235A (ja) スリットシャワーユニット
JP2000058501A (ja) 基板処理装置
CN211828692U (zh) 基板处理装置以及吐出喷嘴
KR20130047527A (ko) 노즐 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101922684B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101109528B1 (ko) 처리액에 의한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100851034B1 (ko) 기판처리장치
JPH07175224A (ja) 基板表面処理装置
KR100767440B1 (ko) 평판 디스플레이 제조용 장비
KR101158353B1 (ko) 대면적 기판의 도포액 도포장치
JP2003273060A (ja) 基板処理装置
WO2012073522A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2003303806A (ja) 処理液の供給装置、供給方法及び基板の処理装置
JPH05267275A (ja) ウェット処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160818

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170818

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180816

Year of fee payment: 6