JP2023032159A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】純水をリサイクルすることにより、洗浄処理における純水の消費量を低減できる。【解決手段】制御部は、洗浄処理部ＯＮＢ１で洗浄処理の後半ＳＨに使用された排出液を洗浄処理部ＯＮＢ２に供給し、洗浄処理部ＯＮＢ２で洗浄処理の後半ＳＨに使用された排出液を洗浄処理部ＯＮＢ１に供給する。洗浄処理部ＯＮＢ１で使用した排出液を洗浄処理部ＯＮＢ２で再利用し、洗浄処理部ＯＮＢ２で使用した排出液を洗浄処理部ＯＮＢ１で再利用するので、洗浄処理部ＯＮＢ１及び洗浄処理部ＯＮＢ２への供給管からの純水の供給量を低減できる。したがって、純水をリサイクルすることにより、洗浄処理における純水の消費量を低減できる。【選択図】図６

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示用や有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板を洗浄処理する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
従来、この種の装置として、薬液による処理を行う薬液槽と、純水による処理を行う純水槽とを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。また、スループットを向上させるために、この薬液槽と純水槽とを複数組、例えば、薬液槽（ＣＨＢ１）と純水槽（ＯＮＢ１）と、薬液槽（ＣＨＢ２）と純水槽（ＯＮＢ２）のように二組備えたものがある（例えば、特許文献２参照）。
各純水槽には、純水供給源から純水が供給される。純水槽に供給されて純水槽から溢れた純水は、そのまま廃棄される。つまり、純水槽には、常に純水供給源からの清浄な純水が供給される。換言すると、基板に対する洗浄処理は、常に、清浄な新品の純水だけで行われる。
純水槽で処理される基板は、例えば、薬液槽で薬液による処理を終えた基板である。そのため、純水槽で基板が純水に浸漬された時点では、基板に付着していた薬液等が純水槽の純水中に大量に存在しているので比抵抗値が低い。純水槽において洗浄処理が進行すると、純水槽内における純水中の薬液等が純水とともに純水槽から排出されていく。そのため、薬液等の濃度が減少して純水槽内における純水の比抵抗値が上昇していく。ある程度の時間が経過すると、純水の比抵抗値が上昇しなくなり、純水槽内における純水の比抵抗値は、純水について理論的に得られる最大の比抵抗値に近い値で飽和する。この時点は、一般的には洗浄処理の完了時間となる。
この完了時間は、例えば、所定流量の純水を供給しつつ、所定の薬液処理を終えた基板を浸漬させた時点から純水槽内の純水の比抵抗値の変化を計測し、比抵抗値が飽和するまでの時間を計測することで予め決めることができる。
特開平１１－２８３９４７号公報（図３） 特開２０１０－２７７７１号公報（図１）
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、各純水槽に清浄な純水を供給し、洗浄処理に用いた純水を廃棄している。そのため、洗浄処理における純水の消費量が非常に多くなるという問題がある。特に、スループットを向上させるために、複数台の純水槽を備えている基板処理装置ではその問題が顕著となる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、純水をリサイクルすることにより、洗浄処理における純水の消費量を低減できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に対して洗浄処理を行う基板処理装置において、基板を収容可能な第１の処理槽と、基板を収容可能な第２の処理槽と、純水供給源と連通接続され、前記第１の処理槽に純水を供給する第１の純水供給管と、前記第１の純水供給管に介挿された第１の供給弁と、純水供給源と連通接続され、前記第２の処理槽に純水を供給する第２の純水供給管と、前記第２の純水供給管に介挿された第２の供給弁と、前記第１の処理槽から排出される排出液を前記第２の処理槽へ供給する第１のリサイクル管と、前記第１のリサイクル管に介挿された第１のリサイクル弁と、前記第１の供給弁と、前記第２の供給弁と、前記第１のリサイクル弁との開閉を制御する制御部と、を備えていることを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、制御部は、第１の供給弁と、第２の供給弁と、第１のリサイクル弁との開閉を制御して、第１の処理槽に第１の純水供給管から供給されて洗浄処理に使用された排出液を、第２の処理槽に第１のリサイクル管で供給する。第１の処理槽で使用した排出液を第２の処理槽で再利用するので、第２の処理槽への第２の純水供給管からの純水の供給量を低減できる。したがって、純水をリサイクルすることにより、洗浄処理における純水の消費量を低減できる。
なお、ここでいう排出液は、純水を含む液体である。排出液は、純水に薬液を含む。排出液は、純水供給源から供給されたばかりの純水より清浄度が低い。排出液は、純水供給源から供給されたばかりの純水よりも比抵抗値が低い。
また、本発明において、前記第２の処理槽から排出される排出液を前記第１の処理槽に供給する第２のリサイクル管と、前記第２のリサイクル管に介挿された第２のリサイクル弁と、をさらに備え、前記制御部は、さらに前記第２のリサイクル弁の開閉を制御することが好ましい（請求項２）。
制御部は、第２の処理槽に供給されて洗浄処理に使用された排出液を、第２のリサイクル管により第１の処理槽に供給する。第２の処理槽で使用した排出液を第１の処理槽のために再利用するので、第１の処理槽への第１の純水供給管からの純水の供給量を低減できる。したがって、洗浄処理における純水の消費量をさらに低減できる。
また、本発明において、前記制御部は、洗浄処理の対象である基板をロットで管理し、第１のロットが前記第１の処理槽にて洗浄処理され、第２のロットが前記第２の処理槽にて洗浄される場合に、前記第１のロットの洗浄処理の後半において前記第１の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部が、前記第２のロットの洗浄処理の前半において前記第１のリサイクル管を通じて前記第２の処理槽へと供給されるようにすることが好ましい（請求項３）。
第１のロットが第１の処理槽にて洗浄処理され、第２のロットが第２の処理槽にて洗浄処理される際に、第１のロットの洗浄処理における後半では、第１の処理槽における排出液の比抵抗値が高い。換言すると、第１のロットの洗浄処理における後半では、洗浄処理の前半よりも排出液の清浄度が高い。これに対して、第２のロットの洗浄処理における前半は、基板に付着している不純物等が排出液に大量に含まれているので、排出液の比抵抗値が低い。換言すると、第２のロットの洗浄処理における前半は、洗浄処理の後半よりも排出液の清浄度が低い汚染された状態である。そこで、第１のリサイクル管により、第１の処理槽から排出される、洗浄処理の前半よりも清浄度が高い、洗浄処理の後半の排出液を第２の処理槽に供給し、第２のロットの洗浄処理における前半に使用する。これにより、第２のロットに対して洗浄処理に使用した排出液を再利用しても、洗浄処理に悪影響を与えることなく処理できる。
なお、ここでいう洗浄処理における前半は、洗浄処理における後半よりも排出液の清浄度が低い。洗浄処理における前半は、比抵抗値が低い。換言すると、洗浄処理における後半は、洗浄処理における前半よりも排出液の清浄度が高い。洗浄処理における後半は、比抵抗値が高い。したがって、ここでいう前半及び後半とは、洗浄処理が完了する時間における時間的に半分という意味ではない。前半及び後半とは、排出液の清浄度に応じたものであり、洗浄処理に再利用可能な清浄度であるか否かに応じて決められる。
また、本発明において、前記制御部は、洗浄処理の対象である基板をロットで管理し、第１のロットが前記第１の処理槽にて洗浄処理され、第２のロットが前記第２の処理槽にて洗浄される場合に、前記第１のロットの洗浄処理の後半において前記第１の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部が、前記第２のロットの洗浄処理の前半において前記第１のリサイクル管を通じて前記第２の処理槽へと供給されるようにし、前記第２のロットの洗浄処理の後半において前記第２の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部が、前記第１のロットに引き続き前記第１の処理槽で処理される第３のロットの洗浄処理の前半において前記第２のリサイクル管を通じて前記第１の処理槽へと供給されるようにすることが好ましい（請求項４）。
第１のロットが第１の処理槽にて洗浄処理され、第２のロットが第２の処理槽にて洗浄処理される際に、第１のロットの洗浄処理における後半では、第１の処理槽における純水の比抵抗値が高い。換言すると、第１のロットの洗浄処理における後半では、洗浄処理の前半よりも排出液の清浄度が高い。これに対して、第２のロットの洗浄処理における前半は、基板に付着している不純物等が排出液に大量に含まれているので、排出液の比抵抗値が低い。換言すると、第２のロットの洗浄処理における前半は、洗浄処理の後半よりも排出液の清浄度が低い汚染された状態である。そこで、第１のリサイクル管により、第１の処理槽から排出される、洗浄処理の前半よりも清浄度が高い、洗浄処理の後半の排出液を第２の処理槽に供給し、第２のロットの洗浄処理における前半に使用する。同様に、第２のロットの洗浄処理の後半では、第２のリサイクル管により、第２の処理槽から排出される排出液を第１の処理槽に供給し、第１のロットの次に引き続き処理される第３のロットの洗浄処理における前半に使用する。これにより、第１のロット、及び、第２のロットに対して洗浄処理に使用した排出液を再利用しても、洗浄処理に悪影響を与えることなく処理できる。
また、本発明において、前記第１の処理槽は、基板を収容可能な第１の内槽と、前記第１の内槽の底部に設けられ、上方に向けて純水を噴出する第１の噴出管と、前記第１の内槽の上縁から溢れた排出液が流入する第１の外槽とを備え、前記第１の純水供給管は、前記第１の噴出管及び前記第２のリサイクル管に連通接続され、前記第２の処理槽は、基板を収容可能な第２の内槽と、前記第２の内槽の底部に設けられ、上方に向けて純水を噴出する第２の噴出管と、前記第２の内槽の上縁から溢れた排出液が流入する第２の外槽とを備え、前記第２の純水供給管は、前記第２の噴出管及び前記第１のリサイクル管に連通接続されていることが好ましい（請求項５）。
第１の純水供給管は、第１の噴出管及び第２のリサイクル管に連通接続している。第２の純水供給管は、第２の噴出管及び第１のリサイクル管に連通接続している。したがって、再利用した排出液が第１の噴出管及び第２の噴出管から第１の処理槽及び第２の処理槽へ供給されるので、再利用した排出液を基板へ好適に供給できる。
また、本発明において、前記第１のロットの洗浄処理の後半は、前記洗浄処理の開始から比抵抗値が０．５～１ＭΩ・ｃｍを越えた時点以降であることが好ましい（請求項６）。
比抵抗値が０．５～１ＭΩ・ｃｍを越えると、排出液の再利用によって洗浄処理に悪影響を与えない。
また、本発明において、前記制御部は、前記第２のロットの洗浄処理の後半では、前記第１の処理槽から排出される排出液を前記第２の処理槽へ供給せず、前記第２の純水供給管から純水を前記第２の処理槽に供給することが好ましい（請求項７）。
制御部は、第２の処理槽における洗浄処理の後半では、第１の処理槽から排出される排出液を第２の処理槽へ供給せず、第２の処理槽に連通接続された第２の純水供給管から純水を第２の処理槽に供給する。つまり、制御部は、第１のリサイクル管による排出液の再利用を行わない。したがって、清浄な状態で基板の洗浄を完了することができる。
また、本発明において、前記制御部は、前記第２のロットの洗浄処理の前半では、前記第１の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部を前記第２の純水供給管を流通する純水と混合して前記第２の処理槽に供給し、前記第３のロットの洗浄処理の前半では、前記第２の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部を前記第１の純水供給管を流通する純水と混合して前記第１の処理槽に供給することが好ましい（請求項８）。
第２のロットの洗浄処理の前半では、第１の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部を、第２の純水供給管を流通する純水と混合して第２の処理槽に供給する。第３のロットの洗浄処理の前半では、第２の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部を、第１の純水供給管を流通する純水と混合して第１の処理槽に供給する。したがって、洗浄処理に必要な量の純水及び排出液を供給できる。
また、本発明において、前記第１のリサイクル管は、バッファタンクを備えていることが好ましく（請求項９）、前記第２のリサイクル管は、バッファタンクを備えていることが好ましい（請求項１０）。
第１のリサイクル管（第２のリサイクル管）がバッファタンクを備えている。したがって、第１のリサイクル管（第２のリサイクル管）から第２の処理槽（第１の処理槽）へ供給する排出液の供給タイミングに余裕をもたせることができる。その結果、第１のロットと第２のロットを第１の処理槽及び第２の処理槽に投入する際に、第１のロットにおける洗浄処理の後半と、第２のロットにおける洗浄処理の前半とがずれていても、排出液を好適に再利用できる。
請求項１１に記載の発明は、基板に対して洗浄処理を行う基板処理方法において、洗浄処理の対象である基板をロットで管理する場合に、基板を収容可能な第１の処理槽において第１のロットについて洗浄処理を開始する過程と、前記第１のロットの洗浄処理を開始する過程の後、基板を収容可能な第２の処理槽において第２のロットについて洗浄処理を開始する過程と、をその順に実施する際に、前記第１の処理槽から排出された排出液の少なくとも一部を、前記第２の処理槽に供給することを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項１１に記載の発明によれば、第１の処理槽で使用した排出液を第２の処理槽に再利用するので、第２の処理槽への純水の供給量を低減できる。したがって、純水をリサイクルすることにより、洗浄処理における純水の消費量を低減できる。
また、本発明において、前記第２のロットの洗浄処理を開始する過程の後、前記第１の処理槽において前記第１のロットに引き続き前記第１の処理槽で処理される第３のロットについて洗浄処理を開始する過程を実施する際に、前記第２の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部を、前記第１の処理槽に供給することが好ましい（請求項１２）。
第２の処理槽で使用した排出液を第１の処理槽のために再利用するので、第１の処理槽への純水の供給量を低減できる。したがって、洗浄処理における純水の消費量をさらに低減できる。
本発明に係る基板処理装置によれば、制御部は、第１の供給弁と、第２の供給弁と、第１のリサイクル弁との開閉を制御して、第１の処理槽に第１の純水供給管から供給されて洗浄処理に使用された排出液を、第２の処理槽に第１のリサイクル管で供給する。第１の処理槽で使用した排出液を第２の処理槽で再利用するので、第２の処理槽への第２の純水供給管からの純水の供給量を低減できる。したがって、純水をリサイクルすることにより、洗浄処理における純水の消費量を低減できる。
実施例に係る基板処理装置の概略構成を示した平面図である。 実施例に係る基板処理装置の概略構成を示したブロック図である。 基板処理装置における洗浄処理部を示した図である。 洗浄処理時における比抵抗値の変化例を示すグラフである。 洗浄処理の後半を他の洗浄処理の前半に重ねる処理を説明するためのグラフである。 ４ロットを処理する際の例を示すタイムチャートである。 洗浄処理部の変形例を示す図である。 洗浄処理部の他の変形例を示す図である。
以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示した平面図である。図２は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示したブロック図である。
＜１．装置の構成＞
実施例に係る基板処理装置は、例えば、基板Ｗに対して薬液処理及び洗浄処理及び乾燥処理を行うための装置である。基板Ｗは、複数枚（例えば、２５枚）がカセット１内に水平姿勢で積層収納されている。未処理の基板Ｗを収納したカセット１は、投入部３に載置される。投入部３は、カセット１が載置される載置台５を二つ備えている。
基板処理装置の中央部を挟んだ投入部３の反対側には、払出部７が配備されている。払出部７は、処理済みの基板Ｗをカセット１に収納してカセット１ごと払い出す。このように機能する払出部７は、投入部３と同様に、カセット１を載置するための二つの載置台９を備えている。
投入部３と払出部７に沿う位置には、これらの間を移動可能に構成された第１搬送機構ＣＴＣが設けられている。第１搬送機構ＣＴＣは、投入部３に載置されたカセット１に収納されている全ての基板Ｗを取り出した後、第２搬送機構ＷＴＲに対して搬送する。第１搬送機構ＣＴＣは、第２搬送機構ＷＴＲから処理済みの基板Ｗを受け取った後に、基板Ｗをカセット１に収納する。第２搬送機構ＷＴＲは、基板処理装置の長手方向に沿って移動可能に構成されている。
第２搬送機構ＷＴＲの移動方向における払出部７側には、複数枚の基板Ｗを低圧のチャンバ内に収納して乾燥させるための乾燥処理部ＬＰＤが設けられている。
第２搬送機構ＷＴＲの移動方向であって乾燥処理部ＬＰＤに隣接する位置には、第１処理部１１が配設されている。
第１処理部１１は、洗浄処理部ＯＮＢ１と薬液処理部ＣＨＢ１とを備えている。洗浄処理部ＯＮＢ１は、基板Ｗに対して純水により洗浄処理を施す。薬液処理部ＣＨＢ１は、基板Ｗに対して薬液を含む処理液によって薬液処理を施す。第１処理部１１は、副搬送機構ＬＦＳ１を備えている。副搬送機構ＬＦＳ１は、第２搬送機構ＷＴＲとの間で基板Ｗを受け渡す。副搬送機構ＬＦＳ１は、純水処理部ＯＮＢ１と薬液処理部ＣＨＢ１との間で移動可能に構成されている。副搬送機構ＬＦＳ１は、純水処理部ＯＮＢ１と薬液処理部ＣＨＢ１でのみ昇降可能である。
第１処理部１１に隣接した位置には、第２処理部１３が設けられている。第２処理部１３は、上述した第１処理部１１と同様の構成を備えている。
つまり、第２処理部１３は、洗浄処理部ＯＮＢ２と薬液処理部ＣＨＢ２と副搬送機構ＬＦＳ２とを備えている。洗浄処理部ＯＮＢ２は、上述した洗浄処理部ＯＮＢ１と同様の構成である。薬液処理部ＣＨＢ２は、上述した薬液処理部ＣＨＢ１と同様の構成である。副搬送機構ＬＦＳ２は、上述した副搬送機構ＬＦＳ１と同様の構成である。
制御部１５は、上述した第１搬送機構ＣＴＣなどの各部を統括的に制御する。制御部２５は、ＣＰＵやメモリを備えている。制御部２５のメモリは、基板Ｗをロットとして取り扱い、各ロットを第１処理部１１や第２処理部１３においてどのように処理するかを規定したレシピなどを予め記憶している。レシピには、例えば、内槽１９へ供給する純水の流量や、基板Ｗを内槽１９にて浸漬処理する時間などが予め記載されている。
ここで図３を参照する。図３は、基板処理装置における洗浄処理部を示した図である。
洗浄処理部ＯＮＢ１は、処理槽１７を備えている。処理槽１７は、内槽１９と外槽２１とを備えている。
内槽１９は、基板Ｗを副搬送機構ＬＦＳ１とともに収容可能である。内槽１９は、底部の両側に噴出管２３を備えている。噴出管２３は、図３における紙面奥手前方向に長軸を備え、長軸に沿って複数個の噴射口（不図示）を形成されている。内槽１９の上縁の外周側には、外槽２１が設けられている。外槽２１は、噴出管２３から内槽１９に供給されて、内槽１９の上縁から溢れた純水を回収する。
噴出管２３には、供給管２５の一端側が連通接続されている。供給管２５は、他端側が純水供給源２７に連通接続されている。純水供給源２７は、比抵抗値がほぼ理論値（１６ＭΩ・ｃｍ）である純水を供給する。供給管２５は、純水供給源２７に近い位置から噴出管２３に向かって、流量調整弁２９と、開閉弁３１と、流量計３３とを備えている。
流量調整弁２９は、供給管２５を流通する純水の流量を調整する。開閉弁３１は、供給管２５における純水の流通について、許容する状態と遮断する状態とを切り換える。流量計３３は、供給管２５を流通している純水の流量を測定する。測定された流量は、制御部１５に出力される。
内槽１９の一側面には、比抵抗計３５が取り付けられている。比抵抗計３５は、内槽１９に貯留している純水の比抵抗値を計測する。計測された比抵抗値は、制御部１５に出力される。
外槽２１は、排出管３７を備えている。具体的には、外槽２１は、その底面に排出管３７の一端側が連通接続されている。排出管３７は、他端側から排出液の排出を行う。排出液は、基板Ｗから離脱したパーティクルや、基板Ｗから洗い流された薬液の一部を含んだ純水である。また、排出液は、不純物をほぼ含まない純水だけの場合もある。排出管３７は、開閉弁３９を備えている。開閉弁３９は、排出液の排出を制御する。つまり、開閉弁３９は、排出液の流通を許容するか、排出液の流通を遮断する。排出管３７は、外槽２１と開閉弁３９との間に分岐部４１が設けられている。
洗浄処理部ＯＮＢ１は、上述したように構成されている。第２処理部１３の洗浄処理部ＯＮＢ２は、上述した洗浄処理部ＯＮＢ１と同様に構成されている。
洗浄処理部ＯＮＢ１は、リサイクル管４３を備えている。リサイクル管４３は、一端部が分岐部４１に連通接続されている。リサイクル管４３は、他端部が洗浄処理部ＯＮＢ２の供給管２５に連通接続されている。
具体的には、リサイクル管４３は、その他端部が洗浄処理部ＯＮＢ２の流量計３３と噴出管２３との間に連通接続されている。リサイクル管４３は、分岐部４１側から順に、開閉弁４５と、ポンプ４７と、流量計４９とを備えている。
開閉弁４５は、洗浄処理部ＯＮＢ１の排出管３７に排出され、リサイクル管４３に流入する排出液の流通を許容または遮断する。ポンプ４７は、洗浄処理部ＯＮＢ１の排出管３７に排出された排出液をリサイクル管４３から洗浄処理部ＯＮＢ２の供給管２５に圧送する。流量計４９は、リサイクル管４３を流通する排出液の流量を計測する。流量計４９で計測された流量は、制御部１５に出力される。リサイクル管４３は、洗浄処理部ＯＮＢ１で使用されて外槽２１に排出された排出液を洗浄処理部ＯＮＢ２に供給する。
洗浄処理部ＯＮＢ２は、リサイクル管５３を備えている。リサイクル管５３は、一端部が洗浄処理部ＯＮＢ２の分岐部４１に連通接続されている。リサイクル管５３は、他端部が洗浄処理部ＯＮＢ１の供給管２５に連通接続されている。具体的には、リサイクル管５３は、その他端部が洗浄処理部ＯＮＢ１の流量計３３と噴出管２３との間に連通接続されている。リサイクル管５３は、分岐部４１側から順に、開閉弁５５と、ポンプ５７と、流量計５９とを備えている。
開閉弁５５は、洗浄処理部ＯＮＢ２の排出管３７に排出され、リサイクル管５３に流入する排出液の流通を許容または遮断する。ポンプ５７は、洗浄処理部ＯＮＢ２の排出管３７に排出された排出液をリサイクル管５３から洗浄処理部ＯＮＢ１の供給管２５に圧送する。流量計５９は、リサイクル管５３を流通する排出液の流量を計測する。流量計５９で計測された流量は、制御部１５に出力される。リサイクル管５３は、洗浄処理部ＯＮＢ２で使用されて外槽２１に排出された排出液を洗浄処理部ＯＮＢ１に供給する。
なお、洗浄処理部ＯＮＢ１の処理槽１７が本発明における「第１の処理槽」に相当し、洗浄処理部ＯＮＢ２の処理槽１７が本発明における「第２の処理槽」に相当する。洗浄処理部ＯＮＢ１の供給管２５が本発明における「第１の純水供給管」に相当し、洗浄処理部ＯＮＢ２の供給管２５が本発明における「第２の純水供給管」に相当する。洗浄処理部ＯＮＢ１の流量調整弁２９及び開閉弁３１が本発明における「第１の供給弁」に相当し、洗浄処理部ＯＮＢ２の流量調整弁２９及び開閉弁３１が本発明における「第２の供給弁」に相当する。リサイクル管４３が本発明における「第１のリサイクル管」に相当し、リサイクル管５３が本発明における「第２のリサイクル管」に相当する。開閉弁４５が本発明における「第１のリサイクル弁」に相当し、開閉弁５５が本発明における「第２のリサイクル弁」に相当する。
洗浄処理部ＯＮＢ１の内槽１９が本発明における「第１の内槽」に相当し、洗浄処理部ＯＮＢ２の内槽１９が本発明における「第２の内槽」に相当する。洗浄処理部ＯＮＢ１の噴出管２３が本発明における「第１の噴出管」に相当し、洗浄処理部ＯＮＢ２の噴出管２３が本発明における「第２の噴出管」に相当する。洗浄処理部ＯＮＢ１の外槽２１が本発明における「第１の外槽」に相当し、洗浄処理部ＯＮＢ２の外槽２１が本発明における「第２の外槽」に相当する。
制御部１５は、後述するようなリサイクルを行わない通常の洗浄処理においては、例えば、次のように各部を操作する。
制御部１５は、開閉弁４５，５５を閉止する。制御部１５は、開閉弁３９を開放する。この状態において、制御部１５は、流量調整弁２９を操作して、供給管２５を流通する純水の流量がレシピに規定された供給量の目標値の流量となるように設定する。制御部１５は、開閉弁３１を開放する。これにより、洗浄処理部ＯＮＢ１（ＯＮＢ２）では、内槽１９に純水が供給され、内槽１９に浸漬された基板Ｗに対する洗浄処理が行われる。
このとき、制御部１５は、流量計３３の流量を監視して、レシピに規定された供給量の目標値と差異がある場合には、その差異をなくすように流量調整弁２９を操作することが好ましい。つまり、制御部１５は、純水を供給する際に、純水の供給量の流量が目標値に一致するようにフィードバック制御を行うことが好ましい。
＜２．洗浄処理時の比抵抗値＞
図４を参照する。図４は、洗浄処理時における比抵抗値の変化例を示すグラフである。このグラフは、縦軸が比抵抗値［Ω・ｃｍ］を表し、横軸が洗浄時間［ｓｅｃ］を表している。
洗浄処理部ＯＮＢ１（ＯＮＢ２）では、純水供給源２７から供給管２５に純水が供給される。供給管２５から供給された純水は、一対の噴出管２３から内槽１９の底面に向けて供給される。内槽１９の底面中央に向かって供給された純水は、内槽１９の中央部で合流して上昇し、基板Ｗの面に沿って上昇する。内槽１９に貯留している純水は、内槽１９の上縁を越えて外槽２１に溢れ出る。外槽２１で回収された純水は、排出管３９を介して排出液として排出される。
このとき、薬液処理部ＣＨＢ１（ＣＨＢ２）で薬液処理を終えた基板Ｗを洗浄処理部ＯＮＢ１（ＯＮＢ２）の純水に浸漬させて洗浄処理を行う際の、比抵抗計３５による比抵抗値の変化例を示したのが図４のグラフである。制御部１５は、例えば、基板Ｗに対する洗浄処理に際には、比抵抗計３５の出力を参照しない。例えば、制御部１５は、基板Ｗに対して行われた薬液処理に応じて、予め実験によって求められたｔ２時点となる時間に応じて洗浄処理を制御する。
制御部１５は、副搬送機構ＬＦＳ１（ＬＦＳ２）の昇降を制御する。制御部１５は、副搬送機構ＬＦＳ１（ＬＦＳ２）を操作して、内槽１９の上方にあたる上方位置と、内槽１９の内部における処理位置とにわたって基板Ｗを移動させる。制御部１５は、副搬送機構ＬＦＳ１（ＬＦＳ２）により処理位置に基板Ｗを位置させて、純水による洗浄処理を開始した時点を０時点とする。例えば、ｔ１時点で比抵抗値がＳＲ１程度となり、ｔ２時点で比抵抗値がほぼ飽和してＳＲ２となる。ｔ２時点は、純水による洗浄処理が終了する時点である。
ここで、比抵抗値ＳＲ２は、純水供給源２７から供給される純水の理論的に最大の値である。比抵抗値ＳＲ２は、例えば、１６ＭΩ・ｃｍである。より具体的には、純水供給源２７に純水を供給する純水製造装置において製造可能な純水における比抵抗値の最大値である。
比抵抗値ＳＲ１は、例えば、１ＭΩ・ｃｍである。あるいは、比抵抗値ＳＲ１は、０．５～１ＭΩ・ｃｍの範囲で、最終的な洗浄の仕上がりを考慮して決定する。０時点からｔ１時点より前までは、洗浄処理が開始されて、内槽１９に貯留している純水における不純物濃度が高い状態である。ｔ１時点は、洗浄処理が進行して内槽１９から不純物等が排出されることにより、内槽１９に貯留している純水における不純物濃度が急激に減少し始め、清浄度が高くなっている。ｔ２時点は、洗浄処理が完全に終了して、内槽１９に貯留している純水における不純物濃度がほぼゼロとなって、清浄な状態である。
ここで、純水による洗浄時間における０時点からｔ１時点を前半ＦＨとし、ｔ１時点からｔ２時点を後半ＳＨとする。後半ＳＨは、前半ＦＨに比較して、比抵抗値が非常に高くなる。換言すると、後半ＳＨにおいて、内槽１９から外槽２１を介して排出されている排出液は、前半ＦＨの排出液に比較して清浄度が高い。
したがって、例えば、洗浄処理部ＯＮＢ１が洗浄処理部ＯＮＢ２よりも先に洗浄処理を開始している場合、洗浄処理部ＯＮＢ１における後半ＳＨにおいて外槽２１から排出されている排出液は、洗浄処理部ＯＮＢ２における前半ＦＨにおいて外槽２１から排出されている排出液よりも比抵抗値が大きい。換言すると、洗浄処理部ＯＮＢ１における後半ＳＨにおいて外槽２１から排出されている排出液は、洗浄処理部ＯＮＢ２における前半ＦＨにおいて外槽２１から排出されている排出液よりも清浄度が高い。
＜３．制御部における操作＞
ここで、図５を参照する。図５は、洗浄処理の後半を他の洗浄処理の前半に重ねる処理を説明するためのグラフである。
例えば、洗浄処理部ＯＮＢ１で純水による洗浄処理を先に開始し、その後、洗浄処理部ＯＮＢ２で純水による洗浄処理を開始する場合を想定する。この場合、制御部１５は、洗浄処理部ＯＮＢ１の洗浄処理における後半ＳＨと、洗浄処理部ＯＮＢ２の洗浄処理における前半ＦＨとが重複するように処理を行う。あるいは、制御部１５は、先に洗浄処理を開始した洗浄処理部ＯＮＢ１と、その後に洗浄処理を開始した洗浄処理部ＯＮＢ２とについて、洗浄処理の後半ＳＨと前半ＦＨとが一部でも重複する場合には、洗浄処理部ＯＮＢ１における後半ＳＨの排出液を洗浄処理部ＯＮＢ２における前半ＦＨにおける洗浄に再利用するように各部を操作する。
具体的には、制御部１５は、排出液を洗浄に再利用できる場合には、洗浄処理部ＯＮＢ２の前半ＦＨにおいて供給管２５から内槽１９に供給する純水を、リサイクル管４３の排出液だけでまかなう。
制御部１５は、洗浄処理部ＯＮＢ１（ＯＮＢ２）における後半ＳＨと、洗浄処理部ＯＮＢ２（ＯＮＢ１）における前半ＦＨとが完全に重なるように各ロットを搬送する必要はない。つまり、制御部１５は、洗浄処理部ＯＮＢ１（ＯＮＢ２）における後半ＳＨと、洗浄処理部ＯＮＢ２（ＯＮＢ１）における前半ＦＨとの一部が少なくとも重複した場合に排出液の再利用を行うようにすればよい。これにより、洗浄処理部ＯＮＢ１（ＯＮＢ２）における後半ＳＨにおける排出液の少なくとも一部を再利用できる。
このようなリサイクルを行う際には、制御部１５が次のような制御を行うことが好ましい。
例えば、制御部１５は、洗浄処理部ＯＮＢ１（ＯＮＢ２）の供給管２５から内槽１９に供給される純水の流量を超えて、リサイクル管４３（５３）を介して排出液の供給を洗浄処理部ＯＮＢ２（ＯＮＢ１）に対して行わないようにする。換言すると、制御部１５は、洗浄処理部ＯＮＢ１（ＯＮＢ２）の内槽１９に供給される純水の流量以内で、リサイクル管４３（５３）を介した排出液の供給を洗浄処理部ＯＮＢ２（ＯＮＢ１）に対して行う。これにより、リサイクルする排出液が不足し、排出液が供給される内槽１９側において供給不安定な状態が生じて処理に悪影響が生じることを防止できる。
＜４．ロットの処理＞
ここで図６を参照する。図６は、４ロットを処理する際の例を示すタイムチャートである。
以下の説明においては、発明の理解を容易にするために、複数枚又は１枚の基板Ｗを一つのロットとして取り扱い、ロットごとに基板処理装置で処理した場合を例にとって説明する。
以下の説明においては、制御部１５の操作対象である各リソースのうち、搬送系や薬液処理部ＣＨＢ１（ＣＨＢ２）については、特に限定しない。そのため説明上、薬液処理部ＣＨＢ１（ＣＨＢ２）を薬液処理部ＣＨＢと記載し、第２搬送機構ＷＴＲや副搬送機構ＬＦＳ１（ＬＦＳ２）については記載しない。ロットについては、一例として、続けて４ロットの処理を行う場合について説明する。
図６においては、第１のロットを符号Ｌ１で表す。同様に、第２のロットを符号Ｌ２とし、第３のロットを符号Ｌ３とし、第４のロットを符号Ｌ４とする。第１のロットＬ１～第４のロットＬ４については、その順に基板処理装置に投入されるものとする。図６では、一例として、処理の単位時間を一つの正方形で示す。図６では、純水による洗浄処理のうち、前半ＦＨをハッチングした正方形で示し、後半ＳＨを通常の正方形で示す。
以下に、制御部１５が薬液処理部ＣＨＢによる薬液処理の後、第１のロットＬ１～第４のロットＬ４を搬送して、洗浄処理部ＯＮＢ１，ＯＮＢ２で洗浄処理する例について説明する。
制御部１５は、ｔ０時点において第１のロットＬ１を薬液処理部ＣＨＢで処理する。薬液処理部ＣＨＢによる薬液処理は、ｔ１時点で完了する。制御部１５は、ｔ１時点からｔ２時点で第１のロットＬ１を搬送して、第１のロットＬ１を洗浄処理部ＯＮＢ１に搬送する。制御部１５は、第１のロットＬ１を洗浄処理部ＯＮＢ１で処理する。この純水による洗浄処理は、ｔ２時点からｔ６時点にわたって行われる。
なお、ｔ２時点からｔ６時点が本発明における「第１のロットについて洗浄処理を開始する過程」に相当する。
制御部１５は、ｔ２時点からｔ３時点にわたり、第２のロットＬ２を薬液処理部ＣＨＢで処理する。薬液処理部ＣＨＢによる第２のロットＬ２の薬液処理は、ｔ３時点で完了する。制御部１５は、ｔ３時点で第２のロットＬ２を搬送して、第２のロットＬ２を洗浄処理部ＯＮＢ２に搬送する。制御部１５は、第２のロットＬ２を洗浄処理部ＯＮＢ２で処理する。この純水による洗浄処理は、ｔ４時点からｔ８時点にわたって行われる。
なお、ｔ４時点からｔ８時点が本発明における「第２のロットについて洗浄処理を開始する過程」に相当する。
制御部１５は、ｔ５時点において第３のロットＬ３について薬液処理部ＣＨＢで処理を開始する。薬液処理部ＣＨＢによる薬液処理は、ｔ６時点で完了する。制御部１５は、ｔ６時点からｔ７時点で第３のロットＬ３を搬送して、第３のロットＬ３を洗浄処理部ＯＮＢ１に搬送する。制御部１５は、第３のロットＬ３を洗浄処理部ＯＮＢ１で処理する。この純水による洗浄処理は、ｔ７時点からｔ１０時点にわたって行われる。
なお、ｔ７時点からｔ１０時点が本発明における「第３のロットについて洗浄処理を開始する過程」に相当する。
制御部１５は、ｔ７時点からｔ８時点において、第４のロットＬ４を薬液処理部ＣＨＢで処理する。薬液処理部ＣＨＢによる第４のロットＬ４の薬液処理は、ｔ８時点で完了する。制御部１５は、ｔ８時点で第４のロットＬ４を搬送して、第４のロットＬ４を洗浄処理部ＯＮＢ２に搬送する。制御部１５は、第４のロットＬ４を洗浄処理部ＯＮＢ２で処理する。この純水による洗浄処理は、ｔ９時点からｔ１１時点にわたって行われる。
次に、上述したように第１のロットＬ１～第４のロットＬ４が処理される場合に、洗浄処理部ＯＮＢ１と洗浄処理部ＯＮＢ２とにおける排出液の再利用について説明する。
洗浄処理部ＯＮＢ１で洗浄処理されている第１のロットＬ１と、洗浄処理部ＯＮＢ２で洗浄処理されている第２のロットＬ２とは、第１のロットＬ１の後半ＳＨの全部と、第２のロットＬ２の前半ＦＨの全部とがｔ４時点からｔ６時点において時間的に完全に重複している。
＜５．リサイクル動作＞
＜５．１ 洗浄処理部ＯＮＢ１から洗浄処理部ＯＮＢ２へのリサイクル＞
このとき、制御部１５は、ｔ４時点からｔ６時点において、例えば、次のようにリサイクルを行う。
すなわち、ｔ４時点からｔ６時点にわたって、制御部１５は、次のように洗浄処理部ＯＮＢ１の外槽２１から排出管３７に排出されている排出液についてリサイクルを行う。
具体的には、制御部１５は、開閉弁４５を開放するとともに、ポンプ４７を作動させる。これにより、洗浄処理部ＯＮＢ１の排出管３７から排出されている排出液が、リサイクル管４３を流通して洗浄処理部ＯＮＢ２の供給管２５に供給される。このとき、制御部１５は、リサイクル管４３の流量計４９からの出力を監視する。制御部１５は、この出力がレシピに規定された流量の目標値と一致するようにポンプ４７における送液量を操作することが好ましい。
ｔ６時点に達すると、制御部１５は、開閉弁４５を閉止するとともにポンプ４７を停止する。さらに、制御部１５は、開閉弁３１を開放する。制御部１５は、流量調整弁２９を操作して、洗浄処理部ＯＮＢ２の流量計３３における流量が、レシピに規定された流量の目標値と一致するようにする。
洗浄処理部ＯＮＢ２で洗浄処理されている第２のロットＬ２と、洗浄処理部ＯＮＢ１で洗浄処理されている第３のロットＬ３とは、第２のロットＬ２の後半ＳＨの一部と、第３のロットＬ３の前半ＦＨの一部とがｔ７時点からｔ８時点において重複している。
＜５．２ 洗浄処理部ＯＮＢ２から洗浄処理部ＯＮＢ１へのリサイクル＞
制御部１５は、ｔ７時点からｔ８時点において、例えば、次のようにリサイクルを行う。
すなわち、ｔ７時点からｔ８時点にわたって、制御部１５は、次のように洗浄処理部ＯＮＢ２の外槽２１から排出管３７に排出されている排出液についてリサイクルを行う。具体的には、制御部１５は、開閉弁５５を開放するとともに、ポンプ５７を作動させる。これにより、洗浄処理部ＯＮＢ２の排出管３７から排出されている排出液が、リサイクル管５３を流通して洗浄処理部ＯＮＢ１の供給管２５に供給される。このとき、制御部１５は、リサイクル管５３の流量計５９からの出力を監視する。制御部１５は、この出力がレシピに規定された流量の目標値と一致するようにポンプ５７における送液量を操作することが好ましい。
＜５．３ 洗浄処理部ＯＮＢ１から洗浄処理部ＯＮＢ２へのリサイクル＞
制御部１５は、ｔ９時点からｔ１０時点において、上述した＜５．１ 洗浄処理部ＯＮＢ１から洗浄処理部ＯＮＢ２へのリサイクル＞と同様にリサイクルを行う。つまり、リサイクル管４３を介して、洗浄処理部ＯＮＢ１から洗浄処理部ＯＮＢ２への排出液の供給を行う。
上述したように第１のロットＬ１から第４のロットＬ４の４個のロットを順次に処理する場合には、純水のリサイクルを行わない通常の洗浄処理に対して、次のように純水の節約ができる。なお、ここでは、簡易的に、処理の単位時間を表した一つの正方形の数で節約量を記載する。
第２のロットＬ２の処理時には、リサイクル管４３により「７単位時間」分の純水が節約できる。第３のロットＬ３の処理時には、リサイクル管５３により「５単位時間」分の純水が節約できる。第４のロットＬ４の処理時には、リサイクル管４３により「７単位時間」分の純水が節約できる。つまり、合計で「１９単位時間」分の純水を節約できることになる。
本実施例によると、制御部１５は、洗浄処理部ＯＮＢ１及び洗浄処理部ＯＮＢ２の開閉弁３１及び流量調整弁２９と、リサイクル管４３，５３の開閉弁４５，５５とを制御して、洗浄処理部ＯＮＢ１で洗浄処理の後半ＳＨに使用された排出液を洗浄処理部ＯＮＢ２に供給し、洗浄処理部ＯＮＢ２で洗浄処理の後半ＳＨに使用された排出液を洗浄処理部ＯＮＢ１に供給する。洗浄処理部ＯＮＢ１で使用した排出液を洗浄処理部ＯＮＢ２で再利用し、洗浄処理部ＯＮＢ２で使用した排出液を洗浄処理部ＯＮＢ１で再利用するので、洗浄処理部ＯＮＢ１及び洗浄処理部ＯＮＢ２への供給管２５からの純水の供給量を低減できる。したがって、純水をリサイクルすることにより、洗浄処理における純水の消費量を低減できる。
＜変形例１＞
図７を参照する。図７は、洗浄処理部の変形例を示す図である。
変形例１に係る基板処理装置は、バッファタンク５１，６１を備えている点において、上述した構成と相違する。
具体的には、洗浄処理部ＯＮＢ１のリサイクル管４３は、バッファタンク５１を備えている。バッファタンク５１は、開閉弁４５とポンプ４７との間に配置されている。洗浄処理部ＯＮＢ２のリサイクル管５３は、バッファタンク６１を備えている。バッファタンク６１は、開閉弁５５とポンプ５７との間に配置されている。
バッファタンク５１は、洗浄処理部ＯＮＢ１の外槽２１から排出管３７に排出され、リサイクル管４３に流入している排出液を一時的に貯留する。バッファタンク６１は、洗浄処理部ＯＮＢ２の外槽２１から排出管３７に排出され、リサイクル管５３に流入している排出液を一時的に貯留する。
このようにバッファタンク５１，６１を備えることにより、排出液をリサイクルして供給するタイミングに余裕を設けることができる。これにより、先に投入されたロットの後半ＳＨと、その後に投入されたロットの前半ＦＨとが時間的にずれていても、排出液を好適に再利用できる。
具体的に説明する。ここで、図６を参照する。第２のロットＬ２の後半ＳＨは、ｔ６時点からｔ８時点に位置している。第３のロットＬ３の前半ＦＨは、ｔ７時点からｔ９時点に位置している。そのため、実施例の構成では、第２のロットＬ２の後半ＳＨ（ｔ６～ｔ８時点）のうち、ｔ７～ｔ８時点の排出液しか再利用できていない。
そこで、この変形例１のように構成すると、バッファタンク６１を備えているので、第２のロットＬ２の後半ＳＨのｔ６～ｔ７時点の排出液をバッファタンク６１に一時的に貯留できる。したがって、第２のロットＬ２の後半ＳＨの全ての排出液を第３のロットＬ２の前半ＦＨにおいて再利用できる。
＜変形例２＞
図８を参照する。図８は、洗浄処理部の他の変形例を示す図である。
上述した構成は、基板処理装置が洗浄処理部ＯＮＢ１と洗浄処理部ＯＮＢ２との二台の洗浄処理部を備えた構成である。変形例２は、さらに洗浄処理部ＯＮＢｘを備えた構成の場合の例を示す。
この構成では、洗浄処理部ＯＮＢ１のリサイクル管４３に一端側が連通接続されたリサイクル管６３を備えている。また、洗浄処理部ＯＮＢ２のリサイクル管５３に一端側が連通接続されたリサイクル管７３を備えている。これらのリサイクル管６３，７３は、他端側が洗浄処理部ＯＮＢｘの供給管に連通接続されている。リサイクル管６３は、開閉弁６５を備えている。開閉弁６５は、リサイクル管４３を介して流通する、洗浄処理部ＯＮＢ１からの排出液のリサイクル管６３における流通を許容または遮断する。リサイクル管７３は、開閉弁７５を備えている。開閉弁７５は、リサイクル管５３を介して流通する、洗浄処理部ＯＮＢ２からの排出液のリサイクル管７３における流通を許容または遮断する。
また、洗浄処理部ＯＮＢ１は、供給管２５に一端側が連通接続されたリサイクル管８３を備えている。洗浄液供給部ＯＮＢ２は、供給管２５に一端側が連通接続されたリサイクル管９３を備えている。リサイクル管８３，９３の他端側は、洗浄処理部ＯＮＢｘの排出管３７（不図示）に連通接続されている。リサイクル管８３，９３は、不図示の開閉弁を備えている。これにより、洗浄処理部ＯＮＢ１、ＯＮＢ２に加え洗浄処理部ＯＮＢｘを備えている場合にも、各部の排出液を相互に再利用できる。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した実施例では、リサイクル管４３とリサイクル管５３とを備えているが、本発明はこのような構成に限定されない。例えば、リサイクル管４３とリサイクル管５３とのうち、一方だけを備える構成としてもよい。このような構成であっても、洗浄処理部ＯＮＢ１または洗浄処理部ＯＮＢ２のいずれか一方の純水の消費量を低減できる。
（２）上述した実施例では、図１に示したような第１搬送機構ＣＴＣや第２搬送機構ＷＴＲなどの搬送機構や、乾燥処理部ＬＰＤなどを備えた構成を例にとって説明した。しかしながら、本発明はこのような構成を必須とするものではない。つまり、少なくとも二台の洗浄処理部ＯＮＢ１と洗浄処理部ＯＮＢ２とを備えた基板処理装置であれば本発明を適用できる。
（３）上述した実施例では、供給管２５が純水だけを供給できる構成としている。しかしながら、本発明は、供給管２５にミキシングバルブを備えた構成であってもよい。ミキシングバルブは、複数個の混合弁から構成されており、複数種類の薬液を供給管２５に混合させることができる。このような構成を採用した場合には、純水だけや、純水に薬液を混合した処理液や、薬液だけからなる処理液を供給管２５によって供給できる。このような構成であっても、本発明を適用できる。
（４）上述した実施例では、排出液を洗浄に再利用できる場合には、洗浄処理部ＯＮＢ２の前半ＦＨにおいて供給管２５から内槽１９に供給する純水を、リサイクル管４３の排出液だけでまかなうようにしている。しかしながら、本発明は、このような構成に限定されない。
すなわち、制御部１５は、洗浄処理部ＯＮＢ２の供給管２５における純水の供給と、洗浄処理部ＯＮＢ１の排出管３７から排出された純水のリサイクル管４３における供給との供給量を制御する。
具体的には、洗浄処理部ＯＮＢ２の純水供給源２７からの純水の新液と、リサイクル管４３からの排出液とを適宜に混合して内槽１９に供給する。より詳細には、制御部１５は、洗浄処理部ＯＮＢ２について、供給管２５における開閉弁３１及び流量調整弁２９と、リサイクル管４３における開閉弁４５及びポンプ４７とを操作する。このとき、流量計３３と流量計４９における流量を参照して、フィードバック制御を行うことが好ましい。これにより、制御部１５は、洗浄処理部ＯＮＢ１における後半ＳＨの排出液を、洗浄処理部ＯＮＢ２の新液である純水と混合して洗浄処理部ＯＮＢ２における前半ＦＨにおける洗浄に再利用できる。また、同様にして、洗浄処理部ＯＮＢ２における後半ＳＨの排出液を、洗浄処理部ＯＮＢ１の新液である純水と混合して洗浄処理部ＯＮＢ１における前半ＦＨにおける洗浄に再利用できる。
これにより、清浄な純水の割合を増やすことにより、純水を節約しつつも、洗浄時間の短縮化が期待できる。
上記の混合を行わせる場合には、制御部１５は、次のように各部を操作することが好ましい。
すなわち、制御部１５は、例えば、洗浄処理の前半ＦＨを実施している洗浄処理部ＯＮＢ２の流量調整弁２９を調整するとともに、リサイクル管４３から流入する排出液の流量を考慮する。つまり、制御部１５は、洗浄処理の前半ＦＨを実施している洗浄処理部ＯＮＢ２について、噴出管２３から内槽１９に供給される純水の流量が、リサイクルしない場合の前半ＦＨ、または後半ＳＨにおける純水の流量とほぼ一致するように、流量調整弁２９及びポンプ４７を操作する。洗浄処理の後半ＳＨを実施しているのが洗浄処理部ＯＮＢ１である場合には、洗浄処理部ＯＮＢ２の流量調整弁２９と、リサイクル管４３のポンプ４７を操作して、洗浄処理部ＯＮＢ２の噴出管２３から内槽１９に供給される純水の流量を、リサイクルしない場合に洗浄処理部ＯＮＢ２の前半ＦＨに供給される純水の流量、あるいは洗浄処理部ＯＮＢ２の後半ＳＨに供給される純水の流量にほぼ一致させる。
これにより、洗浄処理の前半ＦＨと後半ＳＨとにおいて、内槽１９における純水の流れが急激に変動して、内槽１９の処理位置で処理されている基板Ｗに悪影響を及ぼすことを防止できる。
（５）上述した実施例では、リサイクル管４３，５３が供給管２５に連通接続されている。しかしながら、本発明は、このような構成に限定されない。リサイクル管４３，５４は、噴出管２３や内槽１９に連通接続される構成であってもよい。
（６）上述した実施例では、比抵抗値ＳＲ１＝０．５～１ＭΩ・ｃｍとなる時点ｔ１で前半ＦＨと後半ＳＨとに分けている。しかしながら、本発明はこのような形態に限定されない。つまり、再利用の排出液を供給される側の基板の清浄度が、再利用の排出液を供給する側の基板の清浄度より極端に低い場合には、比抵抗値ＳＲ１＝０．５～１ＭΩ・ｃｍより低い値の時点で前半ＦＨと後半ＳＨに分けてもよい。また、比抵抗値ＳＲ１＝０．５～１ＭΩ・ｃｍは一例であり、本発明はこの値に限定されるものではない。
（７）上述した実施例では、内槽１９が比抵抗計３５を備えた構成を例にとって説明した。しかしながら、本発明はこのような構成に限定されない。例えば、比抵抗計３５に代えて、比抵抗計３５に比較して、不純物が多くても清浄度に対する感度が高い電導度計を採用してもよい。これにより、基板Ｗの洗浄度合いをより正確に判断できる。そのため、後半ＳＨとなったことを制御部１５で正確に判断できる。したがって、制御部１５は、予め決めた時間で後半ＳＨにおけるリサイクルを開始するのではなく、内槽１９内の導電率に基づいて後半ＳＨにおけるリサイクルを開始するようにしてもよい。これにより、時間に限定されず、清浄度に応じた柔軟な処理が可能となる。
（８）上述した実施例では、４ロットの処理を行う場合を例にとって説明した。しかしながら、本発明は、このような場合の処理に限定されない。すなわち、本発明は、少なくとも２ロットの処理を実施する際に効果を奏する。
以上のように、本発明は、基板を洗浄処理する基板処理装置に適している。
Ｗ … 基板
ＣＴＣ … 第１搬送機構
ＷＴＲ … 第２搬送機構
ＬＰＤ … 乾燥処理部
１１ … 第１処理部
ＯＮＢ１ … 洗浄処理部
ＣＨＢ１ … 薬液処理部
ＬＦＳ１ … 副搬送機構
１３ … 第２処理部
ＯＮＢ２ … 洗浄処理部
ＣＨＢ２ … 薬液処理部
ＬＦＳ２ … 副搬送機構
１５ … 制御部
１７ … 処理槽
１９ … 内槽
２１ … 外槽
２３ … 噴出管
２５ … 供給管
２７ … 純水供給管
２９ … 流量調整弁
３１ … 開閉弁
３３ … 流量計
３５ … 比抵抗計
３７ … 排出管
４３，５３ … リサイクル管
Ｌ１～Ｌ４ … 第１のロット～第４のロット
ＦＨ … 前半
ＳＨ … 後半
５１，６１ … バッファタンク

Claims (12)

  1. 基板に対して洗浄処理を行う基板処理装置において、
    基板を収容可能な第１の処理槽と、
    基板を収容可能な第２の処理槽と、
    純水供給源と連通接続され、前記第１の処理槽に純水を供給する第１の純水供給管と、
    前記第１の純水供給管に介挿された第１の供給弁と、
    純水供給源と連通接続され、前記第２の処理槽に純水を供給する第２の純水供給管と、
    前記第２の純水供給管に介挿された第２の供給弁と、
    前記第１の処理槽から排出される排出液を前記第２の処理槽へ供給する第１のリサイクル管と、
    前記第１のリサイクル管に介挿された第１のリサイクル弁と、
    前記第１の供給弁と、前記第２の供給弁と、前記第１のリサイクル弁との開閉を制御する制御部と、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記第２の処理槽から排出される排出液を前記第１の処理槽に供給する第２のリサイクル管と、
    前記第２のリサイクル管に介挿された第２のリサイクル弁と、
    をさらに備え、
    前記制御部は、さらに前記第２のリサイクル弁の開閉を制御することを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項１または２に記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、洗浄処理の対象である基板をロットで管理し、第１のロットが前記第１の処理槽にて洗浄処理され、第２のロットが前記第２の処理槽にて洗浄される場合に、前記第１のロットの洗浄処理の後半において前記第１の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部が、前記第２のロットの洗浄処理の前半において前記第１のリサイクル管を通じて前記第２の処理槽へと供給されるようにすることを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項２に記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、洗浄処理の対象である基板をロットで管理し、第１のロットが前記第１の処理槽にて洗浄処理され、第２のロットが前記第２の処理槽にて洗浄される場合に、前記第１のロットの洗浄処理の後半において前記第１の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部が、前記第２のロットの洗浄処理の前半において前記第１のリサイクル管を通じて前記第２の処理槽へと供給されるようにし、
    前記第２のロットの洗浄処理の後半において前記第２の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部が、前記第１のロットに引き続き前記第１の処理槽で処理される第３のロットの洗浄処理の前半において前記第２のリサイクル管を通じて前記第１の処理槽へと供給されるようにすることを特徴とする基板処理装置。
  5. 請求項２に記載の基板処理装置において、
    前記第１の処理槽は、基板を収容可能な第１の内槽と、前記第１の内槽の底部に設けられ、上方に向けて純水を噴出する第１の噴出管と、前記第１の内槽の上縁から溢れた排出液が流入する第１の外槽とを備え、
    前記第１の純水供給管は、前記第１の噴出管及び前記第２のリサイクル管に連通接続され、
    前記第２の処理槽は、基板を収容可能な第２の内槽と、前記第２の内槽の底部に設けられ、上方に向けて純水を噴出する第２の噴出管と、前記第２の内槽の上縁から溢れた排出液が流入する第２の外槽とを備え、
    前記第２の純水供給管は、前記第２の噴出管及び前記第１のリサイクル管に連通接続されていることを特徴とする基板処理装置。
  6. 請求項３から５のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１のロットの洗浄処理の後半は、前記洗浄処理の開始から比抵抗値が０．５～１ＭΩ・ｃｍを越えた時点以降であることを特徴とする基板処理装置。
  7. 請求項３に記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、前記第２のロットの洗浄処理の後半では、前記第１の処理槽から排出される排出液を前記第２の処理槽へ供給せず、前記第２の純水供給管から純水を前記第２の処理槽に供給することを特徴とする基板処理装置。
  8. 請求項４に記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、前記第２のロットの洗浄処理の前半では、前記第１の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部を前記第２の純水供給管を流通する純水と混合して前記第２の処理槽に供給し、前記第３のロットの洗浄処理の前半では、前記第２の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部を前記第１の純水供給管を流通する純水と混合して前記第１の処理槽に供給することを特徴とする基板処理装置。
  9. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記第１のリサイクル管は、バッファタンクを備えていることを特徴とする基板処理装置。
  10. 請求項２に記載の基板処理装置において、
    前記第２のリサイクル管は、バッファタンクを備えていることを特徴とする基板処理装置。
  11. 基板に対して洗浄処理を行う基板処理方法において、
    洗浄処理の対象である基板をロットで管理する場合に、基板を収容可能な第１の処理槽において第１のロットについて洗浄処理を開始する過程と、
    前記第１のロットの洗浄処理を開始する過程の後、基板を収容可能な第２の処理槽において第２のロットについて洗浄処理を開始する過程と、
    をその順に実施する際に、
    前記第１の処理槽から排出された排出液の少なくとも一部を、前記第２の処理槽に供給することを特徴とする基板処理方法。
  12. 請求項１１に記載の基板処理方法において、
    前記第２のロットの洗浄処理を開始する過程の後、前記第１の処理槽において前記第１のロットに引き続き前記第１の処理槽で処理される第３のロットについて洗浄処理を開始する過程を実施する際に、
    前記第２の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部を、前記第１の処理槽に供給することを特徴とする基板処理方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2994113B2 (ja) * 1991-10-08 1999-12-27 山形日本電気株式会社 部品洗浄装置
JPH11283947A (ja) 1998-03-27 1999-10-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2003059891A (ja) * 2001-08-14 2003-02-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP2005064312A (ja) * 2003-08-18 2005-03-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP5466380B2 (ja) 2008-07-17 2014-04-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP2013254821A (ja) * 2012-06-06 2013-12-19 Kurita Water Ind Ltd 基板のエッチング方法及び装置
JP2018022714A (ja) * 2016-08-01 2018-02-08 株式会社Sumco ウェーハの洗浄方法

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