CN101114575A - 基板的处理装置 - Google Patents

基板的处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101114575A
CN101114575A CNA2007101369831A CN200710136983A CN101114575A CN 101114575 A CN101114575 A CN 101114575A CN A2007101369831 A CNA2007101369831 A CN A2007101369831A CN 200710136983 A CN200710136983 A CN 200710136983A CN 101114575 A CN101114575 A CN 101114575A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
treatment fluid
liquid reservoir
substrate
main liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007101369831A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101114575B (zh
Inventor
今冈裕一
西部幸伸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Publication of CN101114575A publication Critical patent/CN101114575A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101114575B publication Critical patent/CN101114575B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60—Substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

本发明提供一种处理装置，能够将不含气泡的处理液供给到基板上。本发明处理装置，利用由处理液供给装置供给的处理液来处理被搬运的基板的上表面，其特征在于，处理液供给装置(31)具备：主贮液部(32)，连接了供给处理液的给液管(33)；流出孔(36)，设置在主贮液部的下端，使由给液管供给到主贮液部并贮存的处理液流出；辅助贮液部(38)，贮留从流出孔流出的处理液；狭缝(44)，设置在辅助贮液部上，将从流出孔流出到辅助贮液部的处理液供给到基板的上表面；第1空气抽取管(45)，连通到大气地设置在辅助贮液部，使从流出孔与处理液一起流出的气泡释放到大气。

Description

基板的处理装置
技术领域
本发明涉及在被搬运的基板的上表面沿着与该基板的搬运方向交叉的方向供给处理液并处理的基板的处理装置。
背景技术
例如，在液晶显示装置的制造工序中，有在玻璃制的基板上形成电路图形的工序。当在基板上形成电路图形时，在成膜了的基板上涂敷抗蚀剂后曝光，在曝光后利用显影液进行显影处理后，用蚀刻液进行蚀刻处理，由此，在基板的表面精密地形成电路图形。
在基板上形成电路图形后，利用剥离液去除附着残留在该基板的表面上的抗蚀剂膜或抗蚀剂残渣等有机物。利用剥离液去除有机物后，用清洗液清洗处理该基板的板面后交付到下一个工序。
当用显影液、蚀刻液、剥离液以及清洗液等处理液处理基板时，进行如下操作：利用搬运构件将上述基板按规定方向搬运的同时，在该基板的上表面将上述处理液沿着与基板搬运方向交叉的方向直线状地供给并处理。在专利文献1中示出在被搬运的基板上供给处理液的喷嘴体。
在专利文献1所示的喷嘴体中，在下表面沿着较长方向以规定间隔形成多个吐出口。在该喷嘴体中具备：积液室，使被供给的处理液滞留；以及吐液流路，一端与上述吐出口连通、另一端与上述积液室连通、使滞留在积液室的处理液流经吐出口并吐出。
然后，在被搬运的上述基板的上方布置上述结构的喷嘴体，使该喷嘴体的较长方向沿着与上述基板的搬运方向交叉的方向。由此，若使处理液从上述吐出口流出，则在按规定方向被搬运的基板的上表面，能够沿着与搬运方向交叉的方向直线状地供给该处理液。
在上述喷嘴体的积液室上连接供给管，处理液由该供给管供给到积液室中。处理液滞留在该积液室的同时，经由吐液流路从形成在喷嘴体的下表面的吐出口流出。
但是，若采用这样的结构，处理液由供给管供给到积液室时，存在处理液卷入空气的情况。若处理液卷入空气，则该空气变成气泡与被供给到基板的处理液一起从吐出口流出。
与处理液一起流出到基板的气泡有不破裂而残留的情况，这时基板的残留了气泡的部分变为未附着处理液的状态或者附着量比其他部分少的状态，因此在利用处理液的基板处理中有发生不均的情况。
因此，将处理液供给到基板时，进行去除包含在该处理液中的气泡的工序。在专利文献2中示出使供给到基板的处理液中不含气泡的处理装置。
在专利文献2中所示的处理装置带有处理液吐出喷嘴。在该处理液吐出喷嘴的框体的上表面连接有输液管和排液管，在下表面形成吐出孔。处理液由上述输液管供给到形成在上述框体上的积液器中。被供给到积液器的处理液由上述吐出孔向基板的上表面供给。
在积液器中发生、生长的气泡利用浮力附着在积液器的顶棚面。顶棚面成为向上述排液管倾斜增高的倾斜面。由此，在积液器中发生、生长的气泡与处理液一起流到上述输液管中，因此防止由上述吐出孔供给到上述基板的处理液中含有气泡。
【专利文献1】日本特开2003-170086号公报
【专利文献2】日本特开平11-156278号公报
专利文献2所示的结构使上述那样含在处理液中的气泡附着在形成于框体的积液器的上表面，使该气泡与处理液一起从上述排液管中排出。
为此，必须在框体上连接排液管，使处理液与气泡一起通过该排液管从上述积液器中排出，因此存在招致结构的复杂化，在处理所排出的处理液上花费多的工夫和费用这样的问题。
发明内容
该发明提供一种基板的处理装置，使被卷入处理液中的气泡能够与处理液分离并确实地排出。
该发明是一种基板的处理装置，利用由处理液供给构件供给的处理液来处理被搬运的基板的上表面，其特征在于，
上述处理液供给构件具备：
主贮液部，连接了供给上述处理液的给液管；
第1流出部，设置在该主贮液部的下端，使由上述给液管供给到主贮液部并贮存的处理液流出；
辅助贮液部，贮留从该第1流出部流出的处理液；
第2流出部，设置在该辅助贮液部，将从上述第1流出部流出到上述辅助贮液部的处理液供给到上述基板的上表面；以及
第1释放部，与大气连通设置在上述辅助贮液部，使从上述第1流出部与处理液一起流出的气泡释放到大气。
若采用该发明，即使处理液卷入气泡，该处理液从主贮液部的第1流出部流出到辅助贮液部并在此残留的期间，包含在处理液中的气泡通过浮力上升并从与大气连通的第1释放部发散，因此能够防止由设置在上述辅助贮液部的第2流出部供给到基板的处理液中包含气泡。
附图说明
图1是沿着示出该发明的第1方式的处理装置的宽度方向的纵向剖面图。
图2是在上述处理装置内设置的处理液供给装置的正视图。
图3是上述处理液供给装置的横向图。
图4是上述处理液供给装置的放大纵向剖面图。
图5是沿着示出该发明的第2方式的处理装置的宽度方向的纵向剖面图。
图6是沿着示出该发明的第3方式的处理装置的宽度方向的纵向剖面图。
符号说明
1腔室；31处理液供给装置(处理液供给构件)；
32主贮液部；33给液管；34接受部件
36、36A流出孔(第1流出部)；38辅助贮液部
39倾斜面；44狭缝(第2流出部)
45第1空气抽取管(第1释放部)
51第2空气抽取管(第2释放部)
具体实施方式
以下，参照附图对该发明的实施方式进行说明。
图1至图4示出该发明的第1实施方式，图1是沿着处理装置的宽度方向的纵向剖面图。该处理装置具备腔室1。该腔室1由上表面开口的本体部2和可开闭该本体部2的上表面开口的盖体部3构成。盖体部3的宽度方向的一侧通过铰链4可转动地连结在上述本体部2上，宽度方向的另一侧设置有未图示的手柄。
在上述腔室1的本体部2的底部的宽度方向两端部上设置支撑部件11。在一对支撑部件11上可装卸地设置有单元化的搬运装置12。该搬运装置12具有放置在上述支撑部件11的上表面上的一对基底部件13。一对基底部件13通过多个例如3根连结部件14(图1中只示出1根)连结。
在各基底部件13上沿着较长方向设置有支撑板15。在一对支撑板15的对应位置上按规定间隔设置轴承16。在对应的一对轴承16上支撑着旋转自由的搬运轴17的两端部。总之，在一对基底部件13上相对于与腔室1的宽度方向正交的较长方向按规定间隔设置多个搬运轴17。
而且，虽未图示，但在腔室1的较长方向一侧壁上形成搬入口，另一侧上形成搬出口，由上述搬入口向腔室1内供给在液晶显示装置中使用的玻璃制的基板W。
各搬运轴17上按规定间隔设置多个搬运辊18。在上述连结部件14的两端部上设置导辊19，该导辊19对由上述搬入口供给并通过上述搬运辊18如下述那样被搬运的基板W的宽度方向的两端部进行引导。导辊19防止被搬运辊18搬运的基板W弯曲行进。
上述搬运轴17通过驱动机构21被旋转驱动。该驱动机构21具有驱动源22，该驱动源22的输出轴23中嵌着驱动齿轮24。嵌在装配轴25上的从动齿轮26与该驱动齿轮24啮合。在上述装配轴25和上述搬运轴17的端部设置有相互啮合的齿轮(未图示)。
由此，若上述驱动源22运转，则上述搬运轴17被旋转驱动，因此使得供给到上述腔室1内的基板W被设置在上述搬运轴17上的搬运辊18支撑并搬运。
在上述腔室1内设置有处理液供给装置31，该处理液供给装置31作为处理液L的供给构件，将显像液、蚀刻液、剥离液或者清洗液等处理液L，沿着与基板W的搬运方向正交的宽度方向，直线状地供给到通过在上述搬运轴17上设置的搬运辊18以水平状态搬运的基板W的上表面。
上述处理液供给装置31具有图2至图4所示的主贮液部32。该主贮液部32沿着上述基板W的宽度方向、即腔室1的宽度方向形成为细长的、剖面是矩形的箱型形状。该主贮液部32的宽度尺寸设定为比上述基板W的宽度尺寸还长，在上表面按规定间隔与将处理液L供给到上述主贮液部32内的多个给液管33的一端连接。各给液管33的另一端通过同样未图示的流量控制阀连接到未图示的处理液L的供给源上。
在上述主贮液部32的内部，与各给液管33相对的部分的高度方向的中途部，大致水平地设置平板状的接受部件34。该接受部件34接受由上述给液管33供给到主贮液管32的处理液L。由此，由上述给液管33供给到主贮液部32的处理液L静静地流入主贮液部32内，因此卷入到处理液L中的气泡减少了。
在上述主贮液部32的底部壁32a上，对于较长方向按规定间隔贯穿设置有形成第1流出部的多个流出孔36。由此，使得由上述给液管33供给到主贮液部32的处理液L从上述流出孔36流出。
而且，设定由给液管33供给的处理液L的供给量和从流出孔36流出的流出量，使得由给液管33供给的处理液L充满上述主贮液部32。
由上述流出孔36流出的处理液L贮留在辅助贮液部38中。如图4所示，该辅助贮液部38的剖面形状是漏斗状，由如下形成：V字状的底部壁41，沿着上述主贮液部32的宽度方向形成倾斜的一对倾斜面39a、39b；侧部壁42，与上述主贮液部32的侧面平行且分离相对地竖立设置在该底部壁41的一方的倾斜面39a侧的上端；以及上部壁43，设置在该侧部壁42的上端，关闭辅助贮液部38的上表面开口。
上述底部壁41的另一方的倾斜面39b的上端部与在上述主贮液部32的下表面开口的流出孔36相对。在该倾斜面39b的下端、即底部壁41的最下端，跨较长方向的大致整个全长，开口形成作为第2流出部的狭缝44。
被供给到上述主贮液部32并从上述流出孔36流出到上述倾斜面39b的上端部的处理液L，沿着该倾斜面39b流动并贮留在漏斗状的底部壁41中，从在该底部壁41上形成的狭缝44成为直线状地流出。由此，跨与按规定方向搬运的基板W的搬运方向相交叉的宽度方向的整个全长，供给处理液L。
而且，设定上述流出孔36和狭缝44的面积的同时，控制从给液管33向主贮液部32供给的处理液L的供给量，以使得处理液L在上述辅助贮液部38的底部壁41中贮留一定量。即，使得从主贮液部32流出到辅助贮液部38中的处理液L不直接从狭缝44向基板W的上表面流出，而在辅助贮液部38中滞留规定时间后从上述狭缝44流出。
从主贮液部32的流出孔36流出的处理液L沿着辅助贮液部38的倾斜面39b流下。为此，若从上述流出孔36流出的处理液L中卷入气泡，则该气泡在处理液L沿倾斜面39b流动的期间，通过其浮力从处理液L中分离并上升。
进而，流经倾斜面39b的处理液L在辅助贮液部38的底部壁41上贮留后从狭缝44流出。为此，即使气泡在贮留的处理液L中残留，在处理液L从狭缝44流出之前，包含在处理液L中的气泡会分离上升。
而且，通过处理液L贮留在辅助贮液部38中，处理液L沿基板W的宽度方向从细长的狭缝44向基板W均匀地流出。由此，能够均匀地进行对基板W的整个上表面的处理。
在上述辅助贮液部38的上部壁43上连接第1空气抽取管45，该第1空气抽取管45作为第1释放部，用于释放从处理液L分离在该辅助贮液部38内上升的气泡。由此，使得从处理液L分离的气泡通过上述第1空气抽取管45发散到大气。
而且，如图1所示，第1空气抽取管45设置在辅助贮液部38的较长方向的两端部。
若采用这样结构的处理装置，供给到腔室1内的基板W按规定方向在腔室1内被搬运。在搬运的途中，由处理液供给装置31沿着与基板W的搬运方向相交叉的宽度方向，将处理液供给到基板W的上表面。由此，基板W通过处理液L处理并从腔室1搬出。
上述处理液供给装置31具有主贮液部32。使通过给液管33供给到该主贮液部32中的处理液L，不直接从给液管33落到主贮液部32内，而使用与给液管33相对而设置的接受部件34接受后落下。由此，处理液L静静地流入主贮液部32内，因此流入时处理液L卷入气泡的量也减少了。
如图4中箭头A所示，在上述主贮液部32中贮留的处理液L，从在主贮液部32的下表面形成的流出孔36，沿着在辅助贮液部38的底部壁41形成的倾斜面39b流下，在辅助贮液部38的漏斗状的底部壁41中贮留后，从在上述倾斜面39b的下端设置的狭缝44流出，供给到在腔室1内搬运的基板W的上表面。
若从上述主贮液部32的流出孔36流出的处理液L中含有气泡，则该气泡会在处理液L从流出孔36沿着倾斜面39b流动时从处理液L中分离上升，在流经倾斜面39b直至从狭缝44流出的期间，即处理液L在辅助贮液部38的底部壁41上贮留的期间，未从处理液L中被去除的气泡通过浮力从处理液L中分离上升。
然后，从处理液L中分离的气泡由第1空气抽取管45发散到大气中，因此在由上述辅助贮液部38的狭缝44供给到基板W的处理液L中不含气泡。因此，通过处理液L，基板W的整个上表面被均匀地处理。
即，若采用上述结构的处理液供给装置31，则由于使供给到主贮液部32中的处理液L在辅助贮液部38中贮留后供给到基板W上，因此处理液L中含有的气泡在处理液L从主贮液部32流到辅助贮液部38时，以及在辅助贮液部38中贮留的期间，通过浮力从处理液中分离上升，通过第1空气抽取管45释放到大气中。
为此，使气泡不像以往那样与处理液L一起排出，而能够将气泡从处理液L中分离并释放到大气中，因此能够用简单的结构确实地从处理液L中去除气泡。
图5示出该发明的第2实施方式的处理液供给装置31A。在该实施方式的处理液供给装置31A中，在上述主贮液部32的侧壁部32b的下端部形成流出孔36A作为第1流出部，用于将供给到主贮液部32中的处理液流出到辅助贮液部38中。
如箭头A所示，从上述流出孔36A流出的处理液L流入形成在上述主贮液部32的侧壁部32b的外面的辅助贮液部38中，在此，临时贮存后，从在辅助贮液部38的底部壁41上形成的狭缝44按规定方向供给到搬运的基板W的上表面。
在上述辅助贮液部38的上部壁43上连接作为第1释放部的第1空气抽取管45，在上述主贮液部32的侧壁部的上部连接构成第2释放部的第2空气抽取管51的一端。在该第2空气抽取管51的中途部设置开闭阀52，另一端部的前端面51a弯曲成L形状，以便还高于在主贮液部32中贮存的处理液L的上表面。
若将上述开闭阀52开放，就抽出在供给到上述主贮液部32的处理液中含有的气泡，则该气泡不会积存在主贮液部32内的上部，而从上述第2空气抽取管51从外部排出。
若采用上述结构的处理液装置31A，则在上述主贮液部32的侧壁部32b上形成流出孔36A，该流出孔36A使供给到主贮液部32中的处理液L流出到辅助贮液部38中。
为此，由于上述流出孔36A朝向相对于供给处理液L到主贮液部32的给液管33的垂直方向而正交的方向，因此从上述流出孔36A流到辅助贮液部38的处理液L很难受到由上述给液管33供给到主贮液部32的处理液L的压力影响。
因此，由于从主贮液部32经过上述流出孔36A流到辅助贮液部38的处理液L的流量很难变动，所以由辅助贮液部38的狭缝44供给到基板W的处理液L的流出量也稳定，因此能够通过处理液L稳定地进行基板W的处理。
图6示出该发明的第3实施方式的处理液供给装置31B。该实施方式是第2实施方式的变形例，在形成辅助贮液部38的底部壁41的一对倾斜面39a、39b中，位于主贮液部32侧的一方的倾斜面39b比另一方的倾斜面39a还向下方突出。
因此，从狭缝44流出的处理液L由一方的倾斜面39b引导而静静地供给到基板W的上表面。即能够防止供给到基板W的上表面的处理液L，在混乱而卷入空气、含有气泡的状态下被供给到基板W的上表面，因此，采用该方法能够确实且均匀地进行基板W的处理。
而且，在图5和图6所示的第2、第3的实施方式中，对与第1实施方式相同的部分付与相同的记号并省略说明。
在上述各实施方式中，作为第1、第2流出部是在主贮液部形成流出孔、在辅助贮液部形成狭缝，但各流出部无论是流出孔还是狭缝都无妨。
为了从辅助贮液部将气泡释放到大气，在该辅助贮液部上连接第1空气抽取管，但也可以不连接第1空气抽取管，只形成空气抽取孔。

Claims (8)

1.一种基板的处理装置，利用由处理液供给构件供给的处理液来处理被搬运的基板的上表面，其特征在于，
上述处理液供给构件具备：
主贮液部，连接了供给上述处理液的给液管；
第1流出部，设置在该主贮液部的下端，使由上述给液管供给到主贮液部并贮存的处理液流出；
辅助贮液部，贮留从该第1流出部流出的处理液；
第2流出部，设置在该辅助贮液部，将从上述第1流出部流出到上述辅助贮液部的处理液供给到上述基板的上表面；以及
第1释放部，与大气连通设置在上述辅助贮液部，使从上述第1流出部与处理液一起流出的气泡释放到大气。
2.如权利要求1所述的基板的处理装置，其特征在于，上述第1流出部形成在上述主贮液部的底部壁。
3.如权利要求1所述的基板的处理装置，其特征在于，上述第1流出部形成在上述主贮液部的侧部壁。
4.如权利要求1所述的基板的处理装置，其特征在于，在上述主贮液部形成第2释放部，该第2释放部使由上述给液管与处理液一起供给到上述主贮液部的气泡释放到大气。
5.如权利要求1所述的基板的处理装置，其特征在于，是如下结构：从上述主贮液部的第1流出部流到上述辅助贮液部的处理液，在该辅助贮液部中临时贮存之后，从辅助贮液部的第2流出部流出。
6.如权利要求1所述的基板的处理装置，其特征在于，在上述主贮液部设置接受由上述给液管供给的处理液的接受部件。
7.如权利要求1所述的基板的处理装置，其特征在于，上述第2流出部是沿着与上述基板的搬运方向相交叉的方向形成的狭缝。
8.如权利要求1所述的基板的处理装置，其特征在于，在上述辅助贮液部上形成接受从上述第1流出部流出的处理液的倾斜面，在该倾斜面的下端设置上述第2流出部。
CN2007101369831A 2006-07-26 2007-07-26 基板的处理装置 Active CN101114575B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006203753 2006-07-26
JP203753/2006 2006-07-26
JP147131/2007 2007-06-01
JP2007147131A JP5060835B2 (ja) 2006-07-26 2007-06-01 基板の処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101114575A true CN101114575A (zh) 2008-01-30
CN101114575B CN101114575B (zh) 2010-07-21

Family

ID=39222438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101369831A Active CN101114575B (zh) 2006-07-26 2007-07-26 基板的处理装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5060835B2 (zh)
KR (1) KR101305263B1 (zh)
CN (1) CN101114575B (zh)
TW (1) TWI400131B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102500509A (zh) * 2011-10-28 2012-06-20 山东万事达建筑钢品科技有限公司 建筑复合板滴胶装置
CN105785605A (zh) * 2015-01-13 2016-07-20 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101374298B1 (ko) * 2010-07-29 2014-03-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP6290117B2 (ja) * 2014-03-07 2018-03-07 芝浦メカトロニクス株式会社 接液処理装置および接液処理方法
KR102456820B1 (ko) * 2016-12-26 2022-10-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템의 제어 장치, 반도체 기판의 제조 방법 및 반도체 기판

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5790706U (zh) * 1980-11-21 1982-06-04
JPH08323106A (ja) * 1995-06-02 1996-12-10 Hitachi Ltd 薬液供給装置及び薬液供給方法
JPH0964009A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置における気液分離回収装置
JP3494521B2 (ja) * 1996-02-01 2004-02-09 大日本スクリーン製造株式会社 薬液供給装置の気液分離装置
JPH10314503A (ja) * 1997-05-15 1998-12-02 Sony Corp 流体の脱気装置
JP3982882B2 (ja) * 1997-09-25 2007-09-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH11156279A (ja) * 1997-11-27 1999-06-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置の処理液吐出ノズル
JPH11297198A (ja) * 1998-04-13 1999-10-29 Toppan Printing Co Ltd シャドーマスクの検査方法及び検査装置
JP4349536B2 (ja) * 1999-06-08 2009-10-21 大日本印刷株式会社 塗布液供給装置
JP2001007004A (ja) * 1999-06-23 2001-01-12 Sony Corp 薬液供給装置および薬液供給方法
JP2002292315A (ja) * 2001-03-29 2002-10-08 Kyocera Corp 噴霧装置およびそれを用いた現像方法
JP2003181364A (ja) * 2001-12-21 2003-07-02 Tokyo Electron Ltd 塗布処理装置
JP4298384B2 (ja) * 2003-06-04 2009-07-15 大日本スクリーン製造株式会社 液供給装置および基板処理装置
JP4315787B2 (ja) * 2003-11-18 2009-08-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置、並びに被充填体における液体充填度および気体混入度判定構造
JP2005340322A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 基板処理装置及び基板の製造方法
JP4464763B2 (ja) * 2004-08-20 2010-05-19 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像方法
KR100643494B1 (ko) * 2004-10-13 2006-11-10 삼성전자주식회사 반도체 제조용 포토레지스트의 디스펜싱장치
JP4627681B2 (ja) * 2005-04-20 2011-02-09 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置及び処理方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102500509A (zh) * 2011-10-28 2012-06-20 山东万事达建筑钢品科技有限公司 建筑复合板滴胶装置
CN105785605A (zh) * 2015-01-13 2016-07-20 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置
CN105785605B (zh) * 2015-01-13 2019-05-03 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101114575B (zh) 2010-07-21
JP2008053689A (ja) 2008-03-06
TW200810838A (en) 2008-03-01
TWI400131B (zh) 2013-07-01
KR101305263B1 (ko) 2013-09-09
JP5060835B2 (ja) 2012-10-31
KR20080010337A (ko) 2008-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101114575B (zh) 基板的处理装置
TWI244132B (en) Fluid supplying apparatus and substrate processing apparatus
CN1676231B (zh) 基板的处理装置以及处理方法
CN1853799B (zh) 基板的处理装置及处理方法
MX2013014522A (es) Dispositivo de impresion por inyeccion de tinta.
CN101295089A (zh) 基板处理装置
JP5754248B2 (ja) エアリフト及び培養システム
TWI421925B (zh) 基板處理裝置
JP3857265B2 (ja) スリットシャワーユニット
WO2007099766A1 (ja) 塗布液供給装置
KR100916299B1 (ko) 약액도포노즐
KR20080021230A (ko) 약액 공급장치
CZ2005118A3 (cs) Zařízení a způsob odstraňování usazenin z nádrže
JP2829404B2 (ja) パチンコ島の予備タンク装置
JP2002177607A (ja) パチンコ玉研磨揚送装置
KR101922684B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2955386B2 (ja) 感光性平版印刷版処理装置
JP3027478B2 (ja) 感光性平版印刷版処理装置の給液検出装置
JPH0845821A (ja) 基板表面処理装置
JPH11114469A (ja) レジスト塗布装置
IT201800004511A1 (it) Dispositivo per la produzione di pioggia artificiale.
JPH0651529A (ja) 感光性平版印刷版処理装置のブラシカバー
JP2000002983A (ja) 写真処理装置
JP2001013656A (ja) 洗浄システム
JP2685347C (zh)

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant