KR101922684B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101922684B1
KR101922684B1 KR1020110101960A KR20110101960A KR101922684B1 KR 101922684 B1 KR101922684 B1 KR 101922684B1 KR 1020110101960 A KR1020110101960 A KR 1020110101960A KR 20110101960 A KR20110101960 A KR 20110101960A KR 101922684 B1 KR101922684 B1 KR 101922684B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chemical liquid
housing
substrate
space
chamber
Prior art date
Application number
KR1020110101960A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130037515A (ko
Inventor
최경호
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020110101960A priority Critical patent/KR101922684B1/ko
Publication of KR20130037515A publication Critical patent/KR20130037515A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101922684B1 publication Critical patent/KR101922684B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02019—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

Abstract

본 발명은 약액을 저장하는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 약액을 저장하는 버퍼 탱크을 포함한다. 버퍼 탱크는 내부에 공간이 제공되고, 바닥면에 홀이 제공되는 하우징, 하우징 내에 배치되고 상부가 개방되며 내부에는 하우징의 외부에 위치되는 챔버로부터 약액이 제공되는 회수조, 그리고 처리조가 제공된 공간과 홀이 제공된 공간을 구획하는 격벽을 포함한다. 격벽의 저면과 하우징의 바닥면 간에는 약액이 흐르는 틈이 제공된다. 이로 인해 본 발명의 기판 처리 장치는 약액을 기판 상에 균일하게 공급할 수 있다. 또한 약액에 버블이 발생되는 것을 최소화할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 약액을 저장하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
최근 들어, 정보 처리 기기는 다양한 형태의 기능과 더욱 빨라진 정보 처리 속도를 갖도록 급속하게 발전하고 있다. 이러한 정보 처리 장치는 가동된 정보를 표시하는 표시 패널(display panel)을 가진다. 최근에는 기술의 급속한 발전에 따라 액정 디스플레이(LCD)와 같은 평판 표시 패널의 사용이 급격히 증대하고 있다.
이와 같은 평판 표시 패널을 제조하기 위해서는 포토 레지스트, 노광, 현상, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 요구된다. 이러한 공정들 중 현상 공정으로는 노광 처리되어 노출된 평판 표시 패널의 영역을 현상하기 위해 반송되는 기판으로 현상액을 분사하는 공정이 수행된다.
이때 현상 공정 시 사용된 현상액은 이를 저장하는 버퍼 탱크에 다시 공급되어 재사용된다. 그러나 현상액이 버퍼 탱크에 공급되는 동안 현상액에는 버블이 발생된다. 이로 인해 현상액은 기판 상에 균일하게 공급되지 않고, 기판 상에 미세 얼룩이 발생하는 등 현상 공정의 불량을 초래한다.
본 발명은 현상액을 기판 상에 균일하게 공급하고자 한다.
또한 본 발명은 현상액에 버블이 발생되는 것을 최소화하고자 한다.
본 발명은 약액을 저장하는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 약액으로 처리하는 공간을 제공하고, 바닥면에 배출구가 형성되는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되고, 상기 기판 상으로 약액을 공급하는 약액 공급 노즐, 상기 배출구로부터 드레인되는 약액을 저장하는 버퍼 탱크, 그리고 상기 버퍼 탱크에 저장된 약액을 상기 약액 공급 노즐로 순환시키는 순환 라인을 포함하되; 상기 버퍼 탱크는 내부에 공간이 제공되고, 바닥면에 홀이 제공되는 하우징, 상기 하우징 내에 배치되고 상부가 개방되며 내부에는 상기 챔버로부터 약액이 제공되는 회수조, 그리고 상기 처리조가 제공된 공간과 상기 홀이 제공된 공간을 구획하는 격벽을 포함하되; 상기 격벽의 저면과 상기 하우징의 바닥면 간에는 약액이 흐르는 틈이 제공된다.
상기 버퍼 탱크는 상기 하우징 내에 제공되는 약액을 가열하는 가열 부재를 더 포함하되, 상기 가열 부재는 상기 틈을 지나는 약액을 가열할 수 있다. 상기 홀에 제공되는 플레이트를 더 포함하되, 상기 플레이트에는 복수의 타공이 형성될 수 있다. 상기 하우징의 바닥면은 상기 홀에 가까워질수록 하향 경사질 수 있다. 상기 회수조는 상부가 개방되고, 저면에 개구가 형성되는 통 형상을 가지는 몸체 및 상기 개구에 삽입되고, 중공의 관 형상을 가지는 배출관을 포함하되; 상기 몸체의 저면은 상기 하우징의 바닥면과 이격되게 배치되고, 상기 배출관의 상단은 상기 몸체의 상단보다 아래에 위치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 약액을 기판 상에 균일하게 공급할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 약액에 버블이 발생되는 것을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 a-a'방향으로 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치를 b-b'방향으로 절단한 단면도이다.
도 4는 도 1의 버퍼 탱크의 내부를 보여주는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 버퍼 탱크를 보여주는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 5를 참조하면서 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 실시예에서 기판은 평판 표시 패널 제조에 사용되는 기판을 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 기판은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼일 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 a-a'방향으로 절단한 단면도이며, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치를 b-b'방향으로 절단한 단면도이다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치는 현상 유닛(100) 및 세정 유닛(300)을 가진다.
현상 유닛(100)은 기판(S)에 대해 현상 공정을 수행한다. 현상 유닛(100)은 현상 챔버(110), 기판 이송 부재(130), 약액 공급 노즐(150), 약액 회수 노즐(170), 그리고 버퍼 탱크(200)를 가진다. 현상 챔버(110)는 내부에 현상 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 기판 이송 부재(130)는 현상 챔버(110) 내에서 기판(S)을 제 1 방향(12)으로 이송시킨다. 약액 공급 노즐(150)은 기판 이송 부재(130)에 이송되는 기판(S)으로 약액을 공급한다. 약액 회수 노즐(170)은 기판(S) 상에 잔류하는 약액을 회수한다. 버퍼 탱크(200)는 회수된 약액을 공급받아 이를 다시 약액 공급 노즐(150)로 공급한다.
다음에는 상술한 구성요소들에 대해 보다 상세히 설명한다. 현상 챔버(110)는 대체로 직육면체 형상을 가진다. 현상 챔버(110)의 일측면에는 기판(S)이 반입되는 유입구(22)가 제공되고, 이와 마주보는 타측면에는 기판(S)이 반출되는 유출구(24)가 제공된다. 현상 챔버(110)의 내부 바닥면에는 배출구(112)가 제공된다. 회수된 약액은 배출구(112)를 통해 버퍼 탱크(200)로 공급된다.
기판 이송 부재(130)는 기판(S)을 지면에 대해 대체로 평행하게 이송한다. 기판 이송 부재(130)는 현상 챔버(110)의 내부에 제공된다. 기판 이송 부재(130)는 샤프트(132)와 롤러(134)를 가진다. 샤프트(132)는 복수 개로 제공된다. 샤프트(132)는 그 길이방향이 제 1 방향(12)과 수직한 제 2 방향(14)으로 제공된다. 각각의 샤프트(132)는 유입구(22)와 유출구(24)에 대응되는 높이로 제공된다. 각각의 샤프트(132)는 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 배치된다. 롤러(134)는 각각의 샤프트(132)의 외주면을 감싸도록 제공된다. 롤러(134)는 각각의 샤프트(132)에 복수 개로 제공되어 기판(S) 이송 시 기판(S)의 저면과 접촉된다.
약액 공급 노즐(150)은 노광 공정이 완료되어 제 1 방향(12)으로 이송되는 기판(S) 상으로 약액을 분사한다. 예컨대, 약액은 현상액일 수 있다. 약액 공급 노즐(150)은 샤프트(132)의 상부에 배치된다. 약액 공급 노즐(150)은 그 토출구가 제 2 방향(14)으로 길게 연장되는 슬릿 형상으로 제공된다. 토출구는 기판(S)의 폭과 평행하게 제공된다. 토출구의 길이는 기판(S)의 폭과 동일하거나 이보다 크게 제공된다.
약액 회수 노즐(170)은 기판(S) 상에 잔류하는 약액을 제거한다. 약액 회수 노즐(170)은 샤프트(132)의 상부에 배치된다. 약액 회수 노즐(170)은 약액 공급 노즐(150)과 현상 챔버(110)의 유출구(24)의 사이에 배치된다. 약액 회수 노즐(170)은 복수의 토출구가 제 2 방향(14)으로 형성된다. 약액 회수 노즐(170)은 가스를 분사하여 기판(S) 상에 잔류하는 약액을 기판(S)이 이송되는 방향과 반대 방향으로 흘려 보낸다. 예컨대, 가스는 에어 또는 비활성 가스일 수 있다.
버퍼 탱크(200)는 현상 챔버(110)로부터 배출된 약액을 임시 저장하고, 저장된 약액으로부터 버블 및 이물을 제거한 후, 다시 약액 공급 노즐(150)로 약액을 공급한다. 도 4는 도 1의 버퍼 탱크의 내부를 보여주는 평면도이다. 버퍼 탱크(200)는 하우징(210), 회수조(230), 격벽(250), 가열 부재(270), 플레이트(220), 그리고 순환라인을 가진다. 하우징(210)의 내부에는 약액이 임시 저장되는 공간을 제공한다. 하우징(210)은 현상 챔버(110)의 아래에 배치된다. 하우징(210)은 현상 챔버(110)와 동일한 크기를 가지거나 이보다 조금 큰 크기를 가진다. 하우징(210)의 내부에는 약액이 임시 저장되는 공간을 제공한다. 하우징(210)의 내부 바닥면에는 홀(212)이 제공된다. 홀(212)은 하우징(210)의 모서리 또는 이와 인접한 영역에 제공된다. 하우징(210)의 바닥면은 홀(212)과 가까워지는 방향으로 하향 경사질 수 있다.
회수조(230)는 하우징(210)의 내부에서 현상 챔버(110)의 배출구(112)와 대향되도록 배치된다. 회수조(230)는 배출구(112)를 통해 드레인되는 약액을 회수한다. 회수조(230)는 몸체(232)와 배출관(236)을 가진다. 몸체(232)는 상부가 개방되는 사각의 통 형상을 가진다. 몸체(232)는 현상 챔버(110)의 배출구(112)와 대향되도록 배치된다. 몸체(232)는 배출구(112)를 통해 회수된 약액을 그 내부에 공급받는다. 몸체(232)의 저면은 하우징(210)의 바닥면과 이격되게 배치된다. 몸체(232)의 저면에는 개구가 형성된다. 배출관(236)은 개구에 삽입되어 고정된다. 배출관(236)은 중공을 가지는 관 형상을 가진다. 배출관(236)의 상단은 몸체(232)의 상단보다 낮고, 몸체(232)의 바닥면으로부터 상부로 돌출되게 제공된다. 배출관(236)의 하단은 몸체(232)의 바닥면으로부터 아래로 돌출되고, 하우징(210)의 바닥면과 이격되게 제공된다. 일 예에 의하면, 배출관(236)의 하단은 하우징(210)의 바닥면에 인접하게 위치될 수 있다. 몸체(232)에 회수된 약액이 배출관(236)의 상단보다 높게 채워지면, 약액은 배출관(236)을 통해 하우징(210)의 바닥면으로 공급된다.
격벽(250)은 하우징(210)의 내부 공간을 구획한다. 회수조(230)와 홀(212)은 구획된 서로 다른 공간에 위치된다. 격벽(250)은 회수조(230)에서 홀(212)로 공급되는 약액의 버블을 제거한다. 일 예에 의하면, 격벽(250)은 1 개로 제공될 수 있다. 그러나 선택적으로 격벽(250)은 복수 개 이상으로 제공될 수 있다. 격벽(250)은 대체로 얇은 판 형상으로 제공된다. 격벽(250)은 그 길이방향이 제 2 방향(14)을 향하도록 배치된다. 격벽(250)의 저면은 하우징(210)의 바닥면과 이격되게 배치된다. 약액은 격벽(250)과 바닥면 사이의 틈을 통해 회수조(230)가 위치된 공간에서 홀(212)이 위치된 공간으로 공급된다.
가열 부재(270)는 틈을 통해 공급되는 약액을 가열한다. 가열 부재(270)는 베이스(270)와 열선(미도시)을 가진다. 베이스(270)는 하우징(210)의 바닥면에 설치된다. 상부에서 바라볼 때 베이스(270)는 격벽(250)을 가로지르도록 제공되어 격벽(250)에 의해 구획된 각각의 공간을 가열한다. 베이스(270)의 하단은 바닥면에 내설되고, 상단은 바닥면으로부터 돌출되게 설치된다. 열선(미도시)은 베이스(270)의 내부에 제공된다. 베이스(270)의 상단과 격벽(250)의 저면은 서로 이격되게 제공된다. 이와 달리 베이스는 격벽(250)의 저면과 대향되도록 배치될 수 있다.
플레이트(220)는 홀(212)로 유입되는 약액에 발생된 버블 및 약액에 혼합된 이물을 제거한다. 플레이트(220)는 홀(212)과 대향되도록 제공된다. 플레이트(220)는 타공이 복수 개로 형성된 판 형상을 가진다. 홀(212)과 대향되는 플레이트(220)의 일면은 홀(212)에 비해 큰 면적을 가진다. 플레이트(220)에 형성된 타공은 홀(212)에 비해 작은 지름을 가진다.
순환 라인(290)은 홀(212)로 유입된 약액을 약액 공급 노즐(150)로 공급한다. 순환 라인(290)은 펌프 및 필터가 순차적으로 설치된다.
세정 유닛(300)은 현상 유닛(100)에서 현상 처리된 기판(S)을 세정 처리한다. 세정 유닛(300)은 세정 챔버(310), 기판 이송 부재(130), 그리고 세정액 공급 노즐(330)을 가진다. 세정 챔버(310)는 현상 챔버(110)와 유사한 직육면체 형상을 가진다. 세정 챔버(310)의 유입구(22)는 현상 챔버(110)의 유출구(24)와 서로 대향되도록 배치된다. 세정 챔버(310)의 내부는 현상 챔버(110)의 내부와 연통된다. 기판 이송 부재(130)는 현상 챔버(110) 내에 제공된 기판 이송 부재(130)와 동일한 구성을 가진다. 세정 유닛(300)의 기판 이송 부재(130)는 현상 처리된 기판(S)을 제 1 방향(12)으로 이송한다. 세정액 공급 노즐(330)은 현상 처리된 기판(S) 상으로 세정액을 공급한다. 예컨대, 세정액은 탈이온수일 수 있다. 세정액 공급 노즐(330)은 약액 공급 노즐(150)과 동일한 구성을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
다음은 상술한 실시예의 기판 처리 장치를 이용하여 기판(S)을 처리하는 과정을 설명한다. 노광 공정이 완료된 기판(S)이 현상 챔버(110) 내에 반입되면, 기판(S)은 기판 이송 부재(130)에 의해 제 1 방향(12)으로 이송된다. 약액 공급 노즐(150)은 이송되는 기판(S) 상으로 약액을 공급하여 현상 공정이 수행된다. 이후, 약액 회수 노즐(170)은 가스를 분사하여 기판(S) 상에 잔류하는 약액을 현상 챔버(110)의 바닥면으로 흘려보낸다. 흘려보내진 약액은 배출구(112)를 통해 회수조(230)의 몸체(232) 내에 공급된다. 몸체(232) 내에 일정량 이상의 약액이 채워지면, 약액은 배출관(236)을 통해 하우징(210)의 바닥면으로 공급된다. 약액은 경사진 바닥면에 의해 홀(212)을 향해 흐른다. 이때 약액은 하우징(210)의 바닥면과 격벽(250)의 저면 간에 틈을 통해 흐르며, 약액에서 발생된 버블은 격벽(250)에 의해 1차 제거된다. 1차 제거된 약액은 플레이트(220)의 상면에 도달한다. 약액은 플레이트(220)의 타공을 통해 홀(212)로 유입된다. 약액에서 발생된 버블은 플레이트(220)의 타공을 통해 2차 제거된다. 또한 약액에 혼합된 이물은 버블과 함께 제거된다. 약액은 순환 라인(290)을 따라 약액 공급 노즐(150)로 공급된다. 현상 처리된 기판(S)은 세정 챔버(310)로 이송되고, 세정액 공급 노즐(330)에 의해 세정된다.
본 발명의 실시예에 의하면, 회수조(230)의 몸체(232)는 그 내부 공간이 클수록 약액에서 발생된 버블을 보다 효율적으로 제거할 수 있다. 이는 몸체(232)의 크기가 커질수록 약액이 수용되는 시간은 지속되므로, 버블을 시간이 흐름에 따라 자연적으로 제거된다.
상술한 본 발명의 실시예와 달리, 도 5를 참조하면, 격벽(250)은 하우징(210) 내에 복수 개로 제공될 수 있다. 격벽(250a,250b)의 저면과 버퍼 탱크(200)의 바닥면 간에 틈은 격벽에 따라 서로 상이한 크기로 제공될 수 있다. 이와 같은 경우, 격벽(250a,250b)의 저면과 버퍼 탱크(200)의 바닥면 간의 틈 각각은 홀(212)과 가까울수록 점진적으로 작게 제공될 수 있다.
상술한 본 발명의 실시예에서는 버퍼 탱크(200)가 현상 공정 시 약액에 발생된 버블을 제거하는 장치로 설명하였다 그러나 이는 현상 공정에 한정되지 않으며, 포토 레지스트 공정에 사용되는 포트 레지스트 및 세정 공정에 사용되는 세정액 등 버블이 발생될 수 있는 약액을 사용하여 기판을 처리하는 공정이라면, 어디든지 다양하게 적용 가능하다.
110: 챔버 112: 배출구
150: 약액 공급 노즐 200: 버퍼 탱크
290: 순환 라인 210: 하우징
230: 회수조 250: 격벽

Claims (5)

  1. 기판을 약액으로 처리하는 공간을 제공하고, 바닥면에 배출구가 형성되는 챔버와;
    상기 챔버 내에 배치되고, 상기 기판 상으로 약액을 공급하는 약액 공급 노즐과;
    상기 배출구로부터 드레인되는 약액을 저장하는 버퍼 탱크와; 그리고
    상기 버퍼 탱크에 저장된 약액을 상기 약액 공급 노즐로 순환시키는 순환 라인을 포함하되;
    상기 버퍼 탱크는,
    내부에 공간이 제공되고, 바닥면에 홀이 제공되는 하우징과;
    상기 하우징 내에 배치되고, 상부가 개방되며, 내부에는 상기 챔버로부터 약액이 제공되는 회수조와;
    상기 회수조가 제공된 공간과 상기 홀이 제공된 공간을 구획하는 격벽과; 그리고
    상기 하우징 내에 제공되는 약액을 가열하는 가열 부재를 포함하되;
    상기 격벽의 저면과 상기 하우징의 바닥면 간에는 약액이 흐르는 틈이 제공되고,
    상기 가열 부재는 상기 틈에 대응되는 위치에 제공되어 상기 틈을 지나는 약액을 가열하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 홀에 제공되는 플레이트를 더 포함하되;
    상기 플레이트에는 복수의 타공이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 하우징의 바닥면은 상기 홀에 가까워질수록 하향 경사진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 기판을 약액으로 처리하는 공간을 제공하고, 바닥면에 배출구가 형성되는 챔버와;
    상기 챔버 내에 배치되고, 상기 기판 상으로 약액을 공급하는 약액 공급 노즐과;
    상기 배출구로부터 드레인되는 약액을 저장하는 버퍼 탱크와; 그리고
    상기 버퍼 탱크에 저장된 약액을 상기 약액 공급 노즐로 순환시키는 순환 라인을 포함하되;
    상기 버퍼 탱크는,
    내부에 공간이 제공되고, 바닥면에 홀이 제공되는 하우징과;
    상기 하우징 내에 배치되고, 상부가 개방되며, 내부에는 상기 챔버로부터 약액을 회수하는 회수조와; 그리고
    상기 회수조가 제공된 공간과 상기 홀이 제공된 공간을 구획하는 격벽을 포함하되,
    상기 격벽의 저면과 상기 하우징의 바닥면 간에는 약액이 흐르는 틈이 제공되고,
    상기 회수조는,
    상부가 개방되고, 저면에 개구가 형성되는 통 형상을 가지는 몸체와;
    상기 개구에 삽입되고, 중공의 관 형상을 가지는 배출관을 포함하되;
    상기 몸체의 저면은 상기 하우징의 바닥면과 이격되게 배치되고,상기 배출관의 상단은 상기 몸체의 상단보다 아래에 위치되고, 상기 몸체의 저면보다 높게 위치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020110101960A 2011-10-06 2011-10-06 기판 처리 장치 KR101922684B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110101960A KR101922684B1 (ko) 2011-10-06 2011-10-06 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110101960A KR101922684B1 (ko) 2011-10-06 2011-10-06 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130037515A KR20130037515A (ko) 2013-04-16
KR101922684B1 true KR101922684B1 (ko) 2018-11-27

Family

ID=48438485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110101960A KR101922684B1 (ko) 2011-10-06 2011-10-06 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101922684B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100803686B1 (ko) * 2006-12-28 2008-02-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0072684A1 (en) * 1981-08-18 1983-02-23 Rohm And Haas Company Use of adhesive quaternary ammonium polymer compositions in bonding flexible covering to rigid substrate, and laminated articles produced therewith
KR100933844B1 (ko) * 2007-11-01 2009-12-24 주식회사 실트론 태양전지용 잉곳 가공방법 및 이를 위한 연삭유 공급장치
KR100924931B1 (ko) * 2007-11-07 2009-11-05 세메스 주식회사 세정장비 및 기판세정방법
KR100901462B1 (ko) * 2008-01-15 2009-06-08 세메스 주식회사 약액 공급 장치
KR101078616B1 (ko) * 2009-11-23 2011-11-01 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치
KR20110082291A (ko) * 2010-01-11 2011-07-19 세메스 주식회사 기판 린스 장치
KR20110082302A (ko) * 2010-01-11 2011-07-19 세메스 주식회사 기판 처리 시스템

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100803686B1 (ko) * 2006-12-28 2008-02-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130037515A (ko) 2013-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4870801B2 (ja) 気液分離装置及びこれを含む基板処理装置
KR20070095759A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2002305134A (ja) 現像処理装置
US7387683B2 (en) Discharging unit for discharging a photosensitive material, coater having the discharging unit, and apparatus for coating a photosensitive material having the coater
US6502591B1 (en) Surface tension effect dryer with porous vessel walls
JP2006297274A (ja) 基板の処理装置及び処理方法
TWI400131B (zh) 基板處理裝置
KR101922684B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101065982B1 (ko) 노즐 및 기판처리장치
JP6895818B2 (ja) 処理液供給装置および処理液供給方法
JP4263559B2 (ja) 現像処理装置及び現像処理方法
KR20090015413A (ko) 평판표시장치 제조용 슬릿 노즐의 세정 장치
KR20140134378A (ko) 유체 분사 장치 및 이를 구비하는 기판 세정 장치
JP5202400B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20070034890A (ko) 약액탱크의 버블방지장치
KR20000024808A (ko) Tft lcd용 글라스의 자동 에칭 장치 및 에칭방법
JP2005125235A (ja) スリットシャワーユニット
KR19990038655U (ko) 기판 이송용 롤러
TWI568500B (zh) 噴射流體裝置
KR102278079B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP4776429B2 (ja) 処理液供給システム、処理液供給方法、処理液供給プログラム及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR101451857B1 (ko) 약액 공급 장치
KR20050064377A (ko) 버블판을 포함하는 식각장치 및 이를 이용한 식각 방법
JPH11319736A (ja) 基板処理方法及びその装置
KR20070027368A (ko) 기판 도킹장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant