JP4627681B2 - 基板の処理装置及び処理方法 - Google Patents

基板の処理装置及び処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4627681B2
JP4627681B2 JP2005122464A JP2005122464A JP4627681B2 JP 4627681 B2 JP4627681 B2 JP 4627681B2 JP 2005122464 A JP2005122464 A JP 2005122464A JP 2005122464 A JP2005122464 A JP 2005122464A JP 4627681 B2 JP4627681 B2 JP 4627681B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
substrate
processing liquid
processing
inflow
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005122464A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006297274A (ja
Inventor
裕一 今岡
明典 磯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Priority to JP2005122464A priority Critical patent/JP4627681B2/ja
Priority to TW095113760A priority patent/TWI402900B/zh
Priority to KR1020060034996A priority patent/KR101205821B1/ko
Priority to CN2006100746243A priority patent/CN1853799B/zh
Publication of JP2006297274A publication Critical patent/JP2006297274A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4627681B2 publication Critical patent/JP4627681B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1316Methods for cleaning the liquid crystal cells, or components thereof, during manufacture: Materials therefor

Description

この発明は搬送される基板の上面にこの基板の搬送方向と交差する方向に沿って処理液を直線状に供給して処理する基板の処理装置及び処理方法に関する。
たとえば、液晶表示装置の製造工程においては、ガラス製の基板に回路パターンを形成する工程がある。回路パターンを形成する場合、成膜された基板にレジストを塗布してから露光し、露光後に現像液によって現像処理してからエッチング液でエッチング処理することで、基板の表面に回路パターンを精密に形成する。
基板に回路パターンを形成したならば、その基板の表面に付着残留するレジスト膜やレジスト残渣などの有機物を剥離液によって除去する。剥離液によって有機物を除去したならば、その基板の板面を洗浄液で洗浄処理してから次工程に受け渡すということが行われる。
基板を現像液、エッチング液、剥離液及び洗浄液などの処理液で処理する場合、上記基板を搬送手段によって所定方向に搬送しながら、この基板の上面に上記処理液を、基板の搬送方向と交差する方向に直線状に供給して処理するということが行なわれている。下記に示す特許文献1には搬送される基板に処理液を供給するノズル体が示されている。
特許文献1に示されたノズル体は、下面に複数の吐出口が長手方向に沿って所定間隔で形成されている。このノズル体には供給された処理液を滞留させる液溜め室と、一端が上記吐出口に連通し、他端が上記液溜め室に連通して液溜め室に滞留する処理液を吐出口に流通させて吐出させる液吐出流路を備えている。
そして、上記構成のノズル体は、長手方向を上記基板の搬送方向と交差する方向に沿わせて搬送される上記基板の上方に配置される。それによって、上記吐出口から処理液を流出させれば、その処理液を所定方向に搬送される基板の上面に、搬送方向と交差する方向に沿って直線状に供給することができるようになっている。
特開2003−170086号公報
上記ノズル体の液溜め室には供給管が接続され、この供給管から処理液が液溜め室に供給される。処理液はこの液溜め室に滞留しながら液吐出流路を通ってノズル体の下面に形成された吐出口から流出する。
しかしながら、このような構成によると、処理液が供給管から液溜め室に供給される際、処理液が空気を巻き込むことがある。処理液が空気を巻き込むと、その空気が気泡となって処理液とともに吐出口から基板に供給される。
基板に供給された気泡は破裂せずに残留することがあり、その場合には基板の気泡が残留した部分に処理液が付着しない状態或いは他の部分に比べて付着量が少ない状態となるから、処理液による基板の処理にむらが生じるということがある。
この発明は、基板に処理液を搬送方向と交差する方向に沿って直線状に供給する場合、気泡を含まない処理液を供給することができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。
この発明は、搬送される基板の上面を処理液供給手段から供給される処理液によって処理する処理装置であって、
上記処理液供給手段は、
容器本体と、
この容器本体内を上記処理液が供給される流入部及びこの流入部に供給された処理液がオーバフローして流入する貯液部に区画した仕切体と、
上記貯液部の底壁に形成されこの貯液部に上記流入部から流入して所定の高さで貯えられた処理液を上記基板の上面に供給する流出部と、
上記流入部の側壁の上端部に形成され上記流入部に供給された処理液の液面が上記仕切体の上端とほぼ同じ高さに上昇したときにその液面に浮遊する気泡を上記貯液部に流入させずに上記容器本体の外部に流出させる排出部を具備し、
上記排出部は、上記流入部の側壁の上端部に形成された山形状の凹凸部であって、その凹部の下端は上記仕切体の上端とほぼ同じ高さに設定されていることを特徴とする基板の処理装置にある。
上記流出部は、上記貯液部の底壁に上記基板の搬送方向と交差する方向に沿って所定間隔で形成され上記貯液部に貯えられた処理液を上記基板の上面に直線状に流出する複数のノズル孔からなることが好ましい。
上記流入部に接続されこの流入部に上記処理液を供給する給液管と、
上記流入部に設けられこの流入部内を2つの部屋に区画するとともに上記給液管から一方の部屋に供給された処理液を衝突させてその勢いを減少させてから他方の部屋にオーバフローさせる上記仕切体よりも低い高さの衝突壁とを備えていることが好ましい。
上記流入部の側壁の外側には、上記排出部から気泡とともに排出される処理液を受ける排液部が設けられていることが好ましい。
この発明は、搬送される基板の上面に処理液を供給して処理する処理方法であって、
上記基板を搬送する工程と、
内部が仕切体によって上記処理液が供給される流入部及びこの流入部に供給された処理液がオーバフローして流入する貯液部に区画された容器本体を有し、所定の位置に搬送された基板の上面に、上記貯液部に流入した処理液をこの貯液部の底壁に形成された流出部から上記基板の搬送方向と交差する方向に沿って直線状に供給する工程と、
上記基板に処理液を供給する前に、その処理液に含まれる気泡を除去する工程を具備し、
上記気泡を除去する工程は、上記流入部の側壁の上端部に凹部の下端が上記仕切体の上端とほぼ同じ高さに設定されて形成された山形状の凹凸部の、上記凹部によって上記気泡を上記貯液部に流入させずに上記容器本体から外部に排出することを特徴とする基板の処理方法にある。
この発明によれば、処理液が気泡を巻き込んでも、その処理液が基板に供給される前に気泡が除去されるから、基板上に気泡が残留して処理液による処理が均一に行なえなくなるのを防止できる。
以下、この発明の一実施の形態を図面を参照して説明する。
図1は処理装置の幅方向に沿う縦断面図である。この処理装置はチャンバ1を備えている。このチャンバ1は、上面が開口した本体部2と、この本体部2の上面開口を開閉する蓋体部3とによって構成されている。蓋体部3は幅方向の一側が上記本体部2にヒンジ4によって回動可能に連結され、幅方向他側には図示しないハンドルが設けられている。
上記チャンバ1の本体部2の底部の幅方向両端部には支持部材11が設けられている。一対の支持部材11にはユニット化された搬送装置12が着脱可能に設置される。この搬送装置12は上記支持部材11の上面に載置される一対のベース部材13を有する。一対のベース部材13は複数、たとえば3本の連結部材14(図1に1本だけ示す)によって連結されている。
各ベース部材13には支持板15が長手方向に沿って設けられている。一対の支持板15の対応する位置には軸受16が所定間隔で設けられている。対応する一対の軸受16には搬送軸17が両端部を回転自在に支持されている。つまり、一対のベース部材13には複数の搬送軸17がチャンバ1の幅方向と直交する長手方向に対して所定間隔で設けられている。
なお、図示しないがチャンバ1の長手方向一側壁には搬入口が形成され、他側には搬出口が形成されていて、上記搬入口からチャンバ1内に液晶表示装置に用いられるガラス製の基板Wが供給されるようになっている。
各搬送軸17には複数の搬送ローラ18が所定間隔で設けられている。上記連結部材14の両端部には上記搬入口から供給されて上記搬送ローラ18によって後述するように搬送される基板Wの幅方向両端部をガイドするガイドローラ19が設けられている。ガイドローラ19は搬送ローラ18により搬送される基板Wが蛇行するのを防止している。
上記搬送軸17は駆動機構21によって回転駆動されるようになっている。この駆動機構21は駆動源22を有し、この駆動源22の出力軸23には駆動歯車24が嵌着されている。この駆動歯車24には取付け軸25に嵌着された従動歯車26が噛合している。上記取付け軸25と上記搬送軸17の端部には互いに噛合する歯車(図示せず)が設けられている。
それによって、上記駆動源22が作動すれば、上記搬送軸17が回転駆動されるから、上記チャンバ1内に供給された基板Wが上記搬送軸17に設けられた搬送ローラ18に支持されて搬送されるようになっている。
上記チャンバ1内には、上記搬送軸17に設けられた搬送ローラ18よって水平な状態で搬送される基板Wの上面に現像液、エッチング液、剥離液或いは洗浄液などの処理液Lを基板Wの搬送方向と直交する幅方向に沿って直線状に供給する処理液供給手段としての処理液供給装置31が設けられている。
上記処理液供給装置31は図2乃至図4に示すように容器本体32を有する。この容器本体32は上記基板Wの幅方向、つまりチャンバ1の幅方向に沿って細長い、上面が開口した箱型状に形成されている。この容器本体32の幅寸法は上記基板Wの幅寸法よりも長く設定されていて、内部は容器本体32の長手方向に沿って設けられた仕切体33によってこの長手方向と直交する方向に流入部34と貯液部35とに区画されている。この実施の形態では、上記流入部34は図4に矢印で示す基板Wの搬送方向の上流側に位置し、貯液部35は下流側に位置している。
上記流入部34の側壁34aの下部には、この側壁34aの幅方向に沿って複数の給液口体36が長手方向に等間隔で設けられている。各給液口体36には処理液の給液管37の一端が接続されている。給液管37の他端は図示しない処理液の供給部に連通している。それによって、上記容器本体32の流入部34には上記側壁34aの下部から処理液が所定の圧力で供給されるようになっている。
上記流入部34には、この流入部34内を上記給液口体36側に位置する第1の部屋38aと、上記貯液部35側に位置する第2の部屋38bとに区画した衝突壁39が容器本体32の長手方向全長にわたって設けられている。
上記衝突壁39の高さは上記仕切体33の高さよりも低く設定されている。それによって、上記給液口体36から第1の部屋38aに供給された処理液Lは衝突壁39に衝突して勢いが弱められながら第1の部屋38aに溜まって液面が上昇する。そして、液面が衝突壁39とほぼ同じ高さに上昇すると、その衝突壁39を図4に矢印で示すようにオーバフローして第2の部屋38bに流入する。
処理液Lは給液口体36から第1の部屋38aに勢いよく流入することで、空気を巻き込み、それが気泡の発生の原因となる。しかしながら、給液口体36から第1の部屋38aに流入した処理液Lは衝突壁39で衝突して勢いが弱められて衝突壁39をオーバフローして第2の部屋38bに流入する。
つまり、処理液Lは第1の部屋38aに流入するときの勢いで乱流が生じて気泡の発生を招くが、第2の部屋38bには乱流を生じることなく静かに流入するため、そのときに気泡の発生を招くということがほとんどない。
処理液Lが第2の部屋38bにオーバフローし、流入部34の液面が仕切体33の上端とほぼ同じ高さになると、処理液Lは図4に矢印で示すように仕切体33をオーバフローして貯液部35に流入する。そのときも、処理液Lはオーバフローによって貯液部35に乱流とならずに静かに流入するため、乱流の発生を招くことがない。
上記貯液部35の底壁35aには、図3に示すように流出部を形成する複数のノズル孔40が容器本体32の幅方向に沿って所定の間隔で一列に形成されている。この実施の形態では、上記ノズル孔40は孔径が0.5mmで、ピッチが0.7mmに設定されている。
それによって、貯液部35内に処理液Lが仕切体33の上端の高さで貯えられていると、その高さによる圧力で0.7mmのピッチで形成された隣り合うノズル孔40から流出する処理液は連なり、一直線となって基板Wの上面に供給される。つまり、流出部を複数のノズル孔40によって形成しても、処理液Lは各ノズル孔40ごとに分かれることなく、基板Wの幅方向に沿って直線状に連なって基板Wの上面に供給される。
上記実施の形態では複数のノズル孔40から流出する処理液Lが直線状となるよう、隣り合うノズル孔40のピッチを0.7mmとしたが、ピッチが0.7mmよりも小さければ、複数のノズル孔40から流出する処理液Lを直線状となるように連なった状態で基板Wに供給することができる。
なお、隣り合うノズル孔40から流出する処理液が連なるノズル孔40のピッチは、ノズル孔40から流出する処理液Lに加わる貯液部35の液面の高さや処理液Lの粘度などによって異なる。実験によれば、純水の場合にはノズル孔40のピッチを1.0mmとすると、隣り合うノズル孔40から流出する処理液Lは連なることなく分離し、0.7mmとしたときに直線状に連なることが確認された。
したがって、処理液Lが純水の場合、ノズル孔40のピッチは0.7mmよりも小さければ、隣り合うノズル孔40から流出する処理液Lを、各ノズル孔40ごとに分離させずに、直線状に連なった状態で供給することができる。
上記流入部34の側壁34aの上部には、図5に示すように凹部41aと凸部41bが交互に形成された山形状の排出部としての凹凸部41が設けられている。つまり、凹凸部41の凹部41aと凸部41bはそれぞれ上下逆向きの三角形状になっていて、凹部41aの谷の下端の高さHは上記仕切体33の上端の高さとほぼ同じに設定されている。
それによって、上記給液口体36から流入部34に供給された処理液Lの液面が仕切体33及び凹部41aの下端とほぼ同じ高さになると、流入部34の液面に浮遊する気泡が処理液Lとともに上記貯液部35に流れずに、上記凹部41aを通って上記流入部34の側壁34aの外側に形成された排液部42に流出する。
つまり、上記凹凸部41の凹部41aは逆三角形状となっているため、その谷の部分を流れる処理液Lの流速は仕切体33の上端をオーバフローする処理液Lの流速よりも速くなる。そのため、流入部34の処理液Lの液面には、貯液部35側よりも排液部42側に向かう流れが生じ易くなるため、その液面に気泡が浮遊していれば、その気泡は排液部42に流れ、貯液部35に流れるのが阻止される。
上記排液部42には図示しない排液管が接続されている。それによって、排液部42に気泡とともに流入した処理液Lは上記排液管を通じて適所に排出されるようになっている。
なお、容器本体32の上面開口は、メッシュなどによって形成された図示しない蓋部材によって覆うようにしてもよい。
このような構成の処理装置によれば、流入部34の側壁34aの下部に設けられた給液口体36から第1の部屋38aに所定の圧力で供給された処理液Lは、衝突壁39に衝突することで勢いが弱められる。処理液Lが第1の部屋38aに勢いよく流入することで、乱流が生じて空気を巻き込むから、その空気が気泡となった処理液Lに含まれることになる。
第1の部屋38aに流入した処理液Lの液面が上昇すると、処理液Lは衝突壁39をオーバフローして第2の部屋38bに流入し、流入部34の液面が上昇する。流入部34に供給される処理液Lは、衝突壁39によって勢いが弱められるため、流入部34の液面が上昇するときに乱流が生じて空気を巻き込むということがない。
つまり、処理液Lが流入部34の第1の部屋38aに流入するときには所定の圧力で流入するため、気泡の発生を招く。しかしながら、その後は気泡の発生を招くことがないから、流入部34における気泡の発生を抑制することができる。
このようにして流入部34に供給された処理液Lの液面が仕切体33の上端及び凹凸部41の凹部41aの下端とほぼ同じ高さまで上昇すると、流入部34の処理液Lの液面には、上記凹部41aを通って排液部42に流れと、仕切体33をオーバフローして貯液部35に流れる流れとが生じる。
上記凹部41aは逆山形状に形成されているため、凹部41aを流れる処理液Lの流速は仕切体33をオーバフローする処理液Lの流速よりも速くなる。したがって、流入部34の処理液Lの液面に気泡が浮遊していると、その気泡は流速が速い凹凸部41の凹部41aに流れ、仕切体33をオーバフローすることがないから、貯液部35に気泡が流入することがない。
仕切体33をオーバフローした処理液Lは上記貯液部35内に所定の高さで貯えられ、その高さによって生じる圧力で貯液部35の底壁35aに形成された複数のノズル孔40から流出する。基板Wに供給される処理液Lには気泡が含まれていないため、基板W上に気泡が付着して処理むらが生じるのを防止することができる。
隣り合うノズル孔40のピッチを、隣り合うノズル孔40から流出する処理液が連なる間隔に形成したため、処理液Lは基板Wの搬送方向と直交する幅方向に沿って一直線となって流出する。
そのため、所定方向に搬送される基板Wの幅方向全長に処理液Lをむらなく均一に供給することができるから、そのことによっても基板Wの上面全体をむらが生じることなく均一に処理することができる。
そのため、処理液Lに圧力を加える場合に比べて処理液Lの使用量を減少させることができるから、ランニングコストを低くすることが可能となる。貯液部35の液面の高さは、処理液Lの供給量と、ノズル孔40の孔径と数とによって設定することができ、通常は供給量をノズル40からの流出量よりもわずかに多くなるよう設定しておく。それによって、貯液部35の液面を仕切体33の上端とほぼ同じに設定することができるから、その高さに応じた圧力で処理液Lをノズル孔40から流出させることができる。
なお、上記一実施の形態では供給部として貯液部の底壁に複数のノズル孔を所定間隔で形成したが、ノズル孔に代わり上記底壁にスリットを形成するようにしてもよい。
この発明の一実施の形態を示す処理装置の幅方向に沿う縦断面図。 上記処理装置内に設けられる処理液供給装置の平面図。 上記処理液供給装置の下面図。 処理液供給装置の縦断面図。 流入部の側壁の上部に形成された凹凸部の正面図。
符号の説明
1…チャンバ、31…処理液供給装置(処理液供給手段)、32…容器本体、33…仕切体、34…流入部、35…貯液部、37…給液管、38a…第1の部屋、38b…第2の部屋、39…衝突壁、41…凹凸部(排出部)、41a…凹部、41b…凸部。

Claims (5)

  1. 搬送される基板の上面を処理液供給手段から供給される処理液によって処理する処理装置であって、
    上記処理液供給手段は、
    容器本体と、
    この容器本体内を上記処理液が供給される流入部及びこの流入部に供給された処理液がオーバフローして流入する貯液部に区画した仕切体と、
    上記貯液部の底壁に形成されこの貯液部に上記流入部から流入して所定の高さで貯えられた処理液を上記基板の上面に供給する流出部と、
    上記流入部の側壁の上端部に形成され上記流入部に供給された処理液の液面が上記仕切体の上端とほぼ同じ高さに上昇したときにその液面に浮遊する気泡を上記貯液部に流入させずに上記容器本体の外部に流出させる排出部を具備し、
    上記排出部は、上記流入部の側壁の上端部に形成された山形状の凹凸部であって、その凹部の下端は上記仕切体の上端とほぼ同じ高さに設定されていることを特徴とする基板の処理装置。
  2. 上記流出部は、上記貯液部の底壁に上記基板の搬送方向と交差する方向に沿って所定間隔で形成され上記貯液部に貯えられた処理液を上記基板の上面に直線状に流出する複数のノズル孔からなることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
  3. 上記流入部に接続されこの流入部に上記処理液を供給する給液管と、
    上記流入部に設けられこの流入部内を2つの部屋に区画するとともに上記給液管から一方の部屋に供給された処理液を衝突させてその勢いを減少させてから他方の部屋にオーバフローさせる上記仕切体よりも低い高さの衝突壁とを備えていることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
  4. 上記流入部の側壁の外側には、上記排出部から気泡とともに排出される処理液を受ける排液部が設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
  5. 搬送される基板の上面に処理液を供給して処理する処理方法であって、
    上記基板を搬送する工程と、
    内部が仕切体によって上記処理液が供給される流入部及びこの流入部に供給された処理液がオーバフローして流入する貯液部に区画された容器本体を有し、所定の位置に搬送された基板の上面に、上記貯液部に流入した処理液をこの貯液部の底壁に形成された流出部から上記基板の搬送方向と交差する方向に沿って直線状に供給する工程と、
    上記基板に処理液を供給する前に、その処理液に含まれる気泡を除去する工程を具備し、
    上記気泡を除去する工程は、上記流入部の側壁の上端部に凹部の下端が上記仕切体の上端とほぼ同じ高さに設定されて形成された山形状の凹凸部の、上記凹部によって上記気泡を上記貯液部に流入させずに上記容器本体から外部に排出することを特徴とする基板の処理方法。
JP2005122464A 2005-04-20 2005-04-20 基板の処理装置及び処理方法 Active JP4627681B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005122464A JP4627681B2 (ja) 2005-04-20 2005-04-20 基板の処理装置及び処理方法
TW095113760A TWI402900B (zh) 2005-04-20 2006-04-18 基板之處理裝置及處理方法
KR1020060034996A KR101205821B1 (ko) 2005-04-20 2006-04-18 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN2006100746243A CN1853799B (zh) 2005-04-20 2006-04-20 基板的处理装置及处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005122464A JP4627681B2 (ja) 2005-04-20 2005-04-20 基板の処理装置及び処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006297274A JP2006297274A (ja) 2006-11-02
JP4627681B2 true JP4627681B2 (ja) 2011-02-09

Family

ID=37194432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005122464A Active JP4627681B2 (ja) 2005-04-20 2005-04-20 基板の処理装置及び処理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4627681B2 (ja)
KR (1) KR101205821B1 (ja)
CN (1) CN1853799B (ja)
TW (1) TWI402900B (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5060835B2 (ja) * 2006-07-26 2012-10-31 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置
CN101251721B (zh) * 2008-04-14 2010-09-01 友达光电股份有限公司 显影喷嘴结构及喷涂显影液的方法
CN103163002A (zh) * 2013-04-11 2013-06-19 王刚平 一种免疫组化湿盒
TWI585842B (zh) * 2014-09-30 2017-06-01 Shibaura Mechatronics Corp Substrate processing device
KR102355116B1 (ko) * 2017-04-03 2022-01-26 주식회사 케이씨텍 슬러리 노즐 및 이를 구비하는 기판 연마 장치
CN108447805A (zh) * 2018-03-30 2018-08-24 无锡尚德太阳能电力有限公司 湿法链式刻蚀槽进液结构
KR102420868B1 (ko) 2021-08-26 2022-07-14 실드 주식회사 가요성 흡음벽

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0556285U (ja) * 1992-01-07 1993-07-27 株式会社カイジョー 超音波洗浄装置
JPH06304535A (ja) * 1993-04-22 1994-11-01 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 処理槽における液面揺れ制御装置
JPH08323106A (ja) * 1995-06-02 1996-12-10 Hitachi Ltd 薬液供給装置及び薬液供給方法
JPH1074723A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Shibaura Eng Works Co Ltd 超音波洗浄装置
JP2002346486A (ja) * 2001-05-24 2002-12-03 Heiwa Corp ペレット研磨材洗浄装置
JP2003170086A (ja) * 2001-12-11 2003-06-17 Sumitomo Precision Prod Co Ltd ノズル装置及びこれを備えた基板処理装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3488926A (en) * 1968-03-08 1970-01-13 Harrworth Inc Separator for removing gas bubbles from flowing liquids
GB2055634B (en) * 1979-08-16 1983-01-26 Ishikawajima Harima Heavy Ind Gas-liquid separators
JP3947398B2 (ja) * 2001-12-28 2007-07-18 株式会社コガネイ 薬液供給装置および薬液供給方法
TW591970B (en) * 2002-10-31 2004-06-11 Ritdisplay Corp Color ink bubble removal device in OLED ink printing process and method thereof
JP4421956B2 (ja) * 2003-07-18 2010-02-24 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置及び処理方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0556285U (ja) * 1992-01-07 1993-07-27 株式会社カイジョー 超音波洗浄装置
JPH06304535A (ja) * 1993-04-22 1994-11-01 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 処理槽における液面揺れ制御装置
JPH08323106A (ja) * 1995-06-02 1996-12-10 Hitachi Ltd 薬液供給装置及び薬液供給方法
JPH1074723A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Shibaura Eng Works Co Ltd 超音波洗浄装置
JP2002346486A (ja) * 2001-05-24 2002-12-03 Heiwa Corp ペレット研磨材洗浄装置
JP2003170086A (ja) * 2001-12-11 2003-06-17 Sumitomo Precision Prod Co Ltd ノズル装置及びこれを備えた基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN1853799B (zh) 2013-02-06
KR101205821B1 (ko) 2012-11-28
JP2006297274A (ja) 2006-11-02
KR20060110789A (ko) 2006-10-25
TWI402900B (zh) 2013-07-21
TW200727350A (en) 2007-07-16
CN1853799A (zh) 2006-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4627681B2 (ja) 基板の処理装置及び処理方法
JP6527674B2 (ja) 基板処理装置、ノズルおよび基板処理方法
JP6664952B2 (ja) 塗布器洗浄装置及び塗布装置
JP5060835B2 (ja) 基板の処理装置
JP2008277556A (ja) 基板の処理装置
KR101406048B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP4359580B2 (ja) 処理液供給装置
JP2010036100A (ja) 処理液供給装置
JP2007038089A5 (ja)
JP3857265B2 (ja) スリットシャワーユニット
JP5202400B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2009032868A (ja) 基板処理装置
JP4481865B2 (ja) 現像機におけるスカム除去方法およびその装置
KR101922684B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101158353B1 (ko) 대면적 기판의 도포액 도포장치
JP3967180B2 (ja) 処理液の供給装置及び基板の処理装置
KR100851034B1 (ko) 기판처리장치
JP2008096595A (ja) プリント基板製造装置及びプリント基板製造方法
JP2011067782A (ja) 基板処理装置
JPH04281452A (ja) 感光材料処理装置
JPH06248565A (ja) シート材の処理装置
JP2004347922A (ja) 感光材料処理装置
JP2003022998A (ja) 基板処理方法及び装置
KR20100030101A (ko) 배수 장치
JP2008088510A (ja) 処理液供給装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080411

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100216

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100409

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101102

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101108

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4627681

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150